Name: Hassas rotasyonel hizalama ile Van der Waals Heterostructures imalatı (Video) | JoVE Journal
Uploaded: 2019-07-05T13:00:00.000+00:00
Duration: 9 min 25 s
Description: Öğrenin, van der Waals heterostructures üretmek için hassas rotasyonel hizalama tekniğini. Bu yöntem, uzaktan kontrol ile manuel hata riskini azaltır ve örnek temizliğini artırır.

ai_agent_IP

ai_agent

maintenance

instantTrialDurationMinutes

isBiopharma

enableNewMyJoveSectionDesign

educationFeatures

seoMetaApi

ai_copilot_institution_blacklist

ai_chat_institution_blacklist

freeAccessWindow

ssoRoleCapture

scheduledMaintenanceBanner

joveLabsFeatures

disable_autoplay_for_bots

extended_trial_duration

5 minutes

Yazarlar Ottawa Üniversitesi ve NSERC Discovery Grant RGPIN-2016-06717 ve NSERC SPG QC2DM fon kabul eder.

1. transfer prosedürü için enstrümantasyon
<ol><li>Aktarım sürecini görselleştirebilmek için, parlak alan aydınlatması altında çalışabilir optik mikroskop kullanın. 2D kristallerin tipik boyutları 1 – 500 μm2olduğundan, mikroskop, 5x, 50x ve 100x uzun çalışma mesafesi hedefleri ile donatın. Mikroskop da bir bilgisayara bağlanan bir kamera ile donatılmalıdır (Şekil 1a).</li>
	<li>Yığılmış olmak üzere olan iki kristallerin konumunu ayrı olarak kontrol etmek için ayrı manipulators kullanın. Transfer prosedürü sırasında titreşimleri en aza indirmek için bir bilgisayar tarafından programlanabilir ve kontrol edilebilir manipulators kullanın. Not: üst substrat tutucusunun hareketinden sorumlu manipulatörler (Şekil 1B-c) sadece X, Y ve Z yönünde hareket etmelidir. Önemlisi, alt substrat tutucu kontrol etmek için sorumlu manipulators (Şekil 1e-f) Ayrıca herhangi bir açı Θ tarafından döndürmek edebiliyoruz (translasyonel ve rotasyonel hareket).</li>
	<li>Numuneleri üst aşama manipulatörlerine takmak için, cam slaytı destekleyebilen özel örnek tutucular imal etmek; üst kristal cam kaydırağa yerleştirilecektir (Şekil 1D).</li>
	<li>Alt manipulators için, bir işlenmiş cam-seramik tutucu (Şekil 1G) düz bir ısıtma elemanı yerleştirin ve dönen aşamaya yapıştırmak. Isıtma elemanını bir güç kaynağına ve bir sıcaklık kumandasını bağlayın.</li>
	<li>Denetleyicilerin, Manipulatörlerin göreli konumunu kontrol etmek için bir enstrümantasyon yazılımı (örn., LabVIEW) ile programlamak (Şekil 2).<ol>
<li>Gerekli hareketleri gerçekleştirmek için, yazılımı aşağıdaki özelliklerle programlamak için: tek başına veya aynı anda manipulators taşımak; okuma, kaydetme ve her manipulator konumunu almak; kolayca manipulators hızını ayarlamak ve otomatik odaklama alt aşama. Örnek ve lens arasındaki olası çarpışmaları önlemek için yapı güvenliği özellikleri.</li>
	</ol>
</li>
</ol>2.2D kristalin mekanik Eksfoliasyon.
<ol><li>Mekanik Eksfoliasyon prosedürü için bir substrat hazırlayın.<ol>
<li>1 cm x 1 cm 'lik silikon/silikon oksit kareler (sı/SIO2) gofret, aseton ile dolu bir pancarı içine koyun ve 10 dakika boyunca ultrasonik temizleyici içine kabı yerleştirin.</li>
		<li>Bireysel olarak cımbız ile gofenler çıkarın ve izopropanol (IPA) ile onları yıkayın sonra bir nitrojen (N2) tabanca ile kurutun. Not: aseton ve ıPA ile çalışırken, uygun PPE takarken bir duman kaputu altında bunu yapmak için önerilir.</li>
	</ol>
</li>
	<li>Kristali substrat üzerine mekanik olarak peeling yapın.<ol>
<li>Cımbız kullanarak, dikkatle kristal bir kısmını kaldırmak ve yarıiletken dereceli yapışkan bant bir parça üzerine yerleştirin.</li>
		<li>Yapışkan bant ikinci bir parça alın ve sıkıca kristal ile ilk bant karşı basın sonra bant iki parça uzak soyma. Birkaç kez tekrarlayan sonra, kristalin çok daha ince parçaları kasette bulunacaktır.</li>
		<li>İnce 2D kristalleri ile yapışkan bandı, kristalin substrat ile doğrudan temas halinde olduğu ve substrat üzerinde peeling gevreği bırakmak için bandı uzaklaştıran, taze temizlenmiş bir substrat üzerine bastırın.</li>
	</ol>
</li>
	<li>Herhangi bir kalıntı yapıştırıcı kaldırmak için, 10 dakika boyunca aseton ile dolu bir kabı içinde elde edilen numuneleri (2D kristaller ile yüzeylerine ekplenir) yerleştirin. Cımbız kullanarak örnekleri çıkarın, IPA ile durulayın, ve bir N2 gun ile kuru.</li>
	<li>Eksfoliasyonlu gevreği incelemek için optik mikroskop kullanın. Yüzey22ile pul optik kontrast değerlendirerek kalınlıklarını tahmin. Yüzey morfolojisi daha iyi ölçmek ve pul kalınlığı ölçmek için ( malzeme tablosunabakın) mod dokunarak atomik kuvvet mikroskopisi (AFM) kullanarak pul görüntü.</li>
</ol>3. Van der Waals heterostructure alanında çalışmaktadır (üst substrat hazırlama) imalatı için PMMA-PVA yöntemi.
<ol><li>Bir cam kaydırağa bağlı Poly (Metil metakrilat) (PMMA) filmine (Şekil 3A-d) yapıştırarak kristal ekilerek transfer prosedürü için üst substrat hazırlayın.<ol>
<li>2,1 adımda açıklanan yordamı izleyin. temiz bir substrat elde etmek için. Aracın kullanım kılavuzunda açıklanan protokolü izleyerek 1 dakika boyunca 3.000 rpm 'de substrat üzerinde Polivinil alkol (PVA) tabakası çevirin. Not: spin coater kullanırken, uygun PPE giyirken bir duman kaputu altında bunu yapmak için önerilir.</li>
