12.15
Металл-оксид-полупроводниковый полевой транзистор, или MOSFET, представляет собой полупроводниковое устройство с тремя выводами: источником, стоком и затвором, также известное как IGFET, MISFET и MOST.
Он может быть как n-каналом, так и p-каналом, в зависимости от легирования субстрата и исходной или дренажной областей.
В n-канальных МОП-транзисторах подложка имеет две сильно легированные области источника и стока n-типа. На поверхности выращивается тонкий слой диоксида кремния, а сверху наносится металл, образуя электрод затвора.
При нулевом напряжении затвора ток не протекает от источника к стоку, за исключением небольшого тока утечки.
Когда положительное смещение прикладывается к затвору, электроны от подложки движутся к затвору, образуя инверсионный слой и обеспечивая большой поток электронов от источника к стоку. Проводимость этого канала может быть модулирована путем изменения напряжения затвора.
Обычный ток течет от стока к источнику и называется током стока.
МОП-транзисторы являются неотъемлемой частью различных приложений, включая смартфоны, ноутбуки и электромобили.
Полевой транзистор металл-оксид-полупроводник (MOSFET) играет ключевую роль в современной электронике благодаря своей универсальности и эффективности…
© 2026 MyJoVE Corporation. Все права защищены.