Name: 在 Cu(In、Ga)Se2薄膜太阳能电池中制造银纳米线电极与 CdS 缓冲层之间的强健纳米级接触 (视频) | JoVE Journal
Uploaded: 2019-07-19T14:30:00.000+00:00
Duration: 9 min 1 s
Description: 学习在CIGS薄膜太阳能电池中增强银纳米线与CdS缓冲层之间电接触的方法。该方案采用简单、可重复且低成本的溶液工艺，通过沉积第二层CdS层来填充纳米级间隙，实现稳定的电接触并显著提升器件性能。

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本研究由韩国能源研究所（KIER）的内部研究与开发计划（B9-2411）以及由教育部长资助的韩国国家研究基金会（NRF）基础科学研究中心项目（资助号 NRF-2016R1D1A1B03934840）支持。

1. 通过直流磁控溅射法制备Mo涂层玻璃
<ol>
	<li>将清洗后的玻璃基板装入直流磁控溅射仪中，并抽真空至低于 4 × 10-6 Torr。</li>
	<li>通入 Ar 气体，并将工作压力调节至 20 mTorr。</li>
	<li>开启等离子体，并将直流输出功率提高至 3 kW。</li>
	<li>进行 3 分钟的预溅射以清洁靶材，随后开始沉积 Mo 薄膜，直至 Mo 膜厚度达到约 350 nm。</li>
	<li>保持相同的输出功率（即 3 kW），将工作压力调节至 15 mTorr。</li>
	<li>继续 Mo 薄膜的沉积，直至 Mo 总厚度达到约 750 nm。</li>
</ol>
2. 通过三阶段共蒸发法沉积CIGS吸收层
<ol>
	<li>将Mo镀膜玻璃载入预热的共蒸发器中，真空度低于5 x 10⁻⁶ mbar-6 Torr.</li>
	<li>设定In、Ga和Se蒸发源的温度，使其沉积速率分别为2.5 Å/s、1.3 Å/s和15 Å/s。
	<ol>
		<li>使用石英晶体微天平（QCM）技术检测沉积速率。沉积速率取决于外束源炉的设定温度以及源炉内材料的含量。</li>
	</ol>
	</li>
	<li>开始将In、Ga和Se沉积到镀钼玻璃上，形成1 μm厚的(In,Ga)xSey 在450 °C的衬底温度下沉积前驱体层。沉积时间为15分钟（即，1st 阶段。</li>
	<li>停止供应 In 和 Ga，并将衬底温度升高至 550 °C。</li>
	<li>开始将 Cu（沉积速率：1.5 Å/s）沉积到 (In,Ga) 上xSey 前驱体，并持续沉积直至薄膜的 Cu/(In + Ga) 组成比达到 1.15。注意，整个过程中 Se 的沉积速率保持在 15 Å/snd 阶段（即，2nd 阶段）</li>
	<li>停止供应 Cu，并以与之前相同的沉积速率再次蒸发 In 和 Gast 阶段，最终形成厚度约为 2 μm、Cu/(In+Ga) 成分比为 0.9 的 CIGS 薄膜。保持 Se 的沉积速率为 15 Å/s，衬底温度为 550 °C。该阶段的沉积时间为 4 分钟（即 3rd 阶段。</li>
