Name: Süperiletken Rezonatörler Fabrikasyon ve Karakterizasyonu (Video) | JoVE Journal
Uploaded: 2016-05-21T14:00:00.000+00:00
Duration: 10 min 26 s
Description: Keşfedin süperiletken mikrodalga rezonatörlerinin silikon alt tabakalar üzerinde üretim ve saçılma parametreleri karakterizasyonu yöntemlerini. Bu teknik kuantum hesaplama ve astrofizik uygulamaları için hassas ölçümler sağlar.

ai_agent_IP

ai_agent

maintenance

instantTrialDurationMinutes

isBiopharma

enableNewMyJoveSectionDesign

educationFeatures

seoMetaApi

ai_copilot_institution_blacklist

ai_chat_institution_blacklist

freeAccessWindow

ssoRoleCapture

scheduledMaintenanceBanner

joveLabsFeatures

disable_autoplay_for_bots

extended_trial_duration

5 minutes

Yazarlar Ulusal Havacılık ve Uzay Dairesi (NASA) &#39;nın GÜL ve APRA programlarından finansman desteği kabul. GC ayrıca NASA yaptığı randevu verilmesi için Üniversiteler Uzay Araştırma Derneği kabul eder.

1. Mikroşerit Hat rezonatör Fabrikasyon 14 (Şekil 3) <ol><li> H 2 O 2 (3: 1) 10 dakika boyunca taze karışık H 2 SO 4 ile, 0.45 mikron kalınlığında silikon cihaz tabakası olan bir silikon üzerinde yalıtkan (SOI) gofret, temizleyin. Sonra bir azot tabancası ile, 10 dakika, kuru için deiyonize su içinde gofret yıkayın. HF (10: 1), daha sonra işleme hemen önce, H2O gofret daldırma 10 saniye ve 5 dakika boyunca iyonu giderilmiş su içinde durulayın. </li><li> Bir germanyum (Ge) S-1811 olarak olumlu / fotorezist oluşan bir asansör-off maskesi Üretiyor. 15 <ol><li> Spin-kat inceltilmiş pozitif fotorezist çift katlı (2 parça tiner-P: 1 kısım pozitif fotorezist) ile gofret 30 sn ve daha sonra elektron ışını mevduat Ge için 4000 rpm&#39;de. </li><li> İlk 1 dakika süreyle gofret ve heksametildisilazan (HMDS) uygulanması ve daha sonra 30 saniye için 3,000 rpm&#39;de aşırı kapalı dönmeye fotoğraf-litografi kullanarak Desen Ge. </li><li> spi30 saniye için 2.000 rpm&#39;de ve 110 ° C de 1 dakika süre ile bir sıcak plaka üzerinde fırında n pozitif fotorezist (1 parçası pozitif fotorezist 2 parça ince-P) inceltilmiş. ışığa maruz ve bir tetrametil amonyum hidroksit bazlı solüsyon ile karşı geliştirmek sprey bir maske hizalama kullanın. </li><li> Reaktif iyon fotorezist alttan ulaşmak için O 2 plazma ile ışığa yatan 70 W. Ash bir SF 6 / O 2 plazma ile Ge etch. </li><li> 500 W ve 4 saat süreyle bir aseton dolu beher içine gofret yerleştirerek onu kaldırın argon 3.7 mT (Ar) ile DC-magnetron püskürtme ile mevduat niyobyum (Nb) toprak düzlemi. </li></ol></li><li> Spin-kaplama bisbenzocyclobutene (BCB) SOI gofretin Nb kaplı yüzey üzerine 30 saniye için 4000 rpm&#39;de ve başka bir silikon göbeğin bir yüzeye. 200 ° C de basınç 3 bar ile birlikte, iki BCB kaplı yüzeylerin yapıştırılması. </li><li> El ile ters çevirme gofret yığını SOI gofret ters işleme başlayacak. </li><li>Bosch işlemini kullanarak derin reaktif iyon dağlama ardından Al 2 O 3 bulamaç kullanarak mekanik alıştırma ile silikon sap gofret etch 16 Asitli H2O ile gömülü SiO 2 kat:. HF (10: 1) 20 dakika boyunca. </li><li> Deposit molibden nitrit W 700 ve 3.3 mT doğru akım manyetik reaktif saçma kullanılarak (Mo 2 N) (Ar: N2 kısmi basıncı = 7: 1). 30 saniye için 2.000 rpm&#39;de: 30 saniye için 2.000 rpm&#39;de eğirme ve bükme ve ardından 2 dakika boyunca 180 ° C &#39;de pişirme kalıbı rezonatörler pozitif fotorezist (1 parçası pozitif fotorezist 2 parça ince-P) inceltilmiş. reaktif iyon etcher bir tetrametil amonyum hidroksit tabanlı bir çözüm ve kül ışığa geliştirin. Fosforik asit bazlı solüsyon ile Mo 2 N etch. </li><li> 2 dk elektron ışını dep ardından 30 saniye boyunca 5000 rpm&#39;de polimetilmetakrilat (PMMA) üzerinde eğirme ve 180 ° C&#39;de onu pişirme bir Ge / PMMA iki tabakalı oluşan bir asansör-off maske ÜretiyorGe konumumuzu. Nb iletim hatlarını kiralık Püskürtme ve aseton içinde kaldırın (pozitif fotorezist PMMA ile sübstitüe edilmiş olması dışında, 1.2 adım bakınız). </li><li> Bazı düzenlemeler, radyo frekans (RF) pozitif fotorezist ile iplik SiO 2, desen it-mevduat sputter ve hidroflorik asit bazlı çözelti içinde etch. Adım 1.2 detaylı olarak Sonra, bir germanyum / pozitif fotorezist havalanış maskesi kullanarak bir püskürtme-yatırılır Nb ince film kaldırın. </li></ol> Deney Paket Mikrodalga rezonatör Chip montajı için 2. Prosedür <ol><li> Tasarım ve makine altından teşekkül eden bir test paketi (Au) kaplı bakır boşluk rezonatörü çip boyutları, besleme hattı giriş ve çıkış yerleri uygundur (bir baz ve kapak ile birlikte). Not: yuva boşluğu boyutu ilgi bandının minimal parazitli bağlama ile tek-modlu çalışma destek belirtilmelidir. </li><li> Tasarım ve kontrollü empedans mikrodalga fan ou imalyönlendirmek için t kurulu 17 çip ve Alt Minyatür versiyon A (SMA) konnektörleri arasındaki sinyaller. </li><li> merkez iletken pimi ilgili fan-out kurulu temas pedi üzerinde hizada olacak şekilde deney paketi giriş ve çıkış içine SMA konnektörleri takın. kısaltmasına karşı korumak ve merkez iletken pimi bölgesinde lehim