Name: Nahraumsublimations-Deposited Ultra-Thin CdSeTe/CdTe Solar cells für verbesserte Kurzschlussstromdichte und Photolumineszenz (Video) | JoVE Journal
Uploaded: 2020-03-06T15:00:00.000+00:00
Duration: 12 min 21 s
Description: Erfahren Sie die Herstellung ultradünner CdSeTe/CdTe-Solarzellen durch Nahraumsublimationsdeposition. Diese automatisierte Methode steigert die Effizienz und ermöglicht skalierbare Produktion für erneuerbare Energien.

ai_agent_IP

ai_agent

maintenance

instantTrialDurationMinutes

isBiopharma

enableNewMyJoveSectionDesign

educationFeatures

seoMetaApi

ai_copilot_institution_blacklist

ai_chat_institution_blacklist

freeAccessWindow

ssoRoleCapture

scheduledMaintenanceBanner

joveLabsFeatures

disable_autoplay_for_bots

extended_trial_duration

5 minutes

Die Autoren danken Professor W.S. Sampath für die Verwendung seiner Abscheidungssysteme, Kevan Cameron für die Systemunterstützung, Dr. Amit Munshi für seine Arbeit mit dickeren Zweischichtzellen und ergänzenden Aufnahmen des inline automatisierten CSS-Vakuumabscheidungssystems und Dr. Darius Kuciauskas für Unterstützung bei TRPL-Messungen. Dieses Material basiert auf Arbeiten, die vom Office of Energy Efficiency and Renewable Energy (EERE) des US-Energieministeriums im Rahmen der VereinbarungSnummer DE-EE0007543 des US-Energieministeriums unterstützt werden.

