Демонстрация поколения равной интенсивности луча диэлектрическими метаповерхностями

Этот протокол предоставляет подробный метод изготовления для реализации высокой эффективности метаповерхностных, один из самых важных вопросов в области метаповерхностных исследований. По сравнению с другими методами для проверки осаждения атомного слоя, этот метод является недорогим и быстрым методом изготовления для реализации высокой эффективности метаповерхностных поверхностей, работающих на видимых длинах волн. Этот протокол может быть применен для изготовления общих метаповерхностных элементов, таких как линзы, голограммы и оптические часы, просто изменив конфигурацию шаблона.

Этот метод может обеспечить понимание кремния фотоники научно-исследовательской области, которая использует кремния микро-и нано структур. Подложка для метаповерхностного сплавленного кремнезема. Подготовка чистой двойной стороне полированной площади сплавленного кремнезема два сантиметра на стороне.

Возьмите субстрат для загрузки в систему PECVD. Там, в камере блокировки нагрузки, распоите субстрат на джиге. Закройте камеру и приготовьтесь к работе системы.

В программном обеспечении управления, настроить процесс осаждения, установив температуру, мощность РФ, скорость потока газа, и давление процесса. После осаждения, которое занимает около 300 секунд, восстановить образец. Возьмите образец с отложенным гидрогенизированным аморфным кремнием в спиновое пальто.

Загрузите образец на держатель образца шпателя. Далее, получить фильтр установлен пять миллилитров шприц, содержащий PMMA с 2%anusol. Пальто образец с PMMA перед началом вращения на 2000 об /мин в течение одной минуты.

После этого перенесите образец на горячую тарелку. Выпекать образец при температуре 180 градусов по Цельсию в течение пяти минут. Затем удалите образец, чтобы охладить его в течение одной минуты, прежде чем продолжить.

Затем верните образец в спиновое пальто. Используйте одноми миллилитровую пипету, чтобы выпустить на ее поверхность проводящий полимерный раствор. Пальто образца на 2000 об /мин в течение одной минуты.

Когда покрытие будет завершено, возьмите образец для литографии электронного луча. У образца фиксированной на джиг для машины. Затем поместите джиг в камеру машины и завершите процесс погрузки.

Перейти к работе с консолью и подготовить электронный луч литографии системы для процедуры. После подготовки системы, работа на компьютере подключен к консоли. В этой системе используйте командную строку для преобразования файла GDS в файл CEL.

Когда файл преобразуется, введите задание для запуска программного обеспечения EBL. Используйте командную строку, чтобы проверить, что желаемый шаблон находится в файле формата CEL в текущем каталоге. Введите задание для запуска программного обеспечения.

В программном обеспечении нажмите на меню модификации размера чипа. Выберите 600 микрометров на 600 микрометров. Далее выберите 240 000 точек.

Сохраните изменения. Затем выйти из этого экрана. Теперь нажмите на меню создания шаблонных данных.

В окне команды введите PS для загрузки файла CEL шаблона. Введите I в командное окно. Затем нажмите на шаблон, чтобы увеличить изображение.

Теперь введите ST0 в командном окне, чтобы установить время дозы до трех микросекунд. Введите SP11, чтобы установить подвергая шаг в нормальном состоянии. Создайте файл CCC, введя ПК и имя файла.

Когда это будет сделано, нажмите на центр шаблона. Чтобы применить условия разоблачения, введите CP в командное окно и нажмите на шаблон. Введите SV и имя файла для создания файла CON.

Выйти из этого меню создания шаблонных данных, введя в меню экспозиции кнопку «Движение». Введите I и выбранное имя файла CON. Установите значение дозы до 2,4.

Нажмите кнопку побега, чтобы завершить расписание. Затем введите E и нажмите кнопку экспозиции, чтобы начать процесс экспозиции. Когда процесс экспозиции завершится, вернитесь на консоль EBL.

Выключите кнопку изоляции. Нажмите кнопку EX, чтобы переместить сцену. Затем выгрузите образец из камеры.

