Bu içeriği görüntülemek için JoVE aboneliğiniz gereklidir. Giriş yapın veya ücretsiz denemenizi bugün başlatın.

Yöntem makalesi

Bir Organik Magnet CVD, Vanadyum Tetracyanoethylene

11.6K görüntülenme

⸱

DOI:

10.3791/52891

⸱

3 Temmuz 2015

 ,  ,  ,  , 
1Department of Physics, The Ohio State University, 2Department of Chemistry, The Ohio State University

Bu makalede

Özet

Organik bazlı ferrimagnet vanadyum tetracyanoethylene sentezini mevcut (V [TCNE] X, X ~ 2) düşük sıcaklık, kimyasal buhar biriktirme (CVD) yoluyla. Bu optimize tarifi K 600 400 K dan Curie sıcaklığının artış ve manyetik rezonans özellikleri dramatik bir iyileşme elde edilir.

Özet

Organik malzemeler alanında son gelişmeler gibi organik ışık yayan diyotlar düşük maliyet ve mekanik esneklik gibi geleneksel malzemelerle, bulunmayan avantajlara sahip (OLED) gibi cihazları vermiştir. Benzer şekilde, yüksek frekanslı elektronik ve spin-tabanlı elektronik içine organik maddelerin kullanımını yaygınlaştırmak için avantajlı olacaktır. Bu çalışma, oda sıcaklığında bir organik ferrimagnet ince filmlerin büyümesi için sentetik bir işlem sunulur, vanadyum tetracyanoethylene (V [TCNE] X, X ~ 2) düşük sıcaklık, kimyasal buhar biriktirme (CVD) ile. ince film <60 ° C 'de yetiştirilen ve da dahil olmak üzere alt tabakalar, çok çeşitli olabilir ancak silikon, cam, Teflon ve esnek alt tabakaların, bunlarla sınırlı değildir. konformal birikim yanı sıra desenli ön ve üç boyutlu yapılar vesile olur. Buna ek olarak, bu teknik, 30 nm ila birkaç mikron arasında değişen kalınlıklarda filmler elde edilebilir. Son gelişmelerFilm büyüme optimizasyonu olan bu tür yüksek Curie sıcaklığı (600 K), gelişmiş manyetik homojenliği ve dar ferromanyetik rezonans hat genişliği Spintronik ve mikrodalga elektroniği çeşitli uygulamalar için (1.5 G) göstermek vaadi olarak nitelikleri, bir film tabakası oluşturur.

Giriş

Organik bazlı ferrimanyetik yarıiletken vanadyum tetracyanoethylene (V [TCNE] x x ~ 2) sergileyen oda sıcaklığı, manyetik sipariş ve esneklik, düşük maliyetli üretim ve kimyasal Ayarlanabilirliğin olarak magnetoelectronic uygulamalar için organik maddelerin avantajlarını vaat ediyor. Önceki çalışmalar hibrid 1,2 organik / inorganik ve tüm organik sıkma vanalar 3 olmak üzere Spintronik cihazlarda, işlevsellik gösterdi ve sahip aktif bir organik / inorganik yarıiletken heteroyapıların 4 spin polarize olarak. Buna ek olarak, V [TCNE] x ~ 2 nedeniyle, son derece dar bir ferromanyetik rezonans çizgi kalınlığı 5 yüksek frekans elektronik eklenmesi için söz göstermiştir.

V [TCNE] x ~ 06-09 Şubat sentezlenmesi için kurulmuştur dört farklı yöntem vardır. V [TCNE] x ~ 2, birinci powde gibi sentezlendiTCNE ve V reaksiyonu yolu ile, diklorometan içinde R (Cı 6H 6) 6. Bu tozlar organik bazlı malzeme gözlenen ilk oda sıcaklığı, manyetik sipariş sergiledi. Bununla birlikte, bu malzemenin toz halindeki ince film cihazlarda uygulanmasını sınırlama son derece hava duyarlıdır. 2000, bir kimyasal buhar biriktirme (CVD) yöntemi V [TCNE] x ~ 2 ince filmler 7 oluşturmak için kurulmuştur. Daha yakın zamanda, fiziksel buharla biriktirme (PVD) 8 ve moleküler, tabaka (MLD) 9, aynı zamanda ince filmler imal etmek için kullanılmıştır. PVD yöntemi ultra yüksek vakum (UHV) sistemi ve her iki PVD gerektirir CVD filmleri kolayca 30 nm ila birkaç mikron arasında değişen kalınlıklarda yatırılabilir ise MLD yöntemleri, sinema daha kalın, 100 nm büyümesi için çok uzun süreler gerektirir. CVD yöntemi ile mevcut kalınlıklarda çeşitli ek olarak, kapsamlı çalışmalar sürekli olarak yüksek q gösteren filmler optimize saptanmış olmasıdar ferromanyetik rezonans (FMR) LineWidth (1.5 G), yüksek Curie sıcaklığının (600 K) ve manyetik keskin 5 anahtarlama: dahil uality manyetik özellikleri.

