Name: Preparación de macroporosas Epitaxial cuarzo Films en silicio por la solución de deposición química (Video) | JoVE Journal
Uploaded: 2015-12-21T15:00:00.000+00:00
Duration: 7 min 37 s
Description: Aprende a preparar películas epitaxiales macroporosas de cuarzo sobre silicio mediante deposición química en solución. Este método versátil integra materiales piezoeléctricos para aplicaciones avanzadas en sensores y tecnologías de información.

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Este trabajo fue parcialmente financiado por un proyecto PEPS de Cellule Energie INSIS-CNRS (1D-RENOX) para ACG y el Gobierno español (MAT2012-35324 y PIE-201460I004).

1. Preparación del Sol <ol><li> Preparar una solución de ortosilicato de tetraetilo prehidrolizado (TEOS) el día antes de la preparación de las películas de gel en una campana de humos en la que se colocan una balanza de laboratorio y un agitador magnético. En este paso y en todo el protocolo de llevar una bata de laboratorio, guantes y gafas de seguridad. <ol><li> En un vaso de 50 ml que contenía una barra de agitación magnética recubierta de teflón pesan 1,68 g de CTAB, añadir 48,13 ml de etanol y 3,00 ml de HCl 35%, cubrir el vaso con un vidrio de reloj y revuelva hasta que el CTAB se disuelva por completo. </li><li> Añadir 7,37 ml de TEOS a la gota a gota vaso de precipitados (a una velocidad de alrededor de 1-2 gotas por segundo) mientras se agitaba, cubrir el matraz con un vidrio de reloj y se deja agitar O / N. </li></ol></li><li> El día siguiente, preparar una solución acuosa 1 M de 2+ Sr. Realice este y los siguientes pasos justo antes de la preparación de las películas de gel debido a que una solución de edad es propensa a re-precipitación de la sal Sr. <ol><li> Pesar 6,6654 g de SrCl 2 · 6H 2 O en un matraz aforado de 25 ml. </li><li> Añadir agua ultrapura (por ejemplo, Milli-Q) hasta 25 ml (menisco tangente a la marca de frasco) y cerrar el frasco con una tapa de plástico y agite suavemente el frasco para disolver el cloruro de estroncio. </li></ol></li><li> Añadir 2 ml de la solución acuosa 1 M de Sr 2+ al vaso de precipitados de vidrio de 50 ml que contiene el sol que se dejó en agitación O / N. Se agita la solución durante 25 min. </li><li> Deseche los residuos que se han generado con el tiempo de acuerdo a los protocolos de protección de seguridad y medio ambiente del laboratorio. </li></ol> 2. Gel de deposición de película de Si (100) Sustratos <ol><li> Preparación de los sustratos <ol><li> Cortar losas de Si de alrededor de 2 cm por 5 cm fuera de un 2 pulgadas de tipo p (100) oblea de silicio con un espesor de 200 micras mediante la escisión de la oblea en una dirección paralela o perpendicular al plano de la oblea usando una punta de diamante o una objeto afilado filo. Realice este paso en anuncioVance, por ejemplo, el día antes de la deposición de las películas de gel. </li><li> Justo antes de la deposición de los geles, limpiar los sustratos con etanol y dejarlos secar o utilizar un flujo de nitrógeno o aire comprimido para acelerar el secado. Realice este paso a la espera de la finalización de la etapa 1.3. </li></ol></li><li> Cubra las películas. Con el fin de obtener una estructura homogénea de macroporos realizar este paso en condiciones de humedad relativa entre 20% y 55% a TA. <ol><li> Establecer una secuencia de recubrimiento por inmersión. Seleccionar las posiciones inicial y final, teniendo en cuenta la longitud real de la losa de Si y el nivel de la solución en el vaso de precipitados de modo que la losa es por lo menos 2 cm por encima del nivel de la solución en la posición de partida y 1 cm por encima de la parte inferior de la vaso de precipitados al final de la inmersión. Establezca tanto las velocidades de inmersión y de abstinencia a 150 mm / min. Ajuste el tiempo de inmersión (tiempo en la posición final) a cero. </li><li> Al término de la etapa 1.3 lugar el vaso de precipitados con el por lolución en una posición bien centrada debajo de la losa de Si cuelga del brazo de inmersión revestidor. </li><li> Fijar un extremo de la losa Si al brazo dip-revestidor con el clip, asegurando la losa es lo más perpendicular posible con respecto a la horizontal. </li><li> Ejecutar la secuencia de recubrimiento por inmersión y soltar la losa de Si desde el brazo dip-revestidor. Repita los pasos 2.2.3 y 2.2.4 con losas de Si adicionales para producir más películas, teniendo cuidado de no extender estas preparaciones más allá de 1 hora, para asegurar que la estabilidad de la solución no se vea comprometida. </li></ol></li><li> Deseche las soluciones que se han generado con el tiempo de acuerdo a los protocolos de protección de seguridad y medio ambiente del laboratorio. </li></ol> 3. Gel de Cine La cristalización por tratamiento térmico <ol><li> El tratamiento térmico de las películas de gel de Si (100). <ol><li> Programa de un horno para realizar el siguiente tratamiento térmico en atmósfera de aire: calentamiento desde temperatura ambiente a 1000 ° C a 3 ° C / min, mantenimiento a 1.000 °; C durante 5 horas y enfriar a RT en 3 ° C / min. </li><li> Coloque los sustratos de Si recubiertas por inmersión en un barco de alúmina, introducirlo en el horno y ejecutar el tratamiento térmico. </li></ol></li><li> Limpieza de las películas cristalizadas. <ol><li> Sumergir las películas cristalizadas para 3 hr en HNO 3 concentrado a fin de eliminar las acumulaciones de Sr 2+ que han sido expulsadas a la superficie de la película durante la cristalización y luego enjuagar las películas primero con agua desionizada y después con etanol. </li></ol></li></ol>

