ai_agent_IP

ai_agent

maintenance

instantTrialDurationMinutes

isBiopharma

enableNewMyJoveSectionDesign

educationFeatures

seoMetaApi

ai_copilot_institution_blacklist

ai_chat_institution_blacklist

freeAccessWindow

ssoRoleCapture

scheduledMaintenanceBanner

joveLabsFeatures

disable_autoplay_for_bots

extended_trial_duration

5 minutes

<ol>
	<li>Zhao T, et al. Prediction of higher thermoelectric performance in BiOCuSe by weakening electron-polar optical phonon scattering. J Mater Chem A. 2020;8(47):25245-25254.</li>
	<li>Ben-Nana M, Abbassi A, Elhadadi B. Rb&#8322;XCl&#8326; (X = Zr, Te, Pt): promising materials for high-temperature thermoelectric power generation. In: 2025 International Conference on Circuit, Systems and Communication (ICCSC). IEEE; 2025:1-7.</li>
	<li>Hu K, Han J, Xu B, Lin Y-H. Thermoelectric power factor of doped Bi&#8322;O&#8322;Se: a computational study. Phys Chem Chem Phys. 2020;22:27096-27104.</li>
	<li>Li S, et al. High thermoelectric power factor in Ni-Fe alloy for active cooling applications. Mater Horiz. 2025;12:6956-6966.</li>
	<li>Sun Y, et al. Strategies to improve the thermoelectric figure of merit in thermoelectric functional materials. Front Chem. 2022;10:865281.</li>
	<li>Hu B, et al. Advances in flexible thermoelectric materials and devices fabricated by magnetron sputtering. Small Sci. 2025;5:2300061.</li>
	<li>Gong T, et al. Ultrahigh power factor of sputtered nanocrystalline n-type Bi&#8322;Te&#8323; thin film via vacancy defect modulation and Ti additives. Adv Sci. 2024;11:2403845.</li>
	<li>Wang R, et al. Optimization of thermoelectric property of n-type Mg&#8323;Sb&#8322; near room temperature via Mn and Se co-doping. Adv Sustain Syst. 2023;7(11):2300234.</li>
	<li>Kumar A, et al. Thermoelectric properties of GaN with carrier concentration modulation: an experimental and theoretical investigation. Phys. Chem. Chem. Phys. 2021;23(2):1601-1609.</li>
	<li>Musah J, et al. Ultralow thermal conductivity in dual-doped n-type Bi&#8322;Te&#8323; material for enhanced thermoelectric properties. Adv Electron Mater. 2021;7(2):2000910.</li>
	<li>Jang H, et al. Comparative study of thermoelectric properties of Sb&#8322;Si&#8322;Te&#8326; and Bi&#8322;Si&#8322;Te&#8326;. ACS Appl Mater Interfaces. 2022;14:1270-1279.</li>
	<li>Ye W, Du P, Xiao S, Li M. Effect of annealing temperature on properties of WS&#8322; thin films. Surf Eng. 2022;38:411-416.</li>
	<li>Singh A, Kamboj VS, Barnes CHW, Hesjedal T. Magnetotransport measurements in overdoped Mn:Bi&#8322;Te&#8323; thin films. Crystals (Basel). 2025;15:557.</li>
	<li>Gadhavajhala SSS, et al. Magnetic frameworks and non-magnetic dopants: a novel strategy for enhancing thermoelectric efficiency in manganese telluride-mechanistic insights into charge carrier dynamics and phonon transport. Small. 2025;21(25):2411481.</li>
	<li>Wei M, et al. Directional thermal diffusion realizing inorganic Sb&#8322;Te&#8323;/Te hybrid thin films with high thermoelectric performance and flexibility. Adv Funct Mater. 2022;32(45):2207903.</li>
	<li>Chen X, et al. Flame doping of indium ions into TiO&#8322; nanorod arrays for enhanced photochemical water oxidation. Dalton Trans. 2023;52:14747-14751.</li>
	<li>Zhao Y, Ding W, Xiao Y, Yang P. Manipulating the optoelectronic characteristic of AZO films by magnetron sputtering power. Vacuum. 2023;210:111849.</li>
	<li>Kander NS, et al. The role of Mn in Bi2-xMnxTe3&#160;topological insulator: structural, compositional, magnetic, and weak anti-localization property analysis. J Mater Sci Mater Electron. 2023;34:1198.</li>
	<li>Kavita, Gupta V, Ranjeet. Structural and morphological properties of nanostructured Bi&#8322;Te&#8323; with Mn-doping for thermoelectric applications. Mater Today Proc. 2022;54:820-826.</li>
	<li>Bibby J, et al. Synthesis of nanocrystalline Mn-doped Bi&#8322;Te&#8323; thin films via magnetron sputtering. Crystals (Basel). 2025;15:54.</li>
	<li>Tang X, et al. A comprehensive review on Bi&#8322;Te&#8323;-based thin films: thermoelectrics and beyond. Interdiscip Mater. 2022;1:88-115.</li>
	<li>Islam R, et al. Modulating Mn-doped NiO nanoparticles: structural, optical, and electrical property tailoring for enhanced hole transport layers. Nanoscale Adv. 2025;7:133-143.</li>