V [TCNE] x ~ 2 ince filmler Manyetik sipariş alışılmamış yoldan ilerler. KALAMAR Magnetometri ölçümleri güçlü yerel manyetik sipariş gösterir, ancak X-ışını kırılma tepe olmaması ve özelliksiz transmisyon elektron mikroskobu (TEM) 10 morfoloji uzun menzilli yapısal düzenin eksikliği ortaya koymaktadır. Bununla birlikte, uzun X-ışını soğurma ince yapı (EXAFS) her bir vanadyum iyonu oktahedral 2.084 (5), bir vanadyum-azot bağı uzunluğuna sahip bir sağlam lokal yapısal sırasını gösteren, altı farklı TCNE molekülleri ile koordine edilir 11 gösteren çalışmalar. Tüm TCNE dağılmış olan radikal anyon, - Manyetizma TCNE çiftleşmemiş spin arasında bir antiferromanyetik döviz kavrama doğar -molekülü ve T C ile yerel ferrimanyetik sipariş giden V 2+ iyonları üzerinde spin, ~ Optimize filmler 5 600 K. Oda sıcaklığında, manyetik sıralamasını gösteren ek olarak, V [TCNE] x ~ 2 filmler 0.5 eV bandaralıklı 12 yarı iletken edilir. Not diğer özellikleri ~ 150 K 13,14 anormal pozitif magnetorezistans 12,15,16 ve foto-kaynaklı manyetik 13,17,18 bir donma sıcaklığının altında mümkün olan sperimagnetism bulunmaktadır.

V [TCNE] x ~ 2 ince filmlerin sentezlenmesi için CVD yöntemi, düşük sıcaklıkta (<60 ° C) ve konformal birikimi çeşitli substratlar ile uyumludur. Önceki çalışmalar, hem sert ve esnek yüzeylerde 7 V [TCNE] x ~ 2 başarılı birikimi göstermiştir. Dahası, bu birikim tekniği gr öncüleri ve modifiye edilerek tuning kendisini ödünçowth parametreler. 19-22 Burada gösterilen protokol bugüne kadar en iyi duruma getirilmiş filmler verimleri ederken, önemli bir ilerleme bu yöntemin keşfinden bu yana sinema özelliklerinden bazıları iyileştirilmesi yapılmıştır ve daha fazla kazanç mümkün olabilir.

Erişim kısıtlı. Bu içeriği görüntülemek için lütfen giriş yapın veya deneme sürümünü başlatın.

