12.4
Рассмотрим конфигурацию BJT с общим излучателем.
Зависимости напряжения и тока измеряются экспериментально, чтобы понять вольт-амперные характеристики.
Что касается входных характеристик, напряжение база-эмиттер изменяется при сохранении постоянного напряжения коллектора-эмиттера.
Полученный график показывает зависимость тока коллектора по типу Шокли от напряжения база-эмиттер.
Выходные характеристики представляют ток коллектора в зависимости от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном базовом токе.
Область насыщения соответствует малому напряжению коллектора-эмиттера, при котором ток коллектора падает к нулю. Здесь сопротивление транзистора между клеммами коллектора и эмиттера невелико.
При увеличении напряжения коллектора-эмиттера транзистор переходит в активную область. При этом сопротивление коллектора-эмиттера транзистора становится бесконечно высоким, в то время как ток коллектора остается независимым от напряжения коллектор-эмиттер.
Однако на практике замечено незначительное увеличение тока коллектора, что связано с расширением области истощения и укорочением длины основания.
Это известно как эффект Рано, приводящий к конечному выходному сопротивлению транзистора.
Биполярный транзистор (BJT), особенно в конфигурации с общим эмиттером, демонстрирует четкие вольт-амперные характеристики, имеющие решающее значение…
© 2026 MyJoVE Corporation. Все права защищены.