uygulamak için bir lehim maskesi uygulayın. lehim eritmek için ~ 5 dakika süreyle 200 ° C&#39;ye bir sıcak plaka ve ısı paketi yerleştirin. soğumasını bekleyin ve ardından lehim maskesi çıkarın. </li><li> Au kaplı bakır paket boşluğuna gibi on-chip besleme hattı çıkış ve giriş yastıkları ilgili fan-out kurulu koplanar yakın ve uyumlu olduklarını (CPW) hatları içine rezonatör çip monte edin. çipin köşelerinde kenarlarında temas bakır klipleri ile çip sabitleyin. </li><li> iletişim yastıkları fan-out kartı arasında ve on-chip Al tel bağları süperiletken yerleştirin. Burada sunulan durumunda maksimum sayıda (~ 4 yerleştirin - bkz <strong&gt; ~ 500-600 mikron uzunluğunda, ~ 250 mikron-in-yükseklik tel bağlarının, Şekil 4) SMA konnektör girişi ve çıkışları ve on-chip CPW besleme hattı arasındaki empedans maçı sağlamak. </li><li> tel bağlama sonra, bir multimetre ile giriş ve çıkış konnektörleri merkezi pimleri arasındaki DC direnci kontrol ve merkez aksının ile toprak arasında, onaylamak için iki merkez pimleri arasında bir elektrik bağlantısı ve merkezi arasında açık bir bağlantı vardır çizgi ve zemin. </li></ol> Bir Kriyojenik Helium-3 Mikrodalga yatağıyla Mikrodalga Resonator Kurulum için 3. Prosedür <ol><li> SMA kablolar bir dizi cihazın monte edilecektir 0.3-K, soğuk aşamaya RT iletilir ve Şekil 2&#39;de gösterilen konfigürasyonda, olduğu gibi test yatağı monte edin. </li><li> , Düşük mikrodalga kaybını sağlamak için, Şekil 2&#39;de gösterildiği gibi, bakır (Cu) ve süper-iletken niyobyum-titanyum (NBTI) kablolarını veNBTI kabloları, düşük bir termal iletkenlik durumda. 2-K ve 0.3-K aşamaları arasında bir termal mola olarak NBTI kabloları kullanın. </li><li> rezonatör cihazın bandında düşük gürültü amplifikasyonu için çıkış hattı üzerinde 2-K aşamada bir kriyojenik yüksek elektron hareketlilik transistör (HEMT) amplifikatör monte edin ve bir sirkülatör yükleyin. </li><li> Bu amplifikatör giriş çıkış hattı üzerinde bir kriyojenik sirkülatör yerleştirin. </li><li> 0.3-K soğuk aşamaya cıvatalı bir dirsek üzerine paketlenmiş rezonatör cihazları monte edin. </li><li> eşleşti fesih sağlamak ve bu zayıflatıcı giriş ve paket çıkışına uygun SMA kablolarını bağlamak için paketin giriş tarafında bir mikrodalga zayıflatıcı bağlayın. Bu kontrollü empedans sonlandırmaları iyi eşleşti ve mümkün olduğunca test edilen cihaza yakın olduğundan emin olun - onlar &quot;Cihaz Kalibrasyon düzlemini&quot; define (bakınız Şekil 2). </li><li> Kriyostat kadar yakın. Cihazı soğutmak için standart prosedürü izleyin0,3 K. s </li></ol> Mikrodalga Rezonatörü Ölçümleri 4. Prosedürü <ol><li> Cihaz-under-testi tasarım frekanslarında - (burada kabul cihaz için, 8 GHz 10 MHz) geniş bir frekans bandı üzerinde tarama yapmak VNA ayarlayın. test edilen cihaza uygun seviyelere VNA güç seviyelerini ayarlayın (~ -30 dBm, burada ele aygıt için). NOT: süperiletken mikrodalga rezonatör ve süperiletken besleme hattı kritik akım geçmeyecek şekilde giriş RF güç seviyesi yeterince düşük olduğundan emin olun. güç seviyesi yeterli bir sinyal-noyz oranının temin edilmesi için yeterince yüksek olmasını sağlamak. </li><li> VNA kılavuzunda bulunan VNA yazılım yönergeleri izleyerek, standart Kısa Açık Yük-Thru (SOLT) prosedürü izleyerek, esnek RF kabloları ayarlayın. Daha sonra girişine bağlanacak vektör ağ analizörü rota ve esnek kabloların her çıkışında, sonlandırıldı, kısa devre, açık ve standartlara sokmak eklemeölçümler için kriyostat. Bu kalibrasyon &quot;alet referans düzlemini&quot; tanımlar (örneğin, bakınız Şekil 2). </li><li> Bu SOLT kalibrasyonu ardından, sokmak hattı ile iletim, S 21, VNA ile ölçülen şekilde bağlanmış onaylayarak kalibrasyon sadakat doğrulamak, düşük kalıntı hatalar var (yani, tepki ~ 0 dB seviyesinde ve S 11 ve S olan 22) ≤ -50 dB, örneğin, düşüktür. </li><li> kriyostat giriş ve çıkış hatları esnek kabloları takın. </li><li> Mikrodalga amplifikatör şirket tarafından sağlanan belgelerde belirtildiği gibi gerekli DC ön gerilim uygulanarak kriyojenik mikrodalga amplifikatörü açın. </li><li> Birincisi, VNA bir geniş bant taraması (10 MHz - 8 GHz, burada ele aygıt için) tamamlamak S 21 temel yapısını gözlemlemek ve keskin yüksek Q bakmak için &lt;/ Em&gt; mikrodalga Rezonatörlerin göstergesidir yapıları. </li><li> Ardından, frekans aralığını (~ 2 - 4 GHz, burada ele aygıt için) dar ve rezonatör bant üzerinde tarama yapmak VNA arasında (burada ele cihaz için ~ 30.000) veri noktalarının sayısını ayarlayın. Bir in-situ kalibrasyonunu gerçekleştirmek için bu taban daha sonra uyuyor için yeterli bir temel yayılma sağlamak için yeterince geniş bir frekans bandı kullanın (Giriş tartışmaya bakınız). NOT: gürültü seviyesine bağlı olarak, ortalamalar sayısını artırmak ya da sinyal-gürültü artırmak için IF bant genişliğini azaltır. </li><li> Sonrası ölçüm in-situ kalibrasyon, analiz ve kalite faktörleri ve rezonans frekansları çıkarılması için dosya karmaşık iletim verilerinin bu VNA veri taramaları kaydedin. 11 </li></ol>