Protokol

1. sentezi ve Öncülerinin hazırlanması

  1. [Et 4 N] hazırlanması [V (CO) 6] 23
    1. Bir azot eldiven kutusu içinde, ~ içine 40 adet sodyum metal, 1.88 g kesilmiş ve yuvarlak bir 1 L'lik, üç boğumlu tabanlı şişeye susuz tetrahidrofuran (THF) 320 ml antrasenin 14.84 g ile karıştırın.
      DİKKAT: Sodyum metali ve tetrahidrofuran Hem oldukça yanıcıdır.
    2. H 10 oluşturulmuştur NAC 14 derin mavi bir çözelti oluşana dek, bir nitrojen atmosferi altında oda sıcaklığında 4.5 saat süre ile çözelti karıştırılır.
    3. 0 ° C'ye kadar çözelti soğutulur.
    4. Bir azot eldiven kutusu içinde, bir 500 ml vcl 3 (THF) 3 7.48 g 'ı içerisine susuz THF içinde 400 ml ilave etmek suretiyle, yuvarlak tabanlı bir şişeye VCL 3 (THF) 3 bir pembe-kırmızı çözelti hazırlamak ve 1 saat oda sıcaklığında karıştırın.
    5. 20 dakika boyunca 0 ° C'ye kadar pembe-kırmızı eldiven kutusundan gelen çözelti vcl 3 (THF) 3 ve serin çıkarın. Bir önceki Solu transfernitrojen atmosferi altında kanül yoluyla NAC 14, H 10, tion. İlave işlemi tamamlandıktan sonra bir homojen koyu mor bir çözelti hemen oluşmuştur.
    6. Azottan çıkarın ve 15 st için karıştırılmıştır. Buz / N O eritmek için izin buz kovasının içinde balon yerleştirerek oda sıcaklığına kadar yavaş yavaş sıcak.
    7. 0 ° C'ye tekrar çözelti soğutulur ve karbon monoksit ile reaksiyonu şişeyi doldurun. çözüm birkaç dakika içinde sarı-kahverengi, mor ve derin değişecektir.
      DİKKAT: Karbon monoksit çok zehirlidir. Bu adım, tek başına yapılmamalıdır ve bir karbon monoksit alarmı laboratuarda monte edilmelidir.
    8. Oda sıcaklığında, 15 saat süre ile 0 ° C 'de bir karbon monoksit atmosferi altında solüsyonu ve daha sonra yavaş yavaş ısınmaya karıştırın.
    9. Vakum altında THF tüm ama 200 ml çıkarın. Çözelti karıştırılırken O 2 serbest suyun 500 ml ilave edilir. V (CO) 6 kolayca okside olduğu ve O 2 varlığı, düşük verimle sonuçlanır.
    10. Elde edilen filtretetraetilamonyum bromür 20.8 g oluşan bir çözelti içine sarı bir bulamaç (Et 4 NBR) H2O 200 ml
    11. Bu, renksiz olana kadar O 2 serbest su ile birlikte filtre keki yıkanır.
    12. Vakum altında elde edilen [Et 4 N] [V (CO) 6] ile vakum filtrasyonu bulamacı, kuru filtre.
    13. Mağaza [Et 4 N] [V (CO) 6] ileride kullanılmak üzere bir torpido gözü dondurucuda.
  2. V 'in hazırlanması (CO) 6 23
    1. Vana, cam tüp bağlama iki yönlü ve soğuk parmak bir vakum adaptörü için bağlantı noktalarını yağlayın. Merkez boyun soğuk bir parmak ve üçüncü açılışında vana ile bir vakum adaptörü yerleştirin.
    2. Bir argon eldiven kutusu içinde, 100 mg karıştırın [Et 4 N] [V (CO) 6] Manyetik bir karıştırma çubuğu ihtiva eden yuvarlak tabanlı bir şişe içinde bir fosforik asit 1 g.
    3. Cam iki yönlü bağlantı küvet ile bir üç boyunlu yuvarlak dipli bir şişeye tabanı yuvarlak bir şişe iletişimeargon torpido gözünün e.
