Name: Crecimiento de la epitasa de haz molecular asistido por plasma de Mg3N2 y Zn3N2 Thin Films (Video) | JoVE Journal
Uploaded: 2019-05-11T13:00:00.000+00:00
Duration: 13 min 5 s
Description: Aprende a crecer películas epitaxiales de nitruro de magnesio y zinc mediante epitaxia de haz molecular asistida por plasma. Este método permite estudiar semiconductores II-V con estructura cristalina anti-bixbyita.

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Este trabajo fue apoyado por el Consejo de Investigación de Ciencias Naturales e Ingeniería de Canadá.

1. Preparación del sustrato de MgO
NOTA: Para el crecimiento de la película delgada X3N2 (X - Zn y Mg) se emplearon sustratos cuadrados de cristal único orientados a un lado (100) (1 cm x 1 cm).
<ol><li>Recocido de alta temperatura<ol>
<li>Coloque el MgO en un portamuestras de obleas de zafiro limpio con el lado pulido orientado hacia arriba en un horno y recocido durante 9 h a 1.000 oC. Elevar la temperatura a 1000 oC durante un período de 10 minutos. NOTA: El recocido de alta temperatura elimina el carbono de la superficie y reconstruye la estructura de cristal de la superficie de los sustratos de cristal único MgO.</li>
		<li>Enfríe los sustratos de MgO a temperatura ambiente (RT).</li>
	</ol>
</li>
	<li>Limpieza de sustratos<ol>
<li>Recoger los sustratos de MgO recocidos y enjuagar en agua desionizada en un vaso de vidrio de borosilicato limpio.</li>
		<li>Hervir los sustratos de MgO en 100 ml de acetona en un vaso de vidrio de borosilicato de 250 ml durante 30 minutos para eliminar la contaminación inorgánica de carbono de la manipulación. NOTA: Cubra el vaso de precipitados y no deje que la acetona hierva en seco.</li>
		<li>Escurrir la acetona y enjuagar los sustratos de MgO en 50 ml de metanol.</li>
		<li>Seque los sustratos con gas nitrógeno y, a continuación, almacene los sustratos secos y limpios en la bandeja de viruta limpia.</li>
	</ol>
</li>
</ol>2. Funcionamiento de VG V80 MBE
<ol><li>Abra el agua de refrigeración para la cámara de preparación, crioshroud en la cámara de crecimiento (ver Figura1), células de derrame y sensor de microequilibrio de cristal de cuarzo.</li>
	<li>Encienda el láser Ar-ion con una longitud de onda de 488 nm. La luz láser se lleva a la cámara MBE con una fibra óptica del láser, que se encuentra en otra habitación.</li>
	<li>Encienda la pistola de difracción de electrones de alta energía de reflexión (RHEED), el generador de plasma de radiofrecuencia de 13,56 Mhz (rf) y el sistema de microbalanza de cristal de cuarzo (QCM).</li>
</ol>3. Carga de sustrato
<ol><li>Bloqueo de entrada rápida<ol>
<li>Monte un sustrato de MgO limpio en el soporte de muestra de molibdeno (Figura2A) utilizando clips de resorte de tungsteno.</li>
		<li>Apague la bomba turbo en el bloqueo de entrada rápida (FEL) y desahogue la cámara FEL con nitrógeno. Abra el FEL cuando la presión de la cámara alcance la presión atmosférica.</li>
		<li>Retire el cassette del portamuestradores del FEL y cargue el soporte de la muestra con el sustrato en el cassette.</li>
		<li>Vuelva a cargar el cassette en el FEL y vuelva a encender la bomba turbo.</li>
		<li>Espere a que la presión en el FEL baje a 10-6 Torr.</li>
		<li>Aumentar la temperatura de la cerradura de entrada rápida a 100 oC durante un período de 5 min y desgasificar los sustratos con los soportes durante 30 minutos en la cerradura de entrada rápida.</li>
	</ol>
</li>
	<li>Asegúrese de que la presión en el bloqueo de entrada rápida esté por debajo de 10-7 Torr antes de abrir la válvula de vacío a la cámara de preparación. Transfiera el soporte utilizando el mecanismo de transferencia de la palanca del tambaleo a la cámara de preparación, luego acorte la estación de desgasificación a 400 oC y deje que desgasifique durante 5 h.</li>
