Диод с барьером Шоттки

Барьерные диоды Шоттки представляют собой полупроводниковые устройства, образованные путем соединения металлического слоя с умеренно легированным полупроводниковым материалом n-типа.

Когда металл контактирует с полупроводником, перенос заряда выравнивает уровни Ферми.

Если начальный уровень Ферми в полупроводнике выше, чем уровень Ферми в металле до контакта, он повышает свой потенциал, образуя область истощения, связанную с барьером Шоттки.

В полупроводниках n-типа эта область содержит положительные заряды от некомпенсированных ионов-доноров, выравнивающиеся с отрицательными зарядами металла.

В случае с полупроводниками p-типа процесс обратный, что приводит к образованию области истощения с отрицательными зарядами, соответствующими положительным зарядам металла.

Переход металл-полупроводник ведет себя как диод, позволяя однонаправленному току течь от металлического анода к полупроводниковому катоду, действуя как разомкнутая цепь в обратном направлении.

Диоды Шоттки в основном проводят ток через большинство несущих и не имеют эффектов накопления заряда на малых несущих, что делает их более быстрыми для коммутационных приложений.

Их проводящее прямое падение напряжения ниже, чем у диодов с pn-переходом, что снижает рассеиваемую мощность.

Диоды Шоттки используются для зажимов напряжения и защиты от переходных процессов благодаря их низкому прямому напряжению и быстрому отклику.