<ol><li>Esser, A. T., Smith, K. C., Gowrishankar, T. R., Vasilkoski, Z., Weaver, J. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Mechanisms+for+the+intracellular+manipulation+of+organelles+by+conventional+electroportation%5BTitle%5D)+AND+%22Biophys.+J%22%5BJournal%5D)">Mechanisms for the intracellular manipulation of organelles by conventional electroportation.</a> Biophys. J. 98 (11), 2506-2514 (2010).</li>
<li>Stava, E., Yu, M., Shin, H. C., Shin, H., Kreft, D. J., Blick, R. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Rapid+fabrication+and+piezoelectric+tuning+of+micro-+and+nanopores+in+single+crystal+quartz%5BTitle%5D)+AND+%22Lab+Chip%22%5BJournal%5D)">Rapid fabrication and piezoelectric tuning of micro- and nanopores in single crystal quartz.</a> Lab Chip. 13 (1), 156-160 (2013).</li>
<li>Varshneya, A. K. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=author%3aVarshneya%2C+AK+%22Fundamentals+of+Inorganic+Glasses%22">Fundamentals of Inorganic Glasses</a>. , Academic Press. San Diego. (1994).</li>
<li>Christov, M., Kirov, G. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+ratio+of+dissolving+surface+area%2Fgrowing+surface+area+in+the+hydrothermal+growth+of+quartz%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Cryst.+Growth%22%5BJournal%5D)">The ratio of dissolving surface area/growing surface area in the hydrothermal growth of quartz.</a> J. Cryst. Growth. 131 (3-4), 560-564 (1993).</li>
<li>Bertone, J. F., Cizeron, J., Wahi, R. K., Bosworth, J. K., Colvin, V. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Hydrothermal+synthesis+of+quartz+nanocrystals%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Lett%22%5BJournal%5D)">Hydrothermal synthesis of quartz nanocrystals.</a> Nano Lett. 3, 655-659 (2003).</li>
<li>Jiang, Y., Brinker, C. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Hydrothermal+synthesis+of+monodisperse+single-crystalline+alpha-quartz+nanospheres%5BTitle%5D)+AND+%22Chem.+Comm%22%5BJournal%5D)">Hydrothermal synthesis of monodisperse single-crystalline alpha-quartz nanospheres.</a> Chem. Comm. 47 (26), 7524-7526 (2011).</li>
<li>Okabayashi, M., Miyazaki, K., Kono, T., Tanaka, M., Toda, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Preparation+of+Spherical+Particles+with+Quartz+Single%5BTitle%5D)+AND+%22Chem.+Lett%22%5BJournal%5D)">Preparation of Spherical Particles with Quartz Single.</a> Chem. Lett. 34 (1), 58-59 (2005).</li>
<li>Carretero-Genevrier, A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Soft-Chemistry-Based+Routes+to+Epitaxial+%CE%B1-Quartz+Thin+Films+with+Tunable+Textures%5BTitle%5D)+AND+%22Science%22%5BJournal%5D)">Soft-Chemistry-Based Routes to Epitaxial α-Quartz Thin Films with Tunable Textures.</a> Science. 340 (6134), 827-831 (2013).</li>
<li>Brinker, C. J., Clem, P. G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Quartz+on+Silicon%5BTitle%5D)+AND+%22Science%22%5BJournal%5D)">Quartz on Silicon.</a> Science. 340 (6134), 818-819 (2013).</li>
<li>Brinker, C. J., Lu, Y., Sellinger, A., Fan, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Evaporation-Induced+Self-Assembly%3A+Nanostructures+Made+Easy%5BTitle%5D)+AND+%22Adv.+Mater%22%5BJournal%5D)">Evaporation-Induced Self-Assembly: Nanostructures Made Easy.</a> Adv. Mater. 11 (7), 579-585 (1999).</li>
<li>Griffith, C. S., Sizgek, G. D., Sizgek, E., Scales, N., Yee, P. J., Luca, V. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Mesoporous+Zirconium+Titanium+Oxides.+Part+1%3A+Porosity+Modulation+and+Adsorption+Properties+of+Xerogels%5BTitle%5D)+AND+%22Langmuir%22%5BJournal%5D)">Mesoporous Zirconium Titanium Oxides. Part 1: Porosity Modulation and Adsorption Properties of Xerogels.</a> Langmuir. 24 (21), 12312-12322 (2008).</li>
<li>Lu, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Continuous+formation+of+supported+cubic+and+hexagonal+mesoporous+films+by+sol-gel+dip-coating%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">Continuous formation of supported cubic and hexagonal mesoporous films by sol-gel dip-coating.</a> Nature. 389 (6649), 364-368 (1997).</li>
<li>Drisko, G. L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Water-Induced+Phase+Separation+Forming+Macrostructured+Epitaxial+Quartz+Films+on+Silicon%5BTitle%5D)+AND+%22Adv.+Funct.+Mater%22%5BJournal%5D)">Water-Induced Phase Separation Forming Macrostructured Epitaxial Quartz Films on Silicon.</a> Adv. Funct. Mater. 24 (35), 5494-5502 (2014).</li>
</ol>