	<li>为确保反应完全，在基底温度为550 °C的条件下，将沉积的CIGS薄膜在环境硒气氛（15 Å/s）中退火5分钟。</li>
	<li>在环境硒气氛（15 Å/s）下将基板温度冷却至450 °C，然后当基板温度降至250 °C以下时取出已沉积CIGS的基板。</li>
</ol>
3. 采用化学浴沉积法（CBD）在CIGS吸收层上生长CdS缓冲层
<ol>
	<li>在250 mL烧杯中配制CdS反应浴溶液：加入97 mL去离子水、0.079 g Cd(CH3COO)2·2H2O、0.041 g NH2CSNH2和0.155 g CH3COONH4。搅拌数分钟以充分混合，确保所有溶质完全溶解。</li>
	<li>向反应浴溶液中加入3 mL NH4OH（28% NH3），继续搅拌2 min。图1展示了CdS化学浴沉积的实验装置。</li>
	<li>使用聚四氟乙烯样品架将CIGS样品放入反应浴溶液中。</li>
	<li>将反应浴置于保持在65 °C的水浴中，并在沉积过程中使用磁力搅拌子以200 rpm的速度持续搅拌反应浴溶液。</li>
	<li>反应20 min，使CIGS表面生成厚度约为70至80 nm的CdS缓冲层。</li>
	<li>反应结束后，将样品从反应浴中取出，用去离子水冲洗，并用N2气体吹干。</li>
	<li>将样品在热板上于120 °C退火30 min。</li>
</ol>
4. 银纳米线透明导电电极网络的制备
<ol>
	<li>通过将19 mL乙醇与1 mL市售的乙醇基银纳米线（AgNW）分散液（20 mg/mL）混合，制备稀释后的AgNW分散液（1 mg/mL）。</li>
	<li>将0.2 mL稀释后的AgNW分散液滴加到CdS/CIGS样品（2.5 cm × 2.5 cm）表面，使其完全覆盖样品表面，并以1,000 rpm转速旋转样品30秒。</li>
	<li>根据需要重复步骤4.2，以获得理想的光学和电学性能。共进行三次AgNW旋涂。旋涂法制备的AgNW透明导电电极（TCE）的扫描电子显微镜（SEM）图像见图2。</li>
	<li>旋涂完成后，将样品置于加热板上，在120 °C下退火5分钟。</li>
</ol>
5. 2的沉积nd CdS 层
<ol>
	<li>按照步骤3.1所述配制新的CdS反应浴溶液。</li>
	<li>按照第3节的方法沉积CdS，必要时调整反应时间。 
	注意：我们优化了反应时间，10 min 得到了性能最佳的 CIGS 器件。2 的影响nd CdS 沉积时间对 CIGS 薄膜太阳能电池器件性能的影响可参见我们之前的研究工作14.</li>
</ol>
6. 表征技术
<ol>
	<li>利用场发射扫描电子显微镜和透射电子显微镜（TEM）表征银纳米线（AgNWs）及硫化镉包覆银纳米线（CdS-coated AgNWs）的表面和横截面形貌。</li>
	<li>使用配备太阳光模拟器（1,000 W/m2，AM1.5G）的电流-电压源测量太阳能电池性能。</li>
</ol>

