Name: Kimyasal Çözüm Biriktirme tarafından Silisyum üzerinde Makrogözenekli Epitaksiyel Kuvars Filmlerin Hazırlanması (Video) | JoVE Journal
Uploaded: 2015-12-21T15:00:00.000+00:00
Duration: 7 min 37 s
Description: Keşfedin silisyum üzerinde makrogözenekli epitaksiyel kuvars filmlerin kimyasal çözüm biriktirme yöntemiyle hazırlanmasını. Bu yöntem, sensör teknolojileri için piezoelektrik özellikler sağlar.

ai_agent_IP

ai_agent

maintenance

instantTrialDurationMinutes

isBiopharma

enableNewMyJoveSectionDesign

educationFeatures

seoMetaApi

ai_copilot_institution_blacklist

ai_chat_institution_blacklist

freeAccessWindow

ssoRoleCapture

scheduledMaintenanceBanner

joveLabsFeatures

disable_autoplay_for_bots

extended_trial_duration

5 minutes

Bu çalışma kısmen Cellule Energie ACG için INSIS-CNRS (1D-RENOX) ve İspanya hükümetinin (MAT2012-35324 ve PIE-201460I004) bir PEPS projesi tarafından finanse edildi.

Sol 1. Hazırlık <ol><li> Prehydrolyzed tetraetil ortosilikat (TEOS), bir laboratuar dengesi ve bir manyetik karıştırıcı yerleştirilmiş olan bir çeker ocak içinde bir jel hazırlanması önceki gün bir çözelti hazırlayın. Protokolde Bu aşamada ve boyunca laboratuvar önlüğü, eldiven ve koruyucu gözlük kullanın. <ol><li> Teflon kaplı manyetik karıştırma çubuğu CTAB 1,68 g ağırlığında içeren 50 ml&#39;lik bir cam kaba, bir izleme camı ile kaplayın, beher 48,13 ml etanol ve HCl 35% 3.00 ml ilave edilir ve CTAB tamamen eriyene kadar karıştırılır. </li><li> Beher damla damla TEOS 7,37 ml ilave karıştırılırken, bir izleme camı ile şişesi kapak ve / O N karışmaya izin (yaklaşık 1-2 arasında bir oranda saniyede damlaları) bulunmaktadır. </li></ol></li><li> Bir sonraki gün, Sr 2+ bir 1 M sulu çözelti hazırlayın. Bir yaşlı bir çözüm Sr tuz yeniden yağış eğilimli olduğundan sadece jel filmlerin hazırlanması önce aşağıdaki adımları uygulayın. <ol><li> 6,6 tartınSRCL 2 654 g · 25 ml&#39;lik bir volumetrik şişe içine 6H 2 O. </li><li> 25 ml (bir şişeye işaretine menisküs teğet) kadar ultra saf su (örneğin, Milli-Q) ekleyin ve bir plastik kap ile şişeyi kapatın ve yavaşça stronsiyum klorür eritmek için şişeyi sallayın. </li></ol></li><li> / N O karışmaya bırakıldı sol ihtiva eden 50 ml&#39;lik bir cam deney şişesine Sr2 + 1 M sulu solüsyonu 2 ml ilave edilir. 25 dakika boyunca solüsyon ilave edin. </li><li> Sonunda laboratuar güvenliği ve çevre koruma protokollerine göre üretildiğini artıkları imha ediniz. </li></ol> 2. Jel Film Biriktirme Si (100) Dayanaklar <ol><li> Yüzeylerin Hazırlanması <ol><li> Bir elmas uç ile ya da gofret düz bir yönde paralel veya dik gofret bölünmesiyle 2 inç p-tipi 200 mikron kalınlığında (100) silikon yonga üzerinden 5 cm ile yaklaşık 2 cm Si döşeme Kesilmiş nesneyi keskin kenarlı. Reklamda bu adımı gerçekleştirinleme jel filmlerin çökeltilmesinden önce, örneğin bir gün. </li><li> Sadece jellerin birikimi önce etanol ile yüzeylerin temizlenmesi ve onları kurumaya bırakın ya da kurumayı hızlandırmak için bir azot akımı veya sıkıştırılmış hava kullanın. Adım 1.3 tamamlanması için beklerken bu adımı gerçekleştirin. </li></ol></li><li> Coat filmler. Homojen bir gözenek yapısı elde etmek için,% 20, oda sıcaklığında% 55 arasında nispi nem koşulları altında, bu adımı gerçekleştirmek. <ol><li> Bir daldırma kaplama dizisi oluşturun. Dikkate Si kütüğün gerçek uzunluğu ve beher çözelti düzeyi alarak ilk ve son pozisyonlar seçin öyle ki levha başlangıç ​​pozisyonuna çözelti seviyesinden en az 2 cm, alt yukarıda 1 cm olduğu daldırma sonunda beher. 150 mm / dak daldırma ve çekilme hızları hem de ayarlayın. Sıfır daldırma süresi (son konumda saat) olarak ayarlayın. </li><li> Aşamanın tamamlanmasından 1.3 Yere kadar olan beher üzerinedip-kaplayıcı kolundan sarkan Si levha altında iyi merkezli pozisyonda dökülmesinden. </li><li> Levhanın sağlanması yataya göre mümkün olduğu kadar dik olan, klipsli daldırmalı kaplayıcı koluna Si kütüğün bir ucunu sabitleyin. </li><li> Daldırma kaplama dizisini yürütmek ve dip-kaplayıcı kolundan Si kütüğü ayırınız. Ek Si levhalarla adımları yineleyin 2.2.3 ve 2.2.4 çözümün istikrar tehlikeye olmadığından emin olmak için, 1 saat ötesinde, bu hazırlıklara uzatmak için özen fazla film üretmek. </li></ol></li><li> Sonunda laboratuar güvenliği ve çevre koruma protokollerine göre üretildiğini çözümler bertaraf edin. </li></ol> Termal Tedavi ile 3. Jel Film Kristalizasyon <ol><li> Si jel filmlerin Isıl işlem (100). <ol><li> Program, bir fırın hava atmosferinde aşağıdaki ısıl işlem gerçekleştirmek için: ısıtma RT 1000 ° C&#39;ye kadar 3 ° C / dakika ile, 1000 ° C&#39;de tutarakC 5 saat boyunca 3 ° C / dakika ile oda sıcaklığına soğutma. </li><li> Bir alüminyum tekne daldırma kaplı Si yüzeylerde yerleştirin fırında tanıtmak ve ısıl işlem yürütmek. </li></ol></li><li> Kristalize filmlerin temizlenmesi. <ol><li> Kristalleşme sırasında film yüzeyine expulsed edilmiştir Sr birikimleri 2+ kaldırmak ve daha sonra etanol ile ilk iyonu giderilmiş su ile ve daha sonra film bunu durulamak amacıyla, konsantre HNO 3 3 saat boyunca kristalleştirildi filmler bırakın. </li></ol></li></ol>

