Name: Kurban Nanopartiküller Kullanım E-ışın Litografi tarafından Fabrikasyon İletişim Holes Shot gürültü Etkilerinin çıkarmak (Video) | JoVE Journal
Uploaded: 2017-02-12T13:00:00.000+00:00
Duration: 7 min 47 s
Description: Öğrenin, nanopartikül ve direnç akışı teknikleriyle litografik desenlerdeki atış gürültüsü etkilerini ortadan kaldırma yöntemini. Bu yarı iletken üretim tekniği, 20 nanometrenin altındaki desenlerin hassasiyetini artırır.

ai_agent_IP

ai_agent

maintenance

instantTrialDurationMinutes

isBiopharma

enableNewMyJoveSectionDesign

educationFeatures

seoMetaApi

ai_copilot_institution_blacklist

ai_chat_institution_blacklist

freeAccessWindow

ssoRoleCapture

scheduledMaintenanceBanner

joveLabsFeatures

disable_autoplay_for_bots

extended_trial_duration

5 minutes

Intel Corporation, hibe numarası 414305 aracılığıyla bu işi finanse ve Oregon Nanoteknoloji ve Mikroteknoloji Girişimi (ONAMI) eşleşen fon sağlamıştır. Biz minnetle bu işin tüm aşamalarında Dr James Blackwell destek ve tavsiyeler kabul eder. Özel teşekkür parçacık konumlandırma istatistiklerini analiz etmek için Drew Beasau ve Chelsea Benedict gidin. Biz e-ışın litografi ile yaptığı yardım için, Oregon, Eugene Üniversitesi&#39;nde, el yazması ve Dr. Kurt Langworthy dikkatli bir okuma için Profesör Hall teşekkür VEYA.