    4. Torpido gözünün mühürlü şişeyi sistemini çıkarın ve kimyasal kaputu kurdu.
    5. Soğuk parmak metanol ekleyin ve metanol dondurulur kadar spatula süre sıvı nitrojen ekleyerek karıştırın. Basıncı 5 x 10 -2 Torr'a ulaşıncaya kadar bir vakum hattına Stopcock açarak sistemini Pump.
    6. 45 ° C'ye kadar bir yağ banyosu set tabanı yuvarlak bir şişe daldırın ve manyetik karıştırma açın. Reaksiyon başladıktan sonra, fosforik asit eriyecek ve siyah-mavi toz soğuk parmağına yoğunlaşır.
    7. Basınç çok yüksek olduğundan siyah toz yuvarlak dipli yerine soğuk parmağında yoğunlaşır zaman vakum hattını açın. Tekrar kapatmadan önce geri 5 x 10 -2 Torr sistemi Pompa.
    8. Reaktanların tüm karıştırmak için gerekli reaksiyon şişesi döndürün.
    9. Yuvarlak tabanlı bir şişe içinde geri kalan tortu, beyaz-gri ve bundan köpüren kadar reaksiyon devam etmesini sağlar.
    10. Soğuk güvenli bir kap içine bakır pelet dökün ve sıvı azot ile soğutun.
    11. Bir mikropipet ile soğuk parmak metanol çıkarın. Torpido gözü transferi sırasında soğuk tutmak için soğuk parmağı içine soğutulmuş bakır pelet dökün.
    12. Argon torpido gözünün içine aktarmadan önce şişeyi sistemi kapalı petrol ve yoğunlaştırılmış su silin.
    13. Torpido gözünün içinde, şişeyi sisteminden gelen soğuk parmak kaldırmak ve kağıt ağırlığında bir parça üzerine siyah V (CO) 6 tozu kazımak için bir spatula kullanın.
    14. Mağaza bir argon atmosferi altında bir şişe V (CO) 6 ve oda sıcaklığında aşağıdaki tutun.
  3. Süblimasyonla TCNE saflaştırılması
    1. Bir kimyasal buzdolabında piyasada mevcut tetracyanoethylene (TCNE) ve mağaza satın alın.
    2. Aktif karbon, 0.5 g ~ ile TCNE bölgesinin ~ 5 g karıştırın ve bir havan ve havan tokmağı ile öğütün.
    3. Bir cam tekne içine TCNE / karbon karışımı yerleştirin veya hassas görev mendil sarın ve alt koymakbir vakum hattı ile bir şişe.
    4. Şişenin üst içine soğuk parmak yerleştirin ve bir kelepçe ile birlikte iki parça mühür.
    5. Soğuk parmak metanol ekleyin ve metanol dondurulur kadar spatula süre sıvı nitrojen ekleyerek karıştırın. 70 ° C'ye ısıtılmış bir yağ banyosu içinde TCNE ihtiva eden şişenin alt yerleştirin.
    6. 10. -4 Torr bir basınç ulaşmak ve daha sonra vakum hattı kapatmak için vakum hattı açar.
    7. Bazen basıncı korumak için vakum hattını açın. Yüceltme başlar TCNE soğuk parmağına yoğunlaşır. Artık TCNE soğuk parmağı üzerinde biriken kez yüceltme bitti.
    8. Bir mikropipet ile soğuk parmak metanol çıkarın.
    9. Argon torpido gözünün içine aktarmadan önce şişeyi sistemi kapalı petrol ve yoğunlaştırılmış su silin.
    10. Torpido gözünün içinde, şişeyi sisteminden gelen soğuk parmak kaldırmak ve kağıt ağırlığında bir parça üzerine TCNE tozu kazımak için bir spatula kullanın.
    11. Stoinert bir atmosfer altında, oda sıcaklığında, aşağıda bir buzdolabı içinde saflaştırılmış TCNE yeniden.

