Sentezi ve Plazma ile yüksek c-ekseni ZnO İnce Film Karakterizasyonu CVD Sistemi ve UV Fotodetektör Uygulaması Enhanced

Plazma ile güçlendirilmiş kimyasal buhar biriktirme ile yüksek c ekseni (0002) ZnO ince filmi doğrudan sentezlemek için bir yöntem sunduk. Pt interdigitated elektrot ile birleştirilmiş sentezlenmiş ZnO ince film, ultraviyole fotodetektör için algılama katmanı olarak kullanıldı ve iyi duyarlılığı ve güvenilirliğinin bir kombinasyonu sayesinde yüksek bir performans gösterdi.

Bu prosedürün genel amacı, plazma ile güçlendirilmiş kimyasal buhar biriktirme ile yüksek C eksenli bir çinko oksit ince filmi sentezlemek ve sentezlenmiş filmi bir ultraviyole foto dedektör cihazı için bir algılama katmanı olarak bir platin interdigitated elektrot ile birlikte kullanmaktır. Bu, ilk olarak, yüksek C eksenli çinko oksit ince filmini optimum sentez parametreleri altında bir silikon bir oh oh substrat üzerine sentezlemek için plazma ile güçlendirilmiş bir kimyasal buhar biriktirme sistemi kullanılarak gerçekleştirilir. İkinci adım, temiz bir odada geleneksel optik litografi ile çinko oksit ince film yüzeyi üzerine sayısallaştırılmış deseni üretmektir.

Daha sonra radyofrekans magnetron püskürtme, çinko oksit ince filmin üstüne ince, iletken bir platin tabakası biriktirmek için kullanılır ve daha sonra numune ultrasonik bir temizleyicide asetona daldırılır. Foto direnci çıkarmak için son adım, platin elektrot ile çinko oksit ince film arasında omik bir temas arayüzü elde etmek için hızlı bir termal, diz çökme işlemi gerçekleştirmektir. Sonuç olarak, gerçek zamanlı fotoğraf akımı tepki ölçümü, UV ışığı altında hızlı bir duyarlılık ve yüksek güvenilirlik göstermek için kullanılır.

Bu tekniğin geleneksel kimyasal buhar biriktirme gibi mevcut yöntemlere göre ana avantajı, daha düşük sentez sıcaklığına yol açması, yüksek beklenti oranı koşulunun mevcut olması, iyi yüzey zayıflığı, yüksek biriktirme hızı ve nano ölçekli yapıların kimyasal konuşmasının yüksek oranda kontrol edilebilmesidir. Bu mevcut plazma ile geliştirilmiş kimyasal buhar tanımlama tekniği, ZI boyutlandırma temasını silikon substratlar üzerine hazırlamak için bir master sağlar ve ayrıca diğer fonksiyonel malzemelerin, akar substratları üzerine guine ve diğer iki boyutlu katmanlı malzemeler gibi daha hassas substratlar üzerine oluşumuna da uygulanabilir. Önce silikondan 10 milimetreye 10 milimetre silikon alt tabakalar kesin, oh oh gofret.

Silikon substratları 10 dakika aseton, 10 dakika etil alkol ve 15 dakika izopropanol ile temizlemek için ultrasonik bir temizleyici kullanın. Bittiğinde, alt tabakaları üç kez deiyonize su ile durulayın. Daha sonra alt tabakaları bir nitrojen tabancasıyla kurutun.

Ardından, duş başlığı elektrodu ile numune aşaması arasındaki çalışma mesafesini 30 milimetre olarak ayarlayın. Alt tabakaları, datil çinko girişinden üç santimetre uzakta olacak şekilde reaksiyon odasının numune aşamasına yerleştirin. Döner pompayı açın ve sürgülü vanaları ve kelebek vanayı kademeli olarak açın.

Reaktör odasının arka plan basıncı, döner pompaya bağlanan yürüyüş vanalarını ve kelebek vanayı kapatmak için 30 militten düşük olduktan sonra. Ardından, eksi altı tor'a üç kez 10 oranında yüksek bir vakuma ulaşmak için turbo pompayı ve ilgili yürüyüş valflerini açın. İyon ölçer filamenti, yüksek vakumu algılamak için aydınlatılacaktır.

Gerekli vakum durumuna ulaştıktan sonra, ısı kontrol cihazını açın ve numune aşamasını sentez sıcaklığına ısıtın. Sıcaklık ve basınç gerekli koşullara ulaştığında turbo pompayı kapatın ve ardından döner pompaya bağlı sürgülü vanaları ve kelebek vanayı aynı anda açın. Ardından, gaz giriş vanalarını açın ve Argonne gaz akış kontrol cihazını açın.

