Name: Herstellung von räumlich getrennter komplexe Oxide (Video) | JoVE Journal
Uploaded: 2013-07-01T13:00:00.000+00:00
Duration: 8 min 45 s
Description: Erfahren Sie die Herstellung räumlich begrenzter komplexer Oxid-Dünnschichten für Elektronentransportmessungen mittels gepulster Laserabscheidung und Photolithografie. Diese Methode ermöglicht die Isolierung elektronischer Domänen.

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Dieser Aufwand wurde vollständig von der US DOE, Office of Basic Energy Sciences, Materialwissenschaften und Engineering Division unterstützt.

1. Beispiel Wachstum Fabrication <ol><li> Reinigen Sie einen 5 mm x 5 mm x 0,5 mm-Einkristall-Substrats mit einer Fehlschnittwinkels &lt;0,1 Grad wie SrTiO3 oder LaAlO 3 mit Aceton und dann mit Wasser in einem Ultraschall-Reiniger für jeweils 10 Minuten. Um eine TiO 2 Terminierung SrTiO 3, Ätzen des Substrats in 10% Fluorwasserstoff für 30 sec erhalten und Spülen in Wasser für 1 Minute, gefolgt von einer bei 1100 ° C für 10 h Temperung gefolgt. Nach der Reinigung, Montage des Substrats auf einem Heizgerät für Ultrahochvakuum-Bedingungen. </li><li> Montieren Sie die Heizung in der PLD Vakuumkammer und öffnen Sie die Kammer Sauerstoff-Quelle, um die Kammer mit 2 x 10E-5 Torr Sauerstoff zu füllen. Heben Sie die Heiztemperatur bis 800 ° C und lassen Sie es für 20 Minuten glühen. Temperatur überwacht mit Hilfe eines computergesteuerten Pyrometer oder ein Thermoelement werden. </li><li> Um Schichtabscheidung beginnen, starten die Excimer-Laser mit einem gepulsten Laser-Fluenz von 1 bis 2 J / cm 2 und Laserfrequenz von 1oder 2 Hz. Die Laserpulse treffen wird die Target-Material und erzeugen eine Wolke Fluss. Der Fluss wird durch den Sauerstoff Umwelt und Einzahlung auf das Substrat eindringen. </li><li> Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED) kann verwendet werden, um Einheit Zellwachstum überwachen und bestätigen Oberflächenqualität 7 werden. Diese Technik ermöglicht eine sehr klare Dicke Überwachung. </li><li> Wenn der Film mit der gewünschten Dicke ist, schalten Sie den Laser und verringern die Heiztemperatur bei 5 ° C / min. Sobald die Heizung auf Raumtemperatur abgekühlt ist, schalten Sie den Sauerstoff-Quelle und entfernen Sie die Probe. </li><li> Ex-situ-Glühung auf Oxid-Materialien verwendet werden, um Sauerstoff Mängel, die vorhanden sein können, nach dem Wachstum oder längerer im Vakuum zu entfernen. Legen Sie die Probe in einem Rohrofen unter 1 atm strömendem Sauerstoff. Erhöhen Sie die Temperatur von 20 ° C bis 700 ° C bei 5 ° C / min, 2 h Glühen, und dann sinken Temperatur von 700 ° C bis 20 ° C bei 2 ° C / min. Eine wichtige keinete ist, nie bei höheren Temperaturen als bei der Folienherstellung Wachstum beim Ausfüllen Sauerstoffleerstellen da dies nachteilig beeinflussen können Oberflächenqualität und negativ beeinflussen kann Kristallqualität Post-Glühen. </li></ol> 2. Photolithographie Fabrication <ol><li> Ultraschall reinigen die Probe in Aceton und dann mit Wasser für jeweils 10 Minuten. Ein optisches Mikroskop kann verwendet werden, um zu überprüfen, dass die Probenoberfläche sauber großer Partikel handelt. (Abbildung 2a) </li><li> Spin Mantel