2. Bir Argon Torpido gözü içine Biriktirme Sistemi kurma

  1. Şekil 1A 'da gösterildiği gibi, bir argon eldiven kutusu içinde reaktör monte edin.
    1. Bir vakum pompasına bağlantı kurun.
    2. Bir akış sayacı ve vana mikrometre bağlı iki hat arasında bir 3-yollu valf bağlayarak gaz akış bağlantıları kurmak.
    3. Reaktörün (A, Şekil 1B) etrafında cam ısıtıcı bobin kaydırın.
    4. Politetrafloroetilen (PTFE) iplik mühür bandı ile cam slayt sarın.
    5. Reaktör, bölüm A. sağ tarafında cam slayt yaklaşık 10 cm itin
    6. Kısım B bir O-ring yerleştirin ve reaktörün sağ tarafına kaydırın. Bir kelepçe ile birlikte iki adet katılın.
    7. Bölüm A alt bağlantı için bir vakum hattı bağlayın ve üst bağlantı göstergesi takın.
    8. Bir tekne dolgu yerleştirinTCNE reaktörün sıcak parçası oturmak böylece sonuna parçası C içine arıtılmış TCNE ile ed.
    9. Bölüm C bağlantısını yağlayın ve reaktörün sol tarafına doğru kaydırın.
    10. Bölüm B. sağ ucunu V (CO) 6 ve slayt dolu T-teknenin her iki tarafını yağlayın
    11. Her mikrometre valfini bağlayın. Bir T-Teknenin sağ tarafında ve parça C sol tarafına, diğer bağlı olan ve yerinde iki kelepçe gerekmektedir.
    12. Reaksiyon bölgesi bulunduğu yeri belirlemek için bir test birikimi çalıştırın.
  2. Mevduat V [TCNE] x ~ 2 yüzeylerde
    1. 75 ° C civarındaki bir reaktörün alt ve TCNE teknenin alan üzerinde ölçüldüğünde, reaksiyon bölgesi 46 ° C civarındaki bir değere ayarlanır, böylece, reaksiyon, ısıtma bobininin sıcaklığı ayarlayın. 10 ° C'ye kadar bir silikon yağı banyosunda sıcaklığı ayarlayın. Sıcaklıklar, en azından 30 dakika için stabilize izin verin.
    2. Cam ısıtıcı ÇÇ'nı kaydırınreaktörün (A, Şekil 1A) etrafında l.
    3. Politetrafloroetilen (PTFE) iplik mühür bandı ile cam slayt sarın. İki inçlik alanı içinde kapalı slayt üstünde örnekleri düzenlemek.
    4. Numuneler reaksiyon bölgesinde bulunan, böylece reaktöre cam slayt itin. Reaksiyon bölgesi bir cam slayt olmayan kaydırılmış olabilir, ancak alternatif olarak numuneler, reaktörün alt kısmında doğrudan yerleştirilebilir.
    5. Kısım B bir O-ring yerleştirin ve reaktörün sağ tarafına kaydırın. Bir kelepçe ile birlikte iki adet katılın.
    6. Bölüm A alt bağlantı için bir vakum hattı bağlayın ve üst bağlantı göstergesi takın.
    7. (Bu miktarlar, bir 75-90 dk birikimi için uygun) T-tekne içine TCNE tekne içine TCNE 50 mg ve V (CO) 5 mg 6 koyun.
    8. TCNE yaklaşık 75 ° C olmalıdır reaktörün sıcak parçası oturmak böylece sonuna parçası C içine TCNE tekne kaydırın.
      9. > Bölümü C bağlantısını yağlayın ve reaktörün sol tarafına doğru kaydırın.
    9. Bölüm B. sağ ucuna T-tekne ve slayt her iki tarafını yağlayın
    10. T-tekne ve parça C sol tarafı sağ tarafına üzerine akış çizgisini kaydırın ve yerine kelepçe. monte set-up Şekil 1A benzer olmalıdır.
    11. T-tekne tüm alt kapağı yağ banyosu kaldırın.
    12. 30-35 mmHg basınca ulaşmak için vakum hattını açın.
    13. V (CO) 6 ve TCNE 84 sccm'lik 56 sccm'lik akış hızını ayarlayın. Reaksiyon yeşilimsi malzeme tepkime bölgesi duvara yoğuşmalı hemen başlamalıdır.
    14. Reaksiyon istenilen süre devam etmesine izin verir. Şekil 2'de gösterildiği gibi, ince film kalınlığı, reaktör içindeki reaksiyon süresi ve konumuna bağlıdır.
    15. Reaksiyon, yakın vakum hattını durdurmak ve ısıtıcı ve yağ banyosu kapatmak için.
> 3 "ove_title. Clean up

  1. Herhangi bir sırayla sistemin dışında alın.
  2. En azından 1-2 saat boyunca bir taban banyo solüsyonuna ısıtıcı bobin hariç tüm cam bekletin.
  3. Bir fırında su ve kuru ile cam durulayın.

figure-protocol-1
Şekil 1. (A) Tamamen monte özel kimyasal buhar biriktirme (CVD) sistemi. (B) CVD sistemi için bileşenlerin Genişletilmiş görünümü. Bu rakamın büyük halini görmek için lütfen buraya tıklayınız.

figure-protocol-2
Şekil 2. (A), kendi konumunu gösteren bir reaktör içinde substratların bir üstten görünüşüdür. (B) Yaklaşıkfilm kalınlığı 75 dakikalık bir birikimi için reaktör tüp, Şekil 1B adlı Kısım A içinde pozisyonun fonksiyonu olarak. Bu rakamın büyük halini görmek için lütfen buraya tıklayınız.

Erişim kısıtlı. Bu içeriği görüntülemek için lütfen giriş yapın veya deneme sürümünü başlatın.