	<li>Ahmad Musri N, et al. Fabrication of Bi&#8322;Te&#8323; and Sb&#8322;Te&#8323; thermoelectric thin films using radio frequency magnetron sputtering technique. J Vis Exp. 2024;(207):e66248.</li>
	<li>Adam AM, et al. Optical properties of thin Bi&#8322;Te&#8323; films synthesized by different techniques. Superlattices Microstruct. 2021;155:106909.</li>
	<li>Ali Z, Dawood AL-Niaimi A. Structural and electrical characterizations of new synthesized PVA/PoPDA-rGO-ZnO nanocomposite. Egypt J Chem. 2021;65(4):761-770.</li>
	<li>Kabekkodu SN, Dosen A, Blanton TN. PDF-5+: a comprehensive Powder Diffraction File for materials characterization. Powder Diffr. 2024;39:47-59.</li>
	<li>Kawsar Md, et al. Synthesis of nano-crystallite hydroxyapatites in different media and a comparative study for estimation of crystallite size using Scherrer method, Halder-Wagner method size-strain plot, and Williamson-Hall model. Heliyon. 2024;10:e25347.</li>
	<li>Fatimah S, Ragadhita R, Husaeni DF Al, Nandiyanto ABD. How to calculate crystallite size from X-ray diffraction using Scherrer method. ASEAN J Sci Eng. 2021;2:65-76.</li>
	<li>Mongkolsuttirat K, Buajarern J. Uncertainty evaluation of crystallite size measurements of nanoparticle using X-ray diffraction analysis. J Phys Conf Ser. 2021;1719:012054.</li>
	<li>Ateia EE, et al. A comparative approach for estimating microstructural characteristics of BaTi1-xZrxO&#8323; (0.0 &#8804; x &#8804; 0.3) nanoparticles via X-ray diffraction patterns. J Solgel Sci Technol. 2024;110:887-899.</li>
	<li>Abdul-Jabbar SS, Harbi KH. A study of the relationship between the two types of crystallite dislocation density and the particle size of barium oxide (BaO) nanoparticle. Ibn Al-Haitham J Pure Appl Sci. 2024;37:193-202.</li>
	<li>Ahmad M, Agarwal K, Mehta BR. An anomalously high Seebeck coefficient and power factor in ultrathin Bi&#8322;Te&#8323; film: spin-orbit interaction. J Appl Phys. 2020;128(3):035108.</li>
	<li>Lou L, et al. Tunable electrical conductivity and simultaneously enhanced thermoelectric and mechanical properties in n-type Bi&#8322;Te&#8323;. Adv Sci. 2022;9(27):2203250.</li>
	<li>Wang Y, et al. Enhancement of NIR-II emission of Er3&#8314; by doping Fe3&#8314; in double perovskites: multimode luminescence for versatile optoelectronic applications. Angew Chem Int Ed. 2025;137(4):e202416021.</li>
	<li>Isram M, et al. Impact of Mg doping on structural, morphological and thermoelectric properties of SnO&#8322; nanoparticles: a combined experimental-theoretical investigation. Molecules. 2025;30:4135.</li>
	<li>Korkmaz L, et al. Insights into the structural, microstructural and thermoelectric properties of Ce/Cr co-doped CaMnO&#8323; manganites. J Mater Sci Mater Electron. 2025;36:1004.</li>
	<li>Saleh A. Improvement of the optical properties of Zn-doped MnO nanocomposites thin films. Passer J Basic Appl Sci. 2023;5:348-355.</li>
	<li>Arif D, et al. Influence of defects on the enhancement of thermoelectric properties in Sn-doped ZnO nanostructure synthesized via hydrothermal route. Front Chem. 2025;13:1598509.</li>
	<li>Rana VS, Rajput JK, Pathak TK, Pal PK, Purohit LP. Impact of RF sputtering power on AZO thin films for flexible electro-optical applications. Cryst Res Technol. 2021;56(4):2000144.</li>
	<li>Lanchero &#193;P, et al. Impact of Mn/Co substitution on magnetoelectric and structural properties of ZnO nanostructures thin films. Heliyon. 2025;11:e42337.</li>
	<li>Othman NA, et al. Effects of radio-frequency power on structural properties and morphology of AlGaN thin film prepared by co-sputtering technique. ELEKTRIKA. 2021;20:14-18.</li>
	<li>Vadakepurathu F, Rana M. Electrical, optical and thermal properties of Ge-Si-Sn-O thin films. Materials. 2024;17:3318.</li>
	<li>Kim H-M, et al. Atomic layer deposition for nanoscale oxide semiconductor thin film transistors: review and outlook. Int J Extrem Manuf. 2023;5:012006.</li>
	<li>Hadia NMA, et al. Structural, optical and electrical properties of Bi2-xMnxTe3&#160;thin films. J Mater Sci Mater Electron. 2022;33:158-166.</li>
