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Engineering

多晶硅薄膜太阳能电池电浆增强光捕获

Published: July 2, 2012 doi: 10.3791/4092

Summary

硼,磷掺杂硅结晶,缺陷钝化和金属化层沉积制备多晶硅薄膜太阳能电池玻璃上。电浆光捕获上限〜45%的光增强扩散反射硅电池表面形成银纳米粒子的引入。

Protocol

1。多晶硅太阳能电池的制作(动画3)

  1. 硅薄膜沉积
    1. 电子束蒸发工具准备烘烤出来〜100°C过夜,以达到<3E-8托基地的压力。预置样本加热到150℃待机温度。
    2. 使用5x5厘米2(或10×10厘米2)基板硼硅玻璃(肖特Borofloat33),1.1或3.3毫米厚,涂〜80纳米的氮化硅(由PECVD准备从N 2和SiH 4的混合物)制成的基板。
    3. 基材表面干燥氮气吹,以去除灰尘,并放置到样品架。发泄锁的负载,加载样本,泵负载锁定压力<1E5托,样品传送到主室。启动加热到250°C的设定点约20分钟的泵,当压力达到8E-8 Torr或更低。
    4. 检查的掺杂源和硅源百叶窗关闭。预置的掺杂源温度为待机温度,即磷源温度在700°C和硼离子源温度在1250°C。启动电子枪,电子枪电流缓慢增加,熔体硅坩埚。
    5. 时所需的电流达到(从以前的校准:这个电流的电子枪和硅源条件的不同而不同),蒸发所需浓度的P和B掺杂的硅层:35在1E20厘米纳米发射-3的P 2〜3在5E15厘米-3 B的微米吸收100 nm的背表面场(BSF),在4E19厘米-3 B.精确的掺杂浓度达到某些硅沉积速率匹配,测量石英晶体显示器天平(QCM),具有一定的掺杂源的温度,使用SIMS的校准建立了合作关系。
    6. 蒸发后进行切换关闭加热器,降温〜10分钟的样品。反FER样品负载锁,关闭闸门阀,泄负载锁和卸载的硅薄膜样品。
  2. 硅结晶
    如果样品是10×10厘米2,它可以被切割成四个5x5厘米2细胞块大小之前结晶。放置一个粗糙和氮化硅涂层,肖特Robax玻璃(避免粘)持有人(Si薄膜)玻璃上沉积硅薄膜。负载成氮清除烤箱预热至200-300°C。提高温度高达600°C时,3〜5°C /分钟和30小时退火。打开烤箱加热,让烘箱降温自然〜200℃(2〜3小时)起卸前的样品。样品可以有一个凹的形状,由于硅结晶过程中的收缩。这将在下面的快速热加工扁平化。
  3. 掺杂活化和缺陷退火(RTA)
    将样品持有人的结晶膜制成的石墨和LOAD以快速热处理器氩清除。坡道的温度高达600°C时,1°C / S,则高达1000°C在20°C /秒,保持1分钟,然后冷却下来自然〜100°C和卸载。
  4. 去除表面氧化
    立即前到氢化硅薄膜表面氧化过程中形成的结晶和RTA必须拆除,以确保裸露的硅薄膜表面接触到氢。直到硅片表面变为疏水退火样品浸入5%HF溶液(30〜100秒)。与去离子水冲洗和干燥氮气枪。
  5. 缺陷钝化
    样品装入真空室配备了远程氢等离子体源。抽空<1E-4托,加热样品〜620°,打开氩气/氢气的混合物流量(50:150 SCCM),设置压力50-100毫托,开始在3.5千瓦的等离子源微波功率和继续〜10分钟的过程。关闭加热器电源,而mainta伊宁10-15分钟的血浆,直到温度低于350℃之前,血浆和停止气体流量。卸载样品,当温度低于200°C
  6. 细胞金属化
    细胞金属化进行了一系列连续的光刻图案,铝薄膜沉积与蚀刻步骤,详细描述在11。最终细胞看起来像在最后一张幻灯片的动画3所示。金属化细胞的特写视图如图1所示。
  7. 测量EQE的金属化细胞。

2。制作电浆银纳米粒子(动画4)