<ol><li>Global energy demand rose by 2.3% in 2018, its fastest pace in the last decade. , Available from: 
 <a target="_blank" href="https://www.iea.org/newsroom/news/2019/march/global-energy-demand-rose-by-23-in-2018-its-fastest-pace-in-the-last-decade.html">https://www.iea.org/newsroom/news/2019/march/global-energy-demand-rose-by-23-in-2018-its-fastest-pace-in-the-last-decade.html</a> (2019).</li>
<li>Morton, O. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Solar+energy%3A+A+new+day+dawning%3F%3A+Silicon+valley+sunrise%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">Solar energy: A new day dawning?: Silicon valley sunrise.</a> Nature. 443 (7107), 19-22 (2006).</li>
<li>Best research-cell efficiency chart. , Available from: 
 <a target="_blank" href="https://www.nrel.gov/pv/cell-efficiency.html">https://www.nrel.gov/pv/cell-efficiency.html</a> (2019).</li>
<li>First Solar. First Solar sustainability report. , Available from: 
 <a target="_blank" href="http://www.firstsolar.com/-/media/First-Solar/Sustainability-Documents/FirstSolar_SustainabilityReport_Web_2018.ashx">http://www.firstsolar.com/-/media/First-Solar/Sustainability-Documents/FirstSolar_SustainabilityReport_Web_2018.ashx</a> (2018).</li>
<li>Munshi, A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Polycrystalline+CdSeTe%2FCdTe+absorber+cells+with+28+mA%2Fcm2+short-circuit+current%5BTitle%5D)+AND+%22IEEE+Journal+of+Photovoltaics%22%5BJournal%5D)">Polycrystalline CdSeTe/CdTe absorber cells with 28 mA/cm2 short-circuit current.</a> IEEE Journal of Photovoltaics. 8 (1), 310-314 (2018).</li>
<li>Metzger, W. K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Exceeding+20%25+efficiency+with+in+situ+group+V+doping+in+polycrystalline+CdTe+solar+cells%5BTitle%5D)+AND+%22Nature+Energy%22%5BJournal%5D)">Exceeding 20% efficiency with in situ group V doping in polycrystalline CdTe solar cells.</a> Nature Energy. 4, 837-845 (2019).</li>
<li>Hsiao, K. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Electroplated+CdTe+solar+technology+at+Reel+Solar%5BTitle%5D)+AND+%22Proceedings+of+46thIEEE+PVSC%22%5BJournal%5D)">Electroplated CdTe solar technology at Reel Solar.</a> Proceedings of 46thIEEE PVSC. , Chicago, IL. (2019).</li>
<li>Bothwell, A. M., Drayton, J. A., Jundt, P. M., Sites, J. R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Characterization+of+thin+CdTe+solar+cells+with+a+CdSeTe+front+layer%5BTitle%5D)+AND+%22MRS+Advances%22%5BJournal%5D)">Characterization of thin CdTe solar cells with a CdSeTe front layer.</a> MRS Advances. 4 (37), 2053-2062 (2019).</li>
<li>Fiducia, T. A. M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Understanding+the+role+of+selenium+in+defect+passivation+for+highly+efficient+selenium-alloyed+cadmium+telluride+solar+cells%5BTitle%5D)+AND+%22Nature+Energy%22%5BJournal%5D)">Understanding the role of selenium in defect passivation for highly efficient selenium-alloyed cadmium telluride solar cells.</a> Nature Energy. 4, 504-511 (2019).</li>
<li>Swanson, D. E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Single+vacuum+chamber+with+multiple+close+space+sublimation+sources+to+fabricate+CdTe+solar+cells%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Vacuum+Science+and+Technology+A%22%5BJournal%5D)">Single vacuum chamber with multiple close space sublimation sources to fabricate CdTe solar cells.</a> Journal of Vacuum Science and Technology A. 34, 021202(2016).</li>
<li>McCandless, B. E., Sites, J. R. Cadmium telluride solar cells. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=author%3aMcCandless%2C+BE+%22Handbook+of+Photovoltaic+Science+and+Engineering%22">Handbook of Photovoltaic Science and Engineering</a>. Luque, A., Hegedus, S. , John Wiley & Sons Ltd. West Sussex, England. 617-662 (2003).</li>
<li>Abbas, A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Cadmium+chloride+assisted+re-crystallization+of+CdTe%3A+the+effect+of+annealing+over-treatment%5BTitle%5D)+AND+%22Proceedings+of+40th+IEEE+PVSC%22%5BJournal%5D)">Cadmium chloride assisted re-crystallization of CdTe: the effect of annealing over-treatment.</a> Proceedings of 40th IEEE PVSC. , Denver, CO. (2014).</li>
<li>Munshi, A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Effect+of+varying+process+parameters+on+CdTe+thin+film+device+performance+and+its+relationship+to+film+microstructure%5BTitle%5D)+AND+%22Proceedings+of+40th+IEEE+PVSC%22%5BJournal%5D)">Effect of varying process parameters on CdTe thin film device performance and its relationship to film microstructure.</a> Proceedings of 40th IEEE PVSC. , Denver, CO. (2014).</li>
<li>Metzger, W. K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Time-resolved+photoluminescence+studies+of+CdTe+solar+cells%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">Time-resolved photoluminescence studies of CdTe solar cells.</a> Journal of Applied Physics. 94 (5), 3549-3555 (2003).</li>
<li>Moseley, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Luminescence+methodology+to+determine+grain-boundary%2C+grain-interior%2C+and+surface+recombination+in+thin+film+solar+cells%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">Luminescence methodology to determine grain-boundary, grain-interior, and surface recombination in thin film solar cells.</a> Journal of Applied Physics. 124, 113104(2018).</li>
<li>Amarasinghe, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Obtaining+large+columnar+CdTe+grains+and+long+lifetime+on+nanocrystalline+CdSe%2C+MgZnO%2C+or+CdS+layers%5BTitle%5D)+AND+%22Advanced+Energy+Materials%22%5BJournal%5D)">Obtaining large columnar CdTe grains and long lifetime on nanocrystalline CdSe, MgZnO, or CdS layers.</a> Advanced Energy Materials. 8, 1702666(2018).</li>
<li>Tencor Instruments. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=%22Alpha-Step+100+User%27s+Manual%22">Alpha-Step 100 User's Manual</a>. , Tencor Instruments. Mountain View, CA. (1984).</li>
<li>Wojtowicz, A., Huss, A. M., Drayton, J. A., Sites, J. R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Effects+of+CdCl2+passivation+on+thin+CdTe+absorbers+fabricated+by+close-space+sublimation%5BTitle%5D)+AND+%22Proceedings+of+44th+IEEE+PVSC%22%5BJournal%5D)">Effects of CdCl2 passivation on thin CdTe absorbers fabricated by close-space sublimation.</a> Proceedings of 44th IEEE PVSC. , Washington D.C. (2017).</li>
<li>Kirchartz, T., Ding, K., Rau, U. Fundamental electrical characterization of thin film solar cells. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=author%3aKirchartz%2C+T+%22Advanced+Characterization+Techniques+for+Thin+Film+Solar+Cells%22">Advanced Characterization Techniques for Thin Film Solar Cells</a>. Abou-Ras, D., Kirchartz, T., Rau, U. , Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. Weinheim, Germany. 47(2011).</li>
<li>Swanson, D. E., Sites, J. R., Sampath, W. S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Co-sublimation+of+CdSexTe1-x+layers+for+CdTe+solar+cells%5BTitle%5D)+AND+%22Solar+Energy+Materials+%26+Solar+Cells%22%5BJournal%5D)">Co-sublimation of CdSexTe1-x layers for CdTe solar cells.</a> Solar Energy Materials & Solar Cells. 159, 389-394 (2017).</li>
<li>McCandless, B. E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Overcoming+Carrier+Concentration+Limits+in+Polycrystalline+CdTe+Thin+Films+with+In+Situ+Doping%5BTitle%5D)+AND+%22Scientific+Reports%22%5BJournal%5D)">Overcoming Carrier Concentration Limits in Polycrystalline CdTe Thin Films with In Situ Doping.</a> Scientific Reports. 8, 14519(2018).</li>
<li>Romeo, N., Bossio, A., Rosa, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+back+contact+in+CdTe%2FCdS+thin+film+solar+cells%5BTitle%5D)+AND+%22Proceedings+ISES+Solar+World+Congress+2017%22%5BJournal%5D)">The back contact in CdTe/CdS thin film solar cells.</a> Proceedings ISES Solar World Congress 2017. , Abu Dhabi, UAE. (2017).</li>
<li>Munshi, A. H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Doping+CdSexTe1-x%2FCdTe+graded+absorber+films+with+arsenic+for+thin+film+photovoltaics%5BTitle%5D)+AND+%22Proceedings+of+46th+IEEE+PVSC%22%5BJournal%5D)">Doping CdSexTe1-x/CdTe graded absorber films with arsenic for thin film photovoltaics.</a> Proceedings of 46th IEEE PVSC. , Chicago, IL. (2019).</li>
<li>Danielson, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Doping+CdTe+Absorber+Cells+using+Group+V+Elements%5BTitle%5D)+AND+%22Proceedings+of+WCPEC-7%22%5BJournal%5D)">Doping CdTe Absorber Cells using Group V Elements.</a> Proceedings of WCPEC-7. , Waikoloa, HI. (2018).</li>
<li>Hsiao, K. J. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=%22Electron+Reflector+Strategy+for+CdTe+Thin+film+Solar+Cells%22">Electron Reflector Strategy for CdTe Thin film Solar Cells</a>. , Colorado State University. Doctoral dissertation (2010).</li>
<li>Swanson, D. E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Incorporation+of+Cd1-xMgxTe+as+an+electron+reflector+for+cadmium+telluride+photovoltaic+cells%5BTitle%5D)+AND+%22Proceedings+of+MRS+Spring+Meeting+and+Exhibit%22%5BJournal%5D)">Incorporation of Cd1-xMgxTe as an electron reflector for cadmium telluride photovoltaic cells.</a> Proceedings of MRS Spring Meeting and Exhibit. , San Francisco, CA. (2015).</li>
<li>Wendt, R., Fischer, A., Grecu, D., Compaan, A. D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Improvement+of+CdTe+solar+cell+performance+with+discharge+control+during+film+deposition+by+magnetron+sputtering%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">Improvement of CdTe solar cell performance with discharge control during film deposition by magnetron sputtering.</a> Journal of Applied Physics. 84 (5), 2920-2925 (1998).</li>
<li>Sudharsanan, R., Rohatgi, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Investigation+of+metalorganic+chemical+vapor+deposition+grown+CdTe%2FCdS+solar+cells%5BTitle%5D)+AND+%22Solar+Cells%22%5BJournal%5D)">Investigation of metalorganic chemical vapor deposition grown CdTe/CdS solar cells.</a> Solar Cells. 31 (2), 143-150 (1991).</li>
</ol>

Die Autoren haben nichts zu verraten.