eine Schicht von 1 Mikron dicke Fotolack. Typische Spin Geschwindigkeit und Dauer sind rund 6.000 Umdrehungen pro Minute und 80 Sekunden, obwohl diese Zahlen abhängig von bestimmten Fotolack verwendet werden. Legen Sie die Probe auf einer Heizplatte bei 115 ° C für 2 min, um den Fotolack zu heilen. Überprüfen Sie die Qualität Fotolack unter einem optischen Mikroskop. Die Beschichtung sollte erscheinen Uniform ohne Blasenbildung. </li><li> Verwenden Sie einen Mask Aligner, die Probe unter einem vordefinierten Lithographie Maske mit UV-Licht aussetzen 9 Sek. lang mit einer Bestrahlungsdosisetwa 90 mJ / cm 2. Auch diese Zahlen werden spezifisch auf den Fotolack verwendet. Wenn ein positiver Photoresist verwendet wird, wird der Teil des Photoresist, die durch die Maske bedeckt ist keine Veränderung der chemischen Eigenschaft, während der Teil des PR, die von der Maske unbedeckt ist seine Eigenschaft zu ändern, kann und wird in der chemischen Entwickler gelöst werden. Heizen Sie den Fotolack und Probe bei 110 ° C für 80 Sek. weitere Heilung der Fotolack belichtet. </li><li> Spülen Sie die Probe in einer Entwickler-Lösung für 25-35 sec. Nehmen Sie die Probe sofort und gründlich in Wasser für 30 sec. Wenn positive Photoresist verwendet wird, wird der Teil des Photoresist von der Maske freigelegt wird weggewaschen werden, während der Teil, der abgedeckt bleibt. Beachten Sie, dass die Dauer der Entwicklungsschritt entscheidend genau zu steuern Photoresist Abmessungen und Qualität (Abbildung 2b). </li><li> Bereiten Sie eine Lösung von Kaliumiodid, Salzsäure und Wasser von 1:1:1. Verwenden Sie Kunststoff-Pinzette t spülener Probe in der Säure für ca. 10 Sekunden. Die ungeschützten Teil des dünnen Films wird weggeätzt werden. Sofort ausspülen die Probe in reinem Wasser für 60 Sekunden. Überprüfen Sie mit einem optischen Mikroskop zu sehen, ob der dünne Film hat völlig geätzt worden. Wenn nicht, fügen Sie 2 bis 3 Sekunden in der Säureätzung und sofort mit reinem Wasser abspülen, dann klicken Sie hier mit einem optischen Mikroskop. Wiederholen Sie diesen Vorgang, bis alle die ungeschützte Film weggeätzt wird. Dieser Prozess wird durch das Ätzmittel Stärke und Schichtdicke geregelt. Typische Ätzgeschwindigkeiten für viele Manganiten sind etwa 1-4 nm / Sekunde für den 01.01.01 Lösungs-Verhältnis beschrieben. </li><li> Spülen Sie die Probe in Aceton für 20 sec, um die verbleibende Fotolack entfernen. Prüfen Sie die Qualität der Probe mit Mikroskop (Abbildung 2c und 2d). </li></ol> 3. Draht-Bonding-Anschluss <ol><li> Mit einer Foto-Maske, wiederholen Sie die Schritte 2.1-2.3 oben unter Verwendung eines Lithographie-Maske, die offenen Bereiche auf den Drähten für den Kontakt verlassenPads. Dampft 5 nm Ti und 100 nm Au auf die Probe und spülen in Aceton. Dadurch wird der Fotolack und lassen Sie nur den gewünschten Kontakt Pad-Geometrie (Abbildung 3a). </li><li> Verwenden GE Lack, um die Probe auf die Probe Puck montieren. Erlauben Sie 15 min zu heilen. </li><li> Befestigen Sie die Probe Position auf Drahtbonders Bühne und verwenden den Draht Bonder zu Al-Drähte aus der Probe Puck Ti / Au Kontakte (3b) zu verbinden. Dann führen Sie elektrische Messungen. </li></ol>