	<li>Wu H, et al. Improved thermoelectric and mechanical performance of Sb&#8322;Te&#8323;-based materials toward the segmented operation. Mater Today Energy. 2022;27:101045.</li>
	<li>Wang R, et al. Optimization of thermoelectric property of n-type Mg&#8323;Sb&#8322; near room temperature via Mn and Se co-doping. Adv Sustain Syst. 2023;7(11):2300234.</li>
	<li>Hegde GS, Prabhu AN, Rao A, Chattopadhyay MK. Enhancement in thermoelectric figure of merit of bismuth telluride system due to tin and selenium co-doping. Mater Sci Semicond Process. 2021;127:105645.</li>
	<li>Osmic E, Barzola-Quiquia J, Winnerl S, B&#246;hlmann W, H&#228;ussler P. Thermopower and resistivity of the topological insulator Bi&#8322;Te&#8323; in the amorphous and crystalline phase. J Phys Condens Matter. 2024;36:355001.</li>
	<li>Singha P, et al. Enhancement of electron mobility and thermoelectric power factor of cobalt-doped n-type Bi&#8322;Te&#8323;. Int J Energy Res. 2022;46:17029-17042.</li>
	<li>Sitnicka J, et al. Systemic consequences of disorder in magnetically self-organized topological MnBi&#8322;Te&#8324;/(Bi&#8322;Te&#8323;)n&#160;superlattices. 2D Mater. 2022;9:015026.</li>
	<li>Jiang Y, et al. Evolution of defect structures leading to high ZT in GeTe-based thermoelectric materials. Nat Commun. 2022;13:6087.</li>
	<li>Chen X, et al. Excellent thermoelectric performance of boron-doped n-type Mg&#8323;Sb&#8322;-based materials via the manipulation of grain boundary scattering and control of Mg content. Sci China Mater. 2021;64:1761-1769.</li>
	<li>Bugalia A, Gupta V, Pandey A. Improvement in thermoelectric properties of Zn-Mn co-doped nanostructured SnTe through band engineering and chemical bond softening. J Phys D Appl Phys. 2024;57:195502.</li>
	<li>Zhou M, et al. Enhancement of thermoelectric performance for InTe by selective substitution and grain size modulation. Crystals (Basel). 2023;13:601.</li>
	<li>Dur&#225;n I, et al. High conductivity and thermoelectric power factor in p-type MoS&#8322; nanosheets. ACS Appl Energy Mater. 2025;8:3500-3508.</li>
	<li>Bourg&#232;s C, et al. Investigation of Mn single and co-doping in thermoelectric CoSb&#8323;-skutterudite: a way toward a beneficial composite effect. ACS Appl Energy Mater. 2023;6:9646-9656.</li>
	<li>Nguyen TAK, et al. Effects of RF magnetron sputtering power on the mechanical behavior of Zr-Cu-based metallic glass thin films. Nanomaterials. 2023;13:2677.</li>
	<li>Wang G, et al. Boosting thermoelectric performance of Bi&#8322;Te&#8323; material by microstructure engineering. Adv Sci. 2024;11(6):2308056.</li>
	<li>Chaiwas S, et al. Enhanced thermoelectric power factor of magnetron co-sputtered Pd-added Bi&#8322;Te&#8323; thin films. Vacuum. 2024;230:113696.</li>
	<li>Jha R, et al. High thermoelectric performance of p-type Fe&#8322;V&#8320;.&#8328;Mn&#8320;.&#8322;Al Heusler alloy thin films grown on insulating oxide substrates. Sci Technol Adv Mater. 2025;26(1):2512705.</li>
	<li>Abinaya C, et al. The effect of post-deposition annealing conditions on structural and thermoelectric properties of sputtered copper oxide films. RSC Adv. 2020;10:29394-29401.</li>
	<li>Tao X, et al. Exceptional performance of room-temperature sputtered flexible thermoelectric thin film using high target utilisation sputtering technique. Adv Mater Technol. 2024;9(6):2301958.</li>
	<li>Dolabella S, Borz&#236; A, Dommann A, Neels A. Lattice strain and defects analysis in nanostructured semiconductor materials and devices by high-resolution X-ray diffraction: theoretical and practical aspects. Small Methods. 2022;6(2):2100932.</li>
	<li>Dores BS, Maciel MJ, Correia JH, Vieira EMF. Toward enhancing the thermoelectric properties of Bi&#8322;Te&#8323; and Sb&#8322;Te&#8323; alloys by co-evaporation of Bi&#8322;Te&#8323;:Bi and Sb&#8322;Te&#8323;:Te. Nanomaterials. 2025;15:299.</li>
	<li>Morgan KA, Zeimpekis I, Feng Z, Hewak D. Enhancing thermoelectric properties of bismuth telluride and germanium telluride thin films for wearable energy harvesting. Thin Solid Films. 2022;741:139015.</li>
	<li>Helt A, et al. MgCuSb as a suitable electrode for contacting pre-compacted pellets of MgAgSb thermoelectric material. Sci Technol Adv Mater. 2025;26(1):2506982.</li>
</ol>

