12.5
Биполярный транзистор имеет четыре режима работы, в зависимости от полярности напряжения на переходе «эмиттер-база» и переходе коллектор-база.
В активном режиме переход эмиттер-база смещен вперед, что позволяет впрыскивать электроны от эмиттера к базе. Соединение «основание-коллектор» имеет обратное смещение, блокируя поток большинства носителей.
В этом режиме транзистор работает как усилитель, при этом малый базовый ток контролирует больший ток коллектора.
В режиме насыщения оба перехода смещены вперед. Этот режим соответствует малому напряжению смещения и большому выходному току, эффективно выступая в роли замкнутого переключателя.
Режим среза возникает, когда оба перехода имеют обратное смещение, в результате чего ток между клеммами отсутствует. Транзистор действует как разомкнутый переключатель.
В инвертированном режиме переход «эмиттер-база» имеет обратное смещение, в то время как переход «коллектор-база» смещен вперед. Его часто называют инвертированным активным режимом, в котором коллектор становится излучателем и наоборот.
Этот режим имеет меньший коэффициент усиления по току из-за снижения «эффективности эмиттера», вызванного более низким легированием коллектора по сравнен
Биполярный переходной транзистор (BJT) — это универсальный компонент в электронике, работающий в четырех различных режимах в зависимости от смещения е…
© 2026 MyJoVE Corporation. Все права защищены.