<ol><li>Lee, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Determination+of+the+lateral+collection+length+of+charge+carriers+for+silver-nanowire-electrode-based+Cu%28In%2CGa%29Se2+thin-film+solar+cells%5BTitle%5D)+AND+%22Solar+Energy%22%5BJournal%5D)">Determination of the lateral collection length of charge carriers for silver-nanowire-electrode-based Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> Solar Energy. 180, 519-523 (2019).</li>
<li>Langley, D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Flexible+transparent+conductive+materials+based+on+silver+nanowire+networks%3A+a+review%5BTitle%5D)+AND+%22Nanotechnology%22%5BJournal%5D)">Flexible transparent conductive materials based on silver nanowire networks: a review.</a> Nanotechnology. 24 (45), 452001(2013).</li>
<li>Chung, C. -H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Silver+nanowire+composite+window+layers+for+fully+solution-deposited+thin-film+photovoltaic+devices%5BTitle%5D)+AND+%22Advanced+Materials%22%5BJournal%5D)">Silver nanowire composite window layers for fully solution-deposited thin-film photovoltaic devices.</a> Advanced Materials. 24 (40), 5499-5504 (2012).</li>
<li>Liu, C. -H., Yu, X. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Silver+nanowire-based+transparent%2C+flexible%2C+and+conductive+thin+film%5BTitle%5D)+AND+%22Nanoscale+Research+Letters%22%5BJournal%5D)">Silver nanowire-based transparent, flexible, and conductive thin film.</a> Nanoscale Research Letters. 6 (1), (2011).</li>
<li>Yu, Z., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Highly+flexible+silver+nanowire+electrodes+for+shape-memory+polymer+light-emitting+diodes%5BTitle%5D)+AND+%22Advanced+Materials%22%5BJournal%5D)">Highly flexible silver nanowire electrodes for shape-memory polymer light-emitting diodes.</a> Advanced Materials. 23 (5), 664-668 (2011).</li>
<li>Chung, C. -H., Hong, K. -H., Lee, D. -K., Yun, J. H., Yang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Ordered+vacancy+compound+formation+by+controlling+element+redistribution+in+molecular-level+precursor+solution+processed+CuInSe2+thin+films%5BTitle%5D)+AND+%22Chemistry+of+Materials%22%5BJournal%5D)">Ordered vacancy compound formation by controlling element redistribution in molecular-level precursor solution processed CuInSe2 thin films.</a> Chemistry of Materials. 27 (21), 7244-7247 (2015).</li>
<li>Kim, A., Won, Y., Woo, K., Kim, C. -H., Moon, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Highly+transparent+low+resistance+ZnO%2FAg+Nanowire%2FZnO+composite+electrode+for+thin+film+solar+cells%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Nano%22%5BJournal%5D)">Highly transparent low resistance ZnO/Ag Nanowire/ZnO composite electrode for thin film solar cells.</a> ACS Nano. 7 (2), 1081-1091 (2013).</li>
<li>Singh, M., Jiu, J., Sugahara, T., Suganuma, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Thin-film+copper+indium+gallium+selenide+solar+cell+based+on+low-temperature+all-printing+process%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Applied+Materials+and+Interfaces%22%5BJournal%5D)">Thin-film copper indium gallium selenide solar cell based on low-temperature all-printing process.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 6 (18), 16297-16303 (2014).</li>
<li>Kim, A., Won, Y., Woo, K., Jeong, S., Moon, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((All-solution-processed+indium-free+transparent+composite+electrodes+based+on+Ag+Nanowire+and+Metal+Oxide+for+thin-film+solar+cells%5BTitle%5D)+AND+%22Advanced+Functional+Materials%22%5BJournal%5D)">All-solution-processed indium-free transparent composite electrodes based on Ag Nanowire and Metal Oxide for thin-film solar cells.</a> Advanced Functional Materials. 24 (17), 2462-2471 (2014).</li>
<li>Shin, D., Kim, T., Ahn, B. T., Han, S. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Solution-processed+Ag+Nanowires+%2B+PEDOT%3APSS+hybrid+electrode+for+Cu%28In%2CGa%29Se2+thin-film+solar+cells%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Applied+Materials+and+Interfaces%22%5BJournal%5D)">Solution-processed Ag Nanowires + PEDOT:PSS hybrid electrode for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 7 (24), 13557-13563 (2015).</li>
<li>Wang, M., Choy, K. -L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((All-nonvacuum-processed+CIGS+solar+cells+using+scalable+Ag+NWs%2FAZO-based+transparent+electrodes%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Applied+Materials+and+Interfaces%22%5BJournal%5D)">All-nonvacuum-processed CIGS solar cells using scalable Ag NWs/AZO-based transparent electrodes.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 8 (26), 16640-16648 (2016).</li>
<li>Jang, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Cu%28In%2CGa%29Se2+thin+film+solar+cells+with+solution+processed+silver+nanowire+composite+window+layers%3A+buffer%2Fwindow+junctions+and+their+effects%5BTitle%5D)+AND+%22Solar+Energy+Materials+and+Solar+Cells%22%5BJournal%5D)">Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells with solution processed silver nanowire composite window layers: buffer/window junctions and their effects.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 170, 60-67 (2017).</li>
<li>Chung, C. -H., Bob, B., Song, T. -B., Yang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Current-voltage+characteristics+of+fully+solution+processed+high+performance+CuIn%28S%2CSe%292+solar+cells%3A+crossover+and+red+kink%5BTitle%5D)+AND+%22Solar+Energy+Materials+and+Solar+Cells%22%5BJournal%5D)">Current-voltage characteristics of fully solution processed high performance CuIn(S,Se)2 solar cells: crossover and red kink.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 120, 642-646 (2014).</li>
<li>Lee, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Robust+nanoscale+contact+of+silver+nanowire+electrodes+to+semiconductors+to+achieve+high+performance+chalcogenide+thin+film+solar+cells%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Energy%22%5BJournal%5D)">Robust nanoscale contact of silver nanowire electrodes to semiconductors to achieve high performance chalcogenide thin film solar cells.</a> Nano Energy. 53, 675-682 (2018).</li>
</ol>