<ol><li>Ahn, C. H., Triscone, J. -M., Mannhart, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Electric+field+effect+in+correlated+oxide+systems%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">Electric field effect in correlated oxide systems.</a> Nature. 424, 1015-1018 (2003).</li>
<li>Basov, D. N., Averitt, R. D., Van der Marel, D., Dressel, M., Haule, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Electrodynamics+of+correlated+electron+materials%5BTitle%5D)+AND+%22Reviews+of+Modern+Physics%22%5BJournal%5D)">Electrodynamics of correlated electron materials.</a> Reviews of Modern Physics. 83, 471-541 (2011).</li>
<li>Waser, R., Aono, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Nanoionics-based+resistive+switching+memories%5BTitle%5D)+AND+%22Nat.+Mater%22%5BJournal%5D)">Nanoionics-based resistive switching memories.</a> Nat. Mater. 6, 833-840 (2007).</li>
<li>Willmott, P. R., Huber, J. R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Pulsed+laser+vaporization+and+deposition%5BTitle%5D)+AND+%22Rev.+Mod.+Phys%22%5BJournal%5D)">Pulsed laser vaporization and deposition.</a> Rev. Mod. Phys. 72, 315-328 (2000).</li>
<li>Eres, H. M. C., G, <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Recent+advances+in+pulsed-laser+deposition+of+complex+oxides%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Physics%3A+Condensed+Matter%22%5BJournal%5D)">Recent advances in pulsed-laser deposition of complex oxides.</a> Journal of Physics: Condensed Matter. 20, 264005(2008).</li>
<li>Ding, J. F., Jin, K. X., Zhang, Z., Wu, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Dependence+of+negative+differential+resistance+on+electronic+phase+separation+in+unpatterned+manganite+films%5BTitle%5D)+AND+%22Applied+Physics+Letters%22%5BJournal%5D)">Dependence of negative differential resistance on electronic phase separation in unpatterned manganite films.</a> Applied Physics Letters. 100, 62402-62404 (2012).</li>
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<li>Urban, J. J., Yun, W. S., Gu, Q., Park, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Synthesis+of+single-crystalline+perovskite+nanorods+composed+of+barium+titanate+and+strontium+titanate%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Am.+Chem.+Soc%22%5BJournal%5D)">Synthesis of single-crystalline perovskite nanorods composed of barium titanate and strontium titanate.</a> J. Am. Chem. Soc. 124, 1186-1187 (2002).</li>
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</ol>

Keine Interessenskonflikte erklärt.

Anders als einzelnes Element Halbleitermaterialien wie Si, kann die Herstellung komplexer Materialien erschwert durch die Tatsache, dass die komplexe Struktur und mehrere Elemente alle berücksichtigt werden. Die Verwendung von Photolithographie, um komplexe Oxid Geräte herzustellen ist relativ kostengünstig und schnell Prototypen zu anderen Techniken gegenüberliegende Begrenzung. Es gibt jedoch einige wichtige Einschränkungen zu verstehen. Photolithographie hat eine räumliche Beschränkung auf Schaffung von Strukturen vo...

Der erste und einer der wichtigsten Schritte zur hochwertigen Geräten ist das Wachstum der epitaktischen Oxiddünnschichten. Einkristall-Substrat als &quot;Vorlage&quot;, um die Target-Materialien abzuscheiden. Unter den verschiedenen Methoden Abscheidung ist Pulsed Laser Deposition (PLD) eine der besten Möglichkeiten, um gute Qualität Dünnschichten 4,5 erwerben. Die Wachstumsprozesse das Erhitzen des Substrats auf etwa 800 ° C in einer sauerstoffarmen Umgebung und mit Laserimpulsen, um die Target-Material getroffen und erzeugen ein Flußmittel auf das Substrat aufgebracht werden. Das typische System ist in Abbildung 1 dargestellt. Während unstrukturierten Filme gezeigt wurde, zeigen exotische neue Physik 6, wodurch Film Dimension bietet mehr Möglichkeiten, neue Phänomene und Bauelementherstellung erkunden. Photolithographie verwendet werden, um die in der Ebene Probendimensionsmessung unten verkleinert, um in der Größenordnung von 1 um. Das detaillierte Protokoll der Photolithographie-Prozess wirdnachfolgend diskutiert. Diese Technik ist kompatibel mit den meisten verbreiteten Substraten, die für Untersuchungen der Entbindung Auswirkungen auf Epitaxialfilme bei anderen Stamm Staaten gehalten werden kann. Da viele komplexe Oxide interessante Eigenschaften bei niedrigen Temperaturen und / oder hoher Magnetfelder haben, ist die elektrische Verbindung zwischen dem Gerät und Messgeräte sehr wichtig. Hochwertige Kontakte können durch Verdampfen Au Kontaktflächen in einem 4-Sonden-Geometrie und unter Verwendung eines Drahtbonders um Verbindungen zwischen den Pads und Messvorrichtung zu bilden. Wenn es richtig gemacht, können diese Verbindungen leicht widerstehen extremen Messumgebungen in weiten Temperaturbereichen von 4 K bis 400 K und Magnetfeld Reichweiten von bis zu ± 9 T.