	<li>Transfiera el soporte desgasifidado por el mecanismo de transferencia del carro al manipulador de muestras en la cámara de crecimiento. Aumente la temperatura del sustrato hasta 750 oC durante un período de 30 minutos y permita que la muestra a outgas en el manipulador durante otros 30 minutos. Asegúrese de que el agua de refrigeración esté encendida en el crioshroud para evitar el sobrecalentamiento del crioshroud.</li>
	<li>Bajar la temperatura del sustrato a 150 oC para el crecimiento de la película Zn3N2 y 330 oC para el crecimiento de la película Mg3N2 utilizando el termopar en el manipulador de muestras para medir la temperatura de la muestra.</li>
	<li>RHEED in situ<ol>
<li>Ajuste la tensión de la pistola de electrones a 15 kV y la corriente del filamento a 1,5 A una vez que la presión de la cámara de crecimiento esté por debajo de 1 x 10-7 Torr.</li>
		<li>Gire el soporte del sustrato hasta que 1) la pistola de electrones esté alineada a lo largo de un eje cristalográfico principal del sustrato y 2) sea visible un patrón de difracción de electrones de cristal único transparente.</li>
		<li>Tome una foto del patrón RHEED y guarde la imagen.</li>
	</ol>
</li>
	<li>Cierre el obturador de la celda de derrame y detenga el flujo de nitrógeno. Mida el patrón RHEED para la película depositada cuando la presión de la cámara esté por debajo de 10-7 Torr.</li>
</ol>4. Mediciones de flujo metálico
<ol><li>Utilice células de derrame de tipo de grupo III estándar o células de derrame de baja temperatura para Mg y Zn.</li>
	<li>Cargue los crisoles con 15 g y 25 g de disparo de alta pureza Mg y Zn, respectivamente.</li>
	<li>Cuando la cámara de crecimiento ha logrado un vacío de 10-8 Torr o superior, y antes de cargar el soporte del sustrato, supere las células de derrame de fuente Zn o Mg hasta 250 oC a una velocidad de rampa de 20 oC/min y permita que supere las gésas durante 1 h con las persianas cerradas.</li>
	<li>Después de que el sustrato se haya cargado en el manipulador de muestras, caliente las células de derrame Zn y/o Mg a 350 oC o 390 oC respectivamente, a una velocidad de rampa de 10 oC/min, y espere 10 minutos para que se estabilicen con las persianas cerradas.</li>
	<li>Utilice el monitor de cristal de cuarzo retráctil para medir el flujo de metal. Coloque el sensor de cristal de cuarzo delante del sustrato dentro de la cámara. Asegúrese de que el sustrato esté completamente cubierto por el detector para que no se deposite metal en el sustrato.</li>
	<li>Introduzca la densidad del metal de interés (Zn a 7,14 g/cm3, Mg a 1,74 g/cm3) en el controlador del monitor de cristal de cuarzo (QCM).</li>
	<li>Para calibrar el flujo, abra el obturador para una de las fuentes metálicas y permita que la celda de derrame se deposite en el sensor. El sistema QCM convierte su medición interna de masa en espesor.</li>
	<li>Calcular el flujo elemental a partir de la pendiente del espesor creciente en función del tiempo que se muestra en el QCM. La tasa de aumento del espesor durante unos minutos es proporcional al flujo elemental. En dos casos de ejemplo, se obtiene un flujo Zn de 0,45 nm/s y un flujo Mg de 1,0 nm/s.</li>
	<li>Cambie la temperatura de las células de derrame y repita el paso 4.8 si se requiere la dependencia de temperatura del flujo. La dependencia de temperatura medida del flujo Mg y Zn se muestra en la Figura 3 para este sistema de crecimiento específico.</li>
	<li>Una vez completadas las mediciones de flujo, cierre las persianas de las celdas de derrame y retraiga el sensor de cristal de cuarzo.</li>
</ol>5. Plasma de nitrógeno
<ol><li>Apague la corriente del filamento y el alto voltaje de la pistola RHEED para evitar daños en presencia de una alta presión de gas N2 en la cámara de crecimiento.</li>
	<li>Abra la válvula de gas en el cilindro N2 de alta presión.</li>
	<li>Abra lentamente la válvula de fuga hasta que la presión de nitrógeno en la cámara de crecimiento alcance 3 x 10-5-4 x 10-5 Torr.</li>