		<li>Yüzeyi doğrudan sıcak bir plakaya yerleştirin ve 75 °C ' de 5 dakika boyunca havada ortaya çıkartın.</li>
		<li>Adım 3.1.1 ' a benzer bir prosedür takip ederek adım 3.1.2 alt substrat üzerinde PMMA tabakası spin kat, ama bu kez 1.500 rpm bir açısal hızda iplik parametreleri ayarlamak 1 dakika (Şekil 3A).</li>
		<li>Yüzeyi doğrudan sıcak bir plakaya yerleştirin ve 75 °C ' de 5 dakika boyunca havada ortaya çıkartın.</li>
		<li>Bir bant çerçevesi oluşturmak için kenar boyunca sıcak plaka ve yer parçaları yapıştırıcı bant substrat çıkarın. Daha sonra, adım 2,2 aşağıdaki şekilde PMMA yüzeyinde bir 2D kristalini mekanik olarak peeling yapın (Şekil 3B).</li>
		<li>PMMA 'yı, bant çerçevesini yavaşça soyarak PVA 'dan ayırmak için keskin cımbız kullanın. PMMA tabakası ve Peeling kristal bant çerçevesi ile birlikte PVA ve si/SiO2 substrat (Şekil 3c) ayıracaktır.</li>
		<li>Bant çerçevesini tersine çevirin ve kristalin aşağı doğru bakacak şekilde işlenmiş bir desteğe yerleştirin (şekil 3D). Not: Bu destek, PMMA üzerine peeling incelemek ve istenilen kalınlık ve geometri ile bir pul tanımlamak için bir optik mikroskop altında teyp çerçevesi yerleştirmek için kullanıcı sağlar.</li>
		<li>Keskin cımbız ve optik mikroskop kullanarak küçük bir çamaşır makinesi (0,5 mm iç yarıçapını) tam olarak PMMA filmine yerleştirin (şekil 3D).</li>
		<li>Bir cam slaytı aşağı kaydırın ve maruz kalan bandın üzerine basarak polimerle uyur.</li>
	</ol>
</li>
</ol>4. POLYDİMETHYLSİLOXANE (PDMS) Van der Waals heterostructure alanında çalışmaktadır (üst substrat hazırlama) imalatı için yöntem damgalama.
<ol><li>Hazırlamak bir polipropilen karbonat (PPC) on yedi parça anisole ile üç parça PPC kristal karıştırma spin kaplama için çözüm. Bu, yaklaşık 8 h veya çözüm homojen olana kadar bir karıştırıcı içinde çözüm karışımı vererek yapılır.</li>
	<li>Bir PPC film Kristal Peeling ve daha sonra bir cam slayt (Şekil 4A-d) bağlı bir PDMS damga yerleştirerek transfer prosedürü için üst substrat hazırlayın.<ol>
<li>2,1 adımda yordamı izleyin. temiz bir substrat elde etmek için. Spin Coat 1 dakika (Şekil 4A) 3.000 rpm de substrat üzerinde PPC bir tabaka.</li>
		<li>Yüzeyi doğrudan sıcak bir plakaya yerleştirin ve 75 °C ' de 5 dakika boyunca havada ortaya çıkartın.</li>
		<li>Bir bant çerçevesi oluşturmak için kenar boyunca sıcak plaka ve yer parçaları yapıştırıcı bant substrat çıkarın.</li>
		<li>Mekanik olarak adım 2,2 takip ederek PPC kaplamalı substrat üzerinde 2D katmanlı Kristal Peeling ve istenilen kalınlık ve geometri ile bir pul tanımlamak için optik mikroskop kullanın. (Şekil 4b).</li>
		<li>2 mm x 2 mm kare bir PDMS parçası kesmek ve 50 W ve 53,3 PA 2 dakika için bir oksijen plazma etcher içine yerleştirmek için makas veya cerrahi bıçak kullanın.</li>
		<li>Döngüsünün sonunda, iki birlikte bağ için PDMS damga üzerinde bir cam slayt basın. Aynı döngüye geçmek için cam slayt ve PDMS damgası geri oksijen plazma etcher yerleştirin. Döngü sona erdiğinde cam slaytı çıkarın.</li>
		<li>Cımbız kullanarak, dikkatle bant çerçevesi geri soyma ve pul pul dökülmüş kristal ile PPC film Pick-up (Şekil 4C) ve istenen pul damga üzerinde bulunan gibi PDMS damga yerleştirin.</li>
	</ol>
</li>
</ol>5. PMMA-PVA yöntemi (Şekil 3e-h) kullanarak üst substrat alt substrat için gevreği aktarma.
<ol><li>Transfer kurulumunun alt aşamasına bir substrat yerleştirin. Bu substrat üzerinde, istenilen pul konumunu belirleyin. Bu pul "alt" kristal olacak. Ayrıca, üst substrat (adım 3.1.9 cam slayt) transfer ayarı üst substrat tutucusuna yerleştirin (Şekil 3e).</li>
	<li>Düşük büyütme amacı (5x) kullanarak, alt substrat odak içine getirmek ve merkezi istenilen pul. Hedef alan derinliğine girinceye kadar yavaşça üst substrat alt. Lateral pozisyon ve iki pul rotasyonel hizalama ayarlayın.</li>
	<li>Daha yüksek büyütme amacı (50x) kullanın ve pul hizalamasını ayarlarken üst substrat azaltmaya devam edin. Üst tabaka tamamen alt pul temas kadar aşağı üst substrat. Temas renk ani bir değişiklik ile belirgindir.</li>
	<li>PMMA 'nın alt substrat daha iyi yapışma için 75 °C alt substrat ısı. PMMA cam slayttan (Şekil 3F) ayıracaktır.</li>
	<li>PMMA film (Şekil 3G-h) kaldırmak için adım 2,3 aşağıdaki alt substrat temizleyin.</li>
</ol>6. damgalama yöntemi (Şekil 4d-f) kullanarak üst substrat alt substrat için gevreği aktarma.
<ol><li>Transfer kurulumunun alt aşamasına bir substrat yerleştirin. Bu substrat üzerinde, istenilen pul konumunu belirleyin. Bu pul "alt" kristal olacak. Ayrıca, üst substrat yerleştirin (adım 4.2.5 PDMS ile cam slayt – 4.2.6) transfer ayarı üst substrat tutucusuna (Şekil 4d).</li>
	<li>Alt substrat 100 °C ' ye ısıtın ve ardından 5.2 – 5.4 arasındaki adımları izleyerek üst kristalin alt pul ile temas etmesini yapın (Şekil 4E).</li>
	<li>Bir kez tam temas iki pul (Şekil 4E) arasında yapılır, yavaşça üst substrat yükseltmek. Bu, damgayı alt substrat (Şekil 4F) için üst pul bırakma-off sonuçlanır.</li>
</ol>

