我们已证明,将纳米结构蚀刻到皮层内微电极装置中可减轻炎症反应,并有望改善电生理记录效果。本文所述方法概述了一种将纳米结构蚀刻至非功能性及功能性单束硅基皮层内微电极表面的技术途径。
我们已证明,将纳米结构蚀刻到皮层内微电极装置中可减轻炎症反应,并有望改善电生理记录效果。本文所述方法概述了一种将纳米结构蚀刻至非功能性及功能性单束硅基皮层内微电极表面的技术途径。
随着电子技术和制造技术的进步,皮层内微电极已取得显著改进,使得能够生产出分辨率更高、功能更强大的复杂微电极。制造技术的进步推动了仿生电极的发展,这类电极旨在无缝整合入脑实质,减轻电极植入后所引发的神经炎症反应,并提高电生理记录的质量与持续时间。本文介绍一种近期被归类为纳米结构的仿生方法操作方案。本方案采用聚焦离子束光刻技术(FIB),在非功能性及功能性单探针皮层内微电极表面刻蚀出特定的纳米结构特征。在电极表面刻蚀纳米结构可能有助于提升植入器件的生物相容性与功能性。使用FIB的优势之一在于其可在已完成制造的器件上进行刻蚀,而非仅限于制造过程中,从而为制造后修改多种医疗器械提供了无限可能。本文所述方案可针对不同材料类型、纳米结构特征以及器件类型进行优化。对植入式医疗器件表面进行改性,可提升器件性能及其与组织的整合能力。
皮层内微电极(IME)是一种侵入式电极,可实现外部设备与大脑皮层内神经元群体之间的直接交互1,2。该技术是记录神经元动作电位的宝贵工具,有助于科学家深入探索神经元功能、增进对神经系统疾病的理解,并推动潜在治疗方法的开发。作为脑机接口(BMI)系统的一部分,皮层内微电极能够记录单个或少量神经元的动作电位,以检测可用于产生功能性输出的运动意图3。事实上,BMI系统已在假肢控制和治疗领域取得成功应用,例如帮助肌萎缩侧索硬化症(ALS)4和脊髓损伤患者5通过习得的感觉运动节律控制计算机光标,以及恢复慢性四肢瘫痪患者的运动能力6。
遗憾的是,由于机械、生物和材料等多种因素导致的失效模式,植入式微电极(IME)往往难以长期稳定记录信号7,8。电极植入后引发的神经炎症反应被认为是导致电极失效的重要挑战之一9,10,11,12,13,14。神经炎症反应始于IME的初始插入过程,此时血脑屏障被破坏,局部脑实质受损,胶质细胞和神经元网络受到干扰15,16。这种急性反应的特征是胶质细胞(小胶质细胞/巨噬细胞和星形胶质细胞)被激活,并在植入部位周围释放促炎性和神经毒性分子17,18,19,20。胶质细胞的长期持续激活会导致异物反应,其特征是形成胶质瘢痕,将电极与健康的脑组织隔离7,9,12,13,17,21,22。最终,由于电极与神经元之间形成物理屏障,以及神经元的退化和死亡,电极记录神经元动作电位的能力受到阻碍23,24,25。
皮层内微电极的早期失效问题已促使研究人员广泛开展下一代电极的研发工作,其中重点集中在仿生策略上26,27,28,29,30。与本方案特别相关的是,将纳米结构作为一类用于皮层内微电极(IMEs)的仿生表面改性手段31。已有研究证实,模拟体内自然环境结构的表面可引发更佳的生物相容性反应32,33,34,35,36。因此,本方案所依据的假设是:脑组织粗糙的结构与皮层内微电极光滑的结构之间存在的不匹配,可能促进了植入后IMEs引发的神经炎症及慢性异物反应(详见Kim等人的综述31)。我们先前的研究表明,在体外和离体神经炎症模型中,与平坦的对照表面相比,采用类似脑细胞外基质结构的纳米结构表面可显著降低培养于其上的星形胶质细胞的炎症标志物表达水平37,38。此外,我们还发现,利用聚焦离子束(FIB)光刻技术将纳米结构直接刻蚀到硅基探针表面后,植入该类纳米结构探针的动物表现出显著更高的神经元存活率以及更低的促炎基因表达水平,相较于光滑表面的对照组具有明显优势26。因此,本方案旨在描述如何使用FIB光刻技术在已制备的皮层内微电极装置上刻蚀纳米结构。该方案设计用于通过自动和手动相结合的方式,在皮层内微电极针体的硅质表面加工出纳米尺度的结构特征。这些方法操作简便、可重复性强,并且完全可以根据不同器件材料和所需特征尺寸进行优化。
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注意:操作时请穿戴适当的个人防护装备,例如实验服和手套。
1. 用于聚焦离子束(FIB)光刻的非功能硅探针安装
注意:有关制造带有 1,000 个探针的绝缘体上硅(SOI)晶圆的完整步骤,请参见 Ereifej 等人39。
2. 将聚焦离子束与硅探针对齐
3. 编写蚀刻的自动化流程
4. 检查最终蚀刻效果并成像
5. 为聚焦离子束刻蚀安装功能性硅探针
6. 使用聚焦离子束刻蚀功能化硅探针
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单根皮层内探针表面的聚焦离子束刻蚀纳米结构
根据本文所述方法,采用既定方案对皮层内探针进行刻蚀,形成特定的纳米结构39。本方法中所描述的纳米结构设计的尺寸与形状,源自先前的体外实验结果,表明当胶质细胞与本文所述纳米结构共培养时,其反应性降低37,38。本文所述方法采用聚焦镓离子束(FIB)在非功能性的单根硅微电极探针表面刻蚀出纳米级的平行沟槽,如前所述39。这些纳米级平行沟槽通过软件中编写的自动化脚本,沿探针背面的针柄方向进行刻蚀。最终刻蚀出的纳米结构尺寸为:平行线宽200 nm,间距300 nm,深度200 nm(图1)。利用聚焦离子束在器件表面刻蚀纳米结构,可实现对已制造器件进行精确图案的加工。
刻蚀纳米结构对皮层内探针引发神经炎症的影响
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本文所述的制备方案利用聚焦离子束光刻技术,有效且可重复地在非功能性和功能性单硅微电极表面刻蚀出纳米结构。聚焦离子束(FIB)光刻通过使用高度聚焦的离子束选择性地去除基底表面材料来实现加工50,51。FIB是一种直接写入技术,能够以纳米级分辨率和高深宽比制造多种结构特征50,52,53。为了形成不同尺寸的结构,可通过优化离子束电流的大小,将离子束斑尺寸调节在3 nm至2 µm范围内50,51。使用FIB在表面刻蚀结构的一些普遍优势包括:1)适用于多种材料,包括硅、金属和聚合物53,54,
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作者无任何利益冲突需要披露。
本研究由美国退伍军人事务部康复研究与发展服务局资助:#RX001664-01A1(CDA-1,Ereifej)和 #RX002628-01A1(CDA-2,Ereifej)。本内容不代表美国退伍军人事务部或美国政府的观点。作者谨此感谢 FEI 公司(现为赛默飞世尔科技的一部分)在人员支持和仪器使用方面提供的帮助,这些支持有助于开发本研究中所使用的脚本。
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