  1. 用干燥的氮气吹金属化的细胞表面,去除灰尘和热蒸发器包含一个W的船装满银颗粒(0.3-0.5克)装入样品。抽空蒸发器室基地的压力2〜3E-5托。方案的QCM对Ag参数:密度10.50Z比0.529。
  2. 确保样品快门关闭,关闭的W船加热器和增加电流,足够慢,以避免以上8E-5 Torr的压力上升,直到银颗粒融化(如通过观察视图端口)。压力稳定后的电流设定点对应的A / S(校准)0.1-0.2银沉积速率,并打开快门开始沉积过程。
  3. 监测使用的QCM增长的Ag膜厚度和关闭快门时达到14纳米的厚度。允许在W船约15分钟冷却下来,卸载样品。电影应退火形成纳米颗粒沉积后尽快,尽可能地避免银氧化。
  4. 新鲜沉积的Ag膜的细胞被置于氮气清除烤箱预热到230 0.1-0.2℃,退火50分钟,然后卸载。注意:由于纳米粒子的表面外观的变化。银纳米粒子的扫描电子显微镜图像是SHOWN 图。 2。
  5. 测量EQE的细胞与纳米粒子阵列。

3。制作后反射

后方的反射〜300 nm厚的氟化镁(1.38注册机)介质熔覆与商业白色的天花板漆(多乐士)的外衣。

  1. 编造后反射之前,必须用黑色记号笔墨水保护细胞接触,这使得从下介质由升空过程中暴露的接触。
  2. 使用氮气枪吹NP阵列和画接触,清除灰尘的样品。使用温和的氮气压力和运动保健不吹纳米粒子。放入热蒸发器包含一个W船充满氟化镁2件样品。蒸发器泵2〜3E-5 Torr的压力。 氟化镁的QCM参数为:密度3.05和Z比0.637。
  3. 确保样品shutter被关闭,打开船加热器,慢慢加大电流,以避免过多的压力上升,直到氟化镁熔体通过视图端口。压力稳定后的电流设定点,对应的氟化镁的沉积速率为0.3 nm / s的和打开样品快门。
  4. 监测使用的QCM沉积厚度和关闭快门时达到300海里。
  5. 关闭加热器。允许的W船约15分钟冷却下来,卸载样品。注意:在氟化镁2熔覆细胞形态的变化。
  6. 要取出的细胞接触的油墨面膜浸入丙酮熔覆与介质的细胞。等到开始开裂,抬起上面的油墨介质。保持在丙酮中的细胞,直到所有的墨水与介质和金属接触,充分暴露。从丙酮中取出样品,新鲜的丙酮冲洗和干燥氮气枪。
  7. 应用层罚款对整个细胞表面的软刷白色油漆(多乐士单涂层的天花板油漆)小心地避免金属接触。油漆层有足够厚,是完全不透明(〜>0.5毫米),所以没有光可以看到在明亮的光源,通过描绘细胞时。让漆干一天。
  8. 用白色油漆后反射测量细胞EQE。

4。代表结果

通过整合全球标准太阳光谱的EQE曲线(气团1.5)太阳能电池的短路电流计算。无论是电池的电流,其增强由于光捕获依赖于细胞吸收层厚度:目前本身是较高较厚的细胞,但更薄的设备,看到EQE各自的数据和动画5,表1是当前加强高曲线。原来的2微米厚的细胞,没有光捕获,HAVE JSC测量步骤1.7。〜15毫安/厘米2)。后的纳米粒子阵列的制造,的JSC增加了约20毫安/平方厘米 ,其中32%提高。它是略高于由后方的漫反射,只有25-30%的提升效果更好。后加入氟化镁后熔覆细胞与电浆纳米阵列的漫反射,进一步提高司法人员叙用委员会 22.3毫安/厘米2,或45%左右提高。请注意,所有电流为3微米厚的细胞较高,而相对提高到25.7毫安/厘米2略低,42%的光捕获在更薄的设备有较大的影响。

电池厚度: 2微米 3微米
JSC,毫安/厘米2 阮富仲>%以上 JSC,毫安/厘米2 %以上
原始细胞 15.4 18.1
后漫反射(R)的 20.1 30.5 21.5 18.8
纳米粒子(NP方案) 20.3 31.8 21.9 21.0
NP /氟化镁2 / 22.3 45.3 25.7 42.0