<ol><li>Novoselov, K. S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Electric+Field+Effect+in+Atomically+Thin+Carbon+Films%5BTitle%5D)+AND+%22Science%22%5BJournal%5D)">Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Films.</a> Science. 306 (5696), 666(2004).</li>
<li>Novoselov, K. S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Two-dimensional+atomic+crystals%5BTitle%5D)+AND+%22Proceedings+of+the+National+Academy+of+Sciences+of+the+United+States+of+America%22%5BJournal%5D)">Two-dimensional atomic crystals.</a> Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America. 102 (30), 10451(2005).</li>
<li>Zhang, Y., Tan, Y. -W., Stormer, H. L., Kim, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Experimental+observation+of+the+quantum+Hall+effect+and+Berry%27s+phase+in+graphene%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">Experimental observation of the quantum Hall effect and Berry's phase in graphene.</a> Nature. 438, Available from:
 <a target="_blank" href="https://www.nature.com/articles/nature04235#supplementary-information ">https://www.nature.com/articles/nature04235#supplementary-information </a> 201(2005).</li>
<li>Geim, A. K., Van Grigorieva, I. V. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Van+der+Waals+heterostructures%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">Van der Waals heterostructures.</a> Nature. 499, 419(2013).</li>
<li>Song, J. C. W., Gabor, N. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Electron+quantum+metamaterials+in+van+der+Waals+heterostructures%5BTitle%5D)+AND+%22Nature+Nanotechnology%22%5BJournal%5D)">Electron quantum metamaterials in van der Waals heterostructures.</a> Nature Nanotechnology. 13 (11), 986-993 (2018).</li>
<li>Jin, C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Ultrafast+dynamics+in+van+der+Waals+heterostructures%5BTitle%5D)+AND+%22Nature+Nanotechnology%22%5BJournal%5D)">Ultrafast dynamics in van der Waals heterostructures.</a> Nature Nanotechnology. 13 (11), 994-1003 (2018).</li>
<li>Rivera, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Interlayer+valley+excitons+in+heterobilayers+of+transition+metal+dichalcogenides%5BTitle%5D)+AND+%22Nature+Nanotechnology%22%5BJournal%5D)">Interlayer valley excitons in heterobilayers of transition metal dichalcogenides.</a> Nature Nanotechnology. 13 (11), 1004-1015 (2018).</li>
<li>Lu, C. -P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Local%2C+global%2C+and+nonlinear+screening+in+twisted+double-layer+graphene%5BTitle%5D)+AND+%22Proceedings+of+the+National+Academy+of+Sciences+of+the+United+States+of+America%22%5BJournal%5D)">Local, global, and nonlinear screening in twisted double-layer graphene.</a> Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America. , 201606278(2016).</li>
<li>Luican-Mayer, A., Li, G., Andrei, E. Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Atomic+scale+characterization+of+mismatched+graphene+layers%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Electron+Spectroscopy+and+Related+Phenomena%22%5BJournal%5D)">Atomic scale characterization of mismatched graphene layers.</a> Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 219, 92-98 (2017).</li>
<li>Frisenda, R., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Recent+progress+in+the+assembly+of+nanodevices+and+van+der+Waals+heterostructures+by+deterministic+placement+of+2D+materials%5BTitle%5D)+AND+%22Chemical+Society+Reviews%22%5BJournal%5D)">Recent progress in the assembly of nanodevices and van der Waals heterostructures by deterministic placement of 2D materials.</a> Chemical Society Reviews. 47 (1), 53-68 (2018).</li>
<li>Ribeiro-Palau, R., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Twistable+electronics+with+dynamically+rotatable+heterostructures%5BTitle%5D)+AND+%22Science%22%5BJournal%5D)">Twistable electronics with dynamically rotatable heterostructures.</a> Science. 361 (6403), 690-693 (2018).</li>
<li>Kim, K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((van+der+Waals+Heterostructures+with+High+Accuracy+Rotational+Alignment%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Letters%22%5BJournal%5D)">van der Waals Heterostructures with High Accuracy Rotational Alignment.</a> Nano Letters. 16 (3), 1989-1995 (2016).</li>
<li>Cao, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Unconventional+superconductivity+in+magic-angle+graphene+superlattices%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">Unconventional superconductivity in magic-angle graphene superlattices.</a> Nature. 556 (7699), 43(2018).</li>
<li>Luican, A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Single-layer+behavior+and+its+breakdown+in+twisted+graphene+layers%5BTitle%5D)+AND+%22Physical+review+letters%22%5BJournal%5D)">Single-layer behavior and its breakdown in twisted graphene layers.</a> Physical review letters. 106 (12), 126802(2011).</li>
<li>Li, G., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Observation+of+Van+Hove+singularities+in+twisted+graphene+layers%5BTitle%5D)+AND+%22Nature+Physics%22%5BJournal%5D)">Observation of Van Hove singularities in twisted graphene layers.</a> Nature Physics. 6 (2), 109(2010).</li>
<li>Castellanos-Gomez, A., van der Zant, H. S. J., Steele, G. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Folded+MoS2+layers+with+reduced+interlayer+coupling%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Research%22%5BJournal%5D)">Folded MoS2 layers with reduced interlayer coupling.</a> Nano Research. 7 (4), 572-578 (2014).</li>
<li>van der Zande, A. M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Tailoring+the+Electronic+Structure+in+Bilayer+Molybdenum+Disulfide+via+Interlayer+Twist%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Letters%22%5BJournal%5D)">Tailoring the Electronic Structure in Bilayer Molybdenum Disulfide via Interlayer Twist.</a> Nano Letters. 14 (7), 3869-3875 (2014).</li>
<li>Huang, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Probing+the+Interlayer+Coupling+of+Twisted+Bilayer+MoS2+Using+Photoluminescence+Spectroscopy%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Letters%22%5BJournal%5D)">Probing the Interlayer Coupling of Twisted Bilayer MoS2 Using Photoluminescence Spectroscopy.</a> Nano Letters. 14 (10), 5500-5508 (2014).</li>
<li>Liu, K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Evolution+of+interlayer+coupling+in+twisted+molybdenum+disulfide+bilayers%5BTitle%5D)+AND+%22Nature+Communications%22%5BJournal%5D)">Evolution of interlayer coupling in twisted molybdenum disulfide bilayers.</a> Nature Communications. 5, Available from:
 <a target="_blank" href="https://www.nature.com/articles/ncomms5966#supplementary-information">https://www.nature.com/articles/ncomms5966#supplementary-information</a> 4966(2014).</li>
<li>Cao, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Correlated+insulator+behaviour+at+half-filling+in+magic-angle+graphene+superlattices%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">Correlated insulator behaviour at half-filling in magic-angle graphene superlattices.</a> Nature. 556, 80(2018).</li>
<li>Yankowitz, M., et al. Tuning superconductivity in twisted bilayer graphene. , Available from:
 <a target="_blank" href="https://arxiv.org/abs/1808.07865">https://arxiv.org/abs/1808.07865</a> (2018).</li>
<li>Blake, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Making+graphene+visible%5BTitle%5D)+AND+%22Applied+Physics+Letters%22%5BJournal%5D)">Making graphene visible.</a> Applied Physics Letters. 91 (6), 063124(2007).</li>
<li>Lin, Y. -C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Single-Layer+ReS2%3A+Two-Dimensional+Semiconductor+with+Tunable+In-Plane+Anisotropy%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Nano%22%5BJournal%5D)">Single-Layer ReS2: Two-Dimensional Semiconductor with Tunable In-Plane Anisotropy.</a> ACS Nano. 9 (11), 11249-11257 (2015).</li>
<li>Chenet, D. A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((In-Plane+Anisotropy+in+Mono-+and+Few-Layer+ReS2+Probed+by+Raman+Spectroscopy+and+Scanning+Transmission+Electron+Microscopy%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Letters%22%5BJournal%5D)">In-Plane Anisotropy in Mono- and Few-Layer ReS2 Probed by Raman Spectroscopy and Scanning Transmission Electron Microscopy.</a> Nano Letters. 15 (9), 5667-5672 (2015).</li>
<li>Masubuchi, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Autonomous+robotic+searching+and+assembly+of+two-dimensional+crystals+to+build+van+der+Waals+superlattices%5BTitle%5D)+AND+%22Nature+Communications%22%5BJournal%5D)">Autonomous robotic searching and assembly of two-dimensional crystals to build van der Waals superlattices.</a> Nature Communications. 9 (1), 1413(2018).</li>
<li>Ling, X., Wang, H., Huang, S., Xia, F., Dresselhaus, M. S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+renaissance+of+black+phosphorus%5BTitle%5D)+AND+%22Proceedings+of+the+National+Academy+of+Sciences+of+the+United+States+of+America%22%5BJournal%5D)">The renaissance of black phosphorus.</a> Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America. 112 (15), 4523-4530 (2015).</li>
<li>Huang, B., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Layer-dependent+ferromagnetism+in+a+van+der+Waals+crystal+down+to+the+monolayer+limit%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">Layer-dependent ferromagnetism in a van der Waals crystal down to the monolayer limit.</a> Nature. 546, 270(2017).</li>
<li>Kim, H. H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((One+Million+Percent+Tunnel+Magnetoresistance+in+a+Magnetic+van+der+Waals+Heterostructure%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Letters%22%5BJournal%5D)">One Million Percent Tunnel Magnetoresistance in a Magnetic van der Waals Heterostructure.</a> Nano Letters. 18 (8), 4885-4890 (2018).</li>
</ol>