<ol><li>Monfardini, A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+N%C3%A9el+IRAM+KID+Arrays+%28NIKA%29%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Low+Temp.+Phys%22%5BJournal%5D)">The Néel IRAM KID Arrays (NIKA).</a> J. Low Temp. Phys. 167 (5-6), 834-839 (2012).</li>
<li>Schlaerth, J. A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+Status+of+Music%3A+A+Multicolor+Sub%2Fmillimeter+MKID+Instrument%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Low+Temp.+Phys%22%5BJournal%5D)">The Status of Music: A Multicolor Sub/millimeter MKID Instrument.</a> J. Low Temp. Phys. 167 (3-4), 347-353 (2012).</li>
<li>Swenson, L. J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((MAKO%3A+a+pathfinder+instrument+for+on-sky+demonstration+of+low-cost+350+micron+imaging+arrays%5BTitle%5D)+AND+%22Proc.+SPIE%22%5BJournal%5D)">MAKO: a pathfinder instrument for on-sky demonstration of low-cost 350 micron imaging arrays.</a> Proc. SPIE. 8452, 84520P(2012).</li>
<li>Mazin, B. A., Bumble, B., Meeker, S. R., O'Brien, K., McHugh, S., Langman, E. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((A+superconducting+focal+plane+array+for+ultraviolet%2C+optical%2C+and+near-infrared+astrophysics%5BTitle%5D)+AND+%22Opt.+Express%22%5BJournal%5D)">A superconducting focal plane array for ultraviolet, optical, and near-infrared astrophysics.</a> Opt. Express. 20 (2), 1503-1511 (2012).</li>
<li>Mazin, B. A. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=%22Microwave+Kinetic+Inductance+Detectors%22">Microwave Kinetic Inductance Detectors</a>. , California Institute of Technology. Pasadena, California. (2005).</li>
<li>McHugh, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((A+readout+for+large+arrays+of+Microwave+Kinetic+Inductance+Detectors%5BTitle%5D)+AND+%22Rev.+Sci.+Instrum%22%5BJournal%5D)">A readout for large arrays of Microwave Kinetic Inductance Detectors.</a> Rev. Sci. Instrum. 83 (4), 044702(2012).</li>
<li>Mazin, B. A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((ARCONS%3A+A+2024+Pixel+Optical+through+Near-IR+Cryogenic+Imaging+Spectrophotometer%5BTitle%5D)+AND+%22Publ.+Astron.+Soc.+Pac%22%5BJournal%5D)">ARCONS: A 2024 Pixel Optical through Near-IR Cryogenic Imaging Spectrophotometer.</a> Publ. Astron. Soc. Pac. 123 (933), 1348-1361 (2013).</li>
<li>Zmuidzinas, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Superconducting+Microresonators%3A+Physics+and+Applications%5BTitle%5D)+AND+%22Annu.+Rev.+Condens.+Matter+Phys%22%5BJournal%5D)">Superconducting Microresonators: Physics and Applications.</a> Annu. Rev. Condens. Matter Phys. 3, 169-214 (2012).</li>
<li>Vijay, R., Slichter, D. H., Siddiqi, I. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Observation+of+Quantum+Jumps+in+a+Superconducting%5BTitle%5D)+AND+%22Artificial+Atom.+Phys.+Rev.+Lett%22%5BJournal%5D)">Observation of Quantum Jumps in a Superconducting.</a> Artificial Atom. Phys. Rev. Lett. 106 (11), 110502(2011).</li>
<li>Krupka, J., Derzakowski, K., Tobar, M., Hartnett, J., Geyer, R. G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Complex+permittivity+of+some+ultralow+loss+dielectric+crystals+at+cryogenic+temperatures%5BTitle%5D)+AND+%22Meas.+Sci.+Technology%22%5BJournal%5D)">Complex permittivity of some ultralow loss dielectric crystals at cryogenic temperatures.</a> Meas. Sci. Technology. 10 (5), 387-392 (1999).</li>
<li>Cataldo, G., Wollack, E. J., Barrentine, E. M., Brown, A. D., Moseley, S. H., U-Yen, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Analysis+and+calibration+techniques+for+superconducting+resonators%5BTitle%5D)+AND+%22Rev.+Sci.+Instrum%22%5BJournal%5D)">Analysis and calibration techniques for superconducting resonators.</a> Rev. Sci. Instrum. 86 (1), 013103(2015).</li>
<li>Russell, D., Cleary, K., Reeves, R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Cryogenic+probe+station+for+on-wafer+characterization+of+electrical+devices%5BTitle%5D)+AND+%22Rev.+Sci.+Instrum%22%5BJournal%5D)">Cryogenic probe station for on-wafer characterization of electrical devices.</a> Rev. Sci. Instrum. 83 (4), 044703(2012).</li>
<li>Ranzani, L., Spietz, L., Popovic, Z., Aumentado, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Two-port+microwave+calibration+at+millikelvin+temperatures%5BTitle%5D)+AND+%22Rev.+Sci.+Instrum%22%5BJournal%5D)">Two-port microwave calibration at millikelvin temperatures.</a> Rev. Sci. Instrum. 84 (3), 034704(2013).</li>
<li>Patel, A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Fabrication+of+MKIDS+for+the+MicroSpec+Spectrometer%5BTitle%5D)+AND+%22IEEE+Trans.+Appl.+Supercond%22%5BJournal%5D)">Fabrication of MKIDS for the MicroSpec Spectrometer.</a> IEEE Trans. Appl. Supercond. 23 (3), 2400404(2013).</li>
<li>High-Precision Thin Film Metal Liftoff Technique. , 9076658 B1 (2015).</li>
<li>Method of anisotropically etching silicon. , U.S. Patent No. 5501893 (1996).</li>
<li>Chen, D., Wang, Q., Shen, Z. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((A+broadband+microstrip-to-CPW+transition%5BTitle%5D)+AND+%22APMC+2005.+Asian-Pac.+Conf.+Proc%22%5BJournal%5D)">A broadband microstrip-to-CPW transition.</a> APMC 2005. Asian-Pac. Conf. Proc. 2 (4), (2005).</li>
<li>Fano, U. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Sullo+spettro+di+assorbimento+dei+gas+nobili+presso+il+limite+dello+spettro+d%27arco%5BTitle%5D)+AND+%22Il+Nuovo+Cimento%22%5BJournal%5D)">Sullo spettro di assorbimento dei gas nobili presso il limite dello spettro d'arco.</a> Il Nuovo Cimento. 12 (3), 154-161 (1935).</li>
<li>Fano, U. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Effects+of+Configuration+Interaction+on+Intensities+and+Phase+Shifts%5BTitle%5D)+AND+%22Phys.+Rev%22%5BJournal%5D)">Effects of Configuration Interaction on Intensities and Phase Shifts.</a> Phys. Rev. 124 (6), 1866-1878 (1961).</li>
<li>Marquezini, M. V., Kner, P., Bar-Ad, S., Tignon, J., Chemla, D. S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Density+dependence+of+the+spectral+dielectric+function+across+a+Fano+resonance%5BTitle%5D)+AND+%22Phys.+Rev.+B%22%5BJournal%5D)">Density dependence of the spectral dielectric function across a Fano resonance.</a> Phys. Rev. B. 57 (7), 3745-3748 (1998).</li>
<li>Singh, R., Al-Naib, I., Cao, W., Rockstuhl, C., Koch, M., Zhang, W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+Fano+Resonance+in+Symmetry+Broken+Terahertz+Metamaterials%5BTitle%5D)+AND+%22IEEE+Trans.+Terahertz+Sci.+Technol%22%5BJournal%5D)">The Fano Resonance in Symmetry Broken Terahertz Metamaterials.</a> IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol. 3 (6), 820-826 (2013).</li>
<li>Giannini, V., Francescano, Y., Amrania, H., Phillips, C. C., Maier, S. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Fano+Resonances+in+Nanoscale+Plasmonic+Systems%3A+A+Parameter-Free+Modeling+Approach%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Lett%22%5BJournal%5D)">Fano Resonances in Nanoscale Plasmonic Systems: A Parameter-Free Modeling Approach.</a> Nano Lett. 11 (7), 2835-2840 (2011).</li>
<li>O'Connell, A. D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Microwave+Dielectric+Loss+at+Single+Photon+Energies+and+Millikelvin+Temperatures%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Microwave Dielectric Loss at Single Photon Energies and Millikelvin Temperatures.</a> Appl. Phys. Lett. 92 (11), 112903(2008).</li>
<li>Weber, S. J., Murch, K. W., Slichter, D. H., Vijay, R., Siddiqi, I. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Single+Crystal+Silicon+Capacitor+with+Low+Microwave+Loss+in+the+Single+Photon+Regime%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Single Crystal Silicon Capacitor with Low Microwave Loss in the Single Photon Regime.</a> Appl. Phys. Lett. 98 (17), 172510(2011).</li>
<li>Cataldo, G., Hsieh, W. T., Huang, W. C., Moseley, S. H., Stevenson, T. R., Wollack, E. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Micro-Spec%3A+an+ultracompact%2C+high-sensitivity+spectrometer+for+far-infrared+and+submillimeter+astronomy%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Opt%22%5BJournal%5D)">Micro-Spec: an ultracompact, high-sensitivity spectrometer for far-infrared and submillimeter astronomy.</a> Appl. Opt. 53 (6), 1094-1102 (2014).</li>
</ol>