<table><tbody><tr><td colspan="4">Reagenz/Material</td></tr><tr><td>SrTiO3(001) & LaAlO3(100) Substrate</td><td>CrysTec GmbH</td><td></td><td></td></tr><tr><td>Microposit S1813 Photoresist </td><td>Shipley</td><td></td><td></td></tr><tr><td>CD-26 Entwickler</td><td>Shipley</td><td>38490</td><td></td></tr><tr><td>GE Lack</td><td>Lakeshore</td><td>VGE-7031<</td><td></td></tr><tr>td colspan="4">Equipment</td></tr><tr><td>Reflektierte Hochenergie-Elektronenbeugung (RHEED)</td><td>Staib Instruments</td><td></td><td>35kV TorrRHEED</td></tr><tr><td>Mask Aligner</td><td>ABM</td><td>Modell 85-3 (350W) Lichtquelle</td><td></td></tr><tr><td>Widerstand Puck</td><td>Quantum Design</td><td>P102</td><td></td></tr><tr><td>Drahtbonder</td><td>Kulicke Soffa</td><td>04524-0XDA-000-00</td><td></td></tr></tbody></table>

herstellung von räumlich getrennter komplexe oxide

Fabrication of Spatially Confined Complex Oxides

Komplexe Materialien wie High Tc Supraleitern Multiferroika und kolossale Magnetowiderstände haben elektronische und magnetische Eigenschaften, die von den inhärenten starken elektronischen Korrelationen, die in ihnen wohnen entstehen. Diese Materialien können auch über elektronische Phasentrennung in welchen Regionen sehr unterschiedliche ohmsche und magnetische Verhalten innerhalb eines Einkristall-Legierungsmaterial koexistieren können. Eine Verringerung des Umfangs dieser Materialien Längenskala an und unterhalb der inhärenten Größe der elektronischen Domänen können neue Verhalten ausgesetzt werden. Aus diesem Grund und der Tatsache, dass Spin-Ladungs-Gitter-Orbital-Parameter um jeweils um Korrelationslängen, räumlich Reduzierung dieser Materialien für Transport-Messungen ist ein entscheidender Schritt zum Verständnis der grundlegenden Physik, die komplexe Verhaltensweisen treibt. Diese Materialien bieten auch ein großes Potenzial, um die nächste Generation von elektronischen Geräten 1-3 geworden. Somit wird die Herstellung von niederdimensionalen nano-oderMikrostrukturen ist äußerst wichtig, um neue Funktionen zu erreichen. Diese umfasst mehrere steuerbare Prozesse von hoher Qualität Dünnschicht Wachstum um genaue elektronische Eigenschaft Charakterisierung. Hier präsentieren wir Herstellung Protokolle von hoher Qualität für komplexe Mikrostrukturen Oxid Manganit Geräte. Detaillierte Beschreibungen und erforderliche Ausrüstung von Dünnschicht-Wachstum, Photolithographie und Draht-Bonding werden vorgestellt.

Dieser Beitrag konzentriert sich vor allem auf die Photolithographie und Draht-Bonding-Aspekte der Probenvorbereitung. Weitere Details auf Filmwachstum Prozeduren können in unseren anderen neueren Publikationen 8 gefunden werden. Die Photolithographie ist ein wichtiges Verfahren zur Räumlichkeit in komplexen Oxiden zur Untersuchung von Elektronenstrahlen Korrelationslängen und elektronische Phasentrennung 9-13 zu steuern. 2 zeigt optische Bilder von Tei...