Los autores no tienen nada que revelar.

El método presentado es un enfoque de abajo hacia arriba para producir películas de cuarzo macroporosas en Si. En comparación con el método estándar de producción de películas de cuarzo, una tecnología de arriba hacia abajo basa en corte y pulido de grandes cristales de hidrotérmicamente cultivadas, el método descrito en el protocolo permite la obtención de películas mucho más delgadas con espesores entre 150 y 450 nm que se pueden controlar con el tasa de retiro. Todos los detalles experimentales en materia de control ...

Cuando un material piezoeléctrico como α-cuarzo se somete a una polarización de tensión se somete a una deformación mecánica. Si este material es poroso, estos cambios de volumen pueden conducir a la expansión de los poros o contracción, la creación de un sistema de respuesta similar a lo que se puede observar en la vivencia de orgánulos biológicos. 1 deformable poroso α-cuarzo se ha producido usando microfabricación, 2 pero estas técnicas aún no puede producir estructuras de poro 3-D, y diámetros de poro son del orden de cientos de nanómetros. La cristalización de sílice amorfa estructurado ha visto obstaculizado por la nucleación homogénea causada por energías superficiales elevadas y deformación arquitectónico debido a engrosamiento y la fusión. Además, dado que todas las formas de sílice se basan en extremadamente estables SiO 4 redes tetraédricos, las energías libres de formación de sílice amorfa, α-cuarzo y otros SiO 2 polimorfos son casi iguales en una amplia gama de temperaturas, Making difícil producir α-cuarzo como un único polimorfo de la cristalización de un gel de sílice amorfa. 3 Otro aspecto que hace más difícil la cristalización controlada de sílice amorfa estructurada es que el cuarzo presenta una velocidad de nucleación relativamente lento, pero una tasa de crecimiento extremadamente rápido, reportado entre 10-94 nm / seg. 4,5 nucleación lenta junto con el crecimiento rápido tiende a generar cristales mucho más grandes que la estructura nanoporoso original, por lo tanto se pierde la morfología original. Metales alcalinos, tales como Na + y Li +, se han utilizado para cristalizar α-cuarzo, con frecuencia en combinación con el tratamiento hidrotermal. 5,6 Además, un Ti 4+ / Ca 2+ combinación fue empleado para cristalizar partículas esféricas de sílice en cuarzo por una ruta química suave utilizando alcóxidos de silicio. 7 Sin embargo, la cristalización controlada de una película de sílice amorfa estructurada en cuarzo sigue siendo un desafío. 2 bajo presión ambiente y temperaturas relativamente bajas. 8,9 epitaxia, surge de la falta de coincidencia entre α-favorable de cuarzo y el sustrato &lt;100&gt; silicio, la producción de películas delgadas orientadas piezoeléctricos. La evaporación inducida por auto-ensamblaje para producir películas de sílice mesoporosos se ha utilizado desde 1999. 10 Esta técnica se ha estudiado y se aplica a una multitud de agentes de plantilla en diversas condiciones para producir poros de tamaños variables y mesofases. Se ha encontrado que los cambios en el tamaño de mesoporos subnanométrica pueden tener un efecto dramático sobre la difusión de solutos a través de sistemas porosos 11, validación de esta extensa atención a los poros estructura. Por otra parte, la accesibilidad al sistema de poros de sílice interna se puede obtener mediante el control de la fase micelar de la plantilla. 12 Aquí, la ruta de síntesis tsombrero permite un control sin precedentes sobre el tamaño de poro y grosor de las capas de sílice amorfa utilizando una novela separación de fases se demuestra. 13 Estas películas se infiltran con Sr (II) las sales y se cristalizó a alfa-cuarzo a 1000 ° C bajo aire a presión ambiente. El tamaño de poro retenible el uso de este proceso de cristalización se determina, y el efecto de espesor de pared y grosor de la película se estudia. Por último, la piezoelectricidad y la deformabilidad del sistema de poros se estudian.

<table><tbody><tr><td>Barnizadora de inmersión</td><td>Nadetech&nbsp;</td><td>ND-DC 11/150&nbsp;</td><td></td></tr><tr><td>Horno</td><td>Nabertherm&nbsp;</td><td>R 50/250/12</td><td></td></tr><tr><td>Microscopio de Fuerza Atómica</td><td>Agilent&nbsp;</td><td>5500 LS</td><td></td></tr><tr><td>Obleas de silicio</td><td>SHE Europe Ltd.</td><td></td><td></td></tr><tr><td>SrCl2&middot; 6H2O</td><td>Aldrich</td><td>13909</td><td></td></tr><tr><td>CTAB</td><td>Aldrich</td><td>H5582</td><td></td></tr><tr><td>Absoluto de etanol&nbsp;</td><td>Aldrich</td><td>161086</td><td></td></tr><tr><td>solución HCl 35%</td><td>PanReac</td><td>721019</td><td></td></tr><tr><td>TEOS Aldrich</td><td>131903</td><td></td><td></td></tr></tbody></table>

preparación de macroporosas epitaxial cuarzo films en silicio por la solución de deposición química

Preparation of Macroporous Epitaxial Quartz Films on Silicon by Chemical Solution Deposition

