利用纳秒脉冲电场技术体外调控施万细胞生长

从施万细胞（SCs）开始，即培养在培养基中的周围神经系统髓鞘形成胶质细胞。

将细胞转移至一个两侧装有电极的比色皿中。

将培养皿置于纳秒脉冲电场（nsPEF）装置上，并设定所需的电场强度。

通过小心旋转电极直至出现火花，施加nsPEF脉冲。

刺激后立即分开电极，并继续培养细胞。

nsPEF 会破坏角质层细胞膜，形成允许钙离子内流的瞬时纳米孔。这些细胞膜最终会重新闭合。

细胞内钙离子激活钙结合蛋白，触发信号通路，上调参与细胞周期进程的基因。

持续的钙信号也能激活转录因子，促使施万细胞去分化为修复表型，随后进行增殖。

此外，支持神经元存活和生长的神经营养因子的分泌增加。

该模型现已可用于研究 nsPEF 刺激的施万细胞在损伤后周围神经再生中的作用。

首先，将培养的 RSC96 细胞重悬于 1 毫升 DMEM 培养基中，并转移至两侧带有电极的比色皿中。打开仪器电源开关，旋转旋钮以设定电场强度。小心旋转电极，直至出现火花，使细胞根据预设的电场强度接受 5 次纳秒脉冲电场处理。处理结束后立即分开两个电极。