12.17
P ve n kanallı MOSFET'lerin iki modu, geliştirme ve tükenmedir.
Geliştirme modu MOSFET'ler tipik olarak sıfır geçit kaynak voltajında kapalıdır, yani tahliye ile kaynak arasında akım akışı olmaz.
Bir tahliye akımı yalnızca kapıya pozitif bir voltaj uygulandığında akar. Bu, elektronları substrattan oksit tabakasına çeken ve bir inversiyon tabakası oluşturan bir elektrik alanı oluşturur. Bu, kaynak ile drenaj arasında iletken bir kanal oluşturarak akım akışını sağlar.
Pozitif kapı voltajının arttırılması, kanaldan geçen tahliye akımını arttırır.
Geliştirme modu MOSFET'ler, düşük AÇIK direnci, yüksek KAPALI direnci ve yüksek giriş direnci nedeniyle mükemmel elektronik anahtarlardır.
LED ışıklar için bir dimmer anahtarı, parlaklığı kontrol etmek için bir geliştirme modu MOSFET kullanır.
Kapı voltajı, dimmer üzerindeki düğme döndürülerek ayarlanır. Voltaj sıfır olduğunda, ışık kapalıdır. Kapı voltajı arttıkça, LED'lerden daha fazla akım geçer ve bu da onları daha parlak hale getirir.
Geliştirme modu MOSFET'ler, CMOS tipi mantık kapıları ve güç anahtarlama devreleri üretmek için entegre devrelerde kullanılır.
Geliştirme modlu MOSFET'ler, yüksek verimli anahtarlar olarak görev yapma kapasiteleriyle öne çıkan, elektronikteki önemli bileşenlerdir. Bunlar, meta…
Telif Hakkı © 2026 MyJoVE Corporation. Tüm hakları saklıdır.