表1。电浆电池短路电流和原始细胞相比,其增强。

图1
图1。特写多晶硅薄膜太阳能电池与金属化网格细胞。

/ ftp_upload/4092/4092fig2.jpg“/>
图2银纳米粒子的电子显微镜图像扫描的硅表面上。

图3
图3。1电浆薄膜晶体硅太阳能电池(不按比例)的示意图。

图4
图4外部量子效率和短路电流的多晶硅薄膜与漫反射和电浆纳米细胞:虚线黑-原来的2微米厚的细胞,没有光捕获,JSC15.36毫安/厘米2;蓝色-细胞弥漫油漆反射,JSC 20.08毫安/厘米2;红-与电浆银纳米粒子的细胞,JSC20.31毫安/厘米2;绿色-细胞的纳米粒子, 氟化镁,和弥漫性涂料的反射,JSC 2。紫色- 3微米厚的细胞(3毫米厚的玻璃),纳米粒子, 氟化镁,和漫反射,JSC 25.7毫安/厘米2(注意蓝色低因无意在AR层和发射层厚度差异)。坚实的黑色- 2微米厚的等离子体增强化学气相沉积法(3毫米厚的玻璃),JSC26.4毫安/厘米2,比较所示的纹理单元准备。

动画1。 点击这里查看动画

动画2。 点击这里查看动画

动画3。 点击这里查看动画

动画4。 点击这里查看动画

动画5。 点击这里查看动画

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Discussion

蒸发多晶硅太阳能电池及电浆纳米粒子光散射的光捕获的理想合作伙伴。这种细胞是平面的,因此,他们不能依靠光散射表面纹理,也可以很容易地在粗糙的表面形成电浆纳米。细胞有直接接触的硅,这也恰好是最好的最有效的电浆光散射纳米粒子的位置只有一个,后表面。此外,纳米热退火形成的最简单的方法也是最合适的光捕获结果与结晶硅薄膜的光捕获峰之间的700和1000 nm的,最重要的广泛共鸣,因为它在一个随机的纳米粒子阵列薄膜电池。只要功能细胞,制造的电浆反射是相对简单和直接在前面的章节所述。一个可能的并发症有关事实表明,纳米不仅硅细胞表面,但在金属化网格模式以及粒子形成。它可以导致有时会导致分流时,纳米粒子的相对表面覆盖过大或特别大的纳米顺带形成。为了避免分流的覆盖面应保持在50%以下的易制毒化学要保持低于20 nm的薄膜厚度,这是很容易达到标准,从14纳米前驱膜过程中,如上所述,结果在30-35%的细胞覆盖面。

电浆纳米粒子,用自己的〜30%的JSC增强,有关效率,或仅略优于色漆漫反射光散射,25%-30%,这是最简单的申请。然而,弥漫油漆反射光捕获性能,而不能进一步改善,电浆纳米粒子有一个选项被漫反射称赞放在behind,显着较高的JSC增强,从而导致高达45%,比仅由纳米粒子。这光的增强是平面晶体硅薄膜电池表现出最高的,超过最近报道由40%提高高RI介质纳米反射5。此外,超过50%,甚至更高的光增强,应该可能有如此高的国际扶轮纳米漫反射为5,而不是商业的白色油漆,。

然而,甚至45%提高约29毫安/厘米2(〜90%提高相比只有约一半通常多晶硅薄膜太阳能电池制造取得了良好的的质感superstrates,导致在JSC的PECVD反应参考平面细胞)12。更好的性能对纹理superstrates细胞主要有两种原因。首先,反射纹理前细胞表面是平面,导致更多的光线进入细胞,从而产生更多的电流比低了很多。抗反射特性的平面前表面电浆细胞需要加以改进,以使电浆光捕获与传统的纹理更具竞争力。其次,当两个单元的接口保持平面和平行,光的显着部分是国内和镜面反映没有被漫反射或纳米粒子分散在细胞内(〜17%的硅/玻璃或Si /氟化镁2接口)。这体现在细胞反射光谱或在平面细胞弥漫性或电浆反射EQE曲线干涉条纹的存在本身。少散射是指光捕获,因此,当前增强。质感细胞光散射而被反映在非并行接口没有干涉条纹,例如EQE曲线显示 FIG。 2。