Yazarlar hiçbir rakip mali çıkarları olduğunu beyan ederim.

tek çevirme fabrikasyon işlemi ince 0.45 mikron tek kristal Si alt-tabakanın her iki tarafına da süper-iletken rezonatörler gerçekleştirmek için bir araç sağlar. Biri 1 x 10 4,0-6,5 GHz frekans aralığında &lt;kaybı teğet ile (örneğin Si 3 N 4 gibi) yatırılan dielektrikler daha büyüklüğünü daha düşük kayıp bir sipariş daha var, çünkü tek kristal Si dielektrik kullanmak için motive olabilir - Bu alt-tabaka, bir ışık ve düşük rezonans-to-rezonatörün karışma saptırır iyi bir bağışıklık sağla...

Astrofizik enstrümantasyon gelişmeler son zamanlarda kızılötesi ışık tespiti için süperiletken mikrodalga resonatöre girmiştik 1 -. 4 Bir süperiletken rezonatör enerji E kızılötesi radyasyon cevap verecek = hv&gt; 2Δ (Δ olan h Planck sabiti, v radyasyon frekansı ve nerede süperiletken boşluk enerjisi). Rezonatör de süper-iletken kritik sıcaklığın altında bir sıcaklığa kadar soğutulur, bu gelen radyasyonun rezonans hacmi Cooper çiftleri kırar ve quasiparticle uyarımları oluşturur. quasiparticle zorlamalara yoğunluk artışı dolayısıyla süperiletken karmaşık yüzey empedansı kinetik endüktansı değiştirir ve. Bu optik cevap daha düşük frekansa rezonans frekansında bir değişim ve rezonatörün kalite faktörü bir azalma olarak görülmektedir. Bir mikrodalga kine için kanonik okuma-out şemadatlc endüktans dedektörü (MKID) rezonatör mikrodalga besleme hattı birleştirilir ve bir rezonans tek mikrodalga frekansı tonu bu besleme hattı boyunca, karmaşık iletim izler. Burada, optik cevap genlik ve iletim 5 (Şekil 1) aşamasında hem de bir değişiklik olarak görülür. Frekans alanı çoğullama düzenleri Rezonatörlerin binlerce dizileri dışında okuma yeteneğine sahiptirler. 6-7 başarılı bir şekilde tasarlamak ve süper-iletken-rezonatör tabanlı aletleri uygulamak için, bu rezonans yapıların özellikleri doğru ve verimli bir şekilde, özelliği gerekir. Örneğin, gürültü özelliklerinin hassas ölçümleri, kalite MKID cihaz fizik, 8 kuantum bilgisayar, 9 bağlamında ve düşük- belirlenmesinde istenen Q, (onların sıcaklık bağımlılığı dahil) rezonans frekansları ve süperiletken Rezonatörlerin optik cevap özelliklerini faktörleri temperature malzeme özellikleri. 10 Tüm bu durumlarda ise, devrenin karmaşık iletim saçılma parametrelerinin ölçümü arzu edilir. Bu eser, rezonatör karmaşık iletim katsayısının belirlenmesi üzerinde yoğunlaşmaktadır olan genlik ve faz bir vektör ağ analizörü (VNA) ile ölçülebilir 21, S. İdeal olarak, VNA referans düzlemi (veya test noktası) doğrudan testi (DUT) altında cihaza bağlı olacak, ama bir kriyojenik ayar normalde RT arasında bir termal mola (~ 300 K) gerçekleştirmek için ek iletim hattı yapılarının kullanımını gerektirir ve soğuk aşaması (Bu çalışmada ~ 0.3 K; Şekil ure 2). Böyle yönlü kuplörler, sirkülatörler, izolatörler, amplifikatörler, zayıflatıcılar ve ilişkili birbirine kablolar gibi ek mikrodalga bileşenleri uygun hazırlamak, heyecanlandırmak, ilgi cihazı okumak ve önyargı gerekebilir.kriyojenik sıcaklıklara oda soğutma sırasında faz hızları ve bu bileşenlerin boyutları değişebilir ve bu nedenle cihazın kalibrasyon düzleminde gözlemlenen tepki etkiler. Alet ve cihaz kalibrasyon uçağı etkisi karmaşık kazanç arasındaki bu müdahale bileşenler uygun ölçülen tepki yorumlanmasında hesaba olması gerekir. 11 Teorik olarak, bir düzen DUT kalibrasyon sırasında kullanılan birine benzer ölçüm referans düzlemi, ayarlar gereklidir. Bu hedefe ulaşmak için, bir çoklu serin-çıkışlar üzerinde kalibrasyon standartları ölçebilir; Ancak, bu elde etmek zordur VNA istikrar ve kriyojenik enstrümanın tekrarlanabilirliği kısıtlamalar, pozlar. Bu kaygıları azaltmak için, bir soğutulmuş test ortamında gerekli standartları yerleştirmek ve aralarında geçiş olabilir. mikrodalga prob istasyonlarında bulunan ne buna benzer, örneğin, bir, Örnek ve kalibrasyon standartları 12 Bu yöntem, alt kelvin sıcaklıklarında gösterilmiştir. Sürekli sıvı helyum akımı veya kapalı devre soğutma sistemi tarafından 4 K soğutulmuş ama düşük güç, yüksek performanslı mikrodalga anahtarı gerektirir nerede Test ilgi bant. 13 Bir in-situ kalibrasyon prosedürü nedenle VNA referans düzlemine ve yukarıda tarif edilen yöntemlerden sınırlamalarının üstesinden cihazın kalibrasyon düzleminin (Şekil-2&#39;de) arasında aracı iletim yanıt oluşturan arzulanan edilir. Bu kriyojenik kalibrasyon yöntemi, sunulan ve Cataldo ve ark., 11 ayrıntılı olarak ele bir geniş ~% 1 hassasiyetle rezonatör çizgi genişliği ve inter-rezonatör aralığına göre frekans aralığında birden rezonatörler karakterize etmesine olanak sağlar. Bu yazıda örnek üretim ve hazırlık detayları üzerinde durulacakpreparasyonu süreçleri, deneysel test set-up ve ölçüm prosedürleri düzlemsel hat geometrileri ile süperiletken mikrodalga rezonatörleri karakterize etmek için kullanılan. 11

<table><tbody><tr><td colspan="4">Protocol Section 1</td></tr><tr><td>Microposit S-1811 Photoresist</td><td>Shipley</td><td></td><td></td></tr><tr><td>BCB</td><td>Dow</td><td></td><td>3022-35</td></tr><tr><td>SOI gofretler</td><td>SOITec</td><td></td><td>SmartCutTM prosesi ile üretilmiştir</td></tr><tr><td>Mo</td><td>Kamis</td><td></td><td>%99,99</td></tr> <tr><td>Nb</td><td>Kamis</td><td></td><td>%99,95 ( Ta)</td></tr><tr><td>E-6 metal aşındırma, AES ile</td><td>Fujifilm</td><td></td><td>CPG Sınıfı</td></tr><tr><td>Aseton</td><td>JT Baker</td><td>9005-05</td><td>CMOS Sınıfı</td></tr><tr><td>HF daldırma (1:10)</td><td>JT Baker</td><td>5397-03</td><td></td></tr><tr><td>PMMA</td><td>Microchem</td><td></td><td>950 PMMA A2</td></tr><tr><td colspan="4">Protokol Bölüm 2</td></tr><tr><td>GE 7031</td><td>General Electric'i</td><td></td> <td>hariç tutarDüşük sıcaklıkta yapıştırıcı</td></tr><tr><td colspan="4">Protokol Bölümleri 3-4</strong</td></tr><tr><td>>Kriyojenik Mikrodalga Amplifikatörü</td><td>MITEQ</td><td>AF S3-02000400-08-CR-4</td><td>2-4 GHz, kazanç ~30&nbsp; dB</td></tr><tr><td>NbTi Yarı sert SMA kabloları</td><td>Koaksiyel Co</td><td>SC-086/50-NbTi-NbTi</td><td></td></tr><tr><td>Sirkülatör</td><td>PamTech</td><td>CTD1229K</td><td>geri dönüş kaybı > 2-4 GHz RF zayıflatıcıdan -4 dB</td></tr><tr><td></td><td>Weinschel</td><td>Model-4M</td><td>7 dB zayıflama</td></tr><tr><td>Esnek SMA kabloları</td><td>Teledyne-Storm</td><td>R94-240</td><td>ACCU-TEST</td></tr><tr><td>Vektör Ağ Analizörü</td><td>Agilent</td><td>N5242A PNA-X</td><td></td></tr><tr><td>Sıvı He-4 kriyojen</td><td>Praxair</td><td></td><td></td></tr><tr><td>Sıvı N2 kriyojen</td><td>Praxair</td><td></td><td></td></tr></tbody></table>