Dünne Zweischicht-CdSeTe/CdTe-Photovoltaikgeräte weisen aufgrund einer besseren Materialqualität und einer erhöhten Stromsammlung eine Effizienzsteigerung im Vergleich zu ihren CdTe-Pendants auf. Solche verbesserten Effizienzen wurden in Doppelschichtabsorbern von mehr als 3 m5,7, nachgewiesen, und jetzt mit optimierten Fertigungsbedingungen wurde gezeigt, dass erhöhte Effizienzen auch für dünnere, 1,5-m-Bilayer-Absorber erreichbar sind.
<p class="jove_conten...

Der weltweite Energiebedarf beschleunigt sich schnell, und das Jahr 2018 zeigte das schnellste( 2,3%) Wachstumsrate in den letzten zehn Jahren1. Gepaart mit dem zunehmenden Bewusstsein für die Auswirkungen des Klimawandels und der Verbrennung fossiler Brennstoffe ist die Notwendigkeit kostenwettbewerbsfähiger, sauberer und erneuerbarer Energien überdeutlich geworden. Von den vielen erneuerbaren Energiequellen zeichnet sich die Solarenergie durch ihr Gesamtpotenzial aus, da die Menge an Sonnenenergie, die die Erde erreicht, den globalen Energieverbrauch bei weitem übersteigt2.
Photovoltaik-Geräte (PV) wandeln Sonnenenergie direkt in elektrische Energie um und sind vielseitig in der Skalierbarkeit (z. B. persönliche Minimodule und netzintegrierte Solar-Arrays) und Materialtechnologien. Technologien wie Solarzellen mit mehreren und einem einzigen Knoten, einkristallklares Galliumarsenid (GaAs), haben Effizienzvon-Äh0 von 39,2 % bzw. 35,5 % bzw.3% . Die Herstellung dieser hocheffizienten Solarzellen ist jedoch kostspielig und zeitaufwändig. Polykristallines Cadmiumtellurid (CdTe) als Material für Dünnschicht-PVs ist vorteilhaft für seine kostengünstige, hochdurchsatzige Fertigung, Vielfalt der Abscheidungstechniken und günstigen Absorptionskoeffizienten. Diese Eigenschaften machen CdTe für die Großserienfertigung günstig, und Effizienzsteigerungen haben CdTe mit PV-marktbeherrschenden Silizium und fossilen Brennstoffen kostengünstig gemacht4.
Eine jüngste Weiterentwicklung, die die Steigerung der CdTe-Geräteeffizienz angetrieben hat, ist die Einbindung von Cadmiumseltellurid (CdSeTe) Legierungsmaterial in die Absorberschicht. Durch die Integration des unteren cdSeTe-Bandspalts in einen 1,5 eV-CdTe-Absorber wird der Vorderbandspalt des Bilayer-Absorbers reduziert. Dies erhöht den Photonenanteil über der Bandlücke und verbessert so die aktuelle Sammlung. Die erfolgreiche Einbindung von CdSeTe in Absorber, die 3 m oder dicker für eine erhöhte Stromdichte sind, wurde mit verschiedenen Fertigungstechniken (d.h. Nahraumsublimation, Dampftransportabscheidung und Galvanik)5,6,7demonstriert. Erhöhte Raumtemperatur Photolumineszenz-Emissionsspektroskopie (PL), zeitaufgelöste Photolumineszenz (TRPL) und Elektrolumineszenzsignale von Bilayer-Absorber-Geräten5,8 deuten darauf hin, dass neben der erhöhten Stromaufnahme der CdSeTe eine bessere Strahlungseffizienz und Minderheitstragelebensdauer zu haben scheint und ein CdSeTe/CdTe-Gerät eine größere Spannung im Vergleich zum Ideal als nur bei CdTe hat. Dies wurde weitgehend auf die Selenpassivierung von Schüttgutdefekten9zurückgeführt.
Wenig Forschung wurde über die Einbeziehung von CdSeTe in dünnere (ca. 1,5 m) CdTe-Absorber berichtet. Wir haben daher die Eigenschaften dünner, 0,5 'm CdSeTe/1,0'm CdTe Bilayer-Absorbergeräte untersucht, die durch Nahraumsublimation (CSS) hergestellt werden, um festzustellen, ob die Vorteile, die in dicken Bilayer-Absorbern zu beobachten sind, auch mit dünnen Doppelschichtabsorbern erreichbar sind. Solche CdSeTe/CdTe Absorber, die mehr als doppelt so dünn sind wie ihre dickeren Pendants, bieten eine deutliche Verringerung der Abscheidungszeit und des Materials und niedrigere Herstellungskosten. Schließlich haben sie Potenzial für zukünftige Entwicklungen in der Gerätearchitektur, die Absorberdicken von weniger als 2 m erfordern.
Die CSS-Abscheidung von Absorbern in einem einzigen automatisierten Inline-Vakuumsystem bietet viele Vorteile gegenüber anderen Fertigungsmethoden10,11. Schnellere Abscheidungsraten mit CSS-Fertigung steigern den Gerätedurchsatz und fördern größere experimentelle Datensätze. Darüber hinaus begrenzt die einzelvakuumumgebung des CSS-Systems in dieser Arbeit potenzielle Herausforderungen mit Absorberschnittstellen. Dünnschicht-PV-Geräte verfügen über viele Schnittstellen, von denen jede als Rekombinationszentrum für Elektronen und Löcher fungieren kann, wodurch die Gesamteffizienz des Geräts reduziert wird. Die Verwendung eines einzigen Vakuumsystems für die CdSeTe-, CdTe-und Cadmiumchlorid-Ablagerungen (notwendig für eine gute Absorberqualität12,13,14,15,16) kann eine bessere Schnittstelle erzeugen und Grenzflächendefekte reduzieren.
Das an der Colorado State University10 entwickelte automatisierte Inline-Vakuumsystem ist auch in seiner Skalierbarkeit und Wiederholbarkeit von Vorteil. Beispielsweise sind Abscheidungsparameter vom Benutzer festgelegt, und der Abscheidungsprozess wird so automatisiert, dass der Benutzer während der Absorberherstellung keine Anpassungen vornehmen muss. Obwohl in diesem System kleine Forschungsgeräte für kleine Flächen hergestellt werden, kann das Systemdesign für größere Flächenablagerungen skaliert werden, was eine Verbindung zwischen Experimenten im Forschungsmaßstab und der Implementierung von Modulen ermöglicht.
Dieses Protokoll stellt die Herstellungsverfahren vor, mit der 0,5-mm-CdSeTe/1,0-m CdTe-Dünnschicht-PV-Geräte hergestellt werden. Zum Vergleich: Es wird ein Satz von 1,5 'm CdTe-Geräten hergestellt. Ein- und Zweischichtabsorberstrukturen haben in allen Prozessschritten nominell identische Abscheidungsbedingungen, mit Ausnahme der CdSeTe-Abscheidung. Um zu charakterisieren, ob dünne CdSeTe/CdTe-Absorber die gleichen Vorteile behalten, die durch ihre dickeren Gegenstücke, Stromdichte-Spannung (J-V), Quanteneffizienz (QE) und PL-Messungen gezeigt werden, an den dünnen Einzel- und Zweischichtabsorbergeräten durchgeführt werden. Eine Erhöhung der Kurzschlussstromdichte (JSC), gemessen durch J-V und QE, zusätzlich zu einer Erhöhung des PL-Signals für den CdSeTe/CdTe vs. CdTe-Gerät, zeigen Sie an, dass dünne CdSeTe/CdTe-Geräte, die von CSS hergestellt werden, eine deutliche Verbesserung der aktuellen Sammlung, Materialqualität und Geräteeffizienz aufweisen.
Obwohl sich diese Arbeit auf die Vorteile konzentriert, die mit der Integration einer CdSeTe-Legierung in eine CdTe PV-Gerätestruktur verbunden sind, wird der gesamte Herstellungsprozess für CdTe- und CdSeTe/CdTe-Geräte anschließend vollständig beschrieben. Abbildung 1A,B zeigt abgeschlossene Gerätestrukturen für CdTe- bzw. CdSeTe/CdTe-Geräte, bestehend aus einem transparenten leitenden Oxid (TCO)-beschichteten Glassubstrat, einem n-Typ Magnesium Zinkoxid (MgZnO)-Emitterschicht, p-Typ CdTe oder CdSeTe/CdTe Absorber mit CdCl2-Behandlung und Kupfer-Doping-Behandlung, dünner Te-Schicht und Nickel-Rückenkontakt. Mit Ausnahme der CSS-Absorberabscheidung sind die Fertigungsbedingungen zwischen der ein- und der zweischichtigen Struktur identisch. Sofern nicht anders angegeben, wird daher jeder Schritt sowohl auf CdTe- als auch auf CdSeTe/CdTe-Strukturen ausgeführt.

