12.8
Рассмотрим схему переключения, которая включает в себя резкое изменение напряжения на базе эмиттера.
Первоначально и переход база-эмиттер, и переход коллектор-эмиттер имеют обратное смещение.
В этом случае ток, протекающий через базу, равен нулю, а ток через коллектор-эмиттерный переход обусловлен второстепенными несущими. Это состояние транзистора в выключенном состоянии.
Когда переход эмиттера базы становится смещенным вперед, базовый ток увеличивается, увеличивая ток коллектора. Здесь включается транзистор. Таким образом, транзистор работает как идеальный переключатель.
Переходные процессы тока коллектора зависят от изменения общего избыточного заряда миноритарной несущей, хранящегося в базе.
Когда этот заряд меньше QS, базового заряда при нулевом напряжении коллектор-база, транзистор работает в активном режиме.
Во время фазы включения, если базовый заряд превышает QS, устройство переходит в режим насыщения.
Во время фазы выключения ток коллектора остается почти постоянным до тех пор, пока накопленный заряд не уменьшится до QS.
Как только накопленный заряд становится равным QS, устройство возвращается в активный режим. После этого ток коллектора постепенно уменьшается к нулю.
Поведение биполярных транзисторов с переходом (BJT) при переключении является фундаментальным аспектом, используемым в различных электронных схемах, о…
© 2026 MyJoVE Corporation. Все права защищены.