<table><tbody><tr><td>Aseton (&ge; 99.5%)</td><td>Merck</td><td>100012</td><td>Substrat temizleme çözücüsü</td></tr><tr><td>Alüminyum folyo</td><td>Pospaperroll</td><td>86871915</td><td>Oda astarı ve taban tutucu kaplama</td></tr><tr><td>Argon gazı (Ar)</td><td>Gaslink Endüstriyel Gazlar Sdn. Bhd.</td><td>N/A (dağıtıcı tarafından sağlanıyor)</td><td>Çalışan gaz tüskürmesi; 4 sccm akış; 5.0. sınıf (%99.999)</td></tr><tr><td>Bismut tellürür sıçrama hedefi, çapı 50,8 mm, kalınlığı 4,25 mm, %99,999</td><td>Changsha Xinkang İleri Malzemeler A.Ş., Ltd.</td><td>xk-Bi2Te3</td><td>Bi2Te3 hedef; sabit RF gücü = 100 W</td></tr><tr><td>Deionize su</td><td>Şirket içi</td><td>Yok</td><td>Substrat durulama ve ultrasonik temizleme</td></tr><tr><td>Enerji dağıtıcı X-ışını spektroskopisi dedektörü</td><td>FESEM sistemiyle entegre</td><td>Yok</td><td>İnce film bileşim analizi</td></tr><tr><td>Alan emisyonlu taramalı elektron mikroskobu</td><td>Carl Zeiss</td><td>SUPRA 55VP</td><td>Yüzey mikroyapı görüntüleme</td></tr><tr><td>Cam tabanlar, soda-kireç camı, 1,1 mm kalınlıkta</td><td>Mevid</td><td>B105-2002</td><td>İnce film biriktirme için substrat</td></tr><tr><td>Sıcak plaka</td><td>IKA</td><td>C-MAG HS 7</td><td>393 K'da substrat kurutma</td></tr><tr><td>İzopropil alkol (&ge; 99.8%)</td><td>Merck</td><td>109634</td><td>Substrat temizleme çözücüsü</td></tr><tr><td>Laboratuvar deterjanı</td><td>Merck</td><td>107553</td><td>İlk substrat temizliği</td></tr><tr><td>Soğutucu dolaşım ünitesi</td><td>Fisher Scientific</td><td>250LCU</td><td>Sputter tabancaları için soğutma sirkülasyonu</td></tr><tr><td>Metanol (&ge; 99.9%)</td><td>Merck</td><td>106009</td><td>Substrat temizleme çözücüsü</td></tr><tr><td>Manganez sıçrama hedefi, 50,8 mm çap, 5,08 mm kalınlık, %99,999</td><td>Hunan Boyu Teknoloji A.Ş., Ltd.</td><td>Yok</td><td>Mn hedefi; RF gücü 0 ile 15 W arasında değişiyordu</td></tr><tr><td>Multimetre</td><td>RS PRO</td><td>EN61010-1 CATIII</td><td>Elektriksel izolasyon doğrulaması</td></tr><tr><td>Azot gazı (N2)</td><td>Gaslink Endüstriyel Gazlar Sdn. Bhd.</td><td>N/A (dağıtıcı tarafından sağlanıyor)</td><td>Temizlikten sonra substrat kurutması; Not 4.0 (%99.99)</td></tr><tr><td>Petri kabı kapağı</td><td>Merck</td><td>41121812</td><td>Odadan görüntü penceresi koruması; yaklaşık 94 mm çapı ve zamanı; 16 mm yükseklik</td></tr><tr><td>RF magnetron sputtering sistemi</td><td>Özel yapım</td><td>Yok</td><td>Bi2Te3 ve Mn ince filmlerinin birlikte sputterlenmesi</td></tr><tr><td>Platin adaptörlü Seebeck/direnç ölçüm sistemi</td><td>Linseis</td><td>LSR-3 (LSR L31)</td><td>Seebeck katsayısı ve elektriksel direnç ölçümleri</td></tr><tr><td>Cizbit</td><td>Fisher Scientific</td><td>10-316B</td><td>Temizlenmiş substratların ele alınması</td></tr><tr><td>Ultrasonik banyo</td><td>Elma</td><td>ElmaSonic S30H</td><td>Metanol, aseton, izopropil alkol ve DI suyu için çözücü temizliği</td></tr><tr><td>UV&ndash; Ozon Temizleyici</td><td>Novascan Teknolojileri</td><td>PSDP-UV4</td><td>Substrat yüzey tedavisi</td></tr><tr><td>Vakumlu depolama konteyneri</td><td>TEK BIR Şirket olarak</td><td>VM</td><td>Depolamadan sonra numune depolama</td></tr><tr><td>Kalem profilometresi</td><td>Bruker</td><td>DektakXT</td><td>İnce film kalınlığı ölçümü</td></tr><tr><td>X-ışını difraktometresi</td><td>Bruker</td><td>D8 ADVANCE</td><td>&theta; &ndash; 2&theta; Cu K&alpha kullanılarak XRD taramaları; Radyasyon</td></tr><tr><td>DIFFRAK. EVA</td><td>Bruker</td><td>DIFFRAK. EVA sürüm 8</td><td>Tepe uyumu, kırınım analizi ve grafik çizimi</td></tr><tr><td>Köken</td><td>OriginLab</td><td>OriginPro (64-bit)</td><td>Zirve uyumu ve grafik çizimi</td></tr></tbody></table>

