10.7
p-n переход внутри светодиода требует внешнего смещения для производства света.
Прямое смещение включает в себя подачу напряжения на p-n переход, при этом положительная клемма батареи подключена к p-стороне, а отрицательная клемма — к n-стороне. Приложенное напряжение противодействует потенциалу перехода, уменьшая ширину барьера.
Эта уменьшенная ширина барьера позволяет протекать току за счет увеличения диффузии большинства носителей. Диффузионный ток выше, чем ток дрейфа, и суммарный ток течет в прямом направлении от p до n.
Во время диффузии рекомбинация электронов и дырок в области перехода испускает фотоны, заставляя светодиод светиться.
При обратном смещении положительная клемма батареи соединена с n-стороной, а отрицательная — с p-стороной.
Это предотвращает свечение светодиода, поскольку приложенный потенциал добавляется к потенциалу перехода, что приводит к увеличению ширины барьера и уменьшению диффузии большей части носителя.
Суммарный ток — это малый дрейфовый ток, получаемый из-за некачественных несущих.
Если напряжение обратного смещения превышает определенный порог, происходит пробой перехода, что приводит к большому протеканию тока.
Работа диода с pn-переходом предполагает различные условия смещения, включая прямое смещение, обратное смещение и равновесие.
В состоянии равновесия к…
© 2026 MyJoVE Corporation. Все права защищены.