1. türetmek ve Silikon Gofret ve Yüzey karakterize <ol><li> Amerika Radyo Kurumu'nu (RCA) temizleme solüsyonları SC1 ve SC2 kullanarak gofret yüzeyini temizleyin. </li><li> Hacimsel olarak, aşağıdaki kimyasal maddeler karıştırılarak SC1 ve SC2 hazırlanması: SC1: H2O 2: NH4OH: H2O = 1: 1: 5 v / v'dir ve SC2: H2O 2: HCI: H2O = 1: 1: 5 v / v. <ol><li> 70 ° C'de 10 dakika boyunca SC1 gofret bırakın ve daha sonra deiyonize su yıkama yapar. </li><li> (Bir yıkama, ardından 70 ° C'de 10 dakika), SC2 için de benzer bir protokol takip edin. NOT: Temizleme işlemi, organik ve iyonik kirleri temizler ve silikon gofret silisyum oksit yüzeyinde silanol gruplarını oluşturur. </li></ol></li><li> AATMS ile silikon gofret yüzeylerini türetmek <ol><li> 0.05 M AATMS temizlenmiş silikon gofret inkübe (d hazırlanan20 dakika boyunca 80 ° C'de Ry toluen) dir. bir azot gazı akımı içinde 5, 5 dakika için tam bir toluen içinde, oda sıcaklığında, 100 W sonikatör dakika ve kuru sonikasyon. </li></ol></li><li> Türetilmiş silikon gofret yüzeylerini karakterize <ol><li> Bir açıölçer ve ImageJ yazılımı 25 ile temas açısını ölçün. </li><li> Bir elipsometre kullanarak filmlerin kalınlığı tespit (He-Ne lazer ışık kaynağı, λ 70 ° 632,8 nm, sabit geliş açısı =) 25. </li><li> X-ışını fotoelektron spektroskopisi (XPS), 25 yüzey element bileşiminin tahmin. </li></ol></li></ol> 2. E-ışın Desenlendirme <ol><li> Spin-kaplama fotorezist (60 s için 4000 rpm'de AATMS- türevlendirilmiş gofret% 2 poli (anisol metil metakrilat (PMMA)). </li><li> 120 s fotorezist filmi kuruması için 180 ° C de bir film Önceden fırınlanmış patates. </li><li> fotorezist film kalınlığını ölçmekBir elipsometre kullanılmıştır. He-Ne lazer ışık kaynağı, λ = 632.8 nm, 70 ° 'lik bir geliş açısında sabit olduğundan emin olun. silikon gofret gibi yansıtıcı yüzey kullanarak dedektör sinyali en üst düzeye çıkarmak için örnek sahne optimize edin. fotorezist film kalınlığını ölçmek için ekli PC'de elipsometre ölçüm programı (GEMP) kullanın; yaklaşık 100 nm olmalıdır. </li><li> E-ışın maruziyeti: <ol><li> E-demeti hizalama bir yüksek vakum odasına gofret aktarın. </li><li> Bir elektron demeti (30 kV hızlandırma gerilimi, 37 pA ışın akımı), 10 mikron açıklığı içinden geçen ve 24 MCU / cm3 dozajı kullanılarak bir poker nokta delikli kalıp oluşturma. </li><li> İstenilen delik çapına (80 nm) ve zift (200 nm) bir poker nokta tipi delik desen üretmek için gerekli olarak desen zift ve dozunu ayarlamak. </li><li> E-ışın odasından gofret çıkarın. </li></ol></li><li> Taşbaskı desen geliştirin: <ol><li> Başla70 s metil izobutil keton / izopropil alkol içindeki bir çözeltisine (: 3 (v v) MIBK / IPA, 1) 'de model gelişimi. </li><li> 30 saniye IPA batırılarak daha geliştirmeye devam ediyoruz. 30 sn için deiyonize su ile yıkama gelişimini tamamlamak. bir azot gazı akımı içinde ince bisküvi kurutun. </li></ol></li></ol> E-ışın desenli Delik içine GNPs 3. Biriktirme NOT: desenli deliklere GNPs birikmesi iki farklı yöntem kullanır. <ol><li> GNP Çözeltilerin önceden desenli gofret (Yöntem 1) bırakın. <ol><li> GSMH büyüklüğü ve deliklerin çapları bağlı olarak, 24-48 saat boyunca GNP süspansiyon ortamında örnek bırakın. 7.0 x 10 11 NPs / ml ihtiva eden 20-mil, sitrat-kapaklı GNP süspansiyon kullanın. NOT: Bir 10-100 nm bir GNP boyutu ve 5.7 arasında bir konsantrasyon kullanabilir x 10 12-5,7 x 10 Ted Pella tarafından sağlanan 9 NPs / mL olduğunu göstermiştir. biriktirme yoğunluğu itaat unutmayınGe ve t nanoparçacık ve biriktirme süresi difüzyon katsayıları difüzyon kanunu ̴ (Dt) 1/2, sırasıyla (referans 20, Şekil 2c tartışıldığı gibi, yani küçük parçacıklar, çökelme için daha kısa bir zaman alır). </li></ol></li><li> Desenli gofret üzerinde sprey mevduat GNPs (Yöntem 2) <ol><li> buharlaştırma yoluyla GNPs para yatırmak için, yatay olarak yerleştirilmiş desenli alt tabaka üzerine GNPs bir çözüm sprey. Sprey tabaka yüzeyine dik yönlendirilir, böylece elle tutulan püskürtücü (Yöntem 2) Orient. </li><li> Tüm alt-tabaka yüzeyinin nemlendirilmesi için süspansiyon solüsyonu yeterli bir hacmi püskürtün. NOT: Büyük bir deliğe birden nanopartiküller zorlayarak önlemek için 10x tarafından GSMH süspansiyon sulandırmak için gerekli olabilir. </li><li> 10 dakika boyunca kontrollü buharlaşma üretilmesi için 30-35 ° C 'de muhafaza edilen bir sıcak bir plaka üzerinde inkübe edin. </li></ol></li><li> Her iki Yöntemi ile çöktürme (sonra1 ya da Yöntem 2), hafif ultrasonicate (100 W) deiyonize su içinde örnekler 50 s için ve bir azot gazı akımı içinde kurutulur. </li></ol> 4. Taramalı Elektron Mikroskobu Görüntüleme