süperiletken rezonatörler fabrikasyon ve karakterizasyonu

Fabrication and Characterization of Superconducting Resonators

Bir süper-iletken mikrodalga rezonatörler hafif Astrofiziksel imza tespiti için mikrodalga kinetik endüktans detektörleri (MKIDs) olarak kullanımları da dahil olmak üzere, hem de Kuantum işlem uygulamaları ve malzeme karakterizasyonu, geniş bir uygulama aralığı için ilgi çekmektedir. Bu yazıda, prosedürler ince film süperiletken mikrodalga Rezonatörlerin imalat ve karakterizasyonu için sunulmuştur. imalat yöntemi, bir atomik düz tek kristal silikon dielektrik her iki tarafında özellikleri ile iletim hattı rezonatörler süperiletken gerçekleştirilmesi için izin verir. Bu eser bir kriyojenik mikrodalga yatağıyla içine ve süperiletken geçiş sıcaklığının altında soğuma için rezonatör cihazlarının kurulumu için prosedürü açıklanmaktadır. kriyojenik mikrodalga yatağıyla set-up pr çıkarma sağlayan kimse bu rezonatör cihazlarının karmaşık mikrodalga iletimi dikkatli ölçümler yapmak için izin verirCihaz tasarımı ve performans için önemli olan süperiletken hatları ve dielektrik tabanın (örneğin, iç kalite faktörleri, kayıp ve kinetik indüktans fraksiyonların) &#39;nin zellikler.

0.45 mikron tek kristal silisyum dielektrik fabrikasyon bir yarım dalga Mo 2 N rezonatör (Şekil 5) tepki bu metodoloji ile doğrulanmıştır. Bu durumda, bir Nb koplanar kuplaj (CPW) besleme hattı için Okuması rezonatörün açık uçlarından birinde bölgesi şeklinde &quot;H&quot;, bir püskürtme-tevdi SiO2 dielektriğinden geçen kapasitif kuplaj ile elde edilir (bkz protokol bölüm 1.6). Diğer örneklerde, feedlines kapasitif kuplaj Nb zemin düzlemine bölgeler...

Süperiletken mikrodalga rezonatörler ışık, kuantum bilgi işlem uygulamaları ve malzeme karakterizasyonu tespiti için ilgi çekicidir. Bu çalışma imalat ve süperiletken mikrodalga rezonatör saçılma parametrelerinin karakterizasyonu için ayrıntılı bir prosedür sunar.

Süperiletken Rezonatörler Fabrikasyon ve Karakterizasyonu

Superconducting microwave resonators are of interest for a wide range of applications, including for their use as microwave kinetic inductance detectors ...