Yazarların ifşa etmesi gereken hiçbir şey yok. Yazarlar hiçbir rekabet mali çıkarları var.

Burada sunulan ev yapımı transfer kurulumu, hem lateral hem de rotasyonel kontrol ile yeni katmanlı malzemeler oluşturmak için bir yöntem sunmaktadır. Literatürde açıklanan diğer çözümlerle karşılaştırıldığında10,25, sistemimiz karmaşık altyapı gerektirmez, ancak 2D kristallerin kontrollü uyum hedefini elde eder.
Prosedürün en kritik adımı, üst kristalin alt kısmına temas etmesi ve hizalamak olmasıdır. Titreşimler başarısız bir hizalam...

İki boyutlu (2D) malzemelerin gelişen alanında araştırma araştırmacılar grafen1,2,3 (bir atomically düz sac karbon atomları) yalıtım etkin bir teknik geliştirdi sonra başladı Grafit. Grafen, aynı zamanda Van der Waals malzeme veya kristaller olarak adlandırılan katmanlı 2D malzemelerin daha büyük bir sınıfın bir üyesidir. Onlar güçlü kovalent intralayer bağ ve zayıf Van der Waals interlayer bağlantı var. Bu nedenle, grafen grafen izolasyon tekniği de bir zayıf interlayer tahvil kırabilir ve tek katmanları izole diğer 2D malzemelere uygulanabilir. Alandaki bir anahtar geliştirme, aynı zamanda iki boyutlu malzemelerin bitişik katmanları tutan Van der Waals tahvil kırık olabilir, onlar da tekrar birlikte2,4koymak olabilir gösteri oldu. Bu nedenle, 2D malzemelerin kristalleri, farklı özelliklere sahip 2D malzemelerin katmanlarını kontrol ederek birleştirerek oluşturulabilir. Bu ilgi büyük bir anlaşma, daha önce doğada varolmayan malzemeler ya da önceden erişilemeyen fiziksel fenomen4,5,6,7 açığa amacı ile oluşturulabilir ,8,9 veya teknoloji uygulamaları için üstün cihazlar geliştirme. Bu nedenle, 2D malzeme istifleme üzerinde hassas kontrol olması araştırma alanında ana hedefleri biri haline gelmiştir10,11,12.
Özellikle, Van der Waals heterostructure alanında çalışmaktadır bitişik katmanları arasındaki büküm açısı malzeme özelliklerini kontrol etmek için önemli bir parametre olarak gösterildi13. Örneğin, bazı açılarda, bitişik katmanlar arasında göreli bir bükülme giriş etkili bir şekilde iki katmanı elektronik olarak ayrıştırabilir. Bu hem grafen14,15 yanı sıra geçiş metal dichalcogenides16,17,18,19incelenmiştir. Daha Geçenlerde, bu şaşırtıcı da bu malzemelerin durumun durumunu değiştirebilirsiniz bulundu. Bu fosfolipid grafen bir "sihirli açı" odaklı keşif düşük sıcaklıklarda bir Mott İzolatör olarak davranır ve elektron yoğunluğu düzgün ayarlı olduğunda bile bir süperiletken büyük ilgi ve açısal kontrol önemini bir gerçekleşmesine yol açtı katmanlı Van der Waals heterostructure alanında çalışmaktadır imal ederken13,20,21.
Motivasyon bilimsel fırsatlar tarafından yeni Van der Waals malzemelerin özelliklerini ayarlama fikri ile katmanlar arasında göreli oryantasyon ayarlayarak açıldı, biz bu tür yapıları oluşturmak için prosedür ile birlikte bir ev inşa enstrüman mevcut açısal kontrol ile.

<table><tbody><tr><td>5X objektif objektif</td><td>Nikon Metrology</td><td>MUE12050</td><td>23,5 mm çalışma mesafesi ve 0,15 sayısal diyafram açıklığı</td></tr><tr><td>50X objektif objektif</td><td>Nikon Metrology</td><td>MUE21500</td><td>19 mm çalışma mesafesi ve 0,4 sayısal diyafram açıklığı</td></tr><tr><td>100X objektif objektif objektif</td><td>Nikon Metrology</td><td>MUE21900</td><td>4,5 mm çalışma mesafesi ve 0,8 sayısal diyafram</td></tr><tr><td>açıklığı Aseton</td><td>Sigma-Aldrich</td><td>270725</td><td>Saflık ve ge; 99,90%</td></tr> <tr><td>Yapışkan bant</td><td>Ultron Systems, Inc.</td><td></td><td></td></tr><tr><td>Anisol</td><td>MicroChem</td><td></td><td></td></tr><tr><td>Atomik kuvvet mikroskobu</td><td>Bruker</td><td>Boyut Simgesi</td><td>ScanAsyst modunu tipikleştiriyoruz</td></tr><tr><td>Alt kademe rotasyon manipülatörü</td><td>Zaber Technologies</td><td>X-RSW60A-PTB2</td><td>360 derece; 4.091 & mu adım boyutuyla hareket edin; rad</td></tr><tr><td>Alt kademe X manipülatör</td><td>Zaber Technologies</td><td>X-LSM025A-PTB2</td><td>47.625 nm adım boyutu ile 25 mm hareket</td></tr><tr><td>mesafesi Alt aşama Y manipülatörü</td><td>Zaber Technologies</td><td>X-LSM025A-PTB2</td><td>47.625 nm adım boyutu ile 25 mm hareket</td></tr><tr><td>Alt kademe Z manipülatörü</td><td>Zaber Technologies</td><td>X-VSR40A-KX14A</td><td>95,25 nm adım boyutu ile 40 mm hareket</td></tr><tr><td>İzopropanol</td><td>Sigma-Aldrich</td><td>563935</td><td>Saflık %99,999</td></tr> <tr><td>LabVIEW yazılımı</td><td>National Instruments</td><td></td><td></td></tr><tr><td>Macor</td><td>McMaster-Carr</td><td>8489K238</td><td></td></tr><tr><td>Mikroskop kamerası</td><td>Zeiss</td><td>426555-0000-000</td><td>5 megapiksel, 47 fps canlı kare hızı, 100 &mu pozlama süresi; s - 2 s, renkli kamera</td></tr><tr><td>Molibden disülfür (MoS2)</td><td>HQ Grafen</td><td></td><td></td></tr><tr><td>Optik breadboard</td><td>Thorlabs, Inc.</td><td>MB4545/M</td><td></td></tr><tr><td>Optik mikroskop</td><td>Nikon Metroloji</td><td>LV150N</td><td></td></tr><tr><td>Oksijen plazma aşındırıcı</td><td>Plazma Etch, Inc.</td><td>PE-50</td><td></td></tr><tr><td>PDMS damgası</td><td>Gel-Pak</td><td>PF-20-X4</td><td></td></tr><tr><td>PMMA 950 A6</td><td>MichroChem Corp.</td><td>M230006 0500L1GL</td><td></td></tr><tr><td>Polipropilen karbonat</td><td>Sigma-Aldrich</td><td>389021-100g</td><td></td></tr><tr><td>PVA Partall # 10</td><td>Kompozitler Kanada</td><td></td><td></td></tr><tr><td>Renyum disülfür (ReS2)</td> <td>HQ Grafen</td><td></td><td></td></tr><tr><td>Si/SiO2 substrat</td><td>Nova Elektronik Malzemeler</td><td>HS39626-OX</td><td></td></tr><tr><td>Spin kaplayıcı</td><td>Laurell Technologies</td><td>WS-650-23</td><td></td></tr><tr><td>Sıcaklık kontrolörü</td><td>Auber Instruments</td><td>SYL-23X2-24</td><td>J tipi bir termokupl aracılığıyla alt kademenin sıcaklığını kontrol eder</td></tr><tr><td>Üst kademe kontrol ünitesi</td><td>Mechonics</td><td>CF.030.0003</td><td></td></tr><tr><td>Üst kademe X manipülatör</td><td>Mechonics</td><td>MS.030.1800</td><td>11 nm adım boyutu ile 18 mm hareket</td></tr><tr><td>Üst kademe Y manipülatörü</td><td>Mechonics</td><td>MS.030.1800</td><td>11 nm basamak boyutu ile 18 mm hareket</td></tr><tr><td>Üst kademe Z manipülatörü</td><td>Mechonics</td><td>MS.030.3000</td><td>30 mm hareket mesafesi, 11 nm basamak boyutu</td></tr><tr><td>Ultrasonik banyo</td><td>Elma Schmidbauer GmbH</td><td>Elmasonic P 30 H</td><td></td></tr></tbody></table>

