Name: Fabricação do contato de nanoscale robusto entre um elétrodo de nanowire de prata e a camada do amortecedor dos CdS em células solares do fino-filme do se2 de UC (em, GA) (Vídeo) | JoVE Journal
Uploaded: 2019-07-19T14:30:00.000+00:00
Duration: 9 min 1 s
Description: Aprenda a fabricar contatos elétricos nanométricos robustos entre redes de nanofios de prata e camadas tampão de CdS em células solares de filme fino CIGS. Este método simples e reprodutível melhora a eficiência energética.

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Esta pesquisa foi apoiada pelo programa de pesquisa e desenvolvimento in-House do Instituto de pesquisa de energia da Coréia (KIER) (B9-2411) e do programa de pesquisa de ciência básica através da Fundação Nacional de pesquisa da Coréia (NRF) financiado pelo Ministério da Educação (Grant NRF-2016R1D1A1B03934840).

1. preparação de mo-revestido de vidro por DC magnetron sputtering
<ol><li>Carga limpa substratos de vidro em um magnetron DC e bomba para baixo para abaixo 4 x 10-6 Torr.</li>
	<li>Fluxo de ar de gás e definir a pressão de trabalho para 20 mTorr.</li>
	<li>Ligue o plasma e aumente a potência de saída CC para 3 kW.</li>
	<li>Após o pre-sputtering de 3 minutos para a limpeza do alvo, comece o depósito do mo até que a espessura da película do mo alcangue aproximadamente 350 nanômetro.</li>
	<li>Ajuste a pressão de funcionamento a 15 mTorr ao manter a mesma potência de saída (isto é, 3 quilowatts).</li>
	<li>Retomar a deposição de mo até que a espessura total de mo atinja aproximadamente 750 nm.</li>
</ol>2. deposição de camada absorvente de CIGS por meio de uma coevaporação de três estágios
<ol><li>Carregue o vidro mo-revestido em um co-evaporador pré-aquecido um vácuo mais baixo do que 5 x 10-6 Torr.</li>
	<li>Defina as temperaturas das células de derrame in, GA e se produzindo taxas de deposição de 2,5 Å/s, 1,3 Å/s e 15 Å/s, respectivamente.<ol>
<li>Verifique as taxas de deposição usando a técnica de microequilíbrio de cristal de quartzo (QCM). As taxas de deposição dependem da temperatura definida das células de derrame e da quantidade de materiais nas células de derrame.</li>
	</ol>
</li>
	<li>Comece a fornecer in, GA e se sobre o vidro revestido com mo para formar uma camada 1 μm-grossa (in, GA)xsey precursor na temperatura do substrato de 450 ° c. O tempo de deposição é de 15 min (ou seja, 1 estágioSt ).</li>
	<li>Pare as fontes de in e GA e aumente a temperatura do substrato para 550 ° c.</li>
	<li>Começar a fornecer o UC (taxa de deposição: 1,5 Å/s) sobre o (in, GA)xsey precursor e continuar até que o/(em + GA) composição da proporção do filme atinge 1,15. Note-se que a taxa de deposição se é mantida em 15 Å/s através da fase 2ND (ou seja, 2ª etapa).</li>
	<li>Pare de fornecer o UC e evate-o em e GA outra vez com as mesmas taxas de depósito que o 1 estágio doSt para dar forma finalmente a aproximadamente 2 μm-espesso película de CIGS com relação de composição de UC/(em + GA) de 0,9. Manter a taxa de deposição de se e a temperatura do substrato em 15 Å/s e 550 ° c, respectivamente. O tempo de deposição desta fase é de 4 min (ou seja, estágio de 3RD ).</li>