Argonne gazını aynı anda hazneye 10 SCCM'ye akıtın. Hazne basıncını 500 milatoya ayarlayın. RF oluşturucuyu ve eşleşen ağı açın.

Ardından, numune yüzeyini 100 dakika boyunca temizlemek için RF gücünü 15 watt'a ayarlayın. Aynı zamanda, haznede üretilen plazma bir çekül rengi gösterir. Örnekleri temizledikten sonra RF gücünü 70 watt'a düşürün.

Karbondioksit gazı kontrol cihazını ve gaz giriş vanasını açın. Ardından, 30 SCCM'deki karbondioksiti odaya akıtın. Çalışma basıncını altı tor'a ayarlayın.

Aynı zamanda, plazma rengi beyaza dönecektir. Hazne basıncı altı tor'a ulaştıktan sonra, dathyl çinkoyu hazneye taşımak için 10 SCCM'de taşıyıcı gaz olarak yüksek saf Argonne'u akıtın ve aynı anda dathyl çinkoya bağlı küresel vanayı açın. Aynı zamanda çinko oksit filmlerin sentezine başlayın.

Aynı zamanda, çinko oksit filmleri sentezlendikten sonra plazma rengi maviye dönecektir. Sirium, RF jeneratörü küresel vanasını, ısı kontrol cihazını ve gaz giriş vanaları ile birlikte tüm gaz akış kontrol cihazlarını kapatır. Ardından, numune aşaması sıcaklığı oda sıcaklığına soğuduğunda numuneyi çıkarın.

Bu noktada, fabrikasyon platin çinko oksit numunesini hızlı bir termal tavlama veya RTA sistemine yerleştirin. RTA hazne basıncını 20 militar'a düşürmek için mekanik pompayı ve yürüme valfini kullanın. Hazne basıncı 20 militorr'a ulaşana kadar bekledikten sonra, hazneye saniyede 0,3 mililitre argon gazı akıtın ve çalışma basıncını beş tor'a ayarlayın.

Ardından, ısıtma hızını dakikada 100 santigrat dereceye ayarlayın, numuneyi 10 dakika boyunca 450 santigrat derecede tutun. Anıl örneğini oda sıcaklığına soğumaya bıraktıktan sonra hazneden çıkarın. X-ışını kırınımı, 400 santigrat derecede sentezlenen filmin, sıcaklık 500 santigrat dereceye yükseldiğinde en güçlü oh oh oh iki kırınım zirvesine sahip olduğunu gösterir.

Oh oh oh iki kırınım zirvesi, 1 0 1 bar'ın ortaya çıkmasıyla zayıfladı. Oh C'deki kırınım zirvesi iki optik emisyon spektroskopisi, çinko, oksijen, karbon monoksit ve datil çinkonun bazı ayrışma türleri için emisyon zirvelerinin tespit edildiğini gösterir. Sentez hissi sırasında, emisyon taramalı elektron mikroskobu görüntüleri, çinko oksit ince filmlerin farklı sentezlenmiş sıcaklıklarda farklı yüzey morfolojileri gösterdiğini ortaya koymaktadır.

300 ve 400 santigrat derecede sentezlenen film, fotolüminesans spektrumlarında güçlü bir bant sinirli misyon ve ihmal edilebilir bir derin tesviye misyonu gösteriyor. Ek olarak, yakın bant sinirli görev, artan sıcaklıkla birlikte düşük bir dalga boyuna geçer. Geçirgenlik ölçümü, 200, 300 ve 400 santigrat derecede sentezlenen çinko oksit ince filmlerin, %80'den daha yüksek bir ortalama görünür geçirgenlik ile iyi bir şeffaflığa sahip olduğunu gösterir

Çinko oksit UV fotodetektörü ile birleştirilen platin, beş voltluk bir sapmada daireleri beş defadan fazla döndürme, açma ve kapatma ile hızlı bir duyarlılık ve yüksek güvenilirlik gösterir. Bu plazma geliştirilmiş kimyasal buhar biriktirme tekniği yolu, malzeme bilimi ve fizik alanındaki araştırmacıların bunu incelemesi için yol, UV foto dedektörü ve çok işlevli sensör gibi potansiyel uygulamalar için optik elektronik çinko dış temel malzemeleri sundu. Bu videoyu izledikten sonra, plazma ile güçlendirilmiş kimyasal buhar ile bağlantı oksit kanatçıklarının nasıl tamamen sentezleneceğini iyi anlamış olmalısınız.

Bu uzantı.