Wir beschreiben die Verwendung von Pulsed Laser Deposition (PLD), Photolithographie und Draht-Bonding-Techniken, um komplexe Oxide Mikrometerskala Geräte zu erstellen. Die PLD wird genutzt, um epitaktischen dünnen Schichten wachsen. Photolithographie und Draht-Bonding-Techniken eingeführt, um praktische Geräte zur Messung Zwecke erstellen.

Herstellung von räumlich getrennter komplexe Oxide

Complex materials such as high Tc superconductors, multiferroics, and colossal magnetoresistors have electronic and magnetic properties that arise from ...

Das übergeordnete Ziel dieses Verfahrens besteht darin, räumlich begrenzte dünne Schichten komplexer Oxide für Elektronentransportmessungen herzustellen. Dies wird erreicht, indem zunächst einkristalline dünne Menonitschichten mittels Puls-Laser-Abscheidung gezüchtet werden. Der zweite Schritt besteht darin, mithilfe von Fotolithographietechniken die gezüchteten Schichten auf die gewünschte Größe und Geometrie zu ätzen.Bereiten Sie anschließend die Vorrichtungen für Transportmessungen vor, indem Sie einen geringen Widerstand an den Probekontakten erzeugen und sie an das Messsystem anschließen. Im letzten Schritt werden Widerstandsmessungen von 300 auf fünf Kelvin unter Verwendung verschiedener angelegter Magnetfelder durchgeführt. Letztendlich werden die lithografisch begrenzten Vorrichtungen verwendet, um zu zeigen, dass der Transport durch die Isolierung einer oder weniger elektronischer Domänen dominiert werden kann, wodurch die untersuchenden Elektronen gezwungen werden, mit mehreren Bereichen zu wechselwirken, im Gegensatz zu einem einfachen Pfad des geringsten Widerstands bei unbeschränkten Strukturen.Der Hauptvorteil dieser Technik gegenüber bestehenden Methoden wie der Elektronenstrahllithografie und der Ionenstrahlabtragung besteht darin, dass eine Probe schnell bearbeitet werden kann, ohne dass es zu Schäden durch Ionenimplantation kommt. Diese Methode kann helfen, zentrale Fragen zu beantworten, beispielsweise wie elektronische Phasenkonkurrenz und elektronische Korrelationslängen emergente Phänomene in stark korrelierten Materialien beeinflussen. Zunächst wird ein einkristalliner Strontiumtitanat-Substrat mit den Abmessungen fünf Millimeter mal fünf Millimeter mal 0,5 Millimeter und einem Spreizwinkel von weniger als 0,1 Grad nacheinander mit Aceton und Wasser in einem Ultraschallreiniger jeweils zehn Minuten lang gereinigt.Als Nächstes wird eine Titandioxid-Terminierung auf dem Strontiumtitanat erzeugt, indem das Substrat 30 Sekunden lang in 10%iger Flusssäure geätzt wird. Anschließend spült man das Substrat eine Minute lang mit Wasser und glüht es bei 1100 Grad Celsius für 10 Stunden. Nach Abschluss des Glühens und Abkühlung des Substrats auf Raumtemperatur wird es auf einer für Ultrahochvakuumbedingungen geeigneten Heizvorrichtung montiert und in eine Vakuumkammer eingebracht.Als Nächstes öffnen Sie die Sauerstoffquelle der Kammer, um die Kammer mit einem Mal 10 hoch minus vier Torr Sauerstoff zu füllen. Erhöhen Sie die Ofentemperatur auf 800 Grad Celsius und lassen Sie das Substrat 20 Minuten lang glühen. Überwachen Sie die Temperatur mithilfe eines computerbasierten Steuerparameters oder eines Thermoelements.Um die Filmausscheidung zu beginnen, starten Sie einen Excimer-Laser mit einer Laserfluenz von ein bis zwei Joule pro Quadratzentimeter und einer Laserfrequenz von ein oder zwei Hertz. Die Laserpulse treffen auf das Targetmaterial und erzeugen einen Plasmastrahl.Der Fluss dringt durch die Sauerstoffatmosphäre hindurch und setzt sich auf dem Substrat ab. Während der Filmausscheidung verwenden Sie die nach HME und anderen beschriebene Reflexions-Hochenergie-Elektronenbeugung, um das Wachstum der Einheitszelle zu überwachen und die Oberflächenqualität zu bestätigen.Mithilfe dieser Technik lässt sich die Schichtdicke sehr genau überwachen. Wenn die gewünschte Dicke des Films erreicht ist, schalten Sie den Laser aus und senken Sie die Heizertemperatur mit einer Rate von fünf Grad Celsius pro Minute ab. Sobald der Heizer auf Raumtemperatur abgekühlt ist, schalten Sie die Sauerstoffquelle ab und entnehmen Sie die Probe. Führen Sie anschließend eine XC-zwei-A-Behandlung im Kniefall durch, um eventuell aufgetretene Sauerstoffdefizite zu beseitigen.Um dies zu erreichen, geben Sie die Probe in einen