<ol><li>Esser, A. T., Smith, K. C., Gowrishankar, T. R., Vasilkoski, Z., Weaver, J. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Mechanisms+for+the+intracellular+manipulation+of+organelles+by+conventional+electroportation%5BTitle%5D)+AND+%22Biophys.+J%22%5BJournal%5D)">Mechanisms for the intracellular manipulation of organelles by conventional electroportation.</a> Biophys. J. 98 (11), 2506-2514 (2010).</li>
<li>Stava, E., Yu, M., Shin, H. C., Shin, H., Kreft, D. J., Blick, R. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Rapid+fabrication+and+piezoelectric+tuning+of+micro-+and+nanopores+in+single+crystal+quartz%5BTitle%5D)+AND+%22Lab+Chip%22%5BJournal%5D)">Rapid fabrication and piezoelectric tuning of micro- and nanopores in single crystal quartz.</a> Lab Chip. 13 (1), 156-160 (2013).</li>
<li>Varshneya, A. K. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=author%3aVarshneya%2C+AK+%22Fundamentals+of+Inorganic+Glasses%22">Fundamentals of Inorganic Glasses</a>. , Academic Press. San Diego. (1994).</li>
<li>Christov, M., Kirov, G. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+ratio+of+dissolving+surface+area%2Fgrowing+surface+area+in+the+hydrothermal+growth+of+quartz%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Cryst.+Growth%22%5BJournal%5D)">The ratio of dissolving surface area/growing surface area in the hydrothermal growth of quartz.</a> J. Cryst. Growth. 131 (3-4), 560-564 (1993).</li>
<li>Bertone, J. F., Cizeron, J., Wahi, R. K., Bosworth, J. K., Colvin, V. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Hydrothermal+synthesis+of+quartz+nanocrystals%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Lett%22%5BJournal%5D)">Hydrothermal synthesis of quartz nanocrystals.</a> Nano Lett. 3, 655-659 (2003).</li>
<li>Jiang, Y., Brinker, C. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Hydrothermal+synthesis+of+monodisperse+single-crystalline+alpha-quartz+nanospheres%5BTitle%5D)+AND+%22Chem.+Comm%22%5BJournal%5D)">Hydrothermal synthesis of monodisperse single-crystalline alpha-quartz nanospheres.</a> Chem. Comm. 47 (26), 7524-7526 (2011).</li>
<li>Okabayashi, M., Miyazaki, K., Kono, T., Tanaka, M., Toda, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Preparation+of+Spherical+Particles+with+Quartz+Single%5BTitle%5D)+AND+%22Chem.+Lett%22%5BJournal%5D)">Preparation of Spherical Particles with Quartz Single.</a> Chem. Lett. 34 (1), 58-59 (2005).</li>
<li>Carretero-Genevrier, A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Soft-Chemistry-Based+Routes+to+Epitaxial+%CE%B1-Quartz+Thin+Films+with+Tunable+Textures%5BTitle%5D)+AND+%22Science%22%5BJournal%5D)">Soft-Chemistry-Based Routes to Epitaxial α-Quartz Thin Films with Tunable Textures.</a> Science. 340 (6134), 827-831 (2013).</li>
<li>Brinker, C. J., Clem, P. G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Quartz+on+Silicon%5BTitle%5D)+AND+%22Science%22%5BJournal%5D)">Quartz on Silicon.</a> Science. 340 (6134), 818-819 (2013).</li>
<li>Brinker, C. J., Lu, Y., Sellinger, A., Fan, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Evaporation-Induced+Self-Assembly%3A+Nanostructures+Made+Easy%5BTitle%5D)+AND+%22Adv.+Mater%22%5BJournal%5D)">Evaporation-Induced Self-Assembly: Nanostructures Made Easy.</a> Adv. Mater. 11 (7), 579-585 (1999).</li>
<li>Griffith, C. S., Sizgek, G. D., Sizgek, E., Scales, N., Yee, P. J., Luca, V. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Mesoporous+Zirconium+Titanium+Oxides.+Part+1%3A+Porosity+Modulation+and+Adsorption+Properties+of+Xerogels%5BTitle%5D)+AND+%22Langmuir%22%5BJournal%5D)">Mesoporous Zirconium Titanium Oxides. Part 1: Porosity Modulation and Adsorption Properties of Xerogels.</a> Langmuir. 24 (21), 12312-12322 (2008).</li>
<li>Lu, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Continuous+formation+of+supported+cubic+and+hexagonal+mesoporous+films+by+sol-gel+dip-coating%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">Continuous formation of supported cubic and hexagonal mesoporous films by sol-gel dip-coating.</a> Nature. 389 (6649), 364-368 (1997).</li>
<li>Drisko, G. L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Water-Induced+Phase+Separation+Forming+Macrostructured+Epitaxial+Quartz+Films+on+Silicon%5BTitle%5D)+AND+%22Adv.+Funct.+Mater%22%5BJournal%5D)">Water-Induced Phase Separation Forming Macrostructured Epitaxial Quartz Films on Silicon.</a> Adv. Funct. Mater. 24 (35), 5494-5502 (2014).</li>
</ol>