hassas rotasyonel hizalama ile van der waals heterostructures imalatı

Fabricating van der Waals Heterostructures with Precise Rotational Alignment

Bu çalışmanın içinde, farklı Ultra ince katmanlı 2D materyalleri istifleyerek yeni kristaller (Van der Waals heterostructures) oluşturmak için bir teknik açıklanmaktadır. Biz sadece lateral kontrolü değil, daha da önemlisi, bitişik katmanların açısal hizalamasını da kontrol ediyoruz. Tekniğin çekirdeği, kullanıcının transferde yer alan bireysel kristallerin konumunu kontrol etmesini sağlayan bir ev yapılı transfer kurulumu ile temsil edilir. Bu alt mikrometre (translational) ve alt derece (açısal) hassasiyet ile elde edilir. Onları birlikte istiflemeden önce, izole kristaller, programlanmış bir yazılım arayüzü ile kontrol edilen özel tasarımlı hareketli aşamalar tarafından ayrı olarak yönetilmektedir. Ayrıca, tüm transfer kurulum bilgisayar kontrollü olduğundan, Kullanıcı uzaktan doğru heterostructure alanında çalışmaktadır transfer kurulum ile doğrudan temas olmadan, bu tekniği "Hands-Free" olarak etiketleme oluşturmak olabilir. Transfer kurma hizmeti sunmanın yanı sıra, daha sonra yığılmış kristalleri hazırlamak için iki tekniği de tarif ediyoruz.

Prosedürlerimizin sonuçlarını ve etkinliğini göstermek için, bir dizi açı kontrollü Renyum disülfit (Res2) ince kristallerin yığınlarını sunuyoruz. Açıklanan yöntemin atomically ince katmanlara da uygulanabilir olduğunu vurgulamak için, aynı zamanda molibden disülfür iki nispeten bükülmüş monolayers yapımı örnek (MoS2).
Transfer kurulumunun açısal hizalama yeteneklerini göstermek için Renyum disülfit (Res<s...

Bu çalışmanın içinde, yeni kristaller (Van der Waals heterostructures) oluşturmak için kullanılan bir tekniği, pozisyon ve göreli oryantasyon üzerinde hassas kontrol sağlayan ultra ince katmanlı 2D malzemeleri istifleyerek tarif ediyoruz.

Hassas rotasyonel hizalama ile Van der Waals Heterostructures imalatı

In this work we describe a technique for creating new crystals (van der Waals heterostructures) by stacking distinct ultrathin layered 2D materials. We ...