bi2te3 İnce filmlerin manganez ko-sputtering ile termoelektrik Özelliklerini geliştirmek

Improving Thermoelectric Properties of Bi2Te3 Thin Films By Manganese Co-Sputtering

Bi2Te3 İnce Filmlerin Manganez Ko-Sputtering ile Termoelektrik Özelliklerini Geliştirmek

Bi2Te3 remains a benchmark n-type thermoelectric (TE) material for low-temperature energy conversion, but its small band gap can reduce efficiency because ...

Araştırmam, kontrollü eş-püskürtme yöntemiyle biriktirilen manganez katkılı bizmut tellürür ince filmin termoelektrik performansındaki değişimi incelemektedir. Mevcut yöntemler, manganez katkılamanın bizmut tellürür ince film üzerindeki etkisini yeterince incelemekte yetersiz kalmıştır. Bu nedenle, mevcut protokol bu boşluğu sistematik bir inceleme yoluyla gidermektedir.Hazırlanmış ve temizlenmiş soda-kireç cam substratlar döner substrat tutucuya yerleştirildikten sonra, hazne kapısını kapatın ve vakumlama işlemini başlatın. Sızdırmazlığın doğru sağlandığından emin olmak için başlangıçta hazne kapısının çevresine hafifçe bastırın ve göstergedeki basınç düşüşünü onaylayın. Hazne basıncı 5 × 10⁻³ torr veya altına düşene kadar pompalama işlemine devam edin.Plazma ateşlemesinden önce, her iki püskürtme tabancası üzerinden deiyonize suyun sürekli sirkülasyonunu sağlamak için soğutma sistemini açın ve sıcaklığı 288 Kelvin'e ayarlayın. Yüksek saflıkta argon gazı verin ve yaklaşık iki ila beş dakika boyunca veya gaz akışı dakikada 3,9 standart santimetreküpten büyük veya eşit bir değerde sabitlenene kadar bekleyin. Altlık rotasyonunu tek bir sabit yönde 10 RPM'ye ayarlayın ve ön püskürtme ile biriktirme işlemleri boyunca sürekli rotasyonu sürdürün.Radyofrekans güç kaynağını ve eşleme ağı kontrol cihazını açın. Yük değeri ve ayar değeri 50 watt'a ulaşana kadar, her iki radyo frekans tabancası için eşleme ağı ayarlarını minimum veya maksimum fonksiyonunu kullanarak düzenleyin. Kontrol cihazı modunu manuelden otomatik eşleme moduna geçirin.Plazma ateşlemesi öncesinde, bizmut tellürür tabancasında radyo frekans gücünü 50 watt'a, manganez tabancasında ise 10 watt'a ayarlayın. Plazma ateşlemesinden önce yansıyan gücü minimize ederek beş watt veya altında tutun. Her iki tabanca için plazmayı ateşleyin ve görünür bir titreme veya ani basınç artışı olmaksızın yaklaşık bir ila iki dakika boyunca korunan sabit bir parlaklık gözlemleyerek plazmanın stabil olduğunu onaylayın.Her iki tabancada da kararlı plazma elde edildikten sonra, yüzey kontaminasyonunu ve doğal oksitleri gidermek için her iki hedefi 15 dakika boyunca ön-sıçratma işlemine tabi tutun. Ön-sıçratma işleminden sonra test altlıklarını çıkarın. Biriktirme işlemi için altlıkları yerleştirmeden önce, temiz bir kauçuk pompa kullanarak oda içindeki ve numune tutucu bölgesindeki tozları temizleyin.Plazma gözlemi için izleme penceresini temiz bir Petri kabı kapağı ile koruyun. Hedeflerin düzgünce yerleştiğinden, merkezlendiğinden ve iyi durumda olduğundan emin olmak için kontrol edin. Her bir hedefin püskürtme tabancası içinde sıkıca sabitlendiğini ve düzgün şekilde merkezlendiğini doğrulayın.Temizlenmiş substratları, döner tutucunun dış bölgesine, tutucu merkezinden yaklaşık 5 ila 10 milimetre uzaklıkta olacak şekilde simetrik olarak yerleştirin. Her bir substratın uzun kenarını tutucu kenarına paralel şekilde hizalayın. Her iki spütter tabancası için hedef-substrat mesafesini 55 milimetre olarak sabitleyin.Kamberin havasını pompayla boşaltın ve temel basınç hedef değerde stabilize olana kadar veya en az beş saat boyunca tahliyeye devam edin. Basınç sapması yaklaşık 10 dakika boyunca %5 veya daha düşük kaldığında ve temel basınç 5 × 10⁻⁵ torr veya altına ulaştığında temel basınç stabilitesini onaylayın. Temel basınca ulaşıldıktan sonra soğutma sistemini 288 Kelvin'de stabilize edin.Argon akışını dakikada dört standart santimetreküp olarak ayarlayın ve stabilize olmasını bekleyin. Substrat rotasyonunu 10 RPM'de tutun. Her iki gun için eşleşme ağı ayarlarını doğrulayın ve kontrolör üzerinden otomatik eşlemeyi etkinleştirin.Plazma ateşlemesini kolaylaştırmak için bizmut tellürür tabancasını 70 watt