1. Оптическая схема
Вся оптическая система была описана ранее 15. Кратко, оптическая система пинцетом основана на иттербия непрерывной волны (CW) операционной волоконным лазером на длине волны 1064 нм (IPG Laser GmbH). Пространственный модулятор света (ПМС) (LCOS-SLM, модель X10468-07 - Hamamatsu) изменяется фаза входящих ИК лазерный луч для управления положением захвата точка фокусировки на чашку для культивирования при компьютером голограммы. Свободном доступе Blue-пинцет программного обеспечения (веб-ссылка на оборудовании таблицу) синтезированных голограмм проецируется на пространственный модулятор света. Интерферометр для измерения силовой спектроскопии была основана на четырехквадрантные фотодиод (QPD, S5980 с 6041 C5460SPL доске - Хамамацу) и фотодиод (PD, PDA100A-EC - Thorlabs).
Лазерный источник рассечение было импульсным субнаносекундном УФ Nd: YAG лазера на длине волны 355 нм (ПНВ-001525-040, Powerchip нано-Pulse УФ лазер - Teem Photonics). Акусто-модулятор (MQ110-A3-УФ, 355 нм плавленый кварц-AA-Оптико-электронные), контролируемые мощности УФ лазерной переданной образцу.
Голографического оптического пинцета и лазерных микро-диссекторе были интегрированы на модифицированном прямой микроскоп (BX51 - Olympus), оснащенных 60X, 0.9 NA водным погружением objective.The столик микроскопа состоит из 3-осевая линейная двигатель постоянного тока микро-позиционирование системы (M-126.CG1, физика-Instruments), перевозящих отдельные 3-осевой пьезоэлектрических нано-позиционирования этап (P-733.3DD, физика-Instruments), чтобы объединить грубой перемещение образца с суб-нанометровым разрешением пьезо- стадии. Система столике микроскопа был оснащен двумя контуров управления синергически, направленные на сохранение захвата точечной фокусировки в нужное положение, в зависимости от выбранного режима работы (должность или усилие смыкания, статический или динамический) 16. В частности, внутренний контур обратной связи воздействует на пьезоэлектрический этапе сохранить шарик на выборЭд расстояние от центра ловушки. Другой внешний контур управляет положением платформа автоматизированного использовать регион, натянутое на пьезоэлектрический привод на большей площади, чем имеющиеся у него инсульт 17. Когда пьезоэлектрический стадии достигает предела доступных хода в одном направлении, внешний контур перемещается микро этап в противоположном направлении, при этом пьезоэлектрический восстанавливается к его центральному положению, поскольку она отслеживания бусинка ловушке приклеен к образцу. Когда пьезоэлектрические этапе достигает центрального положения своего курса диапазона, микро этапе остановилась. Более подробная информация о системе приведены в Guiggiani др. 16,17.
Устройство Пельтье (QE1 резистивного нагрева с TC-344B двойной контроллер нагревателя канал - Warner Instruments) контролирует температуру культуре клеток под микроскопом (37 ° C). В культуре, рН и влажность поддерживают на уровне физиологических условиях путем проветривания специально разработанный полидиметилсилоксановых (PDMS) Втулка (интеграции объектива микроскопа) увлажненным карбогена (95% O 2, 5% СО 2).
2. Подготовка клеточной культуры
Все экспериментальные протоколы были одобрены итальянским министерством здравоохранения. Первичные культуры были получены из гиппокампа мышей (C57BL6J, Charles River) на эмбриональный день 18 (E18).
- Нейроны высевали при концентрации 25000 клеток / мл на стеклянным дном чашки Петри (P35G-0-14-C - Matek Corporation). Низкая концентрация культивируемые клетки необходимо, чтобы избежать образования густой сети уже в первые дни в пробирке. В указанной концентрации клеток, вероятность нахождения изолированных клеток с аксонами больше не подключен к другим клеткам гораздо выше.
3. Покрытие бисера
- Полимер микросфер (диаметр 4 мкм, СООН-концевой Bangs лаборатории, код продукта PC05N/6700) покрывали поли-D-лизином по методике, описанной в белка polyLink Муфта Kit (Polysciences, код продукта 19539). Гранулы покрывают той же молекуле использоваться для покрытия поддержки культуры и адгезия пользу клеток.
4. Выберите изолированного нейрона. Снимите бисера от культурального субстрата, ловушку и переместите его рядом с Neuron
- Поставьте блюдо культуры Петри на столик микроскопа. После установки фокуса на образце этапе движения, корректировать положение освещающего конденсатор целью установить Колер освещения. Выравнивание освещенности оптики установить Kolher-освещения условие является необходимым для улучшения качества изображения яркие области. Использование таких условий выравнивания, необходимо также, чтобы максимизировать сбор ИК КПД лазера (через объектив конденсатора), от рассеивающего ловушке зонда, для выполнения своих интерферометрический слежения по QPD и PD.
- Пипетки несколько мкл покрытых раствора микросфер вк культуре блюдо. Микросферы сдаст и придерживаться культуры подложке. Количество мкл вводили в культуральную чашку зависит от микросфер концентрации маточного раствора. Идеальное состояние, чтобы иметь от одного до двух микросфер за изображения поля зрения. Когда слишком много микросферы будут добавлены в культуральную чашку, они уже могут придавать случайно в культивируемых нейронах.
- Перемещение в чашку с культурой, в поисках изолированного нейрона с более длинной нейритов (аксон), а также сохранять положение столик микроскопа.
- Передвигаться и искать шарик придерживался поддержки культуры.
- Включите ИК лазерного захвата. На данном этапе, не голограммы не проецируются на ОДС, и положение места ИК лазерного совпадает с УФ положение лазерного пятна. Установка осевого положения пятна ИК 2-3 мкм над поверхностью поддержки культуры, под микроскопом движение стадии.
- Установите мощность УФ лазерной переданной образцу до менее 1 мкВт.УФ лазер рассекатель ранее была откалибрована 14:
5-6 мкВт стеклянной подложки подвергается абляции
4 мкВт нейронные связи полностью расчлененные
2,5 мкВт нейрита частично поврежденных
<1 мкВт ударная волна в культуре блюдо. Оптические ударная волна достаточно сильна, чтобы снять шарик из стеклянной подложки. - Включите УФ лазер, оставляя ИК лазер включен, и переместите УФ месте над придерживался шарик под микроскопом движение этапе. Шарик отделяется от поверхности, а его часть удерживается ИК лазерным. Затем выключите УФ лазер.
- Переместить захваченных шарик несколько микрометров над стеклом поддержки (20-30 мкм). Подъем шарик эта позиция будет Ограничить контакт с другими клетками во время его двинулась к выбранной ранее нейрона. Принесите шарик к ранее сохраненной этапе положение. Установить этап скорость до низкого значения (10 мкм / сек), так что сила сопротивления жидкости не превышает оптическую ловушкуПинг силой.
5. Переместить Ловушка положение относительно лазерного пятна Dissector и Axon позиции по генерируемые компьютером голограмма, и откалибровать оптический пинцет Жесткость
- Перемещение шарика в сторону стеклянной подложки для визуализации аксона. Шарик удерживается выше ячейки, чтобы избежать контакта с ним (приблизительно 5 мкм над стеклом поддержки).
- Перемещение столик микроскопа, чтобы переместить УФ точка фокусировки по центру ширины аксона. Сохранить текущее положение этапе.
- Переместить позицию ИК точечная фокусировка по компьютерной голограммы. На этом этапе стадии остановлен в положении, выбранного в предыдущем шаге. Когда компьютерная голограмма проецируется на ОДС, пойманным шарик перемещается по отношению к аксона. Перейдем ИК лазерного пятна иметь захваченных шарик выровнен по центру нейритов, с УФ лазерного пятна по центру же нейритов тоже. ИК месте и, таким образом захваченных шарика расположены вдоль аксонов5-10 мкм от УФ месте. Мы переместить положение ИК по отношению к УФ место в зависимости от нейритов геометрии. В случае оптических пинцетов не оснащены системой SLM, положение может быть изменено путем наклона зеркала, оптические или акустические дефлекторы, на ИК оптического пути. Локальный ИК-лазер может быть расположен 5-10 мкм от УФ месте, чтобы избежать оптического взаимодействия рассекает луч с захваченными зонд, который может влиять на его броуновского движения и изменить следы силовой спектроскопии.
- После определения новом месте ИК-положении по отношению к УФ месте и аксон положение перемещения этап в положение захваченного шарик от аксонов и избежать столкновения с ним. Перемещение осевого положения захваченного шарик до около 2 мкм выше покровного стекла.
- Совместите QPD в центре интерференционных полос на нем: х и у сигналов QPD дифференциальные нулей при QPD по центру. Приобретать 5 сек броуновского движения захваченных шарик по интерферометраметр, при частоте дискретизации 50 кГц. Получение жесткость (пН / нм) и чувствительность (В / нм) оптических ловушек методом спектра мощности 18.
6. Прикрепите шарик аксона. Выполните аксотомии и одновременная Измерение силы
- Поднимите захваченные позиции шарик примерно 4 мкм над крышкой стекла, и переместить его к ранее сохраненной этапе положение (см. п. 3.2).
- Переместить в ловушку шарик вниз к аксона до его соприкосновения с аксонов. Столкновение между ловушке шарик и аксон контролируется сигнал г QPD обнаружения перемещения захваченной шарик в осевом направлении.
- Подождите 10 сек с захваченными шарик прижимается к аксона в пользу его адгезию к нейрита мембраны.
- Перемещение микро этап смещать шарик захваченных из аксонов и, таким образом проверить его адгезию к клеточной мембране. Если шарик придерживались, оно ускользает от оптической ловушке.
- Отодвиньте лазерная ловушка на придерживались шарики включить силу зажима петли с силой состоянии равна нулю. Таким образом, пьезоэлектрические этап перемещает шарик, прикрепленный к клетке, на оптическом центре ловушки. Если система не имеет контроль обратной связи, положение лазерной ловушки можно перемещать предметный столик микроскопа его в центр на придерживались зонда. Центре ловушки достигается, когда QPD сигналы такие же, как когда шарик в ловушку и не привязан к ячейке (х и у QPD сигналов равна нулю, и Z QPD сигнал дает такую же сумму напряжения из четырех квадрантов как тогда, когда шарик в ловушке далеко от поверхности).
- Установить сила зажима условие на оси Z, позиционирование захвата лазерного чуть более центре шарик (около 100 нм), для создания претензией на придерживались ловушке зонда. В случае, если система не имеет с силой зажима управления, оптические ловушки положение может быть поднята с шагом 25 нм на предметный столик микроскопа. Сигнал Z QPD позволяет осуществлять мониторинг. Таким образом, использование Тхис сигналом, чтобы установить положение лазера ловушка по отношению к придерживались зонда. Такое предварительное натяжение необходимо ощущать напряжение на мембране аксона после поражения, и, как следствие снижением броуновского движения придерживались зонда. Аналогичный подход был предложен для измерения ослабления натяжения в мембране троса на видеоизображения 19.
- Выключения силу зажима обратной связи для измерения силы на придерживались зонда в положении зажима условие (пьезо-каскад заблокирован).
- Начать одновременной записи захваченных позиции зонда через интерферометр (20 кГц частота дискретизации) и клетки во время лазерной аксотомии покадровой светлом поле визуализации (20 Гц частоты кадров).
- Включите УФ лазер для доставки лазерного импульса, пока поражение не станет видимым на изображении аксона (обычно 200-400 оптических импульсов необходимы энергия импульса: 25. Нью-Джерси), затем выключите УФ лазер.
- Продолжить запись на интерферометра в течение приблизительно 3 милиN, до X, Y и Z QPD следов не выходит на плато.
7. Определить общую снять напряжение
- Преобразование записанных QPD следы (в вольтах) на калиброванной чувствительность оптической ловушки, для получения соответствующих следов в нанометрах.
- Фильтр х, у, г и следы смещения фильтра верхних частот с отрезанными на частоте 10 Гц.
- Рассчитайте общую дисперсию фильтруется следы представляющих броуновское движение захваченного шарик. Вычисляет дисперсию, при 25 мс шаги для перекрытия временных окон 500 мс (10 000 точек данных) 20. Фильтрации верхних частот следов исключает изменение броуновское движение из-за колебаний мембраны или корковой движения актина. Броуновское движение шарика уменьшается на оптических сил и сил адгезии в клеточной мембране. Когда мембрана напряженными из-за ослабления натяжения ее вязкость повышается, и, следовательно, броуновское движение шарика, обнаружены сразуже после аксотомии, начинает уменьшаться.
- Определить T0: начала снижения броуновского движения дисперсии, после поставки УФ лазерной энергии. Момент времени t0 указывает на начало мембраны штамма.
- Определение t1: конец уменьшение дисперсии броуновское движение (когда он достигает плато). Момент времени t1 указывает конец мембраны штамма.
- Видео выполнять отслеживание остатков или царапину на поддержку стеклянной крышкой, для измерения любых дрейф образца во время измерения силы. Чтобы отслеживать частицы на стекле поддержку, мы сначала применить пороги светлого поля изображения, чтобы получить стек бинарных изображений с частицей в белом на черном фоне. Тогда, мы отслеживаем частиц центра масс с суб-пиксельной точностью (с помощью бесплатного программного обеспечения ImageJ).
- Вычтите измеренное дрейфуют от смещения QPD следов. Умножьте дрейф коррекцией QPD следы соответствующими калиброванный оптический жесткости (K х, к Y, K Z), чтобы получить Fx, Fy, Fz следы в piconewtons.
- Рассчитайте общую след силу F общ = √ (2 + Fx Fy 2 + Fz 2).
- Рассчитайте общую релизе силы между T0 и T1 как F = F выпустила TOT (T1) - F TOT (t0). Сила, измеренная в момент времени t0 должно быть вычтено, потому что это из-за смещения зонда от центра ловушки, когда шарик прилипает к нейритов.
- Вычислить нейритов площадь контакта между ловушку шарик и УФ положение лазерного пятна: на яркой мерой поля изображения длинные (L) и короткие (D) осей нейритов между ловушку шарик и УФ положение лазерного пятна. Площадь контакта аксона аксона = L х Г
- Нормализация общего выпущен силы F выпущен площадь контакта аксона аксона.