	<li>Ajuste la potencia del generador de plasma a 300 W.</li>
	<li>Encienda el plasma con el encendido en la fuente de plasma. Un resplandor púrpura brillante será visible desde la ventanilla cuando el plasma se encienda, como se muestra en la Figura 2B.</li>
	<li>Ajuste el control en el cuadro de coincidencia rf para minimizar la potencia reflejada tanto como sea posible. Un poder reflejado de menos de 15 W es bueno; en este caso, la potencia reflejada se reduce a 12 W.</li>
</ol>6. Dispersión de luz láser in situ
<ol><li>Enfoque la luz láser de argón picada de 488 nm reflejada desde el sustrato en la cámara de crecimiento en el fotodiodo Si para que el amplificador de bloqueo pueda detectar una señal eléctrica. Esto se logra ajustando el ángulo del sustrato girando el soporte del sustrato alrededor de dos ejes y ajustando la posición del detector Si, luego enfocando la lente que recoge la luz reflejada como se muestra en la Figura4.</li>
	<li>Abra el obturador de una de las fuentes metálicas.</li>
	<li>Registre la reflectividad dependiente del tiempo con un registrador de datos controlado por ordenador. El crecimiento de una película epitaxial producirá una señal reflejada oscilatoria con el tiempo asociado con la interferencia óptica de película delgada entre las superficies frontal y posterior de la película.</li>
	<li>Para proteger la película de la oxidación en el aire, deposite una capa de encapsulación para proteger la película de la oxidación en el aire. Esto es especialmente importante para Mg3N2 que se oxida rápidamente en el aire.</li>
	<li>Para depositar una capa de encapsulación MgO, cierre el gas nitrógeno, cambie al gas de oxígeno, repita el paso 5.3 y aumente la presión de oxígeno a 1 x 10-5 Torr.</li>
	<li>Ajuste la potencia del generador de plasma a 250 W y repita el paso 5.5. El plasma comienza a una menor potencia de rf con gas de oxígeno que con gas nitrógeno.</li>
	<li>Abra el obturador en la fuente Mg y repita el paso 6.4 durante 5-10 min. NOTA: Esto producirá una película MgO que es de aproximadamente 10 nm de espesor. Las películas mg3N2 sin tapar son amarillas, pero se desvanecen rápidamente a un color blanquecino dentro de 20 s al exponerse al aire. Por lo tanto, se requiere una capa de encapsulación para dar tiempo a las mediciones en las películas antes de que se oxidan después de retirarlas de la cámara de vacío.</li>
	<li>Cierre las válvulas de gas, apague el láser y baje las temperaturas del sustrato y de la célula a 25 oC en 30 minutos. Apague el agua de refrigeración y la potencia de rf a la fuente de plasma.</li>
	<li>Después de varias carreras de crecimiento, las ventanas ópticas se cubren con metal. Retire el metal envolviendo la ventana en papel de aluminio y calentándola con cinta adhesiva de calentamiento a 400 oC y una velocidad de rampa de temperatura de 15 oC/min o más lenta en el transcurso de un fin de semana.</li>
</ol>7. Determinación de la tasa de crecimiento
<ol><li>Utilice la ecuación 1 a continuación para describir la reflectividad óptica de la muestra11,19. <img alt="Equation 1" src="/files/ftp_upload/59415/59415eq1.jpg" style="opacity: 0.9;">① Dónde: <img alt="Equation 2" src="/files/ftp_upload/59415/59415eq2.jpg" style="opacity: 0.9;">(1 - a) <img alt="Equation 4" src="/files/ftp_upload/59415/59415eq4.jpg" style="opacity: 0.9;">(1 - b) <img alt="Equation 5" src="/files/ftp_upload/59415/59415eq5.jpg" style="opacity: 0.9;">(1 - c) <img alt="Equation 6" src="/files/ftp_upload/59415/59415eq6.jpg" style="opacity: 0.9;">(1 - d)</li>
	<li>Y donde: n2 a 1.747 es el índice de refracción del sustrato de MgO a una longitud de onda de 488 nm; 0 es el ángulo del haz incidente medido con respecto a la superficie del sustrato normal; y t es el tiempo. Las constantes ópticas de la película (n1 y k1) y la tasa de crecimiento se obtienen ajustando la reflectividad en función del tiempo en la Ecuación 1.</li>
</ol>