Sonuçlar

Bir birikim başarılı olursa belirlemek için ilk ve en kolay yöntem filmlerin görsel denetim yapmaktır. Film yüzeylerde tektip bir ayna kaplamalı koyu mor görünmelidir. Hiçbir V [TCNE] x ~ 2 olduğu ya da açık renkli olduğu alt-tabakanın yüzeyi üzerine noktalar halinde, o zaman bu durum alt-tabaka yüzeyi üzerinde çözücüler ya da diğer yabancı maddeler mevcudiyetinde muhtemeldir. Ayrıca filmin opak olmalıdır. Ince bir film, sadece birkaç dakika gibi kısa bir zaman dilimi içinde çökelmiştir sürece, sayda...

Erişim kısıtlı. Bu içeriği görüntülemek için lütfen giriş yapın veya deneme sürümünü başlatın.

Tartışma

V [TCNE] x ~ 2 biriktirilmesi için önemli parametreler, sıcaklık, bir taşıyıcı gaz akışı, basınç ve öncülerinin oranı bulunmaktadır. Kimyasal buhar depozisyon kurulumu ticari olarak temin edilebilir olmadığı için bu parametreler her sistem için optimize edilmiş olması gerekir. Shima ve arkadaşları tarafından bir önceki çalışma. Sıcaklık TCNE habercisi 26 yüceltme oranı üzerinde büyük etkiye sahip olduğunu göstermiştir. Eğer sıcaklık kontrolörü ve aynı zamanda her sistem i...

Erişim kısıtlı. Bu içeriği görüntülemek için lütfen giriş yapın veya deneme sürümünü başlatın.

Açıklamalar

Yazarlar ifşa hiçbir şey yok.

Teşekkürler

Bu çalışma, NSF Hibe No DMR-1207243, NSF MRSEC programı tarafından desteklenen (DMR-0.820.414), DOE Grant No DE-FG02-03ER46054 ve Malzeme Araştırma OSU-Enstitüsü. Yazarlar nano Ohio State Üniversitesi'nde Laboratuvarı ve CY Kao ve CY Chen teknik yardım kabul.

Erişim kısıtlı. Bu içeriği görüntülemek için lütfen giriş yapın veya deneme sürümünü başlatın.

Malzemeler

Bu makalede kullanılan malzemelerin listesi
AdŞirketKatalog numarasıYorumlar
Equipment
Nitrojen Torpido GözüVakum AtmosferleriNitrojentorpido gözünde yapılan tüm adımlar bir argon torpido gözünde de yapılabilir
1 L üç boyunlu yuvarlak tabanlı şişe Corning4965A-1L
500 ml yuvarlak tabanlı şişeSigma Aldrich64678
Turbo vakum pompa istasyonuAgilent VarianG8701A-011-037
Cam MuslukKontes185000-2440
Cam iki yönlü bağlantı borusuCorning8940-24Corning Pyrex (R) 105 derece Açılı Tüp Adaptörü, İki Yönlü 24/40 Standart Konik Eklemli Coldfinger
OSU kimya cam dükkanı tarafından yapılan özel parça
Argon Torpido GözüVakum AtmosferleriNexus I
Sıcak plaka karıştırıcıCorning6795
Termoelektrik soğutucuGelişmiş TermoelektrikTCP-50
Sıcaklık kontrolörüTE soğutucu içinGelişmiş TermoelektrikTLZ10
Güç kaynağıGelişmiş TermoelektrikPS-145W-12V ve nbsp;TE soğutucu ve sıcaklık kontrolörü için
Sıcaklık kontrolörüJ-Kem  BilimselModel 150Isıtma bobini için
Isıtma teliPelikan Tel ŞirketiNikrom 60
Özel züccaciye parçalarıOSU tarafından üretilmiştir Kimya cam dükkanı
Vakum pompasıBOC EdwardsXDS-5CVD kurulumuna bağlı
Akış ölçerGilmontGF-2260
Mikrometre valfiGilmont7300TCNE üzerinden argon akışını kontrol eder
Mikrometre valfiGilmont7100Argon akışını kontrol eder  V(CO)6
BoruTygonR36031/8 duvarlarda, vanalar ve sayaç arasına bağlı,
akış hızlarını ayarlamak için kullanılan3 StopcockNalgene6470
Basınç göstergesiMatheson63-4105, Şekil 1 parçanın üst kısmına bağlanır KALAMAR
manyetometresiKuantum TasarımıMPMS-XL
EPRBrukerElexsys
PPMSQuantum Design14T PPMS
Kaynak ÖlçerKeithely 2400
Materials
Sodyum metaliSigma Aldrich262714
AntrasenSigma Aldrich141062
Susuz tetrahidrofuranSigma Aldrich186562
Vanadyum(III) klorür tetrahidrofuran kompleksiSigma Aldrich395382
Karbon monoksit gazıOSU depoları98610
Tetraetilamonyum bromürSigma Aldrich241059
Fosforik asitSigma Aldrich79622
MetanolSigma Aldrich14262
Silkon yağıSigma Aldrich146153
Bakır peletlerYedek bakır telden kesilmiş
TetrasiyanoetilenSigma AldrichT8809
Cam slaytlarAltın Mühür3010
Aktif KömürSigma Aldrich242276