NOT: Geleneksel yukarıdan aşağı ve kesitsel SEM görüntüleme katılan çalışmaların iki tip. <ol><li> Yukarıdan aşağıya SEM görüntüleri için fotorezist filme zarar görmesini önlemek için 300 uA ~ bir akımda 5 kV gerilim hızlandıran bir e-ışını kullanır. Dikkat: mümkün olan en düşük voltaj ve akım ayar fotorezist zincir kesme reaksiyonları azaltmak için gereklidir. Bu zincir kesici reaksiyonları da aşağıda tarif karşı yeniden akış adımı için çalışma sıcaklığı etkileyen polimer, cam geçiş sıcaklığı azaltır. </li><li> Kesit görüntüleme: <ol><li> Sputter-ceket kalın altın filmin 10 nm PMMA fotorezist üzerine iyon ışını zarar görmesini önlemek için. 30 kV ve 93 çalıştırılan odaklanmış Ga iyon ışını kullanınpA deliklerden kesmek için. normal yatay konumdan gofret eğerek kesit SEM görüntülerini elde etmek. </li></ol></li></ol> Desenli Holes GNPs etrafında PMMA fotorezist 5. Reflow <ol><li> Önceden belirlenmiş bir cam geçiş sıcaklığının altında 3 dakika, T yeniden akış (100 ° C) 'de sıcak bir plaka üzerinde desenli alt tabakalar Isı T gr (110 ° C), 950.000 g / mol' PMMA; polimer için yeniden akış oranı 1.7 ± 0.1 mil / sn idi. Dikkat: Önemli ölçüde daha hızlı yeniden akış bir yol daha önce belki de elektron ışınına maruz kalma sırasında polimerik omurga zincirinin bölünme, taramalı elektron mikroskobu (SEM) ile görüntüleme sırasında e-ışınına maruz kalmış desenli alanlar oluştu T g azaltılması. Bu gözlem X-ışını radyasyonuna maruz T azalttığını kaydetti Keymeulen ve işçiler, yapılacak çalışmalarla da desteklenmektedirPMMA 26 g. </li></ol> 6. Kuru ve Islak-etch <ol><li> Yeniden düzenlenen PMMA ince bir film ile kaplı GNPs ortaya çıkarmak için oksijen plazma ile yeterli bir süre (55 S) Kuru etch. Dikkatle elipsometre veya ince film kalınlığı monitörü kullanılarak zamanın bir fonksiyonu olarak PMMA filmi aşındırma oranını izlemek. NOT: Çok uzun süre yakma tamamen PMMA filmi çıkarın olacağını ise bir çok kısa dağlama süresi GNPs maruz olmayabilir. 950 kDa PMMA için aşındırma oranı dağlama süresi 55 sn gerektiren, 1.5 nm / s idi. </li><li> Iyodin kristali (I 2), 1.0 g, potasyum iyodür 4.0 g (Kİ) ve 10 dakika boyunca iyonu giderilmiş su 40 mL içeren bir iyot çözeltisi kullanılarak yeniden akış sonra kontakt deliklerinin altındaki ıslak etch GNPs. Not: potasyum iyodür çözeltisi iyot çözünürlüğünü arttırır ve altın aşındırma kolaylaştırır. Iyot ile altın reaksiyonu (2AU + I 2 → 2 AUI) altın üretirOda sıcaklığında, sulu çözelti içinde az çözünür iyodür,. </li></ol> 7. Parçacık Yerinden, Yoğunluk ve Dolgu Kesir hesaplanması <ol><li> Delik merkezi ve GSMH deplasman Bulma: <ol><li> Elle bu çizgilerin kesişme noktalarında kurulan delik merkezleri sırasıyla deliklere, satırlar ve sütunlar ile yatay ve dikey en uygun düz çizgiler çizmek (Şekil 2a ve 2b). hesaplamalar en az 500 + delik içerir. </li><li> El nanohole (yani, yer değiştirme) bu çökelmiştir (Şekil 2b) merkezine her nanopartikül göre konumunu, R, belirler. </li></ol></li><li> Standart bir elektronik tablo programı kullanarak değiştirme histogramlar karşı parçacık sayısını belirlemek. </li><li> Partikül yoğunluğunun hesaplanması: ρ = N (parçacıkların sayısı) / birim alan (2 um): <ol> İlk olarak, sabit bir genişliğe (R deliğin yarıçapı ≈R / 10), bir halka halka şeklindeki alanı tespit etmek ve iki yarıçap (R1, R2) R yer değiştirmede (= (r, 1 ile sınırlanmış + r 2) / 2); <img alt="denklem 2" src="/files/ftp_upload/54551/eq2.jpg"> . </ol></li><li> Yukarıdaki aşama 7.2 inşa histogram alanında, parçacıkların, N sayısı toplamı. </li><li> R bir fonksiyonu r = R, delik yarıçapı sona eren yaklaşık 10 eşit adımlar üretmek için işlemi tekrarlayın. </li></ol><li> En az doğrusal olmayan kareler prosedürünü (Şekil 2a, ek) 20 kullanılarak Gauss eğrisi yer değiştirme verileri karşı parçacık yoğunluğu takın. Birikimi ve montaj belirsizliğin deplasman (σ birikimi) standart sapmasını ayıklayın. </li><li> yukarıdaki tekrarlayınŞekil 2c ile gösterilen bir SEM görüntü kullanılarak fotorezist işlem sonrasında elde edilen SEM kalıpları için prosedür. NOT: yeniden akıtma delikleri yok sonra delik merkezleri için en uygun değerleri belirlemek için GSMH pozisyonları en uygun yatay ve dikey çizgiler çizin. Adım 7.1 olarak parçacık değiştirmeler hesaplayın ve adımları 7,2-7,4 yılında tarif protokol takip kombine σ Toplam ayıklayın. NOT: Burada, kombine veya toplam nedeniyle çökelme ve yeniden akıtma adımları GSMH'nın genel yerinden anlamına gelir. </li><li> Deliklerinin toplam sayısına, Şekil 2b doldurulmuş deliklerin sayısı oranı tahminine göre doldurma bölümünü belirler. </li>