ile başlatın. Gücü, 100 watt'a ulaşana kadar her 10 saniyede bir beş watt artırın. Biriktirme zamanlayıcısını, ancak bizmut tellürür güç geri okuması yaklaşık 30 saniye boyunca 100 watt seviyesinde kaldığında ve plazma kararlılığı onaylandığında başlatın.Biriktirme işlemi sırasında plazma koşullarını stabil tutarak filmleri 30 dakika boyunca biriktirin. Aynı parametreleri kullanarak, taze altlıklar ile mangan için 10 watt ve 15 watt radyofrekans güçlerinde biriktirme adımlarını tekrarlayın. Önce radyofrekans çıkışını kapatarak sistem kontrolcüsü üzerinden kapatma işlemini başlatın.Kamar tahliye edilene ve spütter tabancaları ortam sıcaklığına yaklaşana kadar, soğutma sistemini aktif tutarak argon akışını dakikada 10 ila 11 standart santimetre küpe düşürün. Kamarı tahliye etmeden önce turbomoleküler pompanın tamamen durduğundan ve hız değerinin sıfır olduğundan emin olun. Basıncın kademeli olarak dengelenmesini sağlamak ve partikül bozulmasını minimize etmek için kamarı, tahliye valfi üzerinden kuru azot kullanarak yavaşça tahliye edin.Hazneyi, yalnızca basınç yaklaşık 760 torr seviyesinde atmosferik basınca döndükten ve hazne kapağı herhangi bir direnç olmadan açılabildikten sonra açın. Kontaminasyonu ve ince partiküllere maruz kalmayı azaltmak için numuneleri çıkarırken maske ve eldiven kullanın. Biriktirilmiş numuneleri hazneden çıkarın.Numuneleri temiz bir Petri kabına aktarın. Numuneleri vakumlu bir saklama kabında muhafaza edin ve karakterizasyonu biriktirme işleminden sonraki 24 ila 72 saat içerisinde gerçekleştirin. Numuneler çıkarıldıktan sonra, ortam havası ve neme maruz kalmayı en aza indirmek için gerekli ön-TMP basıncına ulaşana kadar hazneyi 10 ila 15 dakika boyunca kaba vakumla tahliye edin.X-ışını kırınım desenleri, tüm numunelerin mangan güç serisi boyunca rombohedral bizmut tellürür fazını koruduğunu doğrulamaktadır. Baskın kırınım piki, artan mangan girişiyle birlikte daha yüksek iki theta değerlerine doğru kaymıştır. Kristalit boyutu genel olarak sıfır watt'taki 14.23 nanometreden 15 watt'taki 8.35 nanometreye düşmüştür; bu durum, daha yüksek mangan gücünde azalan koherent alan boyutu ve artan mikro gerinim ile tutarlıdır.Yüzey alan emisyonlu taramalı elektron mikroskobu görüntüleri, artan manganez girişiyle film mikro yapısında belirgin değişiklikler olduğunu göstermiştir. Sıfır watt kontrol filmi, belirgin tane sınırlarına sahip daha büyük poligonal taneler sergilerken; beş watt manganez katkılı film, daha ince taneli ve daha kompakt bir yüzey sergilemiştir. 10 watt ve 15 watt manganez gücünde biriktirilen filmler, sıfır watt ve beş watt numunelerine göre daha az tane arası boşlukla daha yoğun görünmüştür.Elementer bileşim analizi, manganez katkısının artan manganez hedef gücüyle birlikte arttığını doğrulamıştır. Tüm filmler n-tipi iletim davranışını onaylayan negatif bir Seebeck katsayısı sergilemiş ve Seebeck katsayısının büyüklüğü genel olarak tüm örnekler için sıcaklıkla birlikte artmıştır. En yüksek Seebeck katsayısı büyüklüğü 15 watt'lık filmde gözlemlenmiş ve 523 Kelvins'te eksi 162,08 microvolts per Kelvin değerine ulaşmıştır.Tüm filmler, öz direncin sıcaklık artışıyla birlikte azaldığı yarı iletken taşıma davranışı sergilemiştir. Maksimum güç faktörü, beş watt'lık film için elde edilmiş olup 523 Kelvin'de yaklaşık 529.33 microwatts per meter per Kelvin squared değerine ulaşmıştır. 15 watt'lık film en yüksek Seebeck katsayısı büyüklüğünü sergilemiş olsa da, artan öz direnç güç faktörünü 300.59 microwatts per meter per Kelvin squared değerine düşürmüştür.Bu protokol, araştırmacının bizmut tellürür film üzerine manganez katkılamalı ortak püskürtme yapmasına ve katkılama giriş seviyesinin termoelektrik performansı nasıl değiştirdiğini değerlendirmesine olanak sağlamıştır. Bu protokolün temel zorluğu, mekanizmaları güvenilir ve tutarlı bir şekilde dahil edebilmek için kararlı plazmayı ve püskürtme koşullarını korumaktır. Gelecekteki çalışmalar; termoelektrik özelliklerin optimize edilmesi, sentez sonrası işlemler ve cihaz düzeyinde testler için bir ince film termoelektrik jeneratörün geliştirilmesi üzerine inşa edilebilir.