Kaynaklar

  1. Yoo, J. W., et al. Spin injection/detection using an organic-based magnetic semiconductor. Nat. Mater. 9, 638-642 (2010).
  2. Li, B., et al. Room-temperature organic-based spin polarizer. Appl. Phys. Lett. 99, 153503(2011).
  3. Li, B., Kao, C. Y., Yoo, J. W., Prigodin, V. N., Epstein, A. J. Magnetoresistance in an All-Organic-Based Spin Valve. Adv. Mater. 23, 3382-3386 (2011).
  4. Fang, L., et al. Electrical Spin Injection from an Organic-Based Ferrimagnet in a Hybrid Organic-Inorganic Heterostructure. Phys. Rev. Lett. 106, 156602(2011).
  5. Yu, H., et al. Ultra-narrow ferromagnetic resonance in organic-based thin films grown via low temperature chemical vapor deposition. Appl. Phys. Lett. 105, 012407(2014).
  6. Manriquez, J. M., Yee, G. T., McLean, R. S., Epstein, A. J., Miller, J. S. A Room-Temperature Molecular Organic Based Magnet. Science. 252, 1415-1417 (1991).
  7. Pokhodnya, K. I., Epstein, A. J., Miller, J. S. Thin-film V TCNE (x) magnets. Adv. Mater. 12, 410-413 (2000).
  8. Carlegrim, E., Kanciurzewska, A., Nordblad, P., Fahlman, M. Air-stable organic-based semiconducting room temperature thin film magnet for spintronics applications. Appl. Phys. Lett. 92, 163308(2008).
  9. Kao, C. Y., Yoo, J. W., Min, Y., Epstein, A. J. Molecular Layer Deposition of an Organic-Based Magnetic Semiconducting Laminate. ACS Appl. Mater. Interfaces. 4, 137-141 (2012).
  10. Miller, J. S. Oliver Kahn Lecture: Composition and structure of the V TCNE (x) (TCNE = tetracyanoethylene) room-temperature, organic-based magnet - A personal perspective. Polyhedron. 28, 1596-1605 (2009).
  11. Haskel, D., et al. Local structural order in the disordered vanadium tetracyanoethylene room-temperature molecule-based magnet. Phys. Rev. B. 70, 054422(2004).
  12. Prigodin, V. N., Raju, N. P., Pokhodnya, K. I., Miller, J. S., Epstein, A. J. Spin-Driven Resistance in Organic-Based Magnetic Semiconductor V[TCNE]x. Adv. Mater. 14, 1230-1233 (2002).
  13. Yoo, J. W., Edelstein, R. S., Lincoln, D. M., Raju, N. P., Epstein, A. J. Photoinduced magnetism and random magnetic anisotropy in organic-based magnetic semiconductor V(TCNE)(x) films, for x similar to 2. Phys. Rev. Lett. 99 (15), 157205(2007).
  14. Cimpoesu, F., Frecus, B., Oprea, C. I., Panait, P., Gîrţu, M. A. Disorder, exchange and magnetic anisotropy in the room-temperature molecular magnet V[TCNE]x – A theoretical study. Computational Materials Science. 91, 320-328 (2014).
  15. Raju, N. P., Prigodin, V. N., Pokhodnya, K. I., Miller, J. S., Epstein, A. J. High field linear magnetoresistance in fully spin-polarized high-temperature organic-based ferrimagnetic semiconductor V(TCNE)(x) films, x similar to 2. Synth. Met. 160, 307-310 (2010).
  16. Raju, N. P., et al. Anomalous magnetoresistance in high-temperature organic-based magnetic semiconducting V(TCNE)(x) films. J. Appl. Phys. 93, 6799-6801 (2003).