Bu protokol, daha önce ulaşılamayan fiziksel fenomenleri ortaya çıkarmak veya teknolojik uygulamalar için üstün cihazlar geliştirmek amacıyla doğada daha önce var olmayan malzemelerin oluşturulmasına olanak sağlar. Bu tekniğin en büyük avantajı, ekipmanın uzaktan ve bir ortam kontrolünde çalıştırılabiliyor olması ve bu durum manuel hata riskini azaltabilir ve aynı zamanda numune temizliğini artırabilir. Ayrıca, sistem bir dönme aşaması ile donatılmıştır, ve bu kullanıcı iki pul arasında alt derece açısal hizalama ulaşmak için izin verir.İnce kristaller ve küçük yüzey alanları ile çalışırken, uygun büyüklükte bir pulun tanımlanması eğitimsiz göze zor layıcı olabilir. Ayrıca, kristalin küçük boyutu aktarım işlemi sırasında kolayca yanlış hizalamaya yol açabilir. Bu nedenle bu adımları titizlikle yürütülmesi önerilir.Protokoldeki birçok adım, açıklanması zor belirli ayrıntılara sahiptir, ancak görsel olarak sunulduğunda takip etmesi çok daha kolaydır. Aktarım işlemini görselleştirmek için, parlak alan aydınlatması altında çalışabilen optik mikroskoptan yararlanın. Mikroskobu 5x, 50x ve 100x uzun çalışma mesafesi hedefleri ile donatın.Mikroskop aynı zamanda bilgisayara bağlanan bir kamera ile donatılmış olmalıdır. Kristallerin konumunu tek tek kontrol etmek için burada gösterilen iki ayrı manipülatörü donatın. Bir cam slayt destekleyebilir özel örnek tutucular imal.Bu örnek tutucu, üst kristali konumlandırmak için kullanılacaktır. Alt manipülatörler için, işlenmiş cam seramik tutucuya düz bir ısıtma elemanı yerleştirin ve dönen sahneye yapıştırın. Daha sonra, ısıtma elemanını bir güç kaynağına ve sıcaklık kontrol ünitesine bağlayın.Aseton dolu bir kabın içinde silikon silikon oksit gofretbir bir-by-one-santimetre kare batırın ve sonra bir ultrasonik temizleyici içine beher yerleştirin. 10 dakika sonra, beher gelen gofret kaldırmak ve izopropanol ile durulayın, sonra bir azot tabancası kullanarak gofret kuru bir çift cımbız kullanın. Daha sonra, kristalin bir kısmını dikkatlice çıkarın ve yarı iletken dereceli yapışkan bant parçasının üzerine yerleştirin.İkinci bir yapışkan bant alın ve kristali tutan ilk teyp üzerinde sıkıca bastırın. Birkaç kez tekrarlayarak, kristal birçok ince parçalar üretmek için bant iki parça soyma. Taze temizlenmiş bir substrat üzerine ince 2D kristalleri ile yapışkan bant basın, kristal substrat ile doğrudan temas halinde olduğu gibi ve substrat üzerinde peeling pulları bırakmak için bant soyma.Kalan yapıştırıcıyı çıkarmak için, elde edilen örneği aseton dolu bir kabın içine yerleştirin. 10 dakika sonra, numuneyi çıkarın, isopropanol ile durulayın ve azot tabancası ile kurulayın. Pulun optik kontrastını substratla değerlendirerek kalınlıklarını tahmin etmek için optik mikroskop kullanarak eksfoliye pulları inceleyin.Ardından, yüzey morfolojisini daha iyi ölçmek ve pul kalınlığını ölçmek için dokunma modunda AFM'yi kullanın. Bağlı bir polimetilmetakrilat film ile cam bir slayt üzerinde kristal peeling tarafından transfer işlemi için üst substrat hazırlayın. Daha önce gösterildiği gibi temiz bir substrat elde ettikten sonra, bir spin coater üzerine substrat yerleştirin ve polivinil alkol ile kaplayın.Yaklaşık 450 nanometre kalınlığında bir tabaka üretmek için bir dakika için 3,000 RPM'de substratı döndürün. Daha sonra, bir sıcak plaka üzerine doğrudan substrat yerleştirin ve beş dakika boyunca 75 santigrat derece ortaya pişirin. Soğuduktan sonra, substratgeri spin coater üzerine yerleştirin ve polimetilmetakrilat ile kaplayın.Spin kat pmma bir dakika için 1, 500 RPM substrat üzerine PMMA bir 820 nanometre kalınlığında tabaka. Spin kaplama sonra, sıcak plaka üzerine geri substrat yerleştirin ve 75 santigrat derece ortaya fırında. Beş dakika sonra, alt tabakayı sıcak plakadan çıkarın ve bant çerçevesi oluşturmak için kenarlarına yapışkan bant parçaları yerleştirin.Daha sonra, bir önceki bölümde gösterildiği gibi PMMA