<ol><li>Moore, G. E. <a target="_blank" href="http://ieeexplore.ieee.org/document/4785860/">Cramming more components onto integrated circuits.</a> Electronics. 38 (8), 114(1965).</li>
<li>Moore, G. E. Lithography and the future of Moore's law. <a target="_blank" href="http://proceedings.spiedigitallibrary.org/proceeding.aspx?articleid=995245">SPIE Proc.: Advances in Resist Technology and Processing XII</a>. Allen, R. D. 2438, 2-17 (1995).</li>
<li>Rayleigh, L. On the theory of optical images, with special reference to the microscope. <a target="_blank" href="http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1111/j.1365-2818.1903.tb04831.x/abstract">The London, Edinburgh, and Dublin Philosophical Magazine and J. Sci</a>. 42 (255), 167-195 (1896).</li>
<li>Levenson, M. D., Viswanathan, N. S., Simpson, R. A. <a target="_blank" href="http://ieeexplore.ieee.org/document/1482534/">Improving resolution in photolithography with a phase-shifting mask.</a> IEEE Trans. Electron Devices. 29 (12), 1828-1836 (1982).</li>
<li>French, R. H., Tran, H. V. <a target="_blank" href="http://www.annualreviews.org/doi/abs/10.1146/annurev-matsci-082908-145350?journalCode=matsci">Immersion Lithography: Photomask and Wafer-Level Materials.</a> Annu. Rev. Mater. Res. 39 (1), 93-126 (2009).</li>
<li>Borodovsky, Y. Complementary Lithography at Insertion and Beyond. Complementary Lithography - Stochastics Suppression and EUV, Electronics, Proc. Semicon. West, June 12, San Franscisco, , (2012).</li>
<li>Reiser, A. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=author%3aReiser%2C+A+%22Photoreactive+Polymers%3A+the+Science+and+Technology+of+Resists%22">Photoreactive Polymers: the Science and Technology of Resists</a>. , John Wiley & Sons. (1989).</li>
<li>Brunner, T. A. <a target="_blank" href="https://www.researchgate.net/publication/228805168_Why_optical_lithography_will_live_forever">Why optical lithography will live forever.</a> J. of Vac. Sci. & Technol. B: Microelectronics and Nanometer Structures. 21 (6), 2632-2637 (2003).</li>
<li>Tran, H., Jackson, E., Eldo, J., Kanjolia, R., Rananavare, S. B. Photochemical reactivity of bis-carbamate photobase generators. Nanotechnology (IEEE-NANO), 2011 11th IEEE Conference, , 1683-1688 (2011).</li>
<li>Hallett-Tapley, G. L., et al. <a target="_blank" href="http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2013/tc/c3tc00874f#!divAbstract">Single component photoacid/photobase generators: potential applications in double patterning photolithography.</a> J. Mater. Chem. C. 1 (15), 2657-2665 (2013).</li>
<li>Krysak, M., De Silva, A., Sha, J., Lee, J. K., Ober, C. K. Molecular glass resists for next-generation lithography. <a target="_blank" href="http://spie.org/Publications/Proceedings/Paper/10.1117/12.656630">Proc. SPIE: Advances in Resist Materials and Processing Technology XXVI</a>. Henderson, C. L. 7273, 72732N(2009).</li>
<li>Li, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Bottom-up+assembly+of+large-area+nanowire+resonator+arrays%5BTitle%5D)+AND+%22Nat+Nano%22%5BJournal%5D)">Bottom-up assembly of large-area nanowire resonator arrays.</a> Nat Nano. 3 (2), 88-92 (2008).</li>
<li>Thiruvengadathan, R., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Nanomaterial+processing+using+self-assembly-bottom-up+chemical+and+biological+approaches%5BTitle%5D)+AND+%22Rep.+Prog.+Phys%22%5BJournal%5D)">Nanomaterial processing using self-assembly-bottom-up chemical and biological approaches.</a> Rep. Prog. Phys. 76 (6), 066501(2013).</li>
<li>Tsai, H. Y., et al. Pattern transfer of directed self-assembly (DSA) patterns for CMOS device applications. <a target="_blank" href="http://spie.org/Publications/Proceedings/Paper/10.1117/12.2014259">Proc.SPIE Advanced Etch Technology for Nanopatterning II</a>. Zhang, Y., Oehrlein, G. S., Lin, Q. 8865, 86850L-86850L (2013).</li>
<li>Hawker, C. J., Russell, T. P. <a target="_blank" href="https://www.cambridge.org/core/journals/mrs-bulletin/article/div-classtitleblock-copolymer-lithography-merging-bottom-up-with-top-down-processesdiv/0E73FA79C850810DFA5414CF78A21945">Block Copolymer Lithography: Merging &#34;Bottom-Up&#34; with &#34;Top-Down&#34; Processes.</a> MRS Bulletin. 30 (12), 952-966 (2005).</li>
<li>Lin, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.nature.com/nature/journal/v434/n7029/abs/nature03310.html">Self-directed self-assembly of nanoparticle/copolymer mixtures.</a> Nature. 434 (7029), 55-59 (2005).</li>
<li>Cheng, J. Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Simple+and+Versatile+Methods+To+Integrate+Directed+Self-Assembly+with+Optical+Lithography+Using+a+Polarity-Switched+Photoresist%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Nano%22%5BJournal%5D)">Simple and Versatile Methods To Integrate Directed Self-Assembly with Optical Lithography Using a Polarity-Switched Photoresist.</a> ACS Nano. 4 (8), 4815-4823 (2010).</li>
<li>Wong, H. S. P., Bencher, C., Yi, H., Bao, X. Y., Chang, L. W. Block copolymer directed self-assembly enables sublithographic patterning for device fabrication. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=author%3aWong%2C+HSP+%22Proc.+SPIE%22">Proc. SPIE</a>. Tong, W. . 8323, Alternative Lithographic Technologies IV, (2012).</li>
<li>Chan, J. C., Hannah-Moore, N., Rananavare, S. B. <a target="_blank" href="http://www.mdpi.com/2073-4352/5/1/116">Controlled Deposition of Tin Oxide and Silver Nanoparticles Using Microcontact Printing.</a> Crystals. 5 (1), 116-142 (2015).</li>
<li>Morakinyo, M. K., Rananavare, S. B. <a target="_blank" href="https://www.researchgate.net/publication/268237095_Reducing_the_effects_of_shot_noise_using_nanoparticles">Reducing the effects of shot noise using nanoparticles.</a> J. Mater. Chem. C. 3 (5), 955-959 (2015).</li>
<li>Cui, Y., et al. <a target="_blank" href="http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl049488i">Integration of Colloidal Nanocrystals into Lithographically Patterned Devices.</a> Nano Lett. 4 (6), 1093-1098 (2004).</li>
<li>Huang, H. W., Bhadrachalam, P., Ray, V., Koh, S. J. <a target="_blank" href="http://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.2972042">Single-particle placement via self-limiting electrostatic gating.</a> Appl. Phys. Lett. 93 (7), 073110-073113 (2008).</li>
<li>Ma, L. C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Electrostatic+Funneling+for+Precise+Nanoparticle+Placement%3A+A+Route+to+Wafer-Scale+Integration%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Lett%22%5BJournal%5D)">Electrostatic Funneling for Precise Nanoparticle Placement: A Route to Wafer-Scale Integration.</a> Nano Lett. 7 (2), 439-445 (2007).</li>
<li>Richard Bowen, W., Filippov, A. N., Sharif, A. O., Starov, V. M. <a target="_blank" href="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0001868699000044">A model of the interaction between a charged particle and a pore in a charged membrane surface.</a> Adv. Colloid Interface Sci. 81 (1), 35-72 (1999).</li>
<li>Morakinyo, M. K., Rananavare, S. B. Positional control over nanoparticle deposition into nanoholes. Nanotechnology (IEEE-NANO), 2011 11th IEEE Conference, , 1677-1682 (2011).</li>
<li>Keymeulen, H. R., et al. <a target="_blank" href="http://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.2752548?journalCode=jap">Measurement of the x-ray dose-dependent glass transition temperature of structured polymer films by x-ray diffraction.</a> J. Appl. Phys. 102 (1), 013528(2007).</li>
<li>Feng, B. C. Resist Reflow Method for Making Submicron Patterned Resist Masks. US patent A. , (1977).</li>
<li>You, J. H., et al. <a target="_blank" href="http://iopscience.iop.org/article/10.1143/JJAP.48.096502/meta;jsessionid=3BF2EDB8CC3510EE23383DDA99131A4C.c5.iopscience.cld.iop.org">Position Shift Analysis in Resist Reflow Process for Sub-50 nm Contact Hole.</a> Jpn. J. Appl. Phys. 48 (9), 096502(2009).</li>
<li>Montgomery, P. K., et al. Resist reflow for 193-nm low-K1 lithography contacts. <a target="_blank" href="http://proceedings.spiedigitallibrary.org/proceeding.aspx?articleid=759540">Proc. SPIE Advances in Resist Technology and Processing XX</a>. Fedynyshyn, T. H. 5039, 807-816 (2003).</li>
<li>King, W. P., et al. <a target="_blank" href="http://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.1351846">Atomic force microscope cantilevers for combined thermomechanical data writing and reading.</a> Appl. Phys. Lett. 78 (9), 1300-1302 (2001).</li>
<li>Chuo, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Rapid+fabrication+of+nano-structured+quartz+stamps%5BTitle%5D)+AND+%22Nanotechnology%22%5BJournal%5D)">Rapid fabrication of nano-structured quartz stamps.</a> Nanotechnology. 24 (5), 055304(2013).</li>
<li>Moreau, W. M. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=author%3aMoreau%2C+WM+%22Semiconductor+Lithography%3A+Principles%2C+Practices%2C+and+Materials%22">Semiconductor Lithography: Principles, Practices, and Materials</a>. , Springer Science & Business Media. 419(2012).</li>
<li>Chan, J. C., Tran, H., Pattison, J. W., Rananavare, S. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Facile+pyrolytic+synthesis+of+silicon+nanowires%5BTitle%5D)+AND+%22Solid-State+Electron%22%5BJournal%5D)">Facile pyrolytic synthesis of silicon nanowires.</a> Solid-State Electron. 54 (10), 1185-1191 (2010).</li>
<li>Tran, H. A., Rananavare, S. B. Synthesis and characterization of N- and P- doped tin oxide nanowires. (IEEE-NANO), 2011 11th IEEE Conference on Nanotechnology, , (2011).</li>
<li>Tran, H. A., Rananavare, S. B. Ch. 39, Synthesis and Characterization of n- and p-Doped Tin Oxide Nanowires for Gas Sensing Applications. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=author%3aTran%2C+HA+%22Nanoelectronic+Device+Applications+Handbook+%22">Nanoelectronic Device Applications Handbook </a>. Morris, J. E., Iniewski, K. , CRC Press. (2013).</li>
</ol>