	<li>A fim assegurar uma reação completa, recoze o filme depositado de CIGS o ambiente se (15 Å/s) por 5 minutos na temperatura da carcaça de 550 ° c.</li>
	<li>Refresque a temperatura da carcaça a 450 ° c o ambiente se (15 Å/s) e descarregue então o substrato CIGS-depositado quando a temperatura da carcaça está abaixo de 250 ° c.</li>
</ol>3. crescimento da camada tampão CdS na camada de absorvedor CIGS usando um método de deposição de banho químico (CBD)
<ol><li>Prepare a solução de banho de reação de CdS em uma taça de 250 mL adicionando 97 mL de água DI, 0, 79 g de CD (CH3COO)2· 2h2O, 0, 41 g de NH2csnh2e 0,155 g de ch3coonh4. Mexa a solução por vários minutos para misturar. Certifique-se de que todos os solutos adicionados estão completamente dissolvidos.</li>
	<li>Adicione 3 mL de NH4Oh (28% NH3) na solução de banho e mexa a solução por 2 min. a Figura 1 mostra a configuração experimental do CBD para CDs.</li>
	<li>Põr a amostra de CIGS na solução do banho da reação usando um suporte da amostra do Teflon.</li>
	<li>Põr o banho da reação no banho do água-calor mantido em 65 ° c e mexa a solução do banho da reação em 200 rpm usando uma barra magnética durante o processo do depósito.</li>
	<li>Reagir por 20 min para gerar uma camada de buffer de CdS de aproximadamente 70 a 80 nm no CIGS.</li>
	<li>Após a reação, retire a amostra do banho de reação, lave com um fluxo de água DI, e seque com gás N2 .</li>
	<li>Anneal a amostra em 120 ° c por 30 minutos em uma placa quente.</li>
</ol>4. fabricação da rede AgNW TCE
<ol><li>Prepare uma dispersão de AgNW diluída (1 mg/mL) misturando 19 mL de etanol com 1 mL de uma dispersão de AgNW à base de etanol comprada (20 mg/mL).</li>
	<li>Despeje 0,2 mL da dispersão de AgNW diluída sobre uma amostra de CdS/CIGS (2,5 cm x 2,5 cm) para cobrir toda a superfície da amostra e gire a amostra com 1.000 rpm por 30 s.</li>
	<li>Repita a etapa 4,2 conforme necessário para obter as propriedades ópticas e elétricas desejadas. Spin-Coat o AgNWs 3x. Uma imagem de microscopia eletrônica de varredura (SEM) de AgNW TCE revestido com spin é mostrada na Figura 2.</li>
	<li>Após o spin-coating, recoze a amostra em 120 ° c por 5 minutos em uma placa quente.</li>
</ol>5. deposição da camada de CDs 2ND
<ol><li>Prepare uma nova solução de banho de reacção CdS conforme descrito no passo 3,1.</li>
	<li>Deposite CdS como na secção 3, excepto alterar o tempo de reacção conforme necessário. Nota: otimizamos o tempo de reação e 10 min resultaram no dispositivo CIGS com o melhor desempenho. O efeito do tempo de deposição de CDs de 2ND em um desempenho de dispositivo de célula solar de filme fino cigs pode ser encontrado em nosso trabalho anterior14.</li>
</ol>6. técnicas de caracterização
<ol><li>Caracterizar a superfície e a morfologia transversal de AgNWs e de AgNWs CdS-revestidos pela emissão de campo SEM e pela microscopia de elétron da transmissão (TEM).</li>
	<li>Meça o desempenho da célula solar usando uma fonte de tensão atual equipada com um simulador solar (1.000 W/m2, am 1.5 g).</li>
</ol>