Este trabajo describe el protocolo detallado para la preparación de películas de cuarzo epitaxial macroporoso piezoeléctrico sobre sustratos de silicio(100). Se trata de un proceso de tres pasos basado en la preparación de un sol en una síntesis de un solo recipiente, al que sigue la deposición de una película de gel sobre sustratos de Si(100) mediante autoensamblaje inducido por evaporación mediante la técnica de recubrimiento por inmersión y finaliza con un tratamiento térmico del material para inducir la cristalización del gel y el crecimiento de la película de cuarzo. La formación de un gel de sílice se basa en la reacción de un ortosilicato de tetraetilo y agua, catalizada por HCl, en etanol. Sin embargo, la solución contiene dos componentes adicionales que son esenciales para la preparación de películas de cuarzo epitaxial mesoporoso a partir de estos geles de sílice recubiertos por inmersión en Si. Los iones alcalinotérreos, como el Sr2+, actúan como agentes de fusión de vidrio que facilitan la cristalización de la sílice y, en combinación con la plantilla anfifílica de bromuro de cetil trimetilamonio (CTAB), forman una separación de fases responsable de la macroporosidad de las películas. La buena coincidencia entre los parámetros de la célula de cuarzo y silicio también es esencial en la estabilización del cuarzo sobre otros polimorfos deSiO2 y está en el origen del crecimiento epitaxial.

El progreso de la síntesis material fue controlado mediante el control de diferentes aspectos. Después del proceso de recubrimiento por inmersión se puede observar el aspecto de las películas, la aparición eventual de estructuras de difracción en el lugar reflejada de un láser verde y la microscopía electrónica de barrido (SEM) en el modo de electrones imágenes retrodispersada (Figura 1A-B). Después de que el proceso de cristalización es importante para grabar Microscopí...

Se presenta un protocolo para la preparación de películas epitaxiales macroporosas piezoeléctricas de cuarzo sobre silicio mediante química en solución utilizando recubrimiento por inmersión y tratamientos térmicos en aire.

Preparación de macroporosas Epitaxial cuarzo Films en silicio por la solución de deposición química

This work describes the detailed protocol for preparing piezoelectric macroporous epitaxial quartz films on silicon(100) substrates. This is a three-step ...