yüzeyine mekanik olarak 2B kristal imal edin. PMMA'yı PVA'dan ayırmak için keskin bir cımbız kullanın ve bant çerçevesini yavaşça soyun. PMMA tabakası ve eksfoliye kristal, bant çerçevesi ile birlikte, silikon-oksit-gofret substrat PVA ayıracak.Ardından, teyp çerçevesini ters çevirin ve kristalin aşağıya bakacak şekilde işlenmiş bir desteğe yerleştirin. Numuneyi optik mikroskobun altına yerleştirin ve pmma filmine tam olarak küçük bir yıkAyıcama yerleştirmek için bir çift keskin cımbız kullanın, böylece istenilen pulu çevreleyin. Daha sonra, bir cam slayt indirin ve maruz bant karşı basarak polimer yapıştırın.Hazırlanan substratı transfer kurulumunun alt aşamasına yerleştirin. Bu alt tabakada, istenilen pulun konumunu belirleyin. Bu pul alt kristal olacak.Daha sonra, üst substrat transfer kurulumu üst substrat sahibi içine yerleştirin. Düşük büyütme hedefi kullanarak, alt tabakayı odak haline getirin ve istenilen pulu ortalayın. Hedef tarafından görülene kadar üst tabakayı yavaşça indirin.Daha sonra, yanal konumunu ve iki pul dönme hizalama ayarlayın. Pullar istenildiği gibi hizalanmaya yakın olduğunda, 50x hedefine geçin ve pul hizasını ayarlarken üst yüzeyi indirmeye devam edin. Daha sonra, bir kez hizalanmış, üst pul tamamen alt pul temas edene kadar üst substrat düşürün.Temas renk ani bir değişiklik nedeniyle fark edilir. Temas yapıldığında, PMMA'nın alt alt tabakaya daha iyi yapışması için alt yüzeyi 75 santigrat dereceye ısıtın. PMMA cam kaydıraktan ayıracaktır.Ardından, PMMA filmini çıkarmak için alt tabakayı temizleyin. Pul transferi damgalama yöntemini kullanmak için, ilk olarak alt katmanı transfer kurulumunun alt aşamasına yerleştirin. Bu substrat üzerinde, alt kristal olacak istenilen pul konumunu belirleyin.Daha sonra, üst substrat transfer kurulum sahibi içine yerleştirin ve 100 derece Santigrat alt substrat ısı. Daha sonra, hizalayın ve alt pul ile temas üst kristal getirmek. Bir kez tam temas iki pul arasında yapılır, yavaş yavaş üst substrat yükseltmek.Bu, puldan alt tabakaya üst pulun düşmesiyle sonuçlanır. Rhenium disülfür kristalleri açısal hizalama göstermek için idealdir, mekanik iyi tanımlanmış kenarları ile uzatılmış çubuklar olarak exfoliates çünkü. Burada, üst pul bu videoda gösterilen PDMS damgalama yöntemi kullanılarak alt kristal75 derecelik bir açıyla yerleştirildi.Atomik kuvvet mikroskobu, üst ve alt pullar arasındaki büküm açısını tam olarak ölçmek için kullanılmıştır. PMMA PVA yordamı kullanılarak, transfer kurulumu başarılı mobibdenum disülfür iki monokatmanlı pul oluşan bir yapı oluşturmak için kullanılmıştır. Bireysel monolayers burada PMMA ve silikon-dioksit üzerine peeling gösterilir.Gösterilen prosedür optik mikroskop ile burada gösterilen yapıda sonuçlanır. Yığılmış monolayer kalınlığı ve göreli konumu gibi daha fazla ayrıntı, AFM kullanılarak teyit edilebilir. Bu işlemin en önemli kısımları pulların yanal ve dönme hizalamasIdır.Diğer transfer yöntemleri mevcut ve benzer bir protokol izleyin ve farklı polimerler ve iki boyutlu kristaller belirli yapıları imal etmek için kullanılabilir. Ve tabii ki, ek temizleme yöntemleri bozulmamış kristal yüzeyler ve arayüzler sağlamak için kullanılabilir. PMMA, aseton ve diğerleri gibi kimyasallar kullanırken, uygun kişisel koruyucu ekipman giymek ve bir duman başlık gibi iyi havalandırılmış bir ortamda adımları yürütmek için emin olun.

fabricating-van-der-waals-heterostructures-with-precise-rotational

Research

JoVE Journal

Engineering

Mühendislik

Elektriksel adresli, yüksek boy oranı (&gt; 1000:1) 'nin üretim şablon olarak kurban alüminyum ve gümüş tabakaları veya kendini monte mono tabakaları kullanarak tek nanometre boşluklar ile ayrılmış metal nanotellerin açıklanmıştır. Bu nanogap yapılar nanoskiving olarak bilinen kenar litografi biçimi ile bir temiz oda veya herhangi bir fotoğraf ya da elektron-ışın taşbaskı süreçleri olmadan üretilmektedir.