<ol><li>Lee, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Determination+of+the+lateral+collection+length+of+charge+carriers+for+silver-nanowire-electrode-based+Cu%28In%2CGa%29Se2+thin-film+solar+cells%5BTitle%5D)+AND+%22Solar+Energy%22%5BJournal%5D)">Determination of the lateral collection length of charge carriers for silver-nanowire-electrode-based Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> Solar Energy. 180, 519-523 (2019).</li>
<li>Langley, D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Flexible+transparent+conductive+materials+based+on+silver+nanowire+networks%3A+a+review%5BTitle%5D)+AND+%22Nanotechnology%22%5BJournal%5D)">Flexible transparent conductive materials based on silver nanowire networks: a review.</a> Nanotechnology. 24 (45), 452001(2013).</li>
<li>Chung, C. -H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Silver+nanowire+composite+window+layers+for+fully+solution-deposited+thin-film+photovoltaic+devices%5BTitle%5D)+AND+%22Advanced+Materials%22%5BJournal%5D)">Silver nanowire composite window layers for fully solution-deposited thin-film photovoltaic devices.</a> Advanced Materials. 24 (40), 5499-5504 (2012).</li>
<li>Liu, C. -H., Yu, X. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Silver+nanowire-based+transparent%2C+flexible%2C+and+conductive+thin+film%5BTitle%5D)+AND+%22Nanoscale+Research+Letters%22%5BJournal%5D)">Silver nanowire-based transparent, flexible, and conductive thin film.</a> Nanoscale Research Letters. 6 (1), (2011).</li>
<li>Yu, Z., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Highly+flexible+silver+nanowire+electrodes+for+shape-memory+polymer+light-emitting+diodes%5BTitle%5D)+AND+%22Advanced+Materials%22%5BJournal%5D)">Highly flexible silver nanowire electrodes for shape-memory polymer light-emitting diodes.</a> Advanced Materials. 23 (5), 664-668 (2011).</li>
<li>Chung, C. -H., Hong, K. -H., Lee, D. -K., Yun, J. H., Yang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Ordered+vacancy+compound+formation+by+controlling+element+redistribution+in+molecular-level+precursor+solution+processed+CuInSe2+thin+films%5BTitle%5D)+AND+%22Chemistry+of+Materials%22%5BJournal%5D)">Ordered vacancy compound formation by controlling element redistribution in molecular-level precursor solution processed CuInSe2 thin films.</a> Chemistry of Materials. 27 (21), 7244-7247 (2015).</li>
<li>Kim, A., Won, Y., Woo, K., Kim, C. -H., Moon, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Highly+transparent+low+resistance+ZnO%2FAg+Nanowire%2FZnO+composite+electrode+for+thin+film+solar+cells%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Nano%22%5BJournal%5D)">Highly transparent low resistance ZnO/Ag Nanowire/ZnO composite electrode for thin film solar cells.</a> ACS Nano. 7 (2), 1081-1091 (2013).</li>
<li>Singh, M., Jiu, J., Sugahara, T., Suganuma, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Thin-film+copper+indium+gallium+selenide+solar+cell+based+on+low-temperature+all-printing+process%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Applied+Materials+and+Interfaces%22%5BJournal%5D)">Thin-film copper indium gallium selenide solar cell based on low-temperature all-printing process.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 6 (18), 16297-16303 (2014).</li>
<li>Kim, A., Won, Y., Woo, K., Jeong, S., Moon, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((All-solution-processed+indium-free+transparent+composite+electrodes+based+on+Ag+Nanowire+and+Metal+Oxide+for+thin-film+solar+cells%5BTitle%5D)+AND+%22Advanced+Functional+Materials%22%5BJournal%5D)">All-solution-processed indium-free transparent composite electrodes based on Ag Nanowire and Metal Oxide for thin-film solar cells.</a> Advanced Functional Materials. 24 (17), 2462-2471 (2014).</li>
<li>Shin, D., Kim, T., Ahn, B. T., Han, S. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Solution-processed+Ag+Nanowires+%2B+PEDOT%3APSS+hybrid+electrode+for+Cu%28In%2CGa%29Se2+thin-film+solar+cells%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Applied+Materials+and+Interfaces%22%5BJournal%5D)">Solution-processed Ag Nanowires + PEDOT:PSS hybrid electrode for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 7 (24), 13557-13563 (2015).</li>
<li>Wang, M., Choy, K. -L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((All-nonvacuum-processed+CIGS+solar+cells+using+scalable+Ag+NWs%2FAZO-based+transparent+electrodes%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Applied+Materials+and+Interfaces%22%5BJournal%5D)">All-nonvacuum-processed CIGS solar cells using scalable Ag NWs/AZO-based transparent electrodes.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 8 (26), 16640-16648 (2016).</li>
<li>Jang, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Cu%28In%2CGa%29Se2+thin+film+solar+cells+with+solution+processed+silver+nanowire+composite+window+layers%3A+buffer%2Fwindow+junctions+and+their+effects%5BTitle%5D)+AND+%22Solar+Energy+Materials+and+Solar+Cells%22%5BJournal%5D)">Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells with solution processed silver nanowire composite window layers: buffer/window junctions and their effects.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 170, 60-67 (2017).</li>
<li>Chung, C. -H., Bob, B., Song, T. -B., Yang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Current-voltage+characteristics+of+fully+solution+processed+high+performance+CuIn%28S%2CSe%292+solar+cells%3A+crossover+and+red+kink%5BTitle%5D)+AND+%22Solar+Energy+Materials+and+Solar+Cells%22%5BJournal%5D)">Current-voltage characteristics of fully solution processed high performance CuIn(S,Se)2 solar cells: crossover and red kink.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 120, 642-646 (2014).</li>
<li>Lee, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Robust+nanoscale+contact+of+silver+nanowire+electrodes+to+semiconductors+to+achieve+high+performance+chalcogenide+thin+film+solar+cells%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Energy%22%5BJournal%5D)">Robust nanoscale contact of silver nanowire electrodes to semiconductors to achieve high performance chalcogenide thin film solar cells.</a> Nano Energy. 53, 675-682 (2018).</li>
</ol>