El objetivo general de esta síntesis es preparar películas delgadas epitaxiales de cuarzo sobre sustratos de silicio, lo cual es importante para lograr una integración nanométrica ascendente de dos materiales relevantes para las tecnologías de la información y de detección. La motivación principal de este trabajo fue lograr una integración Pentax de dos materiales tecnológicamente relevantes. Esta es la primera vez que se logra la integración directa de Quas sobre silicona utilizando química suave.Esta metodología es altamente versátil ya que produce materiales mesoporosos, porosos y macroporosos en forma de películas delgadas, lo cual es muy ventajoso para aplicaciones sensoras y catalíticas. Las propiedades eléctricas de estas películas delgadas de núcleo son atractivas para la fabricación de dispositivos sensores electromecánicos, ya que se esperan altas frecuencias de resonancia para estructuras cuyo grosor no exceda un micrón. Primero pese 1.68 gramos de bromuro de trimetilamonio, 48.13 mililitros de etanol, es decir, 37.90 gramos, y tres mililitros de ácido clorhídrico al 35 %.Es decir, 3,67 gramos en un vaso de precipitados de 100 mililitros que contiene una barra de agitación magnética recubierta de teflón. Tape el vaso de precipitados con un vidrio de reloj y agite hasta que el bromuro de trimetilamonio se haya disuelto completamente. Añada 7,37 mililitros de ortosilicato de tetraetilo.Es decir, 6,88 gramos en el vaso de precipitados gota a gota, luego cubra el matraz con un vidrio de reloj y deje que la solución agite durante la noche. El día siguiente, prepare una solución un molar de cloruro de estroncio hexahidratado disolviendo 6,6654 gramos de sal de cloruro de estroncio hexahidratado en agua Milli-Q en un matraz Erlenmeyer de 25 mililitros.Agite suavemente el matraz con un pequeño volumen de agua Milli Q para disolver la sal de estroncio. Una vez que la sal de cloruro de estroncio hexahidratado se haya disuelto completamente, llene el matraz con agua Milli Q y ciérrelo con una tapa de plástico. A continuación, agregue dos mililitros de la solución acuosa unimolar de estroncio, dos más, al vaso de vidrio de 100 mililitros que contiene la solución que se dejó agitando durante la noche.Agite la solución durante 25 minutos. Para preparar los sustratos, corte placas de silicio de aproximadamente dos centímetros por cinco centímetros a partir de un silicio tipo P de dos pulgadas.Oblea 1 0 0 con un espesor de 200 micrones, dividida mediante la onda en una dirección. Paralela al plano de la oblea justo antes de la deposición de los geles. Limpie los sustratos con etanol, luego use un flujo de nitrógeno comprimido para acelerar el proceso de secado.A continuación, establezca una secuencia de recubrimiento por inmersión seleccionando las posiciones inicial y final, teniendo en cuenta la longitud de la placa de silicio y el nivel de la solución para que la placa esté al menos dos centímetros por encima de la solución en la posición inicial y un centímetro por encima del fondo del vaso de precipitados. Al final de la inmersión, configure las velocidades de inmersión y de retirada en 150 mililitros por minuto y el tiempo de inmersión en cero. Después de que la solución haya sido preparada, coloque el vaso con la solución en una posición bien centrada debajo de la placa de silicio que cuelga del brazo del equipo de recubrimiento por inmersión.A continuación, ejecute la secuencia de recubrimiento por inmersión. Cuando