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Plasmagestützte Molecular Beam Epitaxy von N-polar InAlN-Barriere Hochelektronenmobilität Transistoren
 
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Plasmagestützte Molecular Beam Epitaxy von N-polar InAlN-Barriere Hochelektronenmobilität Transistoren

Article doi: 10.3791/54775
November 24th, 2016

Summary November 24th, 2016

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Molekularstrahlepitaxie verwendet wird N-polar InAlN-Barriere High-Elektronen-mobility transistors (HEMT) zu wachsen. Die Steuerung der Waferaufbereitung, Schichtwachstumsbedingungen und Epitaxie - Struktur ergibt glatte, homogene kompositorisch InAlN Schichten und HEMTs mit Mobilität so hoch wie 1750 cm 2 / V ∙ sec.

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