Yazarlar ifşa hiçbir şey yok.

Sunulan yöntem Si makrogözenekli kuvars filmler üretmek için aşağıdan yukarıya bir yaklaşımdır. Kuvars filmlerin üretimine ilişkin standart metoda göre, bir üst aşağı doğru teknolojisi ile kontrol edilebilir 150 ve 450 nm arasında kalınlıkları daha ince filmleri kesme ve büyük hidrotermal Büyüyen kristallerin parlatma, protokolde tarif edilen yöntem elde edilmesine izin verir göre Para çekme oranı. Kuvars filmlerin kalınlığı, ve piezoelektrik yanıt kontrolü ile ilgili tüm deneysel ayrıntıları referans 8,13 ra...

Α-kuvars gibi bir piezoelektrik materyal, gerilim önyargı gönderildiğinde mekanik bir deformasyona maruz kalır. Bu malzeme gözenekli ise, bu hacim değişiklikleri biyolojik organelleri yaşayan görülebilir ne benzer bir yanıt sistemi oluşturarak, gözenek genişleme veya daralma neden olabilir. 1 Deforme gözenekli α-kuvars mikroüretim, 2 kullanılarak üretilmiştir ancak bu tür teknikler henüz yapamam 3-D gözenek yapıları üretmek ve gözenek çapları nanometre yüzlerce sipariş vardır. Yapılandırılmış amorf silisin kristalleştirilmesi sonucu kabalaşması ve erime, yüksek yüzey enerjileri ve mimari deformasyon nedeniyle, homojen olmayan bir nükleasyon yoluyla engellenmiştir. Tüm silika biçimleri son derece kararlı SiO 4 tetrahedral ağ örgüleri üzerine inşa edilmiş olması sebebi ile, amorf silika, α-kuvars ve SİO2 polimorfların oluşumu enerjileri geniş bir sıcaklık aralığında, makin hemen hemen eşitg zor bir amorf silis jel kristalleşme tek bir polimorf olarak α-kuvars üretmek için. 3 yapılandırılmış amorf silis kontrollü kristalleşme kuvars nispeten yavaş çekirdeklenme oranını ama son derece hızlı bir büyüme oranı sunar olduğunu zor kılan bir başka yönü, 10-94 nm arasında bildirilmektedir / sn. Hızlı büyüme ile birleştiğinde 4,5 Yavaş çekirdeklenme böylece orijinal morfoloji kaybolur orijinal nano-gözenekli yapısı, çok daha büyük kristalleri oluşturmak eğilimindedir. Na + ve Li + gibi alkali metaller, sıklıkla hidrotermal tedavisi ile kombinasyon halinde, α-kuvars kristalleşmeye kullanılmıştır. 5,6 Ayrıca, Ti 4 + / Ca2 + kombinasyonu halinde silis küresel parçacıklar kristalize için kullanılmıştır Silikon alcoxides kullanarak yumuşak kimya yoluyla kuvars. 7 Ancak, kuvars bir yapısal amorf silis filmin kontrollü kristalleşme meydan kalmıştır. 2 büyümesini katalize etmek için bulunmuştur. 8,9 Epitaksi, α-kuvars ve &lt;100&gt; silikon substrat arasında iyi uyumsuzluğundan kaynaklanan, odaklı piezoelektrik ince filmler üreten. Buharlaşma ile indüklenen montajı çok gözenekli silis filmlerin üretilmesi için 1999, 10, çünkü bu teknik, çalışılmış ve değişken boyutları ve mezofazlar gözenekleri üretmek için çeşitli koşullar altında şablon ajanlar çok sayıda tatbik kullanılmıştır. Bu mezogözenek boyutunda subnanometric değişiklikler yapısını gözenek bu geniş ilgi doğrulayarak, gözenekli sistemleri 11 ile çözünen difüzyon üzerinde önemli bir etkiye sahip olabileceği bulunmuştur. Ayrıca, iç silika, gözenek sistemine erişim şablonunun misel faz kontrol edilmesiyle elde edilebilir. 12 Burada, sentez yolu that yeni bir faz ayrılması gösterilmiştir kullanılarak amorf silis katmanların kalınlığı ve gözenek boyutu üzerinde benzersiz bir kontrol sağlar. Bu filmler 13 çevre basıncında hava altında 1000 ° C&#39;de Sr (II) tuzları ve kristalize etmek a-kuvars ile infiltre edilmiştir. Bu kristalleştirme işlemi kullanılarak retainable gözenek boyutu belirlenir ve duvar kalınlığı ve film kalınlığının etkisi incelenmiştir. Nihayet piezoelektrik ve gözenek sistemi deformabilitesinin incelenmiştir.