Yazarlar ifşa hiçbir şey yok.

litografide sut gürültü (SN), belirli bir nano bölgede gelen foton veya partikül (N) sayıda istatistik dalgalanmalar basit bir sonucu olduğu; Bu foton / partiküllerin bir sayının kare köküne ters orantılıdır: <img alt="denklem 3" src="/files/ftp_upload/54551/eq3.jpg"> A ve r 'nin alanı ve açıkta kalan bölümün boyutu, burada. Örneğin, 52 mJ / cm2 poz dozunda bir ArF 193-nm (6.4-eV) desen 50-nm deliklere excimer laser, alınan fotonların s...

Moore yasasına 1, 2 (1) ile sayısal olarak hesaplama gücü katlanarak büyümesi, optik litografi ilerleyici ilerlemelerin bir sonucudur. Bu yukarıdan aşağıya desenlendirme tekniği, ulaşılabilir çözünürlük, R, tanınmış Raleigh teoremi 3 ile verilir: <img alt="denklem 1" src="/files/ftp_upload/54551/eq1.jpg"> Burada, λ ve NA sırasıyla ışık dalga boyu ve sayısal açıklık vardır. Η lens ve gofret arasında ortamın kırılma endeksi NA olduğu = η · sinθ Not; lens ve gofret merkezi arasındaki θ = tan -1 (d / 2l) çap, d, lens ve mesafe, l. Son elli yılda, litografik çözünürlük: (a) bir ışık kaynağı kullanılarak geliştirilmişgiderek daha küçük UV dalga boyları olan eksimer lazerler de dahil olmak üzere, örneğin; (b) faz kayması maskeleri 4 kullanan akıllı optik tasarımlar; ve (c) daha yüksek NA. Hava (η = 1) 'de maruz kalma, NA birlik daha ama bir sıvı getirerek her zaman daha azdır lens ve gofret arasında böyle su 5 olarak Hm&gt; 1, ile, NA ve böylece daldırma litografi çözünürlüğünü artırmak, 1 yüksekte olabilir. Şu anda ötesinde canlı 20 nm düğüme yolları ve çok katmanlı paslanmaz çeliğin 6, 7 karmaşık çift ve dört kişilik işlem kullanarak, aşırı UV kaynaklarının (λ = 13 nm) veya desenlendirme teknikleri içermektedir. lithogra boyutlarında bir nano-bölge neden varyasyon içinde gelen fotonların sayısının atış-gürültü (SN) neden nanometre uzunluk ölçeklerinde istatistiksel dalgalanmalar, en phic desenler. Bu etkiler, yüksek enerji EUV ışığı ve e-kiriş normal optik litografi 8 ile karşılaştırıldığında büyüklüğü daha az fotonlar / parçacıkların emir ihtiyaç sistemlerine maruz kalma ile daha belirgindir. Süper-kimyasal olarak güçlendirilmiş (kuantum verimi&gt; 1) fotorezist da maruz kalan nanoregions 9 10 fotoreaktif moleküllerin sayısının varyasyon neden olduğu bir kimyasal SN getirmektedir. uzun pozlama ihtiyaç alt hassasiyet photoresistler bu etkileri bastırmak, ama onlar da verim azaltır. Moleküler ölçekte, katkı moleküler direnenleri 11 ile azalabilir fotorezist polimerler doğasında moleküler boyut dağılımından pürüzlülüğü-kenar hattına. Nano-desenlendirme bu yukarıdan aşağıya işleme tamamlayıcı bir yaklaşım, aşağıdan yukarıya yöntemleri 12 kullanımıdırİki bloklu polimerler 14 yönlendirilmiş kendini montaj (DSA) üzerine özellikle güveniyor s = "xref"&gt; 13. çekirdeklenme yönlendirmek ve bu delik veya çizgiler olarak istenilen desen arasındaki eşit olmayan aralık oluşturmak için, bu işlemlerin özelliği, zor olmaya devam etmektedir. Moleküler bileşenleri 15 boyut dağılımı, 16 ölçek ve imalat 17, 18 verim sınırlar. Benzer sorunlar, yumuşak litografi 19 nanopartiküllerin microcontact baskı sınırlamak. Bu yazıda SN / hat-kenar sertliği (LER) 20 etkisini azaltmak için elektrostatik yönelik öz-montaj ile klasik yukarıdan aşağıya projeksiyon litografi birleştiren yeni bir hibrid yaklaşımı (Şekil 1) çalışmaları sunmaktadır. (2-aminoetil) - Pozitif kendi kendini monte mono tabakaları N (SAMs) üzerinde amin gruplarına şarjPMMA filmi yatan -11-amino-undesil-metoksi-silan (AATMS) geliştikten sonra maruz kalmaktadır. SN etkilenen deliklere 25 içine 24 - PMMA negatif yüklü fotorezist filmi elektrostatik olumsuz, 21 sitrat ile şapkalı altın nanopartiküller (GNPs), tahsil hunilerini yönlendirecek. Yeniden akış PMMA Fotorezist film predeposited nano partikülleri engulfs. <img alt="Şekil 1" src="/files/ftp_upload/54551/54551fig1.jpg"> Şekil 1: stratejinin şematik kesin boyutta NPs kullanarak kişi deliklerinin desenlendirme için atış gürültü ve hat-kenar pürüzlülüğü etkilerini ortadan kaldırmak için. Burada, önemli boyuta (CD) deliklerin istenen çapıdır. yaklaşım, (aşama 1) oksit sörf pozitif yüklü amin grupları taşıyan silan molekülün kendi kendine bir araya tek tabaka (SAM) biriktirilmesi ile başlarBir silikon gofret as. Sonraki E-ışın litografi deseni delikleri kullanılır (adım 2 ve 3) içerlek SEM görüntüsünde gösterildiği gibi, atış-gürültü üretir PMMA fotorezist film, mavi tabaka içinde. Düz Baskı deliklerde amin gruplarını gösterir. Adım 4 kontrollü boyutu, elektrostatik aktarıldığını (EF) ile lithographically desenli deliklere sitrat-kapaklı (negatif yüklü), altın nano partiküller (GNPs) sulu faz, birikmesini gerektirir. Adım 5'te, PMMA, 110 ° C cam geçiş sıcaklığının altında, 100 ° C gofreti ısıtılması, ön tevdi nanopartiküller yaklaşık fotorezist yeniden oluşturulmasını neden olur. Asitlendirme yoluyla serbest kalan partiküllerin oksijen plazma (aşama 6) GNPs gösterir, ve daha sonra ıslak aşındırma (iyot) (basamak 7) benzer olan PMMA kaplanmış GNPs boyutuna karşı gelen delikleri oluşturur. Reaktif iyon / ıslak aşındırma ile birleştiğinde, SiO 2 (adım 8) 31 fotorezist delik deseni aktarmak mümkündür. YenidenReferans 20 izniyle basılmış. <a href="http://ecsource.jove.com/files/ftp_upload/54551/54551fig1large.jpg" target="_blank">Bu rakamın büyük halini görmek için lütfen buraya tıklayınız.</a> alt tabaka üzerinde zıt yüklü GNPs ve amin grupları arasındaki elektrostatik etkileşim bağlanma sitesinden GNPs önlemektedir. yeniden akıtma adım GNPs göreli konumunu korur, fakat delik ve SN / LER etkilerini siler. Plazma / ıslak aşındırma adımlar GSMH boyutu var delikleri yeniden. Reaktif iyon dağlama SiO 2 sabit maske katmanları kendi desen aktarır. Yöntem, bir desenli nanohole (NH) daha muntazam boyutlu nano partikülleri ile dayanır, σ, standart sapma olarak ifade edilen bu GSMH σ &lt;NH σ olduğu. Bu rapor, dispersiyonu ve gelen nanopartiküllerin çökeltme gibi (Şekil 1 'de tarif edilen 4 ve 5) adımları odaklanırçevrelerindeki fotorezist yeniden akıtma avantaj ve yöntemin sınırlarını değerlendirmek. Her iki adımlar yongaları üzerinde modern entegre devreler üreten akım hiçbir kapsamlı değişiklik gerektiren, ilke olarak, daha büyük yüzeylere şekilde büyütülebilir.