improving-thermoelectric-properties-bi2te3-thin-films-manganese-co

Research

JoVE Journal

Engineering

Mühendislik

Önceden yatırılan geçiş metaller sulfurization, geniş alanlara ve dikey 2D kristal hetero-yapıları sahte olduğu. Film aktarma ve cihaz imalat işlemleri de bu raporda gösterilen.

Geniş alan dikey 2D Crystal Hetero-yapıları aracılığıyla geçiş metalleri filmleri Sulfurization cihaz imalat için hazırlanması

Burada, biz LSMO nano tanecikleri büyümek için bir protokol mevcut ve (Gd) BCO radyo frekansı (RF) tarafından tek-kristal yüzeylerde (001) SrTiO3 (STO) filmleri-SAÇTIRMA.

Radyo frekansı Magnetron GdBa2Cu3O7−δfışkırtması / La0,67Sr0,33MnO3 yarı bilayer Filmler SrTiO3 (STO) tek-kristal yüzeyler üzerinde

Burada, biz mevcut detaylı iletişim kuralları için çözüm işlenen gümüş-bizmut-iyot (Ag-Bi-ı) Üçlü Yarıiletken ince filmler TiO2üzerinde fabrikasyon-kaplı şeffaf elektrotlar ve onların hava-kararlı olarak potansiyel uygulama ve kurşun içermez Opto-elektronik cihazlar.