<table><tbody><tr><td>Alpha Step Surface Profilometer</td><td>Tencor Instruments</td><td>10-00020</td><td>Instrument zur Messung der Schichtdicke</td></tr><tr><td>CdCl2 Material</td><td>5N Plus</td><td>N/A</td><td>Material für die Absorberpassivierungsbehandlung</td></tr><tr><td>CdSeTe Halbleitermaterial</td><td>5N Plus</td><td>N/A</td><td>P-Typ Halbleitermaterial für Absorberschicht</td></tr><tr><td>CdTe Halbleitermaterial</td><td>5N Plus</td><td>N/A</td><td>P-Typ Halbleitermaterial für Absorberschicht</td></tr><tr><td>CESAR RF Power Generator</td><td>Advanced Energy</td><td>61300050</td><td>Stromgenerator für MgZnO Sputterabscheidung</td></tr><tr><td>CuCl Material</td><td>Sigma Aldrich</td><td>N/A</td><td>Material für Absorberdotierung</td></tr><tr><td>Delineation Material</td><td>Kramer Industries Inc.</td><td>Melamin Typ 3 60-80 Mesh</td><td>Kunststoff-Sickenmaterial für die Filmabgrenzung</td></tr><tr><td>Glovebox Enclosure</td><td>Vaniman Manufacturing Co.</td><td>Problast 3</td><td>Glovebox-Gehäuse für die Filmabgrenzung</td></tr><tr><td>Gold Crystal</td><td>Kurt J. Lesker Company</td><td>KJLCRYSTAL6-G10</td><td>Crystal für die Überwachung der T-Verdampfungsdicke</td></tr><tr><td>HVLP und Standard Gravity Feed Spray Gun Kit</td><td>Husky</td><td>HDK00600SG</td><td>Applicator Sprühpistole für die Anwendung von Ni-Farben mit Rückkontakt</td></tr><tr><td>MgZnO Sputter Target</td><td>Plasmaterials, Inc.</td><td>PLA285287489</td><td>N-Typ Emitterschichtmaterial</td></tr><tr><td>Micro 90 Glasreinigungslösung</td><td>Cole-Parmer</td><td>EW-18100-05</td><td>Lösung für die Erstreinigung von Glas</td></tr><tr><td>NSG Tec10 Substrate</td><td>Pilkington</td><td>N/A</td><td>Transparentes leitendes Oxidglas für den vorderen elektrischen Kontakt</td></tr><tr><td>Super Shield Ni Leitfähige Beschichtung</td><td>MG Chemicals</td><td>841AR-3.78L</td><td>Leitfähige Farbe für die hintere Kontaktschicht</td></tr><tr><td>Te Material</td><td>Sigma Aldrich</td><td>MKBZ5843V</td><td>Material für die hintere Kontaktschicht</td></tr><tr><td>Dickenmonitor</td><td>R.D. Mathis Company</td><td>TM-100</td><td>Instrument zur Programmierung und Überwachung der T-Verdampfungsbedingungen</td></tr><tr><td>Verdünner 1</td><td>MG Chemikalien</td><td>4351-1L</td><td>Farbverdünner zum Mischen mit Ni für die hintere Kontaktschicht</td></tr><tr><td>Ultraschallreiniger 1</td><td>L & R Electronics</td><td>Q28OH</td><td>Ultraschallreiniger 1 für die Glasreinigung</td></tr><tr><td>Ultraschallreiniger 2</td><td>Ultraschallreiniger</td><td>100S</td><td>Ultraschallreiniger 2 für die Glasreinigung</td></tr><tr><td>UV/VIS Lambda 2 Spektrometer</td><td>PerkinElmer</td><td>166351</td><td>Spektrometer für Transmissionsmessungen auf CdSeTe-Folien</td></tr></tbody></table>

nahraumsublimations-deposited ultra-thin cdsete/cdte solar cells für verbesserte kurzschlussstromdichte und photolumineszenz