作者声明不存在任何竞争性经济利益。

请注意，2的沉积时间nd CdS 层必须经过优化才能实现电池的最佳性能。随着沉积时间的增加，2nd CdS层增加，从而改善电接触。然而，进一步沉积2nd CdS层过厚会降低光吸收，导致器件效率下降。我们通过10分钟的沉积时间获得了最佳的电池性能nd CdS层，并发现随着沉积时间的延长，电池效率下降。
为了评估我们的方法，我们将基于Ag@CdS纳米线的CIGS太阳能电池的器件性能与溅射ZnO:Al/i-ZnO透明导电氧化物（TCO）的标准CIGS太阳能电池进行了比较，如图3A14所示。两者的电流-电压（J-V）特性几乎相同，整体器件性能也非常接近。该结果证明，我们提出的溶液工艺方法能够制备出高性能的薄膜太阳能电池。
已采用多种方法来改善银纳米线透明导电电极（AgNW TCE）的电学性能，其中包括引入导电基质。本实验方案所描述的方法简便且...

银纳米线（AgNW）网络因其在加工成本更低和机械柔韧性更优方面的优势，已被广泛研究作为氧化铟锡（ITO）透明导电薄膜的替代材料，相较于传统的透明导电氧化物（TCO）具有显著优点。溶液法制备的AgNW网络透明导电电极（TCE）已应用于铜铟镓硒（Cu(In,Ga)Se2，CIGS）薄膜太阳能电池中1,2,3,4,5,6。溶液法制备的AgNW TCE通常以嵌入式AgNW或三明治结构AgNW的形式制备于导电基质中，如PEDOT:PSS、ITO、ZnO等7,8,9,10,11。基质层可增强对AgNW网络空隙中电荷载流子的收集能力。
然而，基质层可能在CIGS薄膜太阳能电池中于基质层与下方的CdS缓冲层之间产生界面缺陷12,13界面缺陷通常会导致电流密度-电压（J-V）曲线出现拐点，从而引起电池的填充因子（FF）降低，这对太阳能电池的性能不利。我们此前报道了一种通过选择性沉积额外的薄层CdS（2nd AgNWs与CdS缓冲层之间的CdS层14. 引入额外的CdS层改善了AgNW层与CdS层之间结区的接触特性。因此，AgNW网络中的载流子收集效率显著提高，电池性能得以增强。在本实验方案中，我们描述了通过使用2nd CIGS薄膜太阳能电池中的CdS层

<table><tbody><tr><td>钼</td><td>Materion</td><td>纯度：3N5</td><td>钼溅射</td></tr><tr><td>铜</td><td>5N Plus</td><td>纯度：4N7</td><td>CIGS沉积</td></tr><tr><td>铟</td><td>5N Plus</td><td>纯度：5N</td><td>CIGS沉积</td></tr><tr><td>镓</td><td>5N Plus</td><td>纯度：5N</td><td>CIGS沉积</td></tr><tr><td>硒</td><td>5N Plus</td><td>纯度：5N</td><td>CIGS沉积</td></tr><tr><td>乙酸铵</td><td>Alfa Aesar</td><td>11599</td><td>CdS反应溶液</td></tr><tr><td>氢氧化铵</td><td>Alfa Aesar</td><td>L13168</td><td>CdS反应溶液</td></tr><tr><td>二水合乙酸镉</td><td>Sigma-Aldrich</td><td>289159</td><td>CdS反应溶液</td></tr><tr><td>硫脲</td><td>Sigma-Aldrich</td><td>T8656</td><td>CdS反应溶液</td></tr><tr><td>银纳米线</td><td>ACSMaterial</td><td>AgNW-L30</td><td>AgNW分散液</td></tr></tbody></table>