Rohrofen unter fließendem Sauerstoff bei einem Atmosphärendruck. Erhöhen Sie dann die Temperatur von 20 Grad Celsius auf 700 Grad Celsius mit einer Rate von fünf Grad Celsius pro Minute, halten Sie diese zwei Stunden lang konstant und senken Sie anschließend die Temperatur von 700 Grad Celsius auf 20 Grad Celsius mit einer Rate von zwei Grad Celsius pro Minute.Es ist wichtig, eine Probe niemals bei höheren Temperaturen zu belasten als jenen, die während des Filmwachstums verwendet wurden. Um Sauerstoffleerstellen zunächst zu füllen, reinigen Sie die Probe jeweils zehn Minuten lang ultraschallmäßig in Aceton und anschließend in Wasser. Überprüfen Sie mithilfe eines optischen Mikroskops, ob die Probenoberfläche frei von größeren Partikeln ist.Als Nächstes Spin-Coaten einer ein Mikrometer dicken Schicht AZ 180 1. Drei Fuß-Resist durch Auftragen eines einzelnen Tropfens bei 6.000 U/min für 80 Sekunden, anschließend Probe zwei Minuten lang auf einer Heizplatte bei 115 Grad Celsius aushärten, um den Fotolack zu härten. Sobald der Fotolack abgekühlt ist, die Qualität der Beschichtung unter einem optischen Mikroskop überprüfen.Wenn die Beschichtung gleichmäßig ist und keine Bläschenbildung aufweist, geben Sie eine Probe in einen MA-Bus und belichten Sie sie mithilfe von UV-Licht für neun Sekunden mit einer Belichtungsdosis von 90 Millijoule pro Quadratzentimeter unter einer vordefinierten Lithographiemaske. Anschließend erhitzen Sie die Photoresist-Probe auf einer Heizplatte bei 115 Grad Celsius für 80 Sekunden. Um den belichteten Photoresist weiter auszuhärten, überführen Sie die Probe danach für 25 bis 35 Sekunden in die Entwicklerlösung und spülen sie anschließend 30 Sekunden lang mit Wasser ab. Der Teil des Photoresists, der nicht durch die Maske abgedeckt war, wird weggespült, während der abgedeckte Teil erhalten bleibt.Verwenden Sie anschließend Plastiktangente, um die Probe etwa 10 Sekunden lang in einer Ätzlösung zu spülen. Während dieses Schritts wird der ungeschützte Teil des Dünnfilms weggeätzt. Nach 10 Sekunden spülen Sie die Probe unverzüglich 60 Sekunden lang mit reinem Wasser.Verwenden Sie dann ein optisches Mikroskop, um zu überprüfen, ob der Dünnfilm ordnungsgemäß geätzt wurde. Falls nicht, ätzen Sie zwei bis drei Sekunden länger und spülen Sie anschließend sofort erneut mit reinem Wasser ab. Sobald eine ordnungsgemäße Ätzung erreicht ist, spülen Sie die Probe 20 Sekunden lang in Aceton. Um den verbleibenden Fotolack zu entfernen, überprüfen Sie die Qualität der Probe erneut mit einem optischen Mikroskop. Verdampfen Sie mithilfe einer geeigneten Fotomaske fünf Nanometer Titan und 100 Nanometer Gold auf die Probe. Verwenden Sie einen Elektronenstrahl-Verdampfer bei einem Hintergrunddruck von 1 × 10⁻⁵ mit einer Verdampfungsrate von zwei Ångström pro Sekunde für Titan und 15 Ångström pro Sekunde für Gold. Als Nächstes entfernen Sie den Fotolack, indem Sie die Probe eine Minute lang mit Aceton spülen. Anschließend überprüfen Sie die Kontaktpads unter dem Mikroskop, um die Qualität der Spülung zu bestätigen. Aceton hinterlässt nur die gewünschte Geometrie der Kontaktpads.Verwenden Sie GE-Lack, um die Probe auf dem Probenpuck zu befestigen. Lassen Sie die Probe 15 Minuten aushärten, dann montieren Sie den Puck auf der Drahtbondierstufe. Verbinden Sie abschließend mit dem Drahtbonder die Aluminiumdrähte mit der Probe. Nun können Sie elektrische Messungen durchführen. Während dieses Verfahrens können die Filme leicht überätzt werden, wodurch die Probe innerhalb weniger Sekunden zerstört wird. Links sehen Sie eine korrekt geätzte Probe, die 15 Sekunden lang geätzt wurde.Bei 21 Sekunden ist die gewünschte Struktur beschädigt und bei 25 Sekunden weitgehend entfernt. Das hier gezeigte Verfahren erzeugt eine Probe mit elektrischen Kontakten für die Vierpunkt-Messung. Dadurch lassen sich Drahtverbindungen von der resultierenden Probe zu Geräten wie einem Widerstandsmessplatz leicht herstellen.Die Entwicklung dieser Technik hat es Forschern ermöglicht, Materialien stark zu korrelieren, um die elektronische Phasenseparation zu untersuchen. Nach dem Anschauen dieses Videos sollten wir ein gutes Verständnis dafür haben, wie komplexe Oxidfilme zur Untersuchung der konkurrierenden elektronischen Zustände, die darin vorliegen, eingeschlossen werden können.