<table><tbody><tr><td>Daldırma kaplayıcı</td><td>Nadetech&nbsp;</td><td>ND-DC 11/150&nbsp;</td><td></td></tr><tr><td>Fırın</td><td>Nabertherm&nbsp;</td><td>R 50/250/12</td><td></td></tr><tr><td>Atomik Kuvvet Mikroskobu</td><td>Agilent&nbsp;</td><td>5500 LS</td><td></td></tr><tr><td>Silikon gofretler</td><td>SHE Europe Ltd.</td><td></td><td></td></tr><tr><td>SrCl2&middot; 6H2O</td><td>Aldrich</td><td>13909</td><td></td></tr><tr><td>CTAB</td><td>Aldrich</td><td>H5582</td><td></td></tr><tr><td>Etanol Mutlak&nbsp;</td><td>Aldrich</td><td>161086</td><td></td></tr><tr><td>HCl %35 çözelti</td><td>PanReac</td><td>721019</td><td></td></tr><tr><td>TEOS</td><td>Aldrich</td><td>131903</td><td></td></tr></tbody></table>

kimyasal Çözüm biriktirme tarafından silisyum üzerinde makrogözenekli epitaksiyel kuvars filmlerin hazırlanması

Preparation of Macroporous Epitaxial Quartz Films on Silicon by Chemical Solution Deposition

Bu çalışma, silikon(100) substratlar üzerinde piezoelektrik, makro gözenekli epitaksiyel kuvars filmlerin hazırlanması için ayrıntılı protokolü açıklamaktadır. Bu, tek kaplı bir sentezde bir solün hazırlanmasına dayanan üç aşamalı bir işlemdir, ardından daldırma kaplama tekniği kullanılarak buharlaşma ile indüklenen kendi kendine montaj yoluyla Si(100) substratları üzerinde bir jel filmin biriktirilmesi ve jel kristalleşmesini ve kuvars filmin büyümesini indüklemek için malzemenin ısıl işlemiyle sona erer. Bir silika jelin oluşumu, bir tetraetil ortosilikat ve HCl tarafından katalize edilen suyun etanol içinde reaksiyonuna dayanır. Bununla birlikte, çözelti, Si üzerine daldırılmış bu silika jellerden mezogözenekli epitaksiyel kuvars filmlerin hazırlanması için gerekli olan iki ek bileşen içerir. Sr2+ gibi alkali toprak iyonları, silikanın kristalleşmesini kolaylaştıran cam eritme maddeleri olarak işlev görür ve setil trimetilamonyum bromür (CTAB) amfifilik şablon ile kombinasyon halinde, filmlerin makro gözenekliliğinden sorumlu bir faz ayrımı oluşturur. Kuvars ve silikon hücre parametreleri arasındaki iyi eşleşme, kuvarsın diğerSiO2 polimorfları üzerinde stabilizasyonunda da gereklidir ve epitaksiyel büyümenin kökeninde yer alır.

Malzeme sentezi ilerleme farklı yönlerini izlenmesi ile kontrol altına alındı. Daldırma kaplama işleminden sonra biri filmlerin yönünü, yeşil lazer ve Tarama Elektron Mikroskobu (SEM) geri saçılmış elektron modu (Şekil 1A-B) resim yansıyan noktada kırılma yapıların nihai görünümünü gözlemleyebilirsiniz. Kristalizasyon prosesi sonra Atomik Kuvvet mikroskopisi (AFM) topoğrafik görüntüler (Şekil 1C) ve α-kuvars film arasındaki epitaksiyel ilişkileri (α-S gö...

Havada daldırma kaplama ve ısıl işlemler kullanılarak çözelti kimyası ile silikon üzerinde piezoelektrik makro gözenekli epitaksiyel kuvars filmlerinin hazırlanması için bir protokol sunulmuştur.

Kimyasal Çözüm Biriktirme tarafından Silisyum üzerinde Makrogözenekli Epitaksiyel Kuvars Filmlerin Hazırlanması

This work describes the detailed protocol for preparing piezoelectric macroporous epitaxial quartz films on silicon(100) substrates. This is a three-step ...