Bu prosedürün genel amacı, süper iletken mikrodalga rezonatörleri üretmek ve bunların saçılma parametrelerini karakterize etmektir. Bu yöntem, elektrik altlığına süper iletken hatların yerleştirilmesi yoluyla süper iletken enstrümantasyon tasarlanmasına ve uygulanmasına olanak tanır. Örneğin, iç kalite faktörleri, kayıp oranları ve bağlantı kırılmaları belirlenebilir. Bu tekniklerin temel avantajı, silikon altlığın her iki tarafında süper iletken rezonatörlerin gerçekleştirilmesine imkan tanımasıdır ve bu da hassas ölçümler yapılmasını sağlar.Bu tekniğin etkileri, zayıf astrofiziksel sinyallerin tespiti için kullanılan kinetik indüktans dedektörlerinin yanı sıra kuantum hesaplama uygulamaları ve malzeme karakterizasyonu da dahil olmak üzere geniş bir uygulama alanına yayılmaktadır. Başlangıç olarak, yeni temizlenmiş bir yalıtım üzerinde silikon (SOI) gofret üzerine, 4.000 rpm hızda 30 saniye boyunca bir fotoresist tabakası kaplayın.Ardından, gofret üzerine elektron demetiyle germanyum çöktürün. Sonra, 2.000 rpm hızda 30 saniye boyunca ince bir pozitif fotoresist tabakası kaplayın ve ardından gofreti 110 °C'lik bir ısıtıcı plakada bir dakika boyunca pişirin. Şimdi, fotoresistle pozlama yapmak için bir maske hizalayıcı kullanın.Ardından, TMAH bazlı geliştirici direnç çözeltisini püskürtün. Bir sonraki adım, oluşturulan germanyum tabakasını sülfür hekzaflorür ve oksijen plazması ile 70 watt'ta reaktif iyon aşındırmaya tabi tutmaktır. Şimdi, foto-direnç alt kesimi elde etmek için reaktif iyon aşındırıcı içinde alt taraftaki foto-direnç tabakasını oksijen plazması ile külleyin.Ardından, bir DC Magnetron kullanarak, 500 watt gücünde 3.7 millitor argon ile wafer üzerine bir niyobyum şase düzlemi püskürtün. Daha sonra, wafer'ı dört saat boyunca asetona daldırarak şase düzlemini kaldırın. Son olarak, niyobyum kaplı wafer üzerine 4.000 rpm'de 30 saniye boyunca BCB spin kaplama yapın ve ardından aynı işlemi yeni bir silikon wafer için tekrarlayın.Şimdi, BCB kaplı iki yüzeyi 200 °C'de üç bar basınç uygulayarak birbirine yapıştırın. Ardından, gofret yığınını ters çevirin ve yalıtkan üzerinde silikon gofretin arka yüzeyinin işleme aşamasına başlayın. 150 mL 30 µm çapında alüminyum oksit tozu ve 1.500 mL sudan oluşan bir alüminyum oksit bulamacı ile mekanik laplama kullanarak silikon taşıyıcı gofreti aşındırın.Laplama plakasının dönüş hızını 45 rpm olarak ayarlayın ve bu işlem için iki ila dört saat süre tanıyın. En kritik adım, mekanik laplama yoluyla gofretin inceltilmesidir. Bunun nedeni, ilk üretim denemesinde gofretlerin %50'sinin kırılmış olmasıdır.Kırılma sorunu, gofretlerin arka yüzeyine ısı ile ayrılabilen bant uygulanarak giderildi. Ardından, kalan silikon taşıyıcı gofreti derin reaktif iyon aşındırma ile işlemek için Bosch Süreci'ni kullanın. Gömülü silikon oksit tabakasını, suda bire on oranında seyreltilmiş hidroflorik asit ile 20 dakika boyunca aşındırın.Bir molibden nitrür tabakası oluşturmak ve aşındırmak için aynı teknikleri kullanmaya devam edin, ardından başka bir germanyum tabakası ekleyin. Böylece mikroşerit hat rezonatörünü imal edin. Bu prosedür için, altın kaplamalı bir bakır boşluk test paketi ve çipler ile alt-minyatür versiyon A veya SMA konnektörler arasındaki sinyalleri yönlendirmek için kontrollü empedanslı bir mikrodalga fan-out kartı hazırlayın.SMA konnektörleri, merkez iletken pimi hizalanmış şekilde bu test paketinin giriş ve çıkışına önceden yerleştirilmiş ve ardından ilgili fan-out kartı kontak pedine lehimlenmiştir. Rezonatör çipi, yonga üzerindeki besleme hattı çıkış ve giriş pedleri ilgili fan-out kartlarının CPW hatlarının yanına gelecek şekilde, altın kaplamalı bakır paket boşluğuna önceden monte edilmiştir. Çip, çipin kenarlarından temas eden bakır klipslerle sabitlenmelidir.Süper iletken alüminyum tel bağlar, fan-out kartı ile çip üzerindeki kontak pedleri arasına, SMA konnektör giriş ve çıkışları ile çip üzerindeki CPW besleme hattı arasında empedans uyumunu sağlamak için gereken sayıda yerleştirilmiştir. Tel bağlama işleminden sonra, bir multimetre ile giriş ve çıkış konnektörlerinin merkez pinleri arasındaki DC direnci kontrol edin. Ayrıca, iki merkez pin arasında elektriksel bir bağlantı olduğunu ve merkez hattı ile toprak arasında açık devre olduğunu doğrulamak için bir merkez pin ile toprak arasını kontrol edin.Test düzeneği, oda sıcaklığından cihazın monte edileceği 0,3 kelvinlik soğuk aşamaya kadar uzanan bir dizi SMA kablosuyla kurulur. Mikrodalga kaybını minimize etmek için bakır ve süper iletken niobyum titanyum kablolar kullanılır. İki kelvin ve 0,3 kelvin aşamaları arasında termal bir bariyer oluşturmak için niobyum titanyum kablolar kullanılır.Rezonatör cihazın bandında düşük gürültülü amplifikasyon sağlamak için, çıkış hattındaki iki kelvin kademesine kriyojenik yüksek elektron hareketliliğine sahip bir transistör amplifikatör monte edilir. Ayrıca, çıkış hattında, bu amplifikatörün girişinde kriyojenik bir sirkülatör bulunduğuna dikkat edin. 0,3 kelvin soğuk kademesinde, paketlenmiş rezonatör cihazları sabitlenmiş brakete monte edin.Ardından, uygun bir sonlandırma sağlamak için paketin giriş tarafına bir mikrodalga zayıflatıcı bağlayın. Sonra, bu zayıflatıcı girişine ve paket çıkışına uygun SMA kablolarını bağlayın. Bu sonlandırmalar, cihaz kalibrasyon düzlemini tanımlar.Şimdi kriyostatı kapatın ve cihazları 0.3 kelvin'e soğutmak için kullanılan standart prosedürü uygulayın. Başlamak için VNA'yı kurun. Güç seviyesinin, süperiletken mikrodalga rezonatörünün ve süperiletken besleme hattının kritik akımını aşmadığından emin olarak 10 megahertz ile 8 gigahertz arasında veya benzer şekilde geniş bir bantta tarama yapın.Güç seviyesini yaklaşık eksi 30 dBm'ye veya yeterli bir sinyal-gürültü oranı sağlayacak benzer şekilde uygun bir seviyeye ayarlayın. Ardından, standart kısa-açık-yük (short-open-load-through) prosedürünü takip ederek esnek radyo frekans kablolarını kalibre edin. VNA yazılımını üreticinin belirttiği şekilde kullanın.Bu kalibrasyon, cihazın referans düzlemini tanımlar. Kalibrasyon sonrası, geçiş hattı bağlıyken S21 iletimini onaylayarak doğruluğunu doğrulayın. Ölçülen VNA yanıtı düşük artık hatalara sahip olmalı, 0 desibel civarında olmalı ve hem S11 hem de S22 değerleri eksi 50 desibelin altında ölçülmelidir.Ardından, esnek kabloları kriyostatın giriş ve çıkış hatlarına bağlayın. Daha sonra, mikrodalga amplifikatörü için üretici tarafından belirtilen DC bias voltajını uygulayarak kriyojenik mikrodalga amplifikatörünü açın. Ardından, ölçümlere başlayın.Öncelikle, S21 temel yapısını gözlemlemek ve mikrodalga rezonatörlerin göstergesi olan herhangi bir keskin yüksek-Q yapısı aramak için geniş bantlı bir tarama gerçekleştirin. Ardından, frekans bandı aralığını daraltın. Bu aralığı, sonraki uyumlama işlemleri ve in-situ kalibrasyon için yeterli bir temel hat sağlayacak kadar geniş tutun.Ardından veri noktası sayısını ayarlayın. Bu durumda, yaklaşık 30.000'e getirin. 0,45 mikron tek kristal silikon dielektriğin her iki tarafına yarım dalga molibden nitrür rezonatör yerleştirilmiştir.Sputter ile biriktirilmiş silikon oksit bir dielektrik üzerinden kapasitif kuplaj aracılığıyla okuma yapmak için dielektrik, niobyum ortak düzlemli dalga kılavuzu besleme hattına bağlandı. Bu, rezonatörün açık uçlarından birindeki sekiz şeklindeki bölge olarak görülmektedir. Bu besleme hattının VNA referans düzlemindeki ölçülen iletim katsayısının, S21 genliği, frekansın bir fonksiyonu olarak ölçülmüştür.Her bir rezonatörün rezonans frekansında iletim genliğindeki bir düşüş, mikrodalga gücünün rezonatörlere bağlandığını gösterir. Bu prosedürlerin ardından toplanan veriler, ilgilenilen detaylı rezonatör elektromanyetik parametrelerini çıkarmak için bir kalibrasyon yöntemi izlenerek analiz edilebilir. Geliştirilmesinin ardından, bu fabrikasyon tekniği, mikrodalga kinetik iletkenlik dedektörleri alanındaki araştırmacıların yeni, ultra düşük kayıplı dedektör mimarileri geliştirmesinin önünü açmıştır.

fabrication-and-characterization-of-superconducting-resonators

Research

JoVE Journal

Engineering

Mühendislik

Biz serbest duran mikroküreler ve on-chip microtoroids dahil silika rezonans kaviteler, imal etmek, bir karbondioksit lazer reflow tekniğinin kullanımı açıklanır. Reflow yöntemi her iki cihaz içinde uzun foton yaşamlar sağlayan, yüzey kusurları kaldırır. Çıkan cihazlar telekomünikasyon gelen biodetection kadar uygulamaları sağlayan, ultra yüksek kalite faktörleri var.

Silika Ultra Yüksek Kalite Faktörü Microresonators Fabrikasyon

Fotonik kristal yavaş ışığın dalga kılavuzları ve boşlukların kullanımı yaygın olarak pek çok farklı uygulamada fotonik topluluğu tarafından kabul edilmiştir. Bu cihazların Bu nedenle imalat ve karakterizasyonu büyük bir öneme sahiptir. Interferometrik (dalga kılavuzları) ve rezonans saçılması (kaviteler): Bu kağıt, yani bizim üretim tekniği ve iki optik karakterizasyon yöntemleri, özetliyor.

Fotonik Kristal Yavaş Işık Dalga Kılavuzları Ve Çürükler Üretimi ve Karakterizasyonu

Ultra-yüksek Q fısıldayan galeri modu rezonatörler dayalı mikrodalga fotonik sistemleri kurmak için laboratuarda geliştirilen özel teknikler sunulmaktadır. Bu rezonatörler almak ve karakterize etmek için protokoller ayrıntılı olarak, ve mikrodalga fotonik uygulamaları bazı bir açıklama verilir.

Mikrodalga Fotonik Sistemleri Whispering-galeri-mod Rezonatörler dayanarak

Parametrik optomekanik uyarımlar, optik radyasyon basıncı ve uyarılmış Brillouin saçılması yoluyla mikroakışkan optomekanik rezonatörlerde yakın zamanda deneysel olarak gösterilmiştir. Bu makale, optomekanik salınımların üretilmesi ve doğrulanması için metodolojilerle birlikte bu mikroakışkan rezonatörlerin imalatını açıklamaktadır.

Fabrikasyon ve mikroakışkan optomechanical Osilatörler Testi

tasarım ve yeni bir nanopillar tabanlı bölünmüş halka rezonatör (SRR) imalatı için bir protokol sunulmuştur.

Terahertz Metamalzemeler de Yerdeğiştirme Akımı aracılığı Rezonansları için Nanopillar Tabanlı Bölünmüş Yüzük Rezonatörler Fabrikasyon

Polimerlerden mikro kürelerin sentezi için protokoller, mikro kürelerin manipülasyonu ve mikro fotolüminesans ölçümleri sunulmaktadır.

Optik Rezonatör ve Lazer Uygulamalarında Polimer Mikrokürelerin Üretimi

Tuning, tuning yeteneklilik ve kaçınma aygıt hatası ve stiction, değişiklik frekans ölçümü de dahil olmak üzere bir lazer Doppler vibrometer (LDV), kullanarak sabit-sabit ışın dizaynı için bir protokol sunulmuştur. LDV yöntemi ağ Çözümleyicisi üzerinde üstünlüğü nedeniyle daha yüksek modu kapasitesini gösterilmiştir.

Tasarım ve karakterizasyon yöntemleri verimli geniş sıra Tunable MEMS filtreler için

Burada, termal ayarlı bir yöntem kullanarak kelebekle paketlenmiş bir mikro halka rezonatörde soliton kristalleri üretmek için bir protokol sunuyoruz. Ayrıca, tek bir boş pozisyona sahip bir soliton kristalinin tekrarlama oranı dalgalanmaları gecikmiş bir kendi kendine heterodyne yöntemi kullanılarak ölçülür.

Mikroresonatörde Soliton Kristallerinin Hızlı Tekrarlama Hızı Dalgalanma Ölçümü

İki üretim teknikleri, kaldırma ve ıslak gravür, bir piezoelektrik substrat üzerine interdigital elektrot transdüserler üretiminde açıklanmıştır, lityum niyobat, yaygın yüzey akustik dalgalar oluşturmak için kullanılan şimdi nanoölçekli akışkanlar mikro geniş yarar bulma. Üretilen elektrotlar verimli megahertz sipariş Rayleigh yüzey akustik dalgalar neden gösterilmiştir.

Lityum Niyobat üzerine Yüzey Akustik Dalga Cihazlarının İmalatı

Bu makale, tasarımdan fabrikasyona ve karakterizasyona kadar bir silisyum nitrür membran rezonatörünün yaşam döngüsünü izlemektedir.

High-Q Silisyum Nitrür Membran Rezonatörlerinin İmalatı ve Karakterizasyonu

Keşfedin süperiletken mikrodalga rezonatörlerinin silikon alt tabakalar üzerinde üretim ve saçılma parametreleri karakterizasyonu yöntemlerini. Bu teknik kuantum hesaplama ve astrofizik uygulamaları için hassas ölçümler sağlar.

Süperiletken Rezonatörler Fabrikasyon ve Karakterizasyonu

Daha fazla video keşfet