cu(in,ga)se2 薄膜太阳能电池中银纳米线电极与 cds 缓冲层之间坚固纳米级接触的制备

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in Cu(In,Ga)Se2 Thin-film Solar Cells

银纳米线透明电极已被用作Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳能电池的窗口层。裸露的银纳米线电极通常会导致电池性能极差。使用导电性适中的透明材料（如掺铟氧化锡或氧化锌）将银纳米线嵌入或夹在中间，可改善电池性能。然而，溶液法制备的基质层可能在透明电极与CdS缓冲层之间引入大量界面缺陷，最终导致电池性能低下。本文描述了如何在Cu(In,Ga)Se2太阳能电池中实现银纳米线电极与下方CdS缓冲层之间的稳定电接触，从而实现采用无基质银纳米线透明电极的高性能电池。我们方法制备的无基质银纳米线电极证明，只要银纳米线与CdS之间具有高质量的电接触，基于银纳米线电极的电池载流子收集能力可与采用溅射ZnO:Al/i-ZnO的标准电池相媲美。高质量电接触是通过在银纳米线表面沉积一层仅10 nm厚的额外CdS层实现的。

CIGS 太阳能电池的层状结构，其中（a）采用标准 ZnO:Al/i-ZnO，（b）采用 AgNW TCE，如图所示 图3CIGS 的表面形貌较为粗糙，银纳米线层与下方的 CdS 缓冲层之间可能形成纳米级间隙。如图中所示。 图 3A，第2nd CdS 层可选择性地沉积在纳米级间隙上，以形成稳定的电接触。有关电接触的形成、电学性能及器件性能增强的详细解释，可参见参考文献14。AgNW与CdS结的结构分析，包括横截面SEM和TEM以及相应的元素分布图，也可在参考文献14中找到。
图4 显示沿 2 的横截面透射电子显微镜图像（a）nd CdS/CIGS 结构中沉积在 AgNW 网络上的 CdS 层以及 (b) 横跨 2nd</s...