Bu sentezin genel amacı, bilgi ve algılama teknolojileri için ilgili iki malzemenin nan ölçekli aşağıdan yukarıya entegrasyonunu sağlamak açısından önemli olan, silikon altlıklar üzerinde ince epitaksiyel kuvars filmler hazırlamaktır. Bu çalışmanın temel motivasyonu, teknolojik olarak ilgili iki malzemenin epitaksiyel entegrasyonunu gerçekleştirmekti. Yumuşak kimya kullanılarak silikon üzerinde kuvarsın doğrudan entegrasyonu ilk kez bu şekilde gerçekleştirilmiştir.Bu metodoloji oldukça çok yönlüdür çünkü katodik ve katalitik uygulamaların algılanması için çok avantajlı olan mezogözenekli, gözenekli ve makrogözenekli ince filmler üretmektedir. Bu ince çekirdek filmlerin elektriksel özellikleri, kalınlığı bir mikronu aşmayan örnekler için yüksek rezonans frekansları beklendiğinden, elektromekanik sensör cihazları yapmak için caziptir. İlk olarak 1,68 gram ince trimetil amonyum bromür ve 48,13 mililitre etanol tartın. Buna 37,90 gram ve üç mililitre %35'lik hidroklorik asit ekleyin.Bu, Teflon kaplı manyetik karıştırma çubuğu içeren 100 mililitrelik bir beherdeki 3.67 gramdır. Beherin ağzını bir saat camı ile kapatın ve trimethyl ammonium bromide tamamen çözünene kadar karıştırın. 7,37 mililitre tetraethyl ortho silicate ekleyin.Bu miktar, behere damla damla eklenen 6,88 gramdır; ardından balon jojeyi bir saat camı ile kapatın ve çözeltinin gece boyunca karıştırılmasını sağlayın. Ertesi gün, 6,6654 gram stronsiyum klorür hekzahidrat tuzunu 25 mililitrelik bir erlenmeyer flask içerisinde milli Q suda çözerek bir molar stronsiyum klorür hekzahidrat çözeltisi hazırlayın.Stronsiyum tuzunu çözmek için erleni az miktarda Milli Q su ile hafifçe çalkalayın. Stronsiyum klorür hekzahidrat tuzu tamamen çözündüğünde, erleni Milli Q su ile doldurun ve plastik bir kapakla kapatın. Ardından, gece boyunca karıştırılmaya bırakılan çözeltiyi içeren 100 mililitrelik cam behere, bir molar sulu stronsiyum, iki artı çözeltisinden iki mililitre ekleyin.Çözeltiyi 25 dakika boyunca karıştırın. Substratları hazırlamak için, iki inçlik P tipi silikondan yaklaşık iki santimetreye beş santimetre boyutlarında silikon plakalar kesin.Gofreti bir yönde kırarak 200 mikron kalınlığında 1 0 0 gofretler elde edin. Gellerin biriktirilmesinden hemen önce gofret düzlemini paralel hale getirin. Substratları etanol ile temizleyin, ardından kuruma sürecini hızlandırmak için basınçlı azot akışı kullanın.Bunun ardından, silikon plak uzunluğunu ve çözelti seviyesini göz önünde bulundurarak, başlangıç konumunda plağın çözeltinin en az iki santimetre üzerinde ve başlangıç konumunda beherin tabanının bir santimetre üzerinde olacağı şekilde başlangıç ve bitiş konumlarını seçerek bir daldırma kaplama sekansı oluşturun. Daldırma işleminin sonunda, daldırma ve çekme hızlarını 150 mililitre/dakika olarak ve daldırma