Close-Space Sublimation-Deposited Ultra-Thin CdSeTe/CdTe Solar Cells for Enhanced Short-Circuit Current Density and Photoluminescence

Entwicklungen in Photovoltaik-Anlagenarchitekturen sind notwendig, um Solarenergie inmitten des wachsenden globalen Energiebedarfs und des Klimawandels zu einer kostengünstigen und zuverlässigen Quelle erneuerbarer Energie zu machen. Die Dünnschicht-CdTe-Technologie hat kosten-wettbewerbsfähige und steigernde Effizienzen gezeigt, die teilweise auf schnelle Fertigungszeiten, minimalen Materialverbrauch und die Einführung einer CdSeTe-Legierung in eine Absorberschicht von 3 m zurückzuführen sind. Diese Arbeit stellt die Nahraumsublimationsfertigung von dünnen, 1,5 m CdSeTe/CdTe Bilayer-Geräten mit einem automatisierten Inline-Vakuumabscheidungssystem vor. Die dünne Zweischichtstruktur und Fertigungstechnik minimieren die Abscheidungszeit, erhöhen die Geräteeffizienz und erleichtern die zukünftige Entwicklung von Thin Absorber-basierten Gerätearchitekturen. Drei Fertigungsparameter scheinen die wirkungsvollsten für die Optimierung dünner CdSeTe/CdTe-Absorbergeräte zu sein: Substrat-Vorwärmtemperatur, CdSeTe:CdTe-Dickenverhältnis und CdCl 2-Passivierung. Für eine ordnungsgemäße Sublimation des CdSeTe muss die Substrattemperatur vor der Abscheidung 540 °C (höher als bei CdTe) betragen, wie sie durch die Verweilzeit in einer Vorwärmquelle gesteuert wird. Die Variation des Dickenverhältnisses CdSeTe:CdTe zeigt eine starke Abhängigkeit der Geräteleistung von diesem Verhältnis. Die optimalen Absorberdicken sind 0,5 'm CdSeTe/1,0 'm CdTe, und nicht optimierte Dickenverhältnisse reduzieren die Effizienz durch Rückbarriereeffekte. Dünne Absorber reagieren empfindlich auf CdCl2 PassivierungVariation; eine viel weniger aggressive CdCl2-Behandlung (im Vergleich zu dickeren Absorbern) in Bezug auf Temperatur und Zeit ergibt eine optimale Geräteleistung. Mit optimierten Fertigungsbedingungen erhöht CdSeTe/CdTe die Kurzschlussstromdichte und Photolumineszenzintensität des Geräts im Vergleich zu CdTe mit Nurabsorber. Darüber hinaus bietet ein Inline-Nahraum-Sublimationsvakuumabscheidungssystem Material- und Zeitreduzierung, Skalierbarkeit und Erreichbarkeit zukünftiger ultradünner Absorberarchitekturen.

Die Zugabe von CdSeTe zu einem dünnen CdTe-Absorber verbessert die Geräteeffizienz durch überlegene Absorbermaterialqualität und höhere Kurzschlussstromdichte (JSC). Abbildung 3A und Abbildung 3B, (angepasst von Bothwell et al.8) zeigen PL bzw. TRPL für die einzelnen CdTe-Absorber- und CdSeTe/CdTe-Bilayer-Absorbergeräte. Sowohl PL- als auch TRPL-Messungen zeigen deutlich eine verbesserte Photolumineszenz mit dem CdSeTe/CdTe Bil...

Diese Arbeit beschreibt den kompletten Herstellungsprozess von dünnabsorbierten Cadmiumselselentellurid/Cadmiumtellurid-Photovoltaikgeräten für eine höhere Effizienz. Das Verfahren nutzt ein automatisiertes Inline-Vakuumsystem zur Nahraumsublimationsablagerung, das skalierbar ist, von der Fertigung von kleinräumigen Forschungsgeräten bis hin zu großflächigen Modulen.

Nahraumsublimations-Deposited Ultra-Thin CdSeTe/CdTe Solar cells für verbesserte Kurzschlussstromdichte und Photolumineszenz

Developments in photovoltaic device architectures are necessary to make solar energy a cost-effective and reliable source of renewable energy amidst ...

