Моделирование обратной характеристики диода

Моделирование обратных характеристик диода включает в себя изучение цепи диода с обратным смещением.

Рассмотрим схему стабилитронного диода, обладающую напряжением пробоя, которое соответствует желаемому выходному напряжению.

Диод попадает в зону пробоя, когда обратное напряжение превышает напряжение пробоя.

Вольт-амперная характеристическая кривая близко приближена к прямой вертикальной линии для токов, превышающих коленчатый ток

.

Закон напряжения Кирхгофа может быть использован для вывода математического выражения, которое устанавливает связь между током диода, напряжением источника и падением напряжения диода.

Эта взаимосвязь графически представлена в виде прямой линии, называемой линией нагрузки.

Точка, в которой линия нагрузки пересекается с кривой диода, обозначенная как точка Q, обозначает рабочую точку цепи.

В техническом описании стабилитронного диода производитель указывает напряжение пробоя, ток колена, сопротивление приращения и номинальную мощность.

Номинальная мощность стабилитронного диода помогает рассчитать максимально возможный ток через стабилитрон, не повреждая его.