Os autores declaram que não têm interesses financeiros concorrentes.

Observe que o tempo de deposição da camada de CDs de 2ND deve ser otimizado para atingir o desempenho ideal da célula. À medida que o tempo de deposição aumenta, a espessura da camada de CDs de 2ND aumenta e, consequentemente, o contato elétrico melhorará. No entanto, a deposição adicional da camada de CDs de 2ND resultará em uma camada mais espessa que reduz a absorção de luz, e a eficiência do dispositivo diminuirá. Conseguimos o melhor desempenho celular com 10 min de tempo de deposiçã...

As redes de nanofio de prata (agnw) foram estudadas extensivamente como uma alternativa ao óxido de estanho do índio (ITO) transparente que conduz películas finas devido a suas vantagens sobre os óxidos de condução transparentes convencionais (TCOs) nos termos de um custo de processamento mais baixo e melhor flexibilidade mecânica. Solução-processado AgNW rede transparente eletrodos condutores (TCEs) têm sido, portanto, empregado em UC (in, GA) se2 (CIGS) células solares de película fina1,2,3,4,5 , 6. solução-processado agnw TCEs são normalmente fabricados a forma de embutido-agnw ou Sandwich-agnw estruturas em uma matriz condutora como pedot: PSS, Ito, ZnO, etc7,8,9, 10,11 as camadas da matriz podem realçar que a coleção dos portadores da carga presente nos espaços vazios da rede de agnw.
No entanto, as camadas matriciais podem gerar defeitos interfaciais entre a camada matricial e a camada de buffer de CDs subjacente em células solares de película fina de CIGS12,13. Os defeitos interfaciais causam frequentemente uma torção na curva atual da densidade-tensão (J-V), tendo por resultado um baixo fator de suficiência (FF) na pilha, que é prejudicial ao desempenho da pilha solar. Nós relatado previamente um método para resolver esta edição seletivamente depositando uma camada fina adicional dos CDs (camada dos CDs de 2ND ) entre o agnws e a camada de amortecedor14dos CDs. A incorporação de uma camada adicional de CdS aprimorou as propriedades de contato na junção entre as camadas AgNW e CdS. Conseqüentemente, a coleção da transportadora na rede de AgNW foi melhorada extremamente, e o desempenho da pilha foi realçado. Neste protocolo, nós descrevemos o procedimento experimental para fabricar o contato elétrico robusto entre a rede de AgNW e a camada de amortecedor dos CdS usando uma camada dos CDs 2ND em uma pilha solar da fino-película dos CIGS.

<table><tbody><tr><td>Mo</td><td>Materion</td><td>Pureza: 3N5</td><td>Mo sputtering</td></tr><tr><td></td><td>5N Plus</td><td>Pureza: 4N7</td><td>Deposição CIGS</td></tr><tr><td>Em</td><td>5N Plus</td><td>Pureza: 5N</td><td>Deposição CIGS</td></tr><tr><td>Ga</td><td>5N Plus</td><td>Pureza: 5N</td><td>Deposição CIGS</td></tr><tr><td>Se</td><td>5N</td><td>Plus Pureza: 5N</td><td>Deposição CIGS</td></tr><tr><td>Acetato de amônio</td><td>Alfa Aesar</td><td>11599</td><td>Solução de reação de CdS</td></tr><tr><td>Hidróxido de amônio</td><td>Alfa Aesar</td><td>L13168</td><td>Solução de reação de CdS</td></tr><tr><td>Acetato de cádmio di-hidratado</td><td>Sigma-Aldrich</td><td>Solução de reação de CdS 289159</td><td></td></tr><tr><td>Tioureia</td><td>Sigma-Aldrich</td><td>T8656</td><td>Solução de reação de CdS</td></tr><tr><td>Nanofio de prata</td><td>ACSMaterial</td><td>AgNW-L30</td><td>Dispersão AgNW</td></tr></tbody></table>

fabricação do contato de nanoscale robusto entre um elétrodo de nanowire de prata e a camada do amortecedor dos cds em células solares do fino-filme do se2 de uc (em, ga)

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in Cu(In,Ga)Se2 Thin-film Solar Cells

