Оценка лечения атмосферным давлением плазмы в клетках нейробластомы, лишенных глюкозы

Возьмите культуру клеток нейробластомы в многолуночный планшет со средой.

Замените среду в лунках нейронной средой, не содержащей глюкозы, чтобы вызвать окислительный стресс.

Расположите пластину под соплом плазменной струи на оптимальном расстоянии для равномерного воздействия.

Обрабатывайте выбранные скважины низкой дозой плазменной струи атмосферного давления (APPJ) на основе гелия, которая генерирует контролируемые уровни активных форм кислорода и азота.

Инкубируйте клетки, чтобы обеспечить активацию путей реакции на стресс и повышение регуляции антиоксидантных ферментов в лунках, обработанных APPJ.

Клетки в необработанных лунках при депривации глюкозы подвергаются дальнейшему окислительному клеточному повреждению.

Добавьте реагент для анализа жизнеспособности клеток и инкубируйте. Жизнеспособные клетки превращают реагент в окрашенный продукт.

Измерьте интенсивность цвета с помощью считывателя микропланшетов.

Лунки, обработанные APPJ, демонстрируют повышенную интенсивность цвета из-за более высокой жизнеспособности клеток, в то время как необработанные лунки демонстрируют меньшую интенсивность, подтверждая нейропротекторный эффект APPJ при депривации глюкозы.

Отрегулируйте расстояние между соплом кварцевой трубки и платформой, на которой будет размещена 96-луночная пластина, с точностью до трех сантиметров, чтобы луч мог касаться поверхности питательной среды. Перед обработкой питательную среду в каждой лунке следует изменить на RPMI 1640 без глюкозной среды. Теперь поместите пластину под сопло плазменной струи атмосферного давления. Затем обрабатывайте клетки в отдельных лунках в течение 0, 1, 2, 4, 8 и 12 секунд.

После обработки инкубируйте клетки в течение одного часа в клеточном инкубаторе при температуре 37 градусов Цельсия, после инкубации при 10 микролитрах раствора Cell Counting Kit 8 в каждую лунку. Затем инкубируйте клетки при температуре 37 градусов Цельсия в течение четырех часов. Наконец, измерьте поглощение на 450 нанометрах с помощью считывателя микропланшетов.