<table><tbody><tr><td>AATMS (%95)</td><td>Gelest A.Ş.</td><td>SIA0595.0</td><td> N- (2-aminoetil)-11-aminoundesiyeltrimetoksisilan</td></tr><tr><td>Altın kolloidleri (Ted Pella Inc.)</td><td>Ted Pella</td><td>15705-20</td><td>Altın Naopartiküller</td></tr><tr><td>hidrojen peroksit</td><td>Fisher Scientific&nbsp;</td><td>H325-100</td><td>Analitik sınıf (Gofret temizlemek için kullanılır)</td></tr> <tr><td>hidroklorik asit</td><td>Fisher Scientific&nbsp;</td><td>S25358</td><td>Analitik sınıf</td></tr><tr><td>Amonyum hidroksit</td><td>Fisher Scientific &nbsp;</td><td>A669S-500SDS</td><td>Analitik sınıf (Gofret temizlemek için kullanılır)</td></tr> <tr><td>hidrojen florür</td><td>Fisher Scientific</td><td>AC277250250</td><td>Analitik sınıf (SiO< alt > <2 / alt >)</td></tr> <tr><td>Toluen (susuz,% 99.8)</td> <td>Sigma Aldrich</td><td>244511</td><td>Analitik sınıf (AATMS</td></tr><tr><td>İzopropil alkolün (IPA)</td> Kendi Kendine Montajında kullanılan çözücü) <td>Sigma Aldrich</td><td>W292907</td><td>Analitik sınıf (Yapmak için kullanılır geliştirici)</td></tr><tr><td>Metil bütil keton (MIBK)</td><td>Sigma Aldrich</td><td>29261</td><td>Analitik sınıf (geliştirici yapmak için kullanılır)</td></tr><tr><td>1:3 MIBK:IPA geliştiricisi</td><td>Sigma Aldrich</td><td></td><td>Analitik sınıf (Geliştirici)</td></tr><tr><td>950 k poli(metil metasilat (PMMA, Anisole'de %4)</td><td>Sigma Aldrich</td><td>182265</td><td>E-ışın litografisi için fotorezist</td></tr><tr><td>Arıtılmış Su: Barnstead Sybron Corporation su arıtma Ünitesi, 19.0 M & Omega direnci; cm</td><td></td><td></td><td>Alt tabaka temizliği için su</td></tr><tr><td>Gaertner elipsometresi&nbsp;</td><td>Gaertner</td><td></td><td>Resist ve SAM kalınlık ölçümleri</td></tr><tr><td>XPS, ThermoScientifc ESCALAB 250 cihazı</td><td>Termo-Bilimsel Yüzey</td><td></td><td>bileşimi</td></tr><tr><td>Bir FEI Siron XL30</td><td>Fei Corporation</td><td></td><td>Nanodesenleri karakterize edin</td></tr><tr><td>Zeiss sigma VP FEG SEM</td><td>Zeiss Corporation</td><td></td><td>E-ışın maruziyeti ve desenleme</td></tr><tr><td>MDS 100&nbsp; CCD kamera</td><td>Kodak</td><td></td><td>Görüntüleme temas açısı ölçümleri için damla şekilleri</td></tr><tr><td>Tegal Plasmod</td><td>Tegal</td><td></td><td>Oksijen plazması fotorezist</td></tr><tr><td>I2</td><td>Sigma Aldrich</td><td>451045</td><td>Altın aşındırma çözeltisi için bileşenler</td></tr><tr><td>KI</td><td>Sigma Aldrich</td><td>746428</td><td>Altın aşındırma çözeltisi için bileşenler</td></tr><tr><td>Elipsometre (LSE Stokes model L116A)</td><td>Gaertner</td><td>L116A</td><td>AATMS kendinden montajlı tek katmanlı film kalınlığı ölçümleri</td></tr></tbody></table>

kurban nanopartiküller kullanım e-ışın litografi tarafından fabrikasyon İletişim holes shot gürültü etkilerinin çıkarmak

Use of Sacrificial Nanoparticles to Remove the Effects of Shot-noise in Contact Holes Fabricated by E-beam Lithography

Nano desenler aşırı ultraviyole (EUV) veya elektron ışın demeti (E-ışını) boyutunda litografi sergi beklenmedik varyasyonları ile fabrikasyon. Bu varyasyon atış-gürültü (SN) kaynaklanan belirli bir nano-bölge ulaşan fotonlar / elektron sayısı istatistiksel dalgalanmalar sanılıyor. SN foton / elektron sayının kare köküne ters orantılı olarak değişir. sabit bir doz için, SN geleneksel (193 nm) optik litografi için daha EUV ve E-ışın litografiler büyüktür. Aşağıdan yukarıya ve yukarıdan aşağıya desenlendirme yaklaşımları nano delik desen çekildi gürültü etkilerini en aza indirmek için birleştirilmiştir. Spesifik olarak, daha sonra, bir PMMA esaslı e-ışını Fotorezist 100 mil film ile dönmeye kaplı bir silikon gofret bir amino-silan yüzey aktif madde kendi kendine bir araya getirmektedir. E-kiriş ve sonraki gelişimi maruz kalma delik diplerinde yatan yüzey filmi ortaya çıkarmak. negatif yüklü, sitrat-kapaklı, 20 nm g bir süspansiyonuna gofret daldırmaEski nanopartiküller (GSMH) mevduat delik başına bir parçacık. delik maruz pozitif yüklü yüzey filmi elektrostatik kalıcı pozisyonel kayıt gideren maruz delik, ortasına negatif yüklü nanoparçacık huniler. Sonra, paslanmaz çeliğin polimerin cam geçiş sıcaklığına yakın ısıtılması, fotorezist filmi yeniden yapılandırabilir ve nano-parçacıkları engulfs. Bu süreç SN etkilenen delikleri siler ancak bağlayıcı güçlü elektrostatik yerinde kilitli yatırılan GNPs bırakır. oksijen plazma ile muamele fotorezist ince bir tabaka oyma ile GNPs ortaya çıkarır. I 2 çözeltisi ile maruz GNPs Islak gravür / KI E-ışın demeti litografi desenli girinti merkezinde bulunan düzgün delikleri elde edilir. Deneyler bir yaklaşım% 10 altına kadar% 35 arasında SN neden delik boyutundaki değişmeyi azaltmaktadır göstermek sunulmaktadır. yöntem aşağıda 20 nm Transistör temas delik desenlendirme sınırlarını genişletir.

Şekil 2 elektrostatik hunileşme tarafından yönlendirilen bir 60-100 nm kalınlığında PMMA filmde desenli 80-nm çapında delikleri yatırılır 20 nm GNPs bir SEM görüntü gösterir. Diğer 22 ile gözlendiği gibi, süreç deliği başına bir parçacık ile sonuçlanmıştır. deliklerin merkezi etrafında partiküllerin dağılımı Gauss (sağ üst resim) oldu. En çok delik (% 93), bir gnp sahip değildir ve bu parçacıkların% 95 merkezi 20 nm içinde meydana geldi. Başka yer...

Düzgün boyutlu nanopartiküller elektron demeti (E-ışını) litografi poli (metil metakrilat) desenli temas delik boyutları (PMMA) fotorezist filmlerde dalgalanmaları kaldırabilirsiniz. süreç fotorezist yeniden akıtma ve Plazma ve ıslak aşındırma adımları takip temas delik merkezi ve mevduat nanopartiküller, elektrostatik hunileflme- içerir.