<ol><li>Suda, T., Kakishita, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Band-gap+energy+and+electron+effective+mass+of+polycrystalline+Zn3N2%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">Band-gap energy and electron effective mass of polycrystalline Zn3N2.</a> Journal of Applied Physics. 99 (7), 076101.1-076101.3 (2006).</li>
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<li>Lewis, R. B., Bahrami-Yekta, V., Patel, M. J., Tiedje, T., Masnadi-Shirazi, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Closed-cycle+cooling+of+cryopanels+in+molecular+beam+epitaxy%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Vacuum+Science+Technology+B%22%5BJournal%5D)">Closed-cycle cooling of cryopanels in molecular beam epitaxy.</a> Journal of Vacuum Science Technology B. 32 (2), 02C102.1-02C102.7 (2014).</li>
</ol>

Los autores no tienen nada que revelar.

Una variedad de consideraciones está involucrada en la elección de sustratos y el establecimiento de las condiciones de crecimiento que optimizan las propiedades estructurales y electrónicas de las películas. Los sustratos de MgO se calientan a alta temperatura en el aire (1000 oC) para eliminar la contaminación por carbono de la superficie y mejorar el orden cristalino en la superficie del sustrato. La limpieza ultrasónica en acetona es un buen método alternativo para limpiar los sustratos de MgO.
<p class="jove_con...

Los materiales II3-V2 son una clase de semiconductores que han recibido relativamente poca atención de la comunidad de investigación de semiconductores en comparación con los semiconductores III-V y II-VI1. Los nitruros Mg y Zn, Mg3N2 y Zn3N2,son atractivos para aplicaciones de consumo porque están compuestos de elementos abundantes y no tóxicos, haciéndolos baratos y fáciles de reciclar a diferencia de la mayoría de III-V y II-VI semiconductores compuestos. Muestran una estructura de cristal anti-bixbyita similar a la estructura CaF2, con uno de los f-sublattices fcc interpenetrantes siendo medio ocupado2,3,4,5. Ambos son materialesde separación de banda directa 6, por lo que son adecuados para aplicaciones ópticas7,8,9. La brecha de banda de Mg3N2 está en el espectro visible (2,5 eV)10, y la brecha de banda de Zn3N2 está en el infrarrojo cercano (1,25 eV)11. Para explorar las propiedades físicas de estos materiales y su potencial para aplicaciones de dispositivos electrónicos y ópticos, es fundamental obtener películas de cristal único de alta calidad. La mayor parte de los trabajos sobre estos materiales hasta la fecha se han realizado en polvos o películas policristalinas realizadas por esputo reactivo12,13,14,15,16, 17.
La epitaxía de haz molecular (MBE) es un método bien desarrollado y versátil para el cultivo de películas semiconductoras compuestas de un solo cristal18 que tiene el potencial de producir materiales de alta calidad utilizando un entorno limpio y fuentes elementales de alta pureza. Mientras tanto, la acción rápida del obturador MBE permite cambios en una película a la escala de capa atómica y permite un control preciso del espesor. Este artículo informa sobre el crecimiento de mg3N2 y Zn3N2 películas epitaxiales en sustratos de MgO por MBE asistido por plasma, utilizando Zn y Mg de alta pureza como fuentes de vapor y N2 gas como fuente de nitrógeno.

<table><tbody><tr><td>(100) Oblea MgO</td><td>University 214018</td><td></td><td>un lado Acetona epