При содействии аэрозоля CVD ZnCl2 растворяется в этиловом спирте приводит к образованию серовато единообразных и сторонником фильмов на голой кремниевых пластин (относительно легко скрепляемые механически). Характеристика фильмов, с использованием растровая электронная микроскопия (SEM) выше 8000 X увеличение отображает квази унифицированных гексагональной формы ZnO стержней с длинами ∼1, 600 и диаметров ∼380 Нм (рис . 2). Большие ошибки-уставка температуры или наличие температурных градиентов вдоль субстрата течение CVD может вызвать осаждения других ZnO морфологии ()рис . 3) или фильмы с неоднородной структуры. Кроме того неравномерное или non сторонник покрытия могут быть частично связаны с плохой температуры, неправильной регулировки потока, и/или использование различной несущей растворителя, чем указано в настоящем Протоколе.
Рентгеновской дифракции (XRD) анализ стержней показывает дифракционные текстуры, связанные с гексагональной фазы ZnO (P6mc пространства группы3, = 3.2490 Е, b = 3.2490 Å и c = 5.2050 Å; ICCD карта № 5-0664). Эти шаблоны отображения высокой интенсивности дифракционного пика 2θ 34.34°, соответствующий плоскости (002) этапа гексагональной ZnO, наряду с другими семь низкой интенсивности дифракционного пиков на 31.75, 36,25, 47.54, 56.55, 62.87, 67.92, и 72,61 ° 2θ, соответствующий (100) (101) (102) (110) (103) (201) и (004) самолеты шестиугольная фазы ZnO, соответственно. Характеристика штанг с высоким разрешением просвечивающей электронной микроскопии (ТЕА) показывает, отмеченные Вселенский интервал (0.26 Нм) в соответствии с внутренней решетки (002) плоскости (d = 0.26025 Нм) этапа гексагональной ZnO, выявленные XRD. Энергодисперсионная рентгеновская (EDX) спектроскопия показывает наличие Zn с относительно низким хлора загрязнения (для at.% Cl:Zn 0,05).
Оценка оптических bandgap стержней путем измерения диффузного отражения фильмов указывает оптических bandgap 3.2 eV, в соответствии с литературными значениями для ZnO10. Анализ фильмов, с использованием Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (XPS) характеризуется Zn 2p1/2 и Zn 2 p3/2 уровня ядра пики спектры в 1045 и 1,022 eV, соответственно, в соответствии с теми, которые наблюдались ранее для ZnO11,12.
Использование этого протокола на платформах на базе кремния micromachined, предназначенные для газ зондирования приведет к прямой интеграции столбчатых ZnO стержней, замкнутые области зондирования активные (2400 x 400 мкм), которая определяется теневой маски. В порядке kΩ (∼ 100 kΩ) измеряется при комнатной температуре с помощью штыревой электроды электрическое сопротивление фильмов интегрирована в платформы на основе кремния micromachined. Рисунок 4 отображает изображение массива четыре micromachined газовых сенсоров на основе при содействии аэрозоля CVD стержней. Характеристики и процесс изготовления для micromachined платформ были описаны ранее13. Эти microsystems чувствительны к относительной низкой концентрации окиси углерода, с максимальной реакции, записанные (с помощью непрерывного газового потока тест камеры13) когда датчики были прооперированы в 360 ° C с использованием резистивным microheaters интегрированный в системе (Рисунок 5).

Рисунок 1: Схема системы при содействии аэрозоля CVD.

Рисунок 2: Топ (A) и поперечного сечения (B) SEM образы ZnO стержней на хранение через аэрозоля с помощью CVD. Пожалуйста, нажмите здесь, чтобы посмотреть большую версию этой фигуры.

Рисунок 3: Поперечного сечения SEM фото ZnO на хранение через аэрозоля с помощью CVD на 300 (A), (B) 400, 500 (C) и 600 ° C (D). Пожалуйста, нажмите здесь, чтобы посмотреть большую версию этой фигуры.

Рисунок 4: Платформа на основе кремния Micromachined с 4 микросенсоров монтируется на TO8-пакет (A), и подробное представление микропроцессоров (B) и ZnO стержней на хранение на краю электрода (C). Пожалуйста, нажмите здесь, чтобы посмотреть большую версию этой фигуры.

Рисунок 5 : Изменения электрического сопротивления ZnO стержней к различные концентрации окиси углерода (25, 20, 10 и 5 ppm). Пожалуйста, нажмите здесь, чтобы посмотреть большую версию этой фигуры.