Kurban Nanopartiküller Kullanım E-ışın Litografi tarafından Fabrikasyon İletişim Holes Shot gürültü Etkilerinin çıkarmak

Nano-patterns fabricated with extreme ultraviolet (EUV) or electron-beam (E-beam) lithography exhibit unexpected variations in size. This variation has ...

Bu protokolün genel amacı, nanopartiküller kullanarak litografik desenlerden atış gürültüsünün etkisini ortadan kaldırmak ve yeniden akış tekniklerine direnmektir. Bu nano modelleme tekniği, şu anda mikro işlemciler ve bellek yongaları gibi gelişmiş yarı iletken cihazların imalatında planlanan aşırı UV ve E-Işın litografilerinden Atış gürültüsünün giderilmesine izin verir. Bu tekniğin temel avantajı, adımların kolayca uygulanabilmesidir.Mevcut yarı iletken işleme fabrikalarında, mevcut düello setlerinde kapsamlı bir değişiklik yapılmadan. Bu tekniğin anlamı, 20 nanometrenin altında desenler oluşturma yeteneğimize kadar uzanır, çünkü optik ve kimyasal atış-gürültü etkisinden boyutsal dalgalanmayı çıkaracaktır. Genel olarak, bu yönteme yeni olan kişiler, alt olgu kendi kendine montaj ve projeksiyon litografisi gibi aşağıdan yukarıya ve yukarıdan aşağıya işleme yöntemlerine aşinalık gerektirdiğinden mücadele edeceklerdir.Prosedürü gösteren, şu anda Intel'de çalışan Dr.Moshood Morakinyo olacak. Ve ona laboratuvarımda yüksek lisans öğrencisi olan Srikar Rao yardım edecek. Prosedür olmak için, RCA temizleme yöntemi için SC-1 ve SC-2 çözeltilerini hazırlayın.Silikon gofret, her biri 70 santigrat derecede 10 dakika boyunca sırayla SC-1 ve SC-2 çözeltilerine daldırın. Her daldırmadan sonra gofreti deiyonize su ile durulayın ve ardından gofreti bir Nitrojen gazı akışında kurutun. Daha sonra, gofret yüzeyini türetmek için temiz, kuru silikon gofret'i 0.05 molar AATMS çözeltisinde 80 santigrat derecede kuru toluen içinde 20 dakika bekletin.Gofretleri toluen içinde oda sıcaklığında 100 watt'ta beş dakika boyunca sonikasyon yapın ve gofreti Azot gazı ile kurutun. Hazırlanan gofrete spin kaplama ile foto-dirençli bir poli metil metakrilat filmi uygulayın. Ve sonra elektron ışını litografisi ile içine delikler açın.Desenli deliklerden daha küçük bir çapa sahip sitrat kapaklı altın nanopartiküllerden oluşan bir süspansiyon hazırlayın. GSMH konsantrasyonu, GSMH boyutuna bağlı olarak mililitre başına 5.7 çarpı 10 ila 9. ila 10 ila 12. nanopartiküller arasında değişebilir. GNP'leri daldırma yoluyla desenli temas deliklerine yatırmak için, desenli gofreti GSMH boyutuna bağlı olarak 24 ila 48 saat süspansiyonda bekletin.Alternatif olarak, GSMH'leri buharlaşma yoluyla biriktirmek için, önce desenli gofreti düz bir yüzeye yerleştirin, gofretin tüm yüzeyine GNP süspansiyon damlaları yayın. Çözücüyü buharlaştırmak için gofreti 30 ila 35 santigrat derecede sıcak bir plakada 10 dakika tutun. GSMH birikiminden sonra, gofreti deiyonize bir su banyosunda 100 watt'ta 50 saniye boyunca ultrasonikleştirin.Gofretleri Azot gazı ile kurulayın. Gofretlerin yukarıdan aşağıya taramalı elektron mikroskobunu gerçekleştirmek için, görüntüleme sırasında foto direnç filmine verilen hasarı azaltmak için elektron demetini mümkün olan en düşük hızlanma voltajına ve akımına ayarlayın. PMMA fotoğraf direncinin biriken GNP'lerin etrafında yeniden akışını kolaylaştırmak için gofreti 100 santigrat derecede bir sıcak plaka üzerinde üç dakika ısıtın.PMMA filmini tamamen çıkarmadan temas deliklerindeki GNP'leri ortaya çıkarmak için gofreti Oksijen plazması ile yaklaşık 55 saniye kuru aşındırın. PMMA filminin tamamen çıkarılmadığından emin olmak için işlem boyunca aşındırma oranını izleyin. Daha sonra, GSMH'leri filmden çıkarmak için 1.0 gram İyot kristali ve 4.0 gram Potasyum İyodür ve 40 mililitre deiyonize su çözeltisi ile GSMH'leri 10 dakika boyunca ıslatın.Gofret'i taramalı elektron mikroskobu ile görüntüleyin. Yeniden akış ve aşındırma işleminden önce ve sonra SCM görüntülerinden delik merkezlerini, GNP yer değiştirmesini, parçacık sayısını, parçacık yoğunluğunu ve doldurma fraksiyonunu hesaplayın. Bu yöntem kullanılarak, 20 nanometre GSMH, PMMA kaplı bir silikon gofret içinde desenlenmiş 80 nanometre deliklere yerleştirildi.PMMA foto direnci, elektron fasulyesi litografisi tarafından oluşturulan nano delik desenlerini silerek, GNP'lerin etrafında foto direncin yeniden akışını sağlamak için cam geçiş sıcaklığının hemen altına ısıtıldı. GSMH'ler kuru aşındırma ile yeniden açığa çıkarıldıktan sonra, GNP'ler ıslak aşındırma ile çıkarıldı ve PMMA filminde 20 nanometre çapında delikler ve orijinal desenle aynı düzenleme bırakıldı. Daldırma biriktirme yöntemi kullanıldığında, deliklerin %93'ü tekil olarak işgal edildi ve parçacıkların %95'i delik merkezlerinin 18 nanometre yakınında birikti.Buharlaştırma yöntemi, birçok deliğin birden fazla GNP tarafından işgal edilmesine neden oldu ve bu da işlemin daha fazla optimizasyon gerektirdiğini gösteriyor. 20 nanometre GSMH'lerin yer değiştirmesi üzerine foto direnç yeniden akışının katkısının çıkarılması, yeniden akış işleminin GSMH konumlandırması üzerinde ihmal edilebilir bir etkiye sahip olduğunu gösterdi. Bu yöntemle oluşturulan 20 nanometre deliklerin varyasyon katsayısı yaklaşık% 9 olarak belirlendi, bu da GNPS boyut varyasyonu katsayısı ile karşılaştırılabilirdi.Bu, elektron ışını litografi desenli 20 nanometre deliklerinin tahmin edilen CV'sine göre kabaca altı kat ve orijinal 80 nanometre deliklerin tahmin edilen CV'sine göre yaklaşık% 60'lık bir iyileşmeydi. Bir kez ustalaştıktan sonra, bu teknik uygun şekilde yapılırsa 24 saat içinde yapılabilir. Bu prosedürü denerken, direnç yüzeyindeki gevşek bağlı nanopartikülleri çıkarmak için mono dağılmış nanopartiküller ve hafif ultrasonikasyon kullanmayı unutmayın.Bu yöntem E-Beam litografi kullanılarak gösterilmiş olsa da, aşırı UV, X-ışını veya diğer yüksek enerjiye maruz kalma sistemlerine dayalı diğer sistemlere de uygulanabilir. Bu yöntem için bu fikri, litografi üzerine Intel sponsorluğunda bir proje sırasında geliştirdim. Şimdi bu teknik, litografide çekim gürültüsü ve çizgi kenarı pürüzlülüğünün etkilerini ortadan kaldırmak için yeni bir yaklaşım sunuyor.Bu videoyu izledikten sonra, nano fabrikasyonda atış gürültüsünü azaltmak için nanopartiküllerin nasıl biriktirileceğini, yeniden akış direncinin nasıl sağlanacağını ve nanopartiküllerin nasıl aşındırılacağını iyi anlamış olmalısınız.