süresini sıfır olarak ayarlayın. Çözelti hazırlandıktan sonra, çözeltinin bulunduğu beheri, daldırma kaplama kolundan sarkan silikon plağın altına tam merkezli bir konuma yerleştirin.Ardından, daldırma kaplama işlemini gerçekleştirin. İşlem tamamlandığında, silikon plakayı daldırma kaplama kolundan ayırın. Bu noktada, hava atmosferinde aşağıdaki termal işlemi gerçekleştirmek üzere bir fırını programlayın.Daldırma kaplama yöntemiyle kaplanmış silikon substratları bir Illumina teknesine yerleştirin ve tekneyi fırına koyun. Ardından, termal işlem prosedürünü takip ederek ısıl işlemi gerçekleştirin. Kristalleşme sırasında film yüzeyinde ortaya çıkan stronsiyum (II) birikintilerini gidermek için kristalleşmiş filmleri üç saat boyunca konsantre nitrik asit içerisinde bekletin.Son olarak, kaplama işleminden sonra filmleri önce deiyonize su ile, ardından etanol ile durulayın. Substratın mavimsi yeşil görünümü, stronsiyum iki artının film üzerinde iyi dağıldığını gösterir. Eğer faz ayrımı gerçekleşmişse ve lazer dalga boyuna yakın bir periyodiklik sunuyorsa, difraksiyon lekeleri gözlemlenebilir.Materyalin basit bir incelemesi, makro gözenekli bir yapıya ve makro gözeneklerin kenarlarında stronsiyum 2+ dağılımına yol açan bir faz ayrışmasını ortaya koymaktadır. Bu taramalı elektron mikroskobu alan emisyon görüntüsü, başlangıçtaki makrogözenekli yapının kristalleşme sonrası ne ölçüde korunduğunu göstermektedir; kesit üzerinden yapılan yüksek çözünürlüklü transmisyon elektron mikroskobu ve x-ışını kırınımı çalışmaları, 1 0 0 kuvars yönelimini ve silikon 1 0 0 alt tabakalar üzerinde kuvars ince filmlerin yüksek kaliteli epitaksiyel büyümesini doğrulamaktadır. 3D model, 0 1 1 zon ekseni boyunca bakıldığında, turuncu renkteki kuvars film ile gri renkteki silikon alt tabaka arasındaki düzlem içi epitaksiyel ilişkiyi göstermektedir.Film piezoelektrik ise, uygulanan voltaj altında deforme olur ve bu durum, piezo yanıt kuvvet mikroskopi tekniği kullanılarak belirli bir rezonans frekansındaki uç sapması aracılığıyla tespit edilebilir. Bu sapma genliği, uygulanan AC alanının genliği ile orantılıdır ve piezoelektrik katsayısı volt başına iki TER mertebesindedir. Bu videoyu izledikten sonra Aachi çekirdek filmleri hazırlayabiliyor olmalısınız; ancak taze ekstraksiyon çözeltisi kullanmayı ve %50'nin altında bir bağıl nem altında çalışmayı unutmayın. Bu metodoloji, farklı formlarda kuatsların sentezi üzerinde kontrol sağlamaya olanak tanıyan diversifikasyon silika işlemi sırasında toprak alkali metallerin katalitik ve kinetik rolü hakkında yeni bilgiler sağlayabilir.Bu yöntemin avantajlarından biri, algılama cihazları üretmek amacıyla gelişmekte olan nano fabrikasyon teknikleri veya mikroelektronik endüstrisinde yaygın olarak kullanılan geleneksel litografi ile birleştirilebilmesidir.

