Monolayer Contact Doping of Silicon Surfaces and Nanowires Using Organophosphorus Compounds

Ori Hazut; Arunava Agarwala; Thangavel Subramani; Sharon Waichman; Roie Yerushalmi

doi:10.3791/50770

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Monolayer Contact Doping of Silicon Surfaces and Nanowires Using Organophosphorus Compounds

使用有机磷化合物对硅表面和纳米线进行单层接触掺杂

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09:45 min

December 2, 2013

DOI: 10.3791/50770-v

Ori Hazut^1,2, Arunava Agarwala^1,2, Thangavel Subramani^1,2, Sharon Waichman^1,2, Roie Yerushalmi^1,2

¹Institute of Chemistry,The Hebrew University of Jerusalem, ²Center for Nanoscience and Nanotechnology,The Hebrew University of Jerusalem

Please note that some of the translations on this page are AI generated. Click here for the English version.

提供了硅界面表面掺杂的详细程序。通过使用含磷单层和快速退火工艺证明了超浅表面掺杂。该方法可用于宏观面积表面以及纳米结构的掺杂。

以下实验的总体目标是通过使用单层接触掺杂方法证明硅豁免和纳米线的浅掺杂。这是通过将供体底物与前驱体溶液反应以形成自组装单层来实现的。单层包含潜在的掺杂原子，并用作定义明确且有限的掺杂剂源。

作为第二步，供体底物与目标底物接触，两者都是跪在快速热肛门系统中的。在肛门过程中，单层分子分解，原子的 doin 被扩散和激活到供体和靶底物上。接下来，将两种基板分开，并使用四点探针设置来测量薄片电阻。

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关键词：单层接触掺杂硅表面硅纳米线有机磷化合物超浅掺杂曲线亚甲基二膦酸四乙酯气-液-固（VLS）机制纳米线场效应晶体管（NW-FET）