Die Zugabe von Cadmiumselentellurid zu Cadmiumtelluridabsorbern ist signifikant für die Verbesserung der Photovoltaik-Effizienz. Höhere Effizienzundziele und Materialeinsparungen durch ultradünne Schichten fördern die Entwicklung von Photovoltaik und erneuerbaren Energien. Die Hauptvorteile der automatisierten Nahraum-Sublimationsablagerung oder CSS sind, dass die Nahraumsublimation schnell ist und die automatisierte Abscheidung die Reproduzierbarkeit über alle Geräte hinweg gewährleistet.Die Nahraumsublimation stellt eine der Herausforderungen bei der Abscheidung von Filmabsorbern für Solarzellen. Die Herausforderung besteht darin, dass es ziemlich langsam sein kann, dünne Filme zu deponieren, so dass die Nahraumsublimation es uns ermöglicht, dies schneller zu tun und daher mehr Solarzellen an einem Tag herzustellen. Diese Abscheidungsmethode ist auch für andere Dünnschichtablagerungen sehr nützlich, da eine atmosphärische Exposition oft nicht wünschenswert ist.Wie bei jedem Fertigungssystem ist eine anfängliche Aufsicht durch einen erfahrenen Benutzer sehr ratsam. Da die Herstellung dieser Bilayer-Absorber-Photovoltaikgeräte viele Schritte erfordert, ist die Visualisierung der Probe nach jeder Stufe entscheidend, um zu verstehen, welche visuellen Filmqualitäten erforderlich sind. Beginnen Sie mit einem Handluftgebläse, um Staubpartikel von einem sauberen transparenten, leitoxidbeschichteten Substrat, das mit permanentem Marker gekennzeichnet ist, sanft zu entfernen, und verwenden Sie eine Gummi-Kipp-Pinzette, um das saubere Substrat auf den Probenhalter zu laden, das die oxidleitende Seite nach unten durchführt.Wenn die Lastschlosstür geschlossen ist, pumpen Sie die Lastsperre nach unten, bis das Lastschloss-Druckmessgerät unter fünf mal 10 auf die negative Zweitorr liest und die Lastverriegelungspumpe ausschaltet. Schalten Sie das Lastschlosstor und warten Sie, bis der Druck erhöht ist, bevor Sie den Transferarm manuell einsetzen, so dass die Probe über der geschlossenen Kathode sitzt. Stellen Sie die gewünschte Abschaltzeit auf einem Timer ein und beginnen Sie mit dem Timing, wenn der Verschluss manuell geöffnet wird.Schließen Sie sofort den Verschluss, wenn der Timer ausgeht, und ziehen Sie den Transferarm vollständig zurück, bevor Sie das Lastschlosstor schließen und die Probe entladen. Um die Magnesium-Zinkoxid-Abscheidungsrate zu erhalten, verwenden Sie einen in Methanol getauchten Baumwoll-Kippapplikator, um den Marker aus der Zeugenprobe zu entfernen und die Dicke mit einem Profilometer zu messen. Für die Nahraumsublimation der Absorberschichten stellen Sie die oberen und unteren Quellen im Abscheidungssystem mit einem Temperaturdifferenzial für die richtige Materialsublimation ein.Verwenden Sie ein Handluftgebläse, um Staubpartikel aus dem sauberen Magnesium-Zinkoxid und dem transparentleitenden oxidbeschichteten Substrat vorsichtig zu entfernen und das saubere Substrat auf die Magnesium-Zinkoxid-Seite des Probenhalters nach unten zu laden. Nach dem Schließen der Lastschlosstür schalten Sie den Lastschloss-Schruppschalter ein, um das Lastschloss herunterzupumpen. Während des Abpumpens, setzen Sie die Ablagerung Rezept für die Cadmium Telluride Zeuge Probe auf 110 Sekunden verweilen Zeit in der Vorwärmquelle, um das Glas auf etwa 480 Grad Celsius zu erhöhen, 110 Sekunden in der Cadmiumtelluridquelle für Cadmiumtelluridabscheidung, 180 Sekunden in der Cadmiumchloridquelle zur Passivierung des polykristallinen Cadmiumtellurids, 240 Sekunden in der Nealquelle, um das Cadmiumchlorid in den Absorber zu treiben und 300 Sekunden in der Kühlquelle.Wenn das Lastschloss unter 40 Millitorr abgepumpt wird, öffnen Sie das Torventil und starten Sie das Abscheidungsrezept in der Software. Der Transferarm bewegt sich automatisch in die voreingestellten Positionen, die nach Abschluss in die Heimposition zurückkehren. Wenn die Abscheidung abgeschlossen ist, entlüften Sie das Lastschloss in die Atmosphäre und öffnen Sie die Ladeschlosstür.Wenn die Probe kühl genug ist, um sie zu handhaben, entfernen Sie sie mit einem fusselfreien Tuch. Verwenden Sie entionisiertes Wasser, um den sichtbaren Cadmiumchloridrückstand von der Filmoberfläche in ein abgestuftes Becherglas zu spülen und den Film mit komprimiertem Stickstoff zu trocknen. Verwenden Sie dann eine Rasierklinge, um eine kleine Fläche von Cadmiumtelluridmaterial vom Substrat abzukratzen und verwenden Sie ein Oberflächenprofilometer, um die Cadmiumtelluridfilmdicke zu messen, um die Abscheidungsrate zu bestimmen.Wenn der Druck des Lastschlosses unter 40 Millitorr liegt, führen Sie ein Bakeoff-Rezept in der Software aus. Wenn das Backoff abgeschlossen ist, legen Sie das Abscheidungsrezept für die Cadmiumsel-Tellurid-Zeugenprobe fest, um die Dicke zu bestimmen. Legen Sie 140 Sekunden Verweilzeit in der Vorwärmquelle fest, um das Glas auf etwa 540 Grad Celsius, 300 Sekunden in der Cadmiumsel-Tellurid-Quelle für Cadmiumsel-Tellurid-Abscheidung und 300 Sekunden in der Kühlquelle zu erhöhen.Wenn der Druck der Lastsperre unter 40 Millitorr liegt, führen Sie das Abscheidungsrezept aus. Wenn die Cadmiumsel-Tellurid-Filmabscheidung abgeschlossen ist, entladen Sie die gekühlte Probe mit einem fusselfreien Tuch und kratzen Sie einen kleinen Materialabschnitt ab, um die Cadmiumsel-Tellurid-Abscheidungsrate mit einem Profilometer zu bestimmen, wie zuvor gezeigt. Um einen 1,5-Mikron-Einzel-Cadmium-Tellurid-Absorber herzustellen, legen Sie das Abscheidungsrezept auf Basis der Cadmiumtellurid-Abscheidungsrate und einer Cadmiumchlorid-Behandlung fest, die zuvor für ultradünne Absorber optimiert wurde.Verwenden Sie eine Vorwärmzeit von 110 Sekunden, eine Cadmiumtellurid-Verweilzeit von 60 Sekunden, eine