preparation-macroporous-epitaxial-quartz-films-on-silicon-chemical

Research

JoVE Journal

Chemistry

Kimya

Burada, küçük moleküller ve proteinlerin desenli yüzeylerin desenlendirme oksit-silisyum ve germanyum ve reaktif organik mono tabakaları göstermek işlevsellik için basit bir yöntem açıklanmaktadır. Bu yaklaşım tamamen kimyasal oksidasyon yüzeyleri korur özelliği morfolojisi üzerinde hassas kontrol sağlar, ve kimyasal ayrımcılık desenleri hazır erişim sağlar.

Yumuşak Litografik işlevsellik ve Desenlendirme Oksit Silisyum ve germanyum

Camına Polikristal silikon ince film güneş pilleri kristalizasyon, kusur pasivasyon ve metalizasyon takip bor ve fosfor katkılı silikon tabakalar birikimi ile üretilmektedir. Işık yakalayan Plasmonic ~% 45 Fotoakım geliştirme sonuçlanan dağınık bir reflektör ile kapatılmış silikon hücrenin yüzeyinde Ag nanopartiküller oluşturarak tanıtıldı.

Plasmonic geliştirilmiş Işık-tutucu ile Polycrystalline Silikon İnce-film Solar hücreler

Çeşitli işlemler karmaşık oksit ince filmlerin epitaksiyal büyümesi için atomik tanımlı şablonlar hazırlamak özetlenmiştir. Tek kristal SrTiO 3 (001) ve DyScO 3 kimyasal işlemler (110), alt-tabakalar atomik olarak pürüzsüz, tek sonlu yüzeyler elde etmek için yapıldı. Ca 2 Nb 3 O 10 - nanosheets keyfi yüzeylerde atomik tanımlı şablonlar oluşturmak için kullanıldı.

Karmaşık Oksit İnce Filmlerin Epitaksiyel Büyüme için atomik Tanımlı Şablonlar

Geniş alanlı (13 cm çapa kadar) ve ultra ince (8 nm kadar ince) polimer filmlerin üretimi için bir yöntem tarif ediyoruz. Filmi alt tabakasından ayırmak için fedakar bir ara katman kullanmak yerine, keyfi olarak geniş alanlar için uygun, kendi kendini sınırlayan bir yüzey işlemi kullanıyoruz.