Os elétrodos transparentes de nanofio de prata foram empregados como camadas de janela para o (em, GA) se2 células solares da fino-película do UC. Os elétrodos de nanofio de prata desencapados resultam geralmente no desempenho muito pobre da pilha. Incorporar ou imprensar nanofios de prata usando materiais transparentes moderadamente condutivos, tais como o óxido da lata do índio ou o óxido de zinco, podem melhorar o desempenho da pilha. No entanto, as camadas de matriz processadas por solução podem causar um número significativo de defeitos interfaciais entre eletrodos transparentes e o buffer de CdS, o que pode resultar em baixo desempenho celular. Este manuscrito descreve como fabricar um contato elétrico robusto entre um eletrodo de nanofio de prata e a camada de buffer de CDs subjacente em uma célula solar de UC (in, GA) se2 , permitindo alto desempenho celular usando nanofio de prata sem matriz transparente Eletrodos. O elétrodo de prata Matrix-livre do nanofio fabricado por nosso método prova que a capacidade da coleção da carga-portador de pilhas eletrodo-baseadas nanofio de prata é tão boa quanto aquela de pilhas padrão com o ZnO sputtered: Al/i-ZnO contanto que os nanofios de prata e CdS têm contato elétrico de alta qualidade. O contato elétrico de alta qualidade foi conseguido depositando uma camada adicional dos CDs tão fina quanto 10 nanômetro na superfície de nanofio de prata.

As estruturas de camada das células solares CIGS com (a) ZnO padrão: Al/i-ZnO e (b) AgNW TCE são mostradas na Figura 3. A morfologia superficial do CIGS é áspera, e uma lacuna de nanoescala pode se formar entre a camada de AgNW e a camada de buffer de CdS subjacente. Como destacado na Figura 3a, a camada de CDs 2ND pode ser depositada seletivamente na lacuna de nanosescala para criar um contato elétrico estável. A expl...

Neste protocolo, nós descrevemos o procedimento experimental detalhado para a fabricação de um contato de nanoescala robusto entre uma rede de nanofio de prata e a camada do amortecedor dos CDs em uma pilha solar da fino-película de CIGS.

Fabricação do contato de nanoscale robusto entre um elétrodo de nanowire de prata e a camada do amortecedor dos CdS em células solares do fino-filme do se2 de UC (em, GA)

Silver nanowire transparent electrodes have been employed as window layers for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells. Bare silver nanowire electrodes ...

As redes de nanofios de prata são uma tecnologia emergente para substituir óxidos condutores transparentes tradicionais na aplicação de células solares de filme fino. No entanto, o contato elétrico com a camada subjacente tem sido um problema. Nosso protocolo é um método de processo simples para melhorar a propriedade de contato elétrico entre a rede de nanofios de prata e a camada tampão cds subjacente em células solares de película fina CIGS.Nosso método é um processo muito simples, reprodutível e barato baseado em soluções. Também é comparável ao processo baseado em soluções existente, para fabricar células solares de película fina CIGS. Primeiro, carregue substratos de vidro limpo em um magnetron DC, e bombeie para baixo para soprar quatro vezes 10 para o menos seis torr.Esvoe gás argônio, e coloque a pressão de trabalho em 20 militorr. Ligue o plasma e aumente a potência de saída dc para três quilowatts. Depois de pré-sputtering três minutos para limpeza do alvo, comece a deposição de molbdenum até que a espessura do filme molbdenum atinja aproximadamente 350 nanômetros.Em seguida, coloque a pressão de trabalho em 15 militorr, mantendo a potência de saída em 3 quilowatts. Reto

fabrication-robust-nanoscale-contact-between-silver-nanowire

Research

JoVE Journal

Engineering

Engenharia

Uma estratégia geral para o desenvolvimento de carga de separação de compostos semicondutores nanocristais implantáveis ​​para a produção de energia solar é apresentada. Mostra-se que a montagem de domínios dador-aceitador de nanocristais de uma geometria de nanopartículas único dá origem a uma função fotocatalítica, enquanto bulk-heterojunções de dador-aceitador de nanocristais películas podem ser usados ​​para a conversão da energia fotovoltaica.

Captação de energia solar por meio da carga de separação de nanocristais e seus sólidos

A técnica foi desenvolvida, que remove Ni / Au filmes contato de metal do seu substrato para permitir a análise e caracterização do contato / substrato e interfaces de contato / NW de dispositivos de GaN nanofios individuais.

Análise de Contato Interfaces para únicos dispositivos de nanofios de GaN

Os nanofios de prata podem transportar simultaneamente elétrons e informações ópticas na forma de plasmons de superfície. Um procedimento é descrito aqui para realizar esse circuito compartilhado e as limitações na propagação de ambas as portadoras de informações são avaliadas.