当考虑由电浆纳米粒子,以及其他手段应用于太阳能电池,如漫反射,背面的光增强,这一点很重要,要记住一个权衡之间实现较高的绝对电流或表现出较高的电流增强。更薄的设备受益于光捕获,显示出较高的电流增强,而目前本身就是明显降低为2微米,3微米厚的细胞在表1中,22.3比25.7毫安/厘米2的结果表明。同样,一个贫穷的短波(“蓝色”)的响应(如在5所描述的)的细胞有相对较高的光捕获增强,这是很重要的波长较长(“红”)具有良好的细胞反应比蓝色的反应,但后者显然可以有较高的绝对电流,从而更好的整体性能。作为光伏的主要目标是更好地performi纳克太阳能电池,应优先考虑到的光捕获方法,导致较高的绝对电流,而不是更高的电流增强。

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Disclosures

没有利益冲突的声明。

Acknowledgments

这个研究项目是由澳大利亚研究理事会通过联动授予南玻太阳能Pty有限公司荆绕支持,承认她的大学,新南威尔士州副校长博士后奖学金。 SEM图像采取通过Jongsung公园使用由新南威尔士大学的电子显微镜单位提供的设备。

Materials

Name Company Catalog Number Comments
Silver granular Sigma-Aldrich 303372 99.99%
MgF2, random crystals, optical grade Sigma-Aldrich 378836 >=99.99%
Dulux one-coat ceiling paint Dulux R>90%
(500-1100 nm)

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References

  1. Kerf-free wafering. Henley, F. J. Proc. 35th IEEE Photovoltaic Specialist Conference, Honolulu, USA, , 1184-1192 (2010).
  2. Kunz, O., Wong, J., Janssens, J., Bauer, J., Breitenstein, O., Aberle, A. G. Shunting problems due to sub-micron pinholes in evaporated solid-phase crystallised poly-Si thin-film solar cells on glass. Progress Photovoilt.: Res. Appl. 17, 35-46 (2009).
  3. Kunz, O., Ouyang, Z. 5% Efficient evaporated solid-phase crystallised polycrystalline silicon solar cells. Progress Photovolt.: Res. Appl. 17, 567-573 (2009).
  4. Van Nieuwenhuysen, K., Payo, M. R. Epitaxially grown emitters for thin film silicon solar cells result in 16% efficiency. Thin Solid Films. 518, S80-S82 (2008).
  5. Lee, B. G., Stradin, P. Light-trapping by a dielectric nanoparticle back reflector in film silicon solar cells. Appl. Phys. Lett. 99, 064101 (2011).
  6. Catchpole, K. R., Polman, A. Plasmonic solar cells. Optics Express. 16, 21793-21800 (2008).
  7. Ouyang, Z., Zhao, X. Nanoparticle enhanced light-trapping in thin-film silicon solar cells. Progress Photovolt.: Res. Appl. 19, 917-926 (2011).
  8. Catchpole, K. R., Polman, A. Design principle for particle plasmon enhanced solar cells. Appl. Phys. Lett. 93, 191113 (2008).
  9. Beck, F. J., Mokkapati, S., Polman, A., Catchpole, K. R. Asymmetry in photocurrent enhancement by plasmonic nanoparticle arrays located on the front or on the rear of solar cells. Appl. Phys. Lett. 96, 033113 (2008).
  10. Beck, F. J., Verhagen, E. Resonant SPP modes supported bt discrete metal nanoparticles on high index substrates. Optics Express. 19, 146-156 (2010).
  11. Kunz, O., Ouyang, Z., al, at 5% Efficient evaporated solid-phase crystallised polycrystalline silicon thin-film solar cells. Progress Photovolt. 17, 567-573 (2009).
  12. 10% Efficient CSG minimodules. Keevers, M. J., Young, T. L. Proc. 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference, Milan, Italy, , 1783-1790 (2007).

Tags

65,材料科学,光电,硅薄膜太阳能电池,光捕获,金属纳米粒子,表面等离子体物理
多晶硅薄膜太阳能电池电浆增强光捕获
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Varlamov, S., Rao, J., Soderstrom,More

Varlamov, S., Rao, J., Soderstrom, T. Polycrystalline Silicon Thin-film Solar cells with Plasmonic-enhanced Light-trapping. J. Vis. Exp. (65), e4092, doi:10.3791/4092 (2012).

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