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Research

Forschung

JoVE Journal

Engineering

Ingenieurwesen

Wir beschreiben die experimentelle Methode nanostrukturierte Oxid Dünnschichten durch Nanosekunde Pulsed Laser Deposition (PLD) abzuscheiden in Gegenwart von einem Hintergrund Gas. Mit dieser Methode Al-dotiertem ZnO (AZO) Filmen, von kompakt bis hierarchisch nano-Baum Wälder strukturiert werden können hinterlegt.

Herstellung von transparenten leitenden Oxide durch Pulsed Laser Deposition Nano-engineered

Beschrieben wird ein Verfahren zum dauerhaften Verkleben von zwei Siliziumwafern, um ein einheitliches Gehäuse zu realisieren. Dazu gehören Wafervorbereitung, Reinigung, RT-Bindung und Glühprozesse. Die resultierenden gebundenen Wafer (Zellen) haben eine Gleichmäßigkeit des Gehäuses von 1%1,2. Die resultierende Geometrie ermöglicht Messungen von geschlossenen Flüssigkeiten und Gasen.

Herstellung von uniformen Nanoschuppen-Cavities über Silicon Direct Wafer Bonding

Oxid-Nanostrukturen bieten neue Möglichkeiten für Wissenschaft und Technologie.  Die Grenzflächenleitfähigkeit zwischen LaAlO3 und SrTiO3 kann mit Hilfe einer konduktiven Rasterkraftmikroskopie nahezu atomare Präzision gesteuert werden.  Das Protokoll zur Erzeugung und Messung leitfähiger Nanostrukturen an LaAlO3/SrTiO3-Grenzflächen wird demonstriert.