Cadmiumchlorid-Verweilzeit von 150 Sekunden und eine Anealzeit von 240 Sekunden und eine Abkühlzeit von 300 Sekunden. Wenn der Lastverriegelungsdruck unter 40 Millitorr liegt, öffnen Sie das Lastschloss-Gate-Ventil und wählen Sie Start. Das Programm führt automatisch das ausgewählte Abscheidungsrezept aus, das nach Abschluss des Kühlschritts in die Heimatposition zurückkehrt.Zur Herstellung eines 0,5 Mikron Cadmiumseltellurids und 1,0 Mikron Cadmiumtellurid-Bilayer-Absorbers, Stellen Sie das Abscheidungsrezept auf der Grundlage der Absorberabscheidungsrate mit einer Vorwärmzeit von 140 Sekunden, einer Cadmiumselentellurid-Verweilzeit von 231 Sekunden, einer Cadmiumtellurid-Verweilzeit von 50 Sekunden, einer Cadmiumchlorid-Verweilzeit von 150 Sekunden, einer Annealzeit von 240 Sekunden und eine Abkühlzeit von 300 Sekunden. Wenn der Druck der Lastsperre unter 40 Millitorr erreicht wird, führen Sie das Abscheidungsrezept aus. Entladen Sie dann die Probe nach Rezepturabschluss und Probenkühlung, wie gezeigt.Wenn die obere und die untere Quelle die Betriebstemperatur erreicht haben, laden Sie die Probe auf den Probenhalter und bewegen Sie den Transferarm sequenziell in die Vorwärm-Kupferchlorid- und Nealpositionen gemäß einem Timer, der für die Abscheidungszeit jeder Position eingestellt ist. Das Kupferrezept in diesem Protokoll wurde für 1,5-Mikron-Geräte optimiert. Wenn der letzte Timer ausgeht, geben Sie den Transferarm manuell in die Home-Position zurück und schließen Sie das Lastschloss-Gate-Ventil.Zur Verdunstungsabscheidung von dünnem Tellur die Probenfilmseite auf den Probenhalter laden und die Kammeroberseite schließen. Bewegen Sie den Hebel manuell in die Schruppposition. Wenn der Druck unter 10 Millitorr fällt, drehen Sie den Hebel zurück in die Vorderlinie und warten Sie etwa 30 Sekunden, bis eine momentane Druckspitze gelöst wird, bevor sie das Hochvakuumventil öffnet.Wenn der Kammerdruckleser ausgestiegen ist, ist der richtige Abscheidungsdruck von einem mal 10 auf den negativen fünften Torr erreicht. Schalten Sie den Netzschalter ein, öffnen Sie den Verschluss, und schalten Sie die Stromsteuerung ein, um mit der Abscheidung zu beginnen. Wenn das Quarzkristallmonitor-Display die gewünschte Tellurdicke anzeigt, drehen Sie den Strom schnell und gleichzeitig auf Null, schalten Sie den Netzschalter aus und schließen Sie den Verschluss.Schütteln Sie vor dem Auftragen des Lackrückkontakts die Rückenkontaktlösung, um eine vollständige Vermischung zu gewährleisten. Sprühen Sie die Lösung in langsamer seitlicher Bewegung über die Probe, um einen gleichmäßigen Nickelrückkontakt auf die Probe aufzutragen. Nachdem der Rückenkontakt leicht trocknen kann, wiederholen Sie die Anwendung so oft wie nötig für eine vollständige Abdeckung.Um die dünnschichtige Struktur in elektrisch beschreibbare Geräte zu verschließen, legen Sie die in eine Metallmaske geladene Probe in eine Handschuhbox und verwenden Sie einen Siphonschlauch, um Glasperlenmedium auf die unmaskierten Teile der Probe aufzutragen. Wiederholen Sie die Anwendung mit einer zweiten Maske, so dass nach Abschluss der Abgrenzung 25 quadratische Kleinflächengeräte in einem Fünf-mal-Fünf-Muster auf der Probe angezeigt werden. Dann reinigen Sie die Filmseite der Proben mit einem Baumwolle gekippt Applikator in deionisiertem Wasser getaucht.Um den seitlichen Widerstand bei elektrischen Messungen der fertigen Geräte zu minimieren, löten Sie ein Gittermuster zwischen den Geräten mit einem Indiumlöt. Die Zugabe von Cadmiumselururid zu einem dünnen Cadmiumtelluridabsorber verbessert die Geräteeffizienz durch überlegene Absorbermaterialqualität, die durch höhere Photolumineszenz und länger gelöste Photolumineszenzzerfallslebensdauer nachgewiesen wird. Höhere Effizienzen werden auch bei höherer Kurzschlussstromdichte erreicht.Die Abwärtsverschiebung in der Lichtstromdichtespannungskurve entlang der Stromdichteachse entspricht einer Erhöhung der Kurzschlussstromdichte für das leistungsstärkste Bilayer-Absorbergerät im Vergleich zur leistungsstärksten Einzel-Cadmiumtelluridenabsorbervorrichtung. Quanteneffizienzmessungen der Cadmiumtellurid- und Cadmiumseltellurid-/Cadmiumtellurid-Geräte zeigen die zusätzliche Photonenumwandlung im langen Wellenlängenbereich des Zweischichtgeräts und bestätigen die Erhöhung der Kurzschlussstromdichte für dieses Gerät. Wie wichtig es ist, das Cadmiumseltellurid zum Cadmiumtelluriddickenverhältnis zu optimieren, zeigt ein Vergleich der Stromdichtespannungsergebnisse.Die Daten für ein Verhältnis von 0,5 bis 1,0 Mikrometern und ein Verhältnis von 1,25 bis 0,25 Mikrometern zeigen einen signifikanten Knick in letzterem nicht optimalen Gerät und eine daraus resultierende Abnahme der Photovoltaikeffizienz. Das Wichtigste ist, dass das Dickenverhältnis zwischen der Cadmiumseltellurid und der Cadmiumtellurid ist zwingend für eine respektable Geräteleistung und sollte für jede Doppelschicht-Absorberdicke optimiert werden. Nach diesem Verfahren kann eine zusätzliche Materialschicht nach der Bilayer abgelagert werden, um als Elektronenreflektor zu fungieren.Die Einführung dieser Schicht kann das Spannungsdefizithindernis in Cadmiumtellurid-basierten Geräten minimieren. Die Einbindung einer Cadmiumsel-Tellur-Legierung in die zweischichtigen Solarzellen war nicht nur für die Solarzellen nützlich, sondern auch für die Entwicklung der Eigenschaften dieser Legierung in andere Photovoltaik-Anwendungen. Cadmiumverbindungen können gefährlich sein.Wenn wir solche Verbindungen verwenden und wenn wir die Rückstände aus den Folien spülen, ist es wichtig, Handschuhe, einen Labormantel, zu tragen und dann geeignete Verfahren zur Entsorgung der gefährlichen Abfälle zu verwenden.