finalice, desenganche la placa de silicona del brazo del dispositivo de inmersión. En este punto, programe un horno para realizar el siguiente tratamiento térmico en atmósfera de aire.Coloque los sustratos de silicona con recubrimiento por inmersión en un portaobjetos de Illumina y colóquelo en el horno. Luego, realice el tratamiento térmico siguiendo el tratamiento térmico. Sumerja las películas cristalizadas durante tres horas en ácido nítrico concentrado con el fin de eliminar las acumulaciones de estroncio, dos más, que han quedado expuestas en la superficie de la película durante la cristalización.Finalmente, enjuague las películas primero con agua desionizada y luego con etanol después del depósito. La apariencia verdosa azulada del sustrato indica una buena distribución del estroncio dos más a través de la película. Si ha ocurrido separación de fases y presenta una periodicidad cercana a la de la longitud de onda del láser, pueden observarse puntos de difracción.Un examen sencillo del material revela una separación de fases que da lugar a una estructura de poros macroscópicos y una distribución de estroncio dos más en el borde de los poros macroscópicos. Esta imagen de microscopía electrónica de barrido con emisión de campo muestra en qué medida se ha conservado la estructura macroporosa inicial tras la cristalización. Estudios de microscopía electrónica de transmisión de alta resolución en sección transversal y de difracción de rayos X confirman la orientación cuarzo 1 0 0 y el crecimiento epitaxial de alta calidad de películas delgadas de cuarzo sobre sustratos de silicio 1 0 0. El modelo 3D muestra la relación epitaxial en el plano entre la película de cuarzo en color naranja y el sustrato de silicio en gris, vista a lo largo del eje de zona 0 1 1.Si la película es piezoeléctrica, se deforma bajo el voltaje aplicado, y esto puede detectarse mediante la deflexión de la punta a una frecuencia de resonancia particular utilizando la técnica de microscopía de fuerza de respuesta piezoeléctrica. Esta amplitud de deflexión es proporcional a la amplitud del campo de corriente alterna aplicado y el coeficiente piezoeléctrico es del orden de dos TERs por voltio. Después de ver este video, usted debería ser capaz de preparar películas de núcleo Aachi, pero no olvide utilizar una solución de extracción fresca y trabajar también bajo una humedad relativa inferior al 50 %. Esta metodología puede proporcionar nuevos conocimientos sobre el papel catalítico y cinético de los metales alcalinotérreos durante el proceso de diversificación de la sílice, lo que permite un control preciso sobre la síntesis de cuaternarios en diferentes formas.Una de las ventajas de este método es que puede combinarse con técnicas emergentes de nanofabricación o con litografía convencional ampliamente utilizada en la industria microelectrónica para producir dispositivos sensores.

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Investigación

JoVE Journal

Chemistry

Química

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Funcionalización suaves litográfica y Patrones libre de óxido de silicio y el germanio

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Aprende a preparar películas epitaxiales macroporosas de cuarzo sobre silicio mediante deposición química en solución. Este método versátil integra materiales piezoeléctricos para aplicaciones avanzadas en sensores y tecnologías de información.

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