Schreiben und Niedertemperatur-Charakterisierung von Nanostrukturen

Verschiedene Verfahren werden beschrieben, um atomar definierten Vorlagen Epitaxieausrüstung komplexer Oxiddünnschichten vorzubereiten. Chemische Behandlungen von einkristallinen SrTiO 3 (001) und DyScO 3 (110) Substrate wurden durchgeführt, um atomar glatte, Einzelterminierten Oberflächen zu erhalten. Ca 2 Nb 3 O 10 - Nanoschichten wurden verwendet, um atomar definierten Vorlagen auf beliebigen Substraten zu schaffen.

Atomar definierte Vorlagen Epitaxieausrüstung komplexer Oxide Thin Films

Hier präsentieren wir ein Protokoll für die Synthese von Zn 1-x Mg x O / Cu 2 O - Hetero in Freiluft bei niedriger Temperatur über Atmosphärendruck räumliche Atomlagenabscheidung (AP-SALD) Zn 1-x Mg x O auf Kupferoxid. Solche hochwertige konforme Metalloxide können durch dieses billig und skalierbares Verfahren auf einer Vielzahl von Substraten, einschließlich Kunststoffen gezüchtet werden.

Verbesserte Qualität Hetero in Cu<sub&gt; 2</subSolarzellen durch die Optimierung der Atmosphärendruck Spatial Atomic Layer&gt; O-basierte Hinterlegt<br /&gt; Zn<sub&gt; 1-x</sub&gt; Mg<sub&gt; x</sub&gt; O

Säulenförmigen Zinkoxid Strukturen in Form von Stäben über Aerosol-gestützte chemische Aufdampfen ohne den Einsatz der bereits hinterlegten Katalysator-Samen Partikel synthetisiert. Diese Methode ist skalierbar und kompatibel mit verschiedenen Substraten, basierend auf Silikon, Quarz oder Polymere.

Aerosol-assisted Chemical Vapor Deposition von Metall-Oxid-Strukturen: Zinkoxid-Stangen

Metall-organischen Frameworks sind wirksam bei der Gasspeicherung und heterogene Katalyse, aber typische Synthese Methoden Ergebnis in loser Puder, die schwer in intelligente Materialien zu integrieren sind. Wir zeigen eine Methode der ersten Beschichtung Stoffe mit ALD Metalloxiden, wodurch winkeltreue Filme von MOF auf den Stoffen während der Solvothermal-Synthese.

Solvothermal Synthese von MIL-96 und UiO-66-NH2 auf atomarer Ebene hinterlegt Metall-Oxid-Beschichtungen auf Fasermatten

Die Synthese von hochwertigen Bulk und Dünnschicht (Mg0.25(1-x)CoXNi0.25(1-x)Cu0.25(1-x)Zn0.25(1-x)) O und (Mg0.25(1-x)Co0.25(1-x)Ni0.25(1-x)CuXZn0.25(1-x ()) O Entropie-stabilisierten Oxide vorgestellt.

Bulk- und Dünnschicht-Synthese von kompositorisch Variante Entropie-stabilisierten Oxide

Hier zeigen wir ein einzigartiges, relativ niedrigen Temperaturen, Salzschmelze Synthese-Verfahren zur Herstellung einheitlicher Komplex Metalloxid Lanthan Hafnate Nanopartikel.

Salzschmelze Synthese von komplexen Metall-Oxid-Nanopartikel

Oxidmaterialien weisen viele exotische Eigenschaften auf, die durch die Abstimmung des Sauerstoffgehalts gesteuert werden können. In dieser Arbeit demonstrieren wir die Einstellung des Sauerstoffgehalts in Oxiden durch Variation der gepulsten Laserabscheidungsparameter und durch Nachglühen. Beispielsweise werden die elektronischen Eigenschaften von SrTiO-3-basierten Heterostrukturen durch Wachstumsmodifikationen und Annealing eingestellt.

Einstellen der Oxideigenschaften durch Sauerstoff-Fehlstellen-Kontrolle während des Wachstums und Glühens

Erfahren Sie die Herstellung räumlich begrenzter komplexer Oxid-Dünnschichten für Elektronentransportmessungen mittels gepulster Laserabscheidung und Photolithografie. Diese Methode ermöglicht die Isolierung elektronischer Domänen.

Herstellung von räumlich getrennter komplexe Oxide

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