Nanoskiving tarafından Nanogaps imalatı

Düzgün bir muhafazayı gerçekleştirmek için iki silikon gofretleri kalıcı olarak yapıştırmak için bir yöntem açıklanmıştır. Buna gofret hazırlama, temizleme, RT yapıştırma ve tavlama işlemleri dahildir. Elde edilen bağlı gofretler (hücreler) kasanın homojenliğine sahiptir ~%11,2. Elde edilen geometri, sınırlı sıvıların ve gazların ölçülerine izin verir.

Silikon Doğrudan Gofret Yapıştırma ile Tek tip Nano ölçekli Boşlukların İmalatı

Yüzey modelleme için Taramalı Tünelleme Mikroskobunun atomik metrolojisini seçici Atomik Katman Biriktirme ve Reaktif İyon Aşındırma ile birleştirmek için bir protokol rapor ediyoruz. Çok sayıda atmosferik maruziyet ve taşımayı içeren sağlam bir süreç kullanılarak, atomik metrolojiye sahip 3D nanoyapılar üretilir.

Atomik İzlenebilir Nanoyapı İmalatı

Bu yazıda, biz Moskof Mika esnek kurşun zirkonyum titanate bellek öğesini doğrudan bir Epitaksiyel henüz büyümeye bir iletişim kuralı mevcut.

Bir imalat ve Van Der Waals Heteroepitaxy dayanan esnek bir Ferroelectric öğesi için ölçüm yöntemi

Vienna Ab initio Simülasyon Paketi tarafından yapılan hesaplamalar, nano ölçekli malzemelerin içsel elektronik özelliklerini belirlemek ve potansiyel su yarma fotokatalizörlerini tahmin etmek için kullanılabilir.

Tek Boyutlu Van Der Waals Heteroyapılarda İlk İlkeler Hesaplamaları Kullanılarak Sonda Tip II Bant Hizalama

Burada, istiflenmiş metal-yalıtkan-metal yapısı için iletim elektron mikroskopisi (TEM) ile yerinde önyargı sırasındaki nanoyapısal değişikliklerin analiz edildiği bir protokol sunulmaktadır. Yeni nesil programlanabilir mantık devreleri ve nöromimicking donanımları için dirençli anahtarlama çapraz çubuklarında, temel çalışma mekanizmalarını ve pratik uygulanabilirliklerini ortaya çıkarmak için önemli uygulamalara sahiptir.

Karışık Fazlı a -VOx'e Dayalı Asimetrik Çapraz Çubukların Önyargılı ve İmalatlı Yerinde İletim Elektron Mikroskopisi

Bu makale, yüksek düzeyde ayarlanabilir, özel yapım bir transfer kurulumuna dayalı olarak modifiye edilmiş bir kuru transfer tekniği kullanan, hassas büküm açılarına sahip yüksek kaliteli grafen bazlı hareli süper kafes cihazları üretmek için optimize edilmiş, deneyime dayalı bir protokol sunmaktadır.

Yüksek Kaliteli Grafen Bazlı Moiré Superlattice Cihazları için Optimize Edilmiş Üretim Prosedürü

Bu çalışma, iki boyutlu malzemelerin tek pullarını üretmek ve bunları yalnızca van der Waals etkileşimlerini kullanarak karmaşık heteroyapılara monte etmek için kalıntı içermeyen bir üretim metodolojisi sunmaktadır. Teknik, harici maddelere ve özel deneysel koşullara olan ihtiyacı ortadan kaldırarak, aşağıdan yukarıya, yukarıdan aşağıya ve modüler istifleme işlemleri yoluyla karmaşık heteroyapı montajlarını mümkün kılar.

İki Boyutlu Malzemelerin Van der Waals Heteroyapılarının Kalıntısız İmalatı

Terahertz frekanslarda metamalzemeler eşsiz fırsatlar sunuyoruz, ancak toplu olarak imal meydan okuyorlar. Biz ucuza endüstriyel ölçekte potansiyel metamalzemeler imal microstructured polimer optik lifler için üretim prosedürü adapte. Biz Terahertz plasmonik tepki gösterirler ~ 100 mikron, ayrılmış ~ 10 mikron çaplı indiyum tel içeren polimetilmetakrilat elyaf üretmek.

Fiber Çizim Yöntemi Kullanma Fabricating meta malzeme

Biz analitik tanımlanan çoklu parçacık fonon hapsi modeli kullanılarak Raman spektroskopisi kullanılarak nicel bir şekilde yarı iletken nanokristallerin büyüklüğü dağılımını belirlemek için nasıl gösterilmektedir. Elde edilen sonuçlar transmisyon elektron mikroskobu ve fotoluminesans spektroskopisi gibi diğer boyut analiz teknikleri ile mükemmel bir uyum içindedir.

Multi-parçacık Phonon Confinement Modeli ile Raman Spektroskopisi kullanarak nano-kristal Boyut Dağılımı Karakterizasyonu

Öğrenin, van der Waals heterostructures üretmek için hassas rotasyonel hizalama tekniğini. Bu yöntem, uzaktan kontrol ile manuel hata riskini azaltır ve örnek temizliğini artırır.

Hassas rotasyonel hizalama ile Van der Waals Heterostructures imalatı

Daha fazla video keşfet