Çözüm işlenen "Gümüş-bizmut-iyot" Üçlü ince filmler için kurşunsuz fotovoltaik emiciler

Bu çalışma, gelişmiş verimlilik için ince emici kadmiyum selenyum tellürit/kadmiyum telluride fotovoltaik cihazların tam üretim sürecini açıklar. Süreç, küçük alan araştırma cihazlarının ve büyük ölçekli modüllerin imalatından ölçeklenebilir yakın alan süblimasyon birikimi için otomatik bir sıra içi vakum sistemi kullanır.

Yakın Alan Süblimasyon-Gelişmiş Kısa Devre Akım Yoğunluğu ve Fotolüminesans için Ultra İnce CdSeTe/CdTe Güneş Pilleri

El yazması, Bi2Te3 ve Sb2Te3 termoelektrik ince filmlerin cam yüzeyler üzerine radyo frekansı magnetron püskürtmesi için bir protokolü açıklar ve bu, daha fazla geliştirme potansiyeli olan geniş bir uygulama yelpazesi sağlayan güvenilir bir biriktirme yöntemini temsil eder.

Radyo Frekanslı Magnetron Püskürtme Tekniği ile Bi2Te3 ve Sb2Te3 Termoelektrik İnce Filmlerin İmalatı

Burada, elementel öncüler kullanılarak ultra hızlı (ikinci aralık), solvent içermeyen ve tek aşamalı mekanokimyasal sentez yoluyla termoelektrikler için uygun iki metal kalkojenit (Cu1.8S ve SnSe) sentezlemek için bir protokol sunuyoruz. Eş zamanlı olarak, yeni geliştirilen cihaz tarafından yerinde planet bilyalı frezeleme sırasında kavanozdaki sıcaklığın izlenmesini gösteriyoruz.

Termoelektriklere Uygun Metal Kalkojenitlerin Mekanokimyasal Sentezinin Basitliğini ve Yerinde Sıcaklık İzlemesini Gösterme

Biz fonksiyonel malzemeler, malzeme yığınları ve tam cihazların düşük maliyetli nano desenleme sağlayan bir nanomoulding tekniği tarif. Nanomoulding herhangi nanoimprinting kurulum üzerinde gerçekleştirilebilir ve malzemeler ve çökelme süreçleri geniş bir aralığı için uygulanabilir.

Fonksiyonel Malzemelerin Nanomoulding, Nanoimprinting bir yönlü Tamamlayıcı Desen Çoğaltma Yöntemi

Bu rapor, oda sıcaklığında safir yüzeyler üzerine itriyum demir garnet kalın film aerosol birikimi gerçekleştirmek için özel olarak inşa edilen sistemin kullanımı anlatılmaktadır. yatırılan filmler tekniğin yetenekleri temsili bakışını vermek için taramalı elektron mikroskobu, profilometri ve ferromanyetik rezonans kullanılarak karakterize edilir.

Aerosol Birikimi Kullanarak Kalın Yoğun Yttrium Iron Garnet Filmleri oluşumu

Plazma ile güçlendirilmiş kimyasal buhar biriktirme ile yüksek c ekseni (0002) ZnO ince filmi doğrudan sentezlemek için bir yöntem sunduk. Pt interdigitated elektrot ile birleştirilmiş sentezlenmiş ZnO ince film, ultraviyole fotodetektör için algılama katmanı olarak kullanıldı ve iyi duyarlılığı ve güvenilirliğinin bir kombinasyonu sayesinde yüksek bir performans gösterdi.

Sentezi ve Plazma ile yüksek c-ekseni ZnO İnce Film Karakterizasyonu CVD Sistemi ve UV Fotodetektör Uygulaması Enhanced

Ince filmler uzadıya degradeler (DGT) tekniği plutonyum spesiasyonu çalışmaları için önerilmektedir. Bu protokol, organik madde varlığında, Pu (IV) ve Pu (V) 'in davranış tarama difüzyon deneyleri anlatmaktadır. Bir karstik bahar konuşlanan DGTS Pu biyolojik değerlendirilmesini sağlar.

İnce Filmlerde Difüzyon kullanma Çevre Pluton&#39;un Türleşme ve biyoyararlanımı Ölçümleri

Universiti Kebangsaan Malaysia.  Manganezle doplanmış Bi2Te3 ince filmler üretmek ve manganez girdisinin yapısal ve termoelektrik taşıma özelliklerini nasıl etkilediğini değerlendirmek için radyofrekans co-sputtering protokolü geliştirildi. Orta düzeyde manganez katılımı film tekeserliğini ve güç faktörüyle ilişkili taşıma davranışını iyileştirirken, daha yüksek mangan girdisi yapısal düzensizlik ve direnci artırdı...

Bi₂Te₃ İnce Filmlerin Manganez Ko-Sputtering ile Termoelektrik Özelliklerini Geliştirmek

Daha fazla video keşfet