close-space-sublimation-deposited-ultra-thin-cdsetecdte-solar-cells

Research

Forschung

JoVE Journal

Chemistry

Chemie

Polykristalline Silizium-Dünnschicht-Solarzellen auf Glas werden durch Ablagerung von Bor und Phosphor dotierten Silizium-Schichten durch Kristallisation, Defekt Passivierung und Metallisierung gefolgt hergestellt. Plasmonische Licht-Trapping wird durch Bildung Ag-Nanopartikel auf dem Silizium-Zelloberfläche mit einer diffusen Reflektor was zu ~ 45% Fotostrom Enhancement begrenzt eingeführt.

Polykristalline Silizium-Dünnschicht-Solarzellen mit Plasmonische-enhanced Light-Trapping

Eine allgemeine Strategie für die Entwicklung der Ladungstrennung Halbleiternanokristall Verbundwerkstoffen einsetzbar für Solarenergie vorgestellt. Wir zeigen, dass die Montage von Donor-Akzeptor Nanokristall Domains in einem einzigen Nanopartikel Geometrie führt zu einer photokatalytischen Funktion, während Bulk-Heteroübergängen von Donor-Akzeptor Nanokristall Filme für photovoltaischen Energieumwandlung genutzt werden kann.

Harvesting Solar Energy mittels Charge-Trennung Nanokristalle und ihre Solids

Ein integriertes Gerät, das eine farbstoffsensibilisierte Solarzelle und Triplett-Triplett-Annihilation-Umwandlungseinheit hergestellt Man erhält verbesserte Lichtsammlung, von einem breiteren Abschnitt des Sonnenspektrums. Unter bescheidenen Einstrahlung eine deutlich verbesserte Reaktion auf Photonen niedriger Energie wurde demonstriert, was eine Rekordzahl für farbstoffsensibilisierte Solarzellen.

Integration einer Triplett-Triplett-Annihilation Up-Conversion-System, um Farbstoffsolarzellantwort auf Sub-Bandgap-Licht Enhance

Zinnsulfid (SnS) ist ein Kandidatenmaterial für erdreichliche, ungiftige Solarzellen. Hier demonstrieren wir das Herstellungsverfahren der SnS-Solarzellen unter Verwendung der Atomlagenabscheidung, die einen zertifizierten Wirkungsgrad von 4,36 % ergibt, und der thermischen Verdampfung, die 3,88 % ergibt.

Erstellen Rekordeffizienz SnS Solarzellen durch thermische Verdampfung und Atomic Layer Deposition

Eine praktikable Transferdruck-basierte Methode zur Einführung plasmonischer Metallnanostrukturen in Solarzellen wird beschrieben.  Unter Verwendung von Nanosäulen-Poly(dimethylsiloxan)-Stempeln wurde ein Ag-basiertes geordnetes Nanodisk-Array in standardmäßige hydrierte mikrokristalline Si-Solarzellen integriert, was zu einer verbesserten Geräteleistung aufgrund des plasmonischen Lichteinfangs führte.

Integration of Light Trapping Silber-Nanostrukturen in Hydrogenated Microcrystalline Silicon Solar Cells durch Transferdruck

Diese Arbeit untersucht die Eignung des Tintenstrahldrucks für die Herstellung von farbstoffsensibilisierten Solarzellen. Eine bindemittelfreie TiO2-Nanopartikel-Tinte wurde formuliert und auf ein FTO-Glassubstrat gedruckt.  Die gedruckte Schicht wurde zu einer Zelle mit einer aktiven Fläche von 0,25 cm2 und einem Wirkungsgrad von 3,5 % verarbeitet.

Digitaldruck von Titandioxid für farbstoffsensibilisierte Solarzellen

Dieses Protokoll beschreibt die Synthese und die Lösungsabscheidung von anorganischen Nanokristalle Schicht für Schicht-Dünnfilm-Elektronik auf nichtleitenden Oberflächen zu erzeugen. Solvent-stabilisierten Tinten können folgende nach der Abscheidung Ligandenaustausch und Sintern komplette Photovoltaik-Anlagen auf Glassubstraten durch Spin und Spritzbeschichtung erzeugen.

Die Herstellung von Voll Lösung verarbeitet Anorganische Nanokristalline Photovoltaik-Anlagen

Zwei "Kombinierten Stresstest mit in Situ Messung" Setups, die Echtzeit-Überwachung von beschleunigten Abbau von Solarzellen und-Modulen ermöglichen, wurden entworfen und gebaut. Diese Einstellungen ermöglichen die gleichzeitige Verwendung von Luftfeuchtigkeit, Temperatur, elektrische Vorurteile und Beleuchtung so unabhängig gesteuert Stressfaktoren. Die Setups und verschiedene Experimente ausgeführt werden vorgestellt.

In Situ Überwachung von der beschleunigten Leistungsabfall von Solarzellen und Modulen: eine Fallstudie für Cu (In, Ga) Se2 Solarzellen

Ein Protokoll wird für die Herstellung von Hochleistungs-, reine blau ZnCdS/ZnS-basierte Quantum Dots Leuchtdioden durch den Einsatz einer Autoxidized Aluminium Kathode vorgestellt.

Verbesserte Elektroneninjektion und Exciton Entbindung für reine blaue Quantenpunkt-Leuchtdioden durch die Einführung von teilweise oxidierte Aluminium Kathode

Dieses Papier ist eine Demonstration und eine Richtlinie zur Durchführung und Analyse interner (mit einem Labor-Röntgeninstrument) in situ GISAXS-Experimente zur Trocknung von Tinten auf Roll-to-Roll-Slot-Die-beschichteten, nicht-fullerene organischen Photovoltaikanlagen.

In situ Grazing Incidence Small Angle X-ray Scattering on Roll-To-Roll Coating of Organic Solar Cells with Laboratory X-ray Instrumentation

CdSe-SnSe-Nanokomposite werden durch Konsolidierung von oberflächentechnisch hergestellten SnSe-Partikeln hergestellt. Eine einfache wässrige Synthese wird zur Herstellung von SnSe-Partikeln eingesetzt. Die Beschichtung von SnSe-Partikeln mit CdSe-Molekülkomplexen ermöglicht die Kontrolle der Korngröße und die Erhöhung der Anzahl der im Nanokomposit vorhandenen Defekte, wodurch die Wärmeleitfähigkeit verringert wird.

Lösungsprozessiertes, oberflächentechnisch hergestelltes, polykristallines CdSe-SnSe mit geringer Wärmeleitfähigkeit

Erfahren Sie die Herstellung ultradünner CdSeTe/CdTe-Solarzellen durch Nahraumsublimationsdeposition. Diese automatisierte Methode steigert die Effizienz und ermöglicht skalierbare Produktion für erneuerbare Energien.

Nahraumsublimations-Deposited Ultra-Thin CdSeTe/CdTe Solar cells für verbesserte Kurzschlussstromdichte und Photolumineszenz

Weitere Videos entdecken