  17. Yoo, J. W., et al. Multiple photonic responses in films of organic-based magnetic semiconductor V(TCNE)(x), x similar to 2. Phys. Rev. Lett. 97, 247205(2006).
  18. Yoo, J. W., Edelstein, R. S., Raju, N. P., Lincoln, D. M., Epstein, A. J. Novel mechanism of photoinduced magnetism in organic-based magnetic semiconductor V(TCNE)(x), x similar to 2. J. Appl. Phys. 103, 07B912(2008).
  19. Caro, D., et al. CVD-grown thin films of molecule-based magnets. Chem. Mat. 12, 587-589 (2000).
  20. Erickson, P. K., Miller, J. S. Thin film Co TCNE (2) and VyCo1-y TCNE (2) magnetic materials. J. Magn. Magn. Mater. 324 (2), 2218-2223 (2012).
  21. Valade, L., et al. Thin films of molecular materials grown on silicon substrates by chemical vapor deposition and electrodeposition. J. Low Temp. Phys. 142, 393-396 (2006).
  22. Casellas, H., de Caro, D., Valade, L., Cassoux, P. A new chromium-based molecular magnet grown as a thin film by CVD. Chem. Vapor Depos. 8, 145-147 (2002).
  23. Barybin, M. V., Pomije, M. K., Ellis, J. E. Highly reduced organometallics - 42. A new method for the syntheses of V(CO)(6) (-) and V(PF3)(6) (-) involving anthracenide mediated reductions of VCl3(THF)(3). Inorg. Chim. Acta. 269, 58-62 (1998).
  24. Froning, I. H. M., Lu, Y., Epstein, A. J., Johnston-Halperin, E. Thin-film Encapsulation of the Air-Sensitive Organic Ferrimagnet Vanadium Tetracyanoethylene. Appl. Phys. Lett. 106, 122403(2015).
  25. Pokhodnya, K. I., Bonner, M., Miller, J. S. Parylene protection coatings for thin film V TCNE (x) room temperature magnets. Chem. Mat. 16, 5114-5119 (2004).
  26. Shima Edelstein, R., Yoo, J. -W., Raju, N. P., Bergeson, J. D., Pokhodnya, K. I., Miller, J. S., Epstein, A. J. Materials Research Society. Tessler, N., Arias, A. C., Burgi, L., Emerson, J. A. , (2005).
  27. Katz, H. E. Recent advances in semiconductor performance and printing processes for organic transistor-based electronics). Chem. Mat. 16, 4748-4756 (2004).
  28. Subbarao, S. P., Bahlke, M. E., Kymissis, I. Laboratory Thin-Film Encapsulation of Air-Sensitive Organic Semiconductor Devices. IEEE Trans. Electron Devices. 57, 153-156 (2010).
  29. Lungenschmied, C., et al. Flexible, long-lived, large-area, organic solar cells. Solar Energy Materials and Solar Cells. 91, 379-384 (2007).
  30. Lu, Y., et al. Thin-Film Deposition of an Organic Magnet Based on Vanadium Methyl Tricyanoethylenecarboxylate. Adv. Mater. 26, 7632-7636 (2014).

Erişim kısıtlı. Bu içeriği görüntülemek için lütfen giriş yapın veya deneme sürümünü başlatın.

Yeniden basım ve izinler

Daha fazla makale keşfet

İnce Film BüyütmeFerromanyetik RezonansDüşük Sıcaklık CVDAltlık BiriktirmeFilm Kalınlığı KontrolüCurie Sıcaklığı OptimizasyonuManyetik Homojenlik
Bir Organik Magnet CVD, Vanadyum Tetracyanoethylene
Bize Ulaşın
Kütüphaneye Öner

Gizlilik

Kullanım Koşulları

Politikalar

Telif Hakkı © 2026 MyJoVE Corporation. Tüm hakları saklıdır.