Avaliando plasmônicos Transporte em Prata atual de transporte de nanofios

Os procedimentos são descritos para preparar nanofios segmentados e coaxiais por meio de eletrodeposição moldada em nanoporos. Como exemplos, foram feitos nanofios segmentados consistindo em segmentos de Ag e ZnO e nanofios coaxiais consistindo em um invólucro de TiO2 e um núcleo de Ag. Os nanofios foram usados em experimentos de formação de hidrogênio fotocatalítico.

Preparação e Utilização de fotocataliticamente atividade segmentada Ag | ZnO e Coaxial TiO<sub&gt; 2</sub&gt;-AG nanofios feitos por Templated Electrodeposition

Uma metodologia viável baseada em impressão de transferência para introduzir nanoestruturas de metal plasmônico em células solares é descrita.  Usando selos de poli (dimetilsiloxano) de nanopilares, uma matriz de nanodisco ordenada baseada em Ag foi integrada com células solares de Si microcristalinas hidrogenadas padrão, o que levou a um melhor desempenho do dispositivo devido ao aprisionamento de luz plasmônica.

Integração da luz Interceptação de prata Nanoestruturas em células solares de silício hidrogenado microcristalina por Transferência de impressão

Aqui apresentamos um protocolo para a síntese de Zn 1-x Mg x O / Cu 2 O heterojunções em ao ar livre a baixa temperatura através de pressão atmosférica espacial de deposição de camadas atômicas (AP-SALD) de Zn 1-x Mg x O em óxido de cobre. Tais óxidos metálicos isolantes de elevada qualidade podem ser cultivadas numa variedade de substratos, incluindo plásticos por este método barato e escalável.

Melhoria da Qualidade Heterojunction em Cu<sub&gt; 2</sub&gt; O baseados em células solares através da optimização da Pressão atmosférica Camada Espacial Atomic Depositado<br /&gt; Zn<sub&gt; X-1</sub&gt; Mg<sub&gt; x</sub&gt; ó

Um método de síntese simples é usado para soldar quimicamente o filme fino de nanofios de prata para fabricar condutores de metal altamente elásticos e condutores.

Um método de fabricação para Condutores altamente extensível com prata Nanowires

Este protocolo descreve a síntese e deposição de camada de solução de nanocristais inorgânico por camada para produzir electrónica de película fina sobre as superfícies não condutoras. tintas solventes estabilizada pode produzir dispositivos fotovoltaicos completos sobre substratos de vidro por meio de revestimento por rotação e pulverização seguintes troca de ligantes pós-deposição e sinterização.

Fabricação de Solução totalmente processado inorgânicos nanocristais fotovoltaicos Devices

Duas configurações de 'Teste de estresse combinado com medição em situ' , que permitem o monitoramento em tempo real de degradação acelerada de células solares e módulos, foram projetadas e construídas. Essas configurações permitem a utilização simultânea de umidade, temperatura, enviesamentos elétricos e iluminação controlada independentemente como fatores de estresse. As configurações e vários experimentos executados são apresentados.

In Situ Monitoramento da degradação desempenho acelerado de células solares e módulos: um estudo de caso de Cu (In, Ga) Se2 células solares

Este artigo tem como objetivo apresentar um método para formar filmes suaves e bem controlados de cloreto de prata (AgCl) com cobertura designada em cima de eletrodos de prata de filme fino.

Fabricação de eletrodos de cloreto de prata/prata de filme fino com cloreto de prata de camada única finamente controlado

Este trabalho descreve o processo completo de fabricação de dispositivos fotovoltaicos de telúrio de cádmio de cádmio fino para maior eficiência. O processo utiliza um sistema de vácuo em linha automatizado para deposição de sublimação de espaço fechado que é escalável, a partir da fabricação de dispositivos de pesquisa de pequena área, bem como módulos de grande escala.

Células solares ultrafinas de sublimação de curto espaço depositadas em cdSete/cdte para densidade de corrente de curto-circuito aprimorada e fotoluminescência

Aprenda a fabricar contatos elétricos nanométricos robustos entre redes de nanofios de prata e camadas tampão de CdS em células solares de filme fino CIGS. Este método simples e reprodutível melhora a eficiência energética.

Fabricação do contato de nanoscale robusto entre um elétrodo de nanowire de prata e a camada do amortecedor dos CdS em células solares do fino-filme do se2 de UC (em, GA) (Vídeo) | JoVE Journal

Fabricação do contato de nanoscale robusto entre um elétrodo de nanowire de prata e a camada do amortecedor dos CdS em células solares do fino-filme do se₂ de UC (em, GA)

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