Далее приготовьтесь удалить проводящий полимер. Сделай это, погрузив образец в 50 миллилитров деионизированной воды в течение одной минуты. Затем переместите образец в 10-миллилитровый раствор метил изобутилкетона и изопропилового спирта, окруженный льдом.

Через 12 минут снимите образец и промойте его изопропиловым спиртом. Высушите его взорванным азотным газом. Следующий шаг требует испарителя электронного луча.

У образца фиксированной на держатель испарителя и смонтировать держатель внутри камеры испарения. Теперь получить хром для использования в испаритель. Подготовка кусок типа хрома в графитовом тигле для испарения на поверхность образца.

Загрузите тигель в камеру. Далее, работа с программным обеспечением для испарителя электронного луча. Нажмите кнопку перекачки камеры, чтобы создать вакуум в камере.

В материальном разделе выберите хром. Затем нажмите кнопку материала, чтобы применить выделение. Нажмите кнопку затвора E луч, чтобы открыть затвор источника.

Далее щелкните высокое напряжение. Следуйте этому, нажав на источник. Используйте восходящую стрелку, чтобы медленно увеличить мощность луча.

Остановка на целевой скорости осаждения. Чтобы сбросить датчик толщины, нажмите кнопку "ноль". Нажмите на главную кнопку затвора, чтобы открыть затвор.

Мониторинг датчика толщины. Когда датчик достигает 30 нанометров, нажмите на главную кнопку затвора, чтобы закрыть затвор. Нажмите затвор E луч, чтобы закрыть затвор источника.

Используйте нисходящую стрелку, чтобы медленно уменьшить мощность луча до нуля. Оказавшись на нуле, нажмите источник, а затем высокое напряжение. Дайте камере остыть в течение 15 минут, а затем нажмите вентиляционные отверстия.

Удалите образец из камеры и держателя. Далее, возьмите его для процесса старта. Во-первых, погрузить его в 50 миллилитров ацетона в течение трех минут.

Следуйте этому sonication в течение одной минуты на 40 килогерц. Промыть образец изопропиловым спиртом и высушить азотным газом. На данный момент образец готов к офорту.

Получить тепловой клей и распространение его на задней части образца, прежде чем прикрепить образец к джигу системы травления. Загрузите джиг в систему травления. На компьютере установите скорость потока газа хлора и бромистого водорода, источник питания и смещения перед травлением в течение 100 секунд.

После офорта выгрузите образец. С пылью протрите, удалите тепловой клей. Погрузите образец в 20 миллилитров хлорного офорта в течение двух минут.

Затем перенесите его на 50 миллилитров деионизированной воды на одну минуту. Промыть образец деионизированной водой и высушить азотным газом. Это сканирующее электронное микроскопию верхней части метаповерхностной поверхности.

Каждая из ячеек имеет основание, которое составляет 150 нанометров на 80 нанометров. Высота ячейки составляет 300 нанометров. Дополнительные детали ячеек видны в этом представлении перспективы.

Эксперимент, который измеряет мощность луча, когда 532 нанометровый лазерный луч является инцидентом на метаповерхностной демонстрирует полярно-независимую функциональность устройства. Для правых круговых поляризованных лучей, линейно поляризованных лучей и левых круговых поляризованных лучей сила в порядке «плюс» и «минус один дифракцион» равна. Эксперименты с лазерным лучом 635 нанометров дают аналогичные результаты.

Метод разработки является наиболее важным шагом, потому что мы можем точно контролировать процесс разработки из-за медленной скорости реакции. Большинство сбоев происходит во время этапов сушки. Следует иметь в виду, что сильный дует лучше, чем слабый дует в целом.

Эта процедура может быть применена не только к общим диэлектрическим метаповерхностным, но и к кремниевой фотонике и микроэлектронной механической системе. Как правило, мы можем сделать тонкие нано структуры с помощью этой техники, чтобы она прокладывает путь для решения, как свет взаимодействует с некоторыми структурами длины волны. PMMA и пара раствора развития оба опасны поэтому процессы включая их должны быть выполнены в вытяжки дыма.