Geniş alanlı Fabrikasyon Ultrathin Polimer Filmler Serbest ayakta

Makroskopik numuneler kullanılarak elektriksel ve termal etkilerin elektrikle desteklenen deformasyon (EAD) üzerinde izole edilmesi çok zordur. Uygulanan akımın joule ısınması olmayan oluşum üzerindeki etkisini ve bu numuneler üzerindeki çıkıntının evrimini değerlendirmek için metalik örnek mikro ve nanoyapılar ile özel bir test prosedürü geliştirildi.

Için yeni bir yöntem<em&gt; Yerinde</emNanoscale Örneklerinin Elektromekanik Karakterizasyonu

Biz ultra-ince renk filmleri optik kaplamalar için geliştirilmiş özellikleri ile imalatı için detaylı bir yöntem mevcut. Eğik açısı ifade tekniği, bir elektron ışını Evaporatör geliştirilmiş renk ayar ve saflık sağlar. Ge ve Au fabrikasyon Filmler Si yüzeyler üzerinde yansıma ölçümleri ve renk bilgi dönüşüm tarafından analiz edildi.

Eğik açısı ifade kullanarak medya yüksek emici ile Ultra ince renk filmleri imalatı

Yüzey imalat yöntemleri nanometre kalın fırçalar veya mikron kalınlığında desenli birikimi, bir azlactone blok kopolimer çapraz filmler için raporlanır. Kritik deneysel adımlar, temsilcisi sonuçları ve her yöntemi sınırlamaları ele alınmıştır. Bu yöntemleri özel fiziksel özellikleri ve akort yüzey reaktivitesi ile fonksiyonel arayüzleri yaratmak için yararlıdır.

Fırça benzeri ile reaktif yüzeyler imalatı ve Azlactone Functionalized blok ortak polimerler çapraz filmleri

Silikon üzerinde yarı silindirik boşluklar bulunan germanyum epitaksiyel tabakalarındaki diş açma çıkığı (TD) yoğunluğunun azaltılması için teorik hesaplama ve deneysel doğrulama önerilmiştir. TD'lerin ve yüzeyin görüntü kuvveti ile etkileşimine dayalı hesaplamalar, TD ölçümleri ve TD'lerin iletim elektron mikroskobu gözlemleri sunulmaktadır.

Silikon Üzerinde Yarı Silindirik Boşluklu Germanyum Epitaksiyel Tabakalarında Çıkığın Azaltılması için Teorik Hesaplama ve Deneysel Doğrulama

Kuvars kristal mikrodengesi mikron veya submikron aralığındaki filmler için doğru kütle ve viskoelastik özellikler sağlayabilir, bu da biyomedikal ve çevresel algılama, kaplama ve polimer bilimi araştırmalarına yöneliktir. Numune kalınlığı, sensörle temas eden malzemeden elde edilebilen bilgileri etkiler.

Protein Adsorpsiyon ve Polimer Mekaniğinin Kuvars Kristal Mikroterazi Ölçümlerinde Örnek Hazırlama

Bu çalışma, difleme kaplama yöntemi ile kuvars filminin epitaksiyel büyümesinden başlayarak silikon-on-insulatör (SOI) teknolojisi alt tabaka üzerinde nanoyapılı α-kuvars kantileatörün mikrofabrikasyonu ve daha sonra nanoimprint litografi ile ince filmin nanoyapılanması için ayrıntılı bir protokol sunun.

Silikon Üzerine Epitaxial Nanoyapılı α-Kuvars Filmler: Malzemeden Yeni Cihazlara

Mevcut protokol, gaz biriktirme ve sulu çözelti reaksiyonları yoluyla yüzey modifikasyonu işlemleri sırasında silikon düzlemsel intrakortikal mikroelektrotların işlenmesi için kullanılan araçları açıklamaktadır. Prosedür boyunca cihazları işlemek için kullanılan bileşenlerin montajı ayrıntılı olarak açıklanmaktadır.

Silikon Planar İntrakkortikal Mikroelektrotların Yüzey İşlemi için Araçlar

Keşfedin silisyum üzerinde makrogözenekli epitaksiyel kuvars filmlerin kimyasal çözüm biriktirme yöntemiyle hazırlanmasını. Bu yöntem, sensör teknolojileri için piezoelektrik özellikler sağlar.

Kimyasal Çözüm Biriktirme tarafından Silisyum üzerinde Makrogözenekli Epitaksiyel Kuvars Filmlerin Hazırlanması

Daha fazla video keşfet