在本实验方案中，我们详细描述了在CIGS薄膜太阳能电池中制备银纳米线网络与CdS缓冲层之间稳定纳米级接触的实验步骤。

Cu(In,Ga)Se2 薄膜太阳能电池中银纳米线电极与 CdS 缓冲层之间坚固纳米级接触的制备

银纳米线透明电极已被用作铜铟镓硒（Cu(In,Ga)Se2）薄膜太阳能电池的窗口层。裸银纳米线电极……

银纳米线网络是一种新兴技术，可用于替代薄膜太阳能电池中的传统透明导电氧化物。然而，其与底层材料的电接触一直存在问题。本方案提供了一种简单的方法，用于增强铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池中银纳米线网络与底层硫化镉（CdS）缓冲层之间的电接触性能。我们的方法是一种非常简单、可重复且低成本的溶液法工艺。该工艺在制备CIGS薄膜太阳能电池方面，可与现有的溶液法工艺相媲美。首先，将清洗干净的玻璃基底装入直流磁控溅射仪中，并抽真空至4×10⁻⁶托。通入氩气，并将工作压力设定为20毫托。开启等离子体，将直流输出功率增加至3千瓦。预溅射3分钟以清洁靶材后，开始沉积钼薄膜，直至钼膜厚度达到约350纳米。接下来，将工作压力设定为15毫托，同时保持输出功率为3千瓦。继续进行钼的沉积，直至钼的总厚度达到约750纳米。将镀有钼的玻璃载入预热的共蒸发器中，真空度需低于5×10⁻⁶托。设定铟、镓和硒的蒸发源温度，使其沉积速率分别为每秒2.5、1.3和15埃。使用石英晶体微天平技术监测沉积速率。在450摄氏度的基底温度下，开始将铟、镓和硒沉积到镀钼玻璃上，形成一层厚度为一微米的铟-镓-硒前驱层。15分钟后，停止供应铟和镓，并将衬底温度升高至550摄氏度。接着，开始向铟-镓-硒前驱层上供应铜，持续至薄膜中铜与铟+镓的组分比达到1.15。停止供应铜，然后以与第一阶段相同的沉积速率再次蒸发铟和镓，形成一层厚度约为2微米、铜与铟+镓组分比为0.9的CIGS薄膜。保持硒的沉积速率为每秒15埃，基底温度为550摄氏度。为确保反应完全，在环境硒气氛下将沉积的CIGS薄膜在550摄氏度的基底温度下退火5分钟。在环境硒气氛下将基底温度降至450摄氏度，然后当基底温度低于250摄氏度时取出沉积有CIGS的基底。在250毫升烧杯中，加入去离子水、乙酸镉二水合物、硫脲和乙酸铵，配制硫化镉反应浴溶液。搅拌数分钟至溶液均匀。向该溶液中加入3毫升氨水，再搅拌2分钟。接下来，使用聚四氟乙烯样品架将CIGS样品放入反应浴溶液中。将反应浴置于水浴加热装置中，并保持在65摄氏度。在沉积过程中，以200 RPM的速度搅拌反应浴溶液，使反应持续进行20分钟，从而在CIGS上形成约70–80纳米的硫化镉缓冲层。反应结束后，将样品从反应浴中取出，用去离子水冲洗，并用氮气吹干。将样品置于预热的加热板上，在120摄氏度下退火30分钟。通过将90毫升乙醇与1毫升浓度为20毫克/毫升的乙醇基银纳米线分散液混合，配制浓度为1毫克/毫升的银纳米线分散液。将0.2毫升稀释后的银纳米线分散液滴加到硫化镉CIGS样品上，覆盖整个表面，并以1000 RPM转速旋转样品30秒。随后，重复旋涂银纳米线3次。旋涂完成后，将样品置于预热的加热板上，在120摄氏度下退火5分钟。按照先前所述方法配制新的硫化镉反应浴溶液。按照先前所述方法沉积硫化镉，但可根据需要调整反应时间。现在，通过光学显微镜表征涂覆有硫化镉的银纳米线的表面形貌。使用配备太阳能模拟器的电流电压源测量太阳能电池性能。此处展示了具有标准掺铝氧化锌、本征氧化锌以及银纳米线网络透明导电电极的CIGS太阳能电池的层状结构。第二层硫化镉可选择性地沉积在纳米级间隙上，以形成稳定的电接触。沿沉积在硫化镉CIGS结构上银纳米线网络的第二层硫化镉，以及穿过沉积在银纳米线网络上的第二层硫化镉的横截面透射电子显微镜图像如图所示。第二层硫化镉均匀地沉积在银纳米线表面，形成了核壳结构的银纳米线上的镉层。第二层硫化镉填充了硫化镉缓冲层与银纳米线层之间的空气间隙，实现了稳定的电接触。此处展示了使用裸露银纳米线以及核壳结构银纳米线透明导电电极上沉积硫化镉层的CIGS薄膜太阳能电池的器件性能。由于电接触不稳定，使用裸露银纳米线的电池器件性能较差。沉积第二层镉显著提高了电池性能。本方案中最重要的步骤是在银纳米线网络上制备第二层 CdS。可通过测量 CIGS 薄膜太阳能电池的器件性能来优化不同的时间参数。我们提出了一种在 CIGS 体系中制备稳定纳米级电接触的方法。我们认为，我们的方法可应用于其他需要提高电接触性能的太阳能电池系统。

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在 Cu(In、Ga)Se2薄膜太阳能电池中制造银纳米线电极与 CdS 缓冲层之间的强健纳米级接触

在玻璃基板上制备多晶硅薄膜太阳能电池，通过沉积掺硼和掺磷的硅层，随后进行晶化、缺陷钝化和金属化。通过在硅电池表面形成银纳米颗粒，并在其上覆盖一层漫反射层，引入等离激元光捕获结构，可实现约45%的光电流增强。...

具有等离激元增强型光捕获的多晶硅薄膜太阳能电池

本文介绍了一种用于太阳能生产的电荷分离型半导体纳米晶体复合材料的通用设计策略。我们展示了将给体-受体纳米晶体结构域组装于单一纳米颗粒几何结构中，可实现光催化功能；而给体-受体纳米晶体薄膜的体相异质结则可用于光伏能量转换。...

利用电荷分离型纳米晶体及其固体收集太阳能

银纳米线能够以表面等离激元的形式同时传输电子和光学信息。本文描述了一种实现此类共享电路的方法，并评估了两种信息载体在传播过程中的局限性。...

评估载流银纳米线中的等离激元传输

硫化亚锡（SnS）是一种具有潜力的地球储量丰富且无毒的太阳能电池材料。本文展示了采用原子层沉积法制备SnS太阳能电池的工艺流程，该方法获得了4.36%的认证光电转换效率；此外，采用热蒸发法制备的器件效率达到3.88%。...

通过热蒸发和原子层沉积法制备高效率SnS太阳能电池

介绍了一种基于可转移印刷的可行方法，用于在太阳能电池中引入等离激元金属纳米结构。利用纳米柱状聚二甲基硅氧烷印章，将基于银的有序纳米盘阵列与标准的氢化微晶硅太阳能电池集成，通过等离激元光捕获效应显著提升了器件性能。...

通过转印技术将光捕获银纳米结构集成于氢化微晶硅太阳能电池中

本文介绍了一种合成Zn的实验方案1-xMgxO/Cu2通过常压空间原子层沉积（AP-SALD）在低温空气中制备Zn基异质结1-xMgx氧化亚铜上的氧。通过这种廉价且可扩展的方法，可在包括塑料在内的多种基底上生长出高质量的保形金属氧化物。...

提高铜基异质结质量2通过常压空间原子层沉积优化的氧化物基太阳能电池 Zn1-xMgxO

采用一种简单的合成方法，通过化学焊接银纳米线薄膜来制备高拉伸性和高导电性的金属导体。...

一种基于银纳米线的高拉伸性导体制备方法

本方案描述了无机纳米晶体的逐层合成及其溶液沉积方法，用于在非导电表面制备薄膜电子器件。经溶剂稳定的墨水可通过旋涂和喷雾涂覆，在玻璃基底上形成完整的光伏器件，随后进行沉积后配体交换和烧结处理。...

全溶液法制备无机纳米晶光伏器件

两项“联合应激试验”与 原位...

原位监测太阳能电池及组件的加速性能退化：以铜铟镓硒（Cu(In,Ga)Se2）太阳能电池为例的研究

本文旨在介绍一种在薄膜银电极表面形成光滑且形貌可控、覆盖度明确的氯化银（AgCl）薄膜的方法。...

制备具有精细控制单层氯化银的薄膜银/氯化银电极

本研究描述了用于提高效率的薄吸收层碲化镉硒/碲化镉光伏器件的完整制备过程。该过程采用可扩展的自动化在线真空系统，通过近空间升华法进行沉积，适用于小面积科研器件以及大规模组件的制备。...

密闭空间升华沉积的超薄CdSeTe/CdTe太阳能电池以增强短路电流密度和光致发光

学习在CIGS薄膜太阳能电池中增强银纳米线与CdS缓冲层之间电接触的方法。该方案采用简单、可重复且低成本的溶液工艺，通过沉积第二层CdS层来填充纳米级间隙，实现稳定的电接触并显著提升器件性能。

Cu(In,Ga)Se₂ 薄膜太阳能电池中银纳米线电极与 CdS 缓冲层之间坚固纳米级接触的制备

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