Asistida por flujo dielectroforesis: Un método de bajo costo para la fabricación de dispositivos de nanocable procesables en solución de alto rendimiento

En este papel, flujo dielectroforesis asistida se demuestran para el automontaje de dispositivos nanocable. La fabricación de un transistor de efecto de campo de nanocable de silicio se muestra como un ejemplo.

El objetivo general de este procedimiento es demostrar el ensamblaje y la selección de nanocables semiconductores de alta calidad, incluida la fabricación de electrodos metálicos y el uso de estos electrodos en dielectroforesis asistida por flujo para crear transistores de efecto de campo de nanocables procesables en solución. Este método nos puede ayudar a resolver uno de los principales retos en el campo de la electrónica procesable en solución como es la colocación de nanomateriales semiconductores, el control de la pilación realizada y el entrenamiento en campo de nanohilos de calidad superior. La función principal de esta técnica es que es un método rápido y reproducible que se puede escalar a partir de la fabricación controlable de dispositivos basados en nanomateriales. Aunque este método puede proporcionar información sobre la alineación y selección de nanocables, también se puede aplicar en la alineación de nanotubos, nanocopos y nanomateriales en forma de cuchilla. La mayoría de los pasos de este protocolo se llevan a cabo en un entorno de sala limpia. Comience con una oblea de silicio/dióxido de silicio tipo N de cuatro pulgadas muy dopada. Utilice un escribano de diamante para cortar la oblea y producir muestras de tamaño adecuado. Tenga cuidado de no tocar la superficie superior. Divida la oblea a lo largo de los cortes para obtener varias muestras. Las muestras para este experimento son de 2,5 x 2,5 centímetros. Cuando termine, lleve las muestras a un baño ultrasónico. Coloque las muestras en un soporte de sustrato y sumérjalas en un vaso de precipitados con agua desionizada. Sonicar las muestras en el vaso de precipitados durante cinco minutos a máxima potencia. A continuación, transfiera las muestras a un vaso de precipitados con acetona antes de volver a sonicarlas durante cinco minutos a plena potencia. Por último, transfiera las muestras a un vaso de precipitados con isopropanol y sonicate durante cinco minutos adicionales a plena potencia. Retire las muestras del baño ultrasónico y séquelas con una pistola de nitrógeno. A continuación, transfiera las muestras a un asher de plasma para eliminar los residuos orgánicos restantes. Para la fotolitografía, traslade las muestras a una habitación amarilla. Trabaje en una vitrina de gases con una placa calefactora a 150