use-sacrificial-nanoparticles-to-remove-effects-shot-noise-contact

Research

JoVE Journal

Engineering

Mühendislik

Femtosecond lazer doğrudan yazma sık polimerler ve gözlük üç boyutlu (3D) desenleri oluşturmak için kullanılır. Ancak, 3D modelleme metal bir sorun olmaya devam etmektedir. Biz 800 nm'de merkezlenmiş bir femtosaniye lazer kullanılarak polimer bir matris içine gömülü gümüş nanoyapıların imalatı için bir yöntem açıklanmaktadır.

3D Disconnected Gümüş Nanoyapılar Fabrikasyona için Bir Yöntem

Dielektrik düşük güç optik hapsi aşağıdaki kurulum yaklaşımı ayrıntıları metal film bir çift nanohole kullanarak nanopartiküller.

Nanopartiküllerin Optik Yakalama

Nanoyapılı substratları hareketsizleştirilmiş proteinler ve aptamerlerle arayüzleyen nano-biyolojik sistemlerin üretimini ve karakterizasyonunu tanımlıyoruz. Nanoyapılı substratların litografik üretimi, biyo-işlevselleştirme ve yüzey geliştirilmiş Raman spektroskopisi (SERS) karakterizasyonunu içeren ilgili deneysel adımlar rapor edilmiştir. Yüzeyde hareketsizleştirilmiş proteinlerin SERS tespiti ve protein-ligand ve aptamer-ligand bağlanmasının araştırılması gösterilmiştir.

Yüzey EBL Fabrikasyon Nanostructured Alt Tabakalar Kullanma biyomoleküllerin Raman Spektroskopisi Algılama Geliştirilmiş

Geleneksel optik manipülasyon tekniklerinin ölçeklenebilirliği ve çözünürlüğü kırınım ile sınırlıdır. Kırınım sınırını aşıyoruz ve yakın aralıklı C-şekilli plazmonik rezonatörlerden oluşan bir yol ile desenlenmiş altın bir yüzey kullanarak nanoparçacıkları bir çip boyunca optik olarak taşıma yöntemini açıklıyoruz.

Bir Nano-Optik Konveyör Bant imalatı ve İşletilmesi

Burada, polimerik mikroiğnelerin fotolitografi ile kalıpsız bir üretim sürecini tanımlayan bir protokol sunuyoruz.

Fotolitografiyle polimerik Microneedle Dizi Fabrikasyon

plasmonik cımbız katılan bir mikroçip üretim süreci burada sunulmuştur. Mikroçip maksimum sıkıştırma kuvvetinin ölçülmesi için bir tuzak parçacığın görüntülenmesine olanak sağlar.

Bir İzleme Ortamında plasmonik Yakalama ve Nanopartiküller Yayın

Biz optik mikro-parçacıklar nanoplasmonic optik kafes tuzak açıklayınız.

Nanoplasmonic optik kafes içinde mikro parçacıkların bindirme

İmalat yöntemi iyi interdigitated elektrotlar için (boşluk ve Genişlik: 20 µm) bir şırınga iğnesi ucunda (çapı: 720 µm) fotolitografi sürecinde bir sprey kaplama ve bükülgen ince tabaka photomask kullanarak gösterilmiştir.

Fotorezist sprey kaplama ve esnek Photomask Biyomedikal uygulamalarda kullanarak Hipodermik iğne ucu üzerinde ince elektrotlar imalatı

İki yaygın olarak kullanılan elektron ışın direnir içinde tek haneli nanometre desenleri tanımlamak için bir sapma düzeltilmiş tarama transmisyon elektron mikroskobu kullanın: Poli (Metil metakrilat) ve hidrojen silsesquioxane. Karşı koymak desenleri tercih hedef malzemelerinde kalkış, aşındırma, plazma kullanarak tek basamaklı nanometre sadakat ile çoğaltılabilir ve organometallics tarafından infiltrasyon karşı.

Tek basamaklı nanometre elektron ışını litografi bir sapma düzeltilmiş tarama transmisyon elektron mikroskobu ile

Biz kalkış fotolitografi, nano-derin reaktif iyon gravür ve oda sıcaklığında plazma ile akustik nanoakışkanlar için lityum niyobat üzerine yüzey akustik dalga aktüasyon cihazlarıentegrasyonu ile nanoheight kanalların imalatı göstermek tek kristal lityum niyobat yüzey aktif çok katmanlı yapıştırma, oksitler lityum niyobat yapıştırma için benzer bir süreç.

Akustik Nanofluidics için Lityum Niyobat ile Yüzey Akustik Dalga Aktüasyon Birleştiren Nanoheight Kanallarıimalatı

Yüksek yoğunluklu lazer darbeleri ile ince altın folyo otomatik ışınlama için bir protokol sunulmaktadır. Protokol, mikroişleme hedef üretim sürecinin adım adım tanımını ve hedeflerin lazerin odak noktasının 0,2 Hz hızında nasıl sunulduğuna yönelik ayrıntılı bir kılavuz içerir.

Yoğun Lazer Işınlama Deneyleri için Mikrofabrikasi Hedeflerin Otomatik Teslimi

Öğrenin, nanopartikül ve direnç akışı teknikleriyle litografik desenlerdeki atış gürültüsü etkilerini ortadan kaldırma yöntemini. Bu yarı iletken üretim tekniği, 20 nanometrenin altındaki desenlerin hassasiyetini artırır.

Kurban Nanopartiküller Kullanım E-ışın Litografi tarafından Fabrikasyon İletişim Holes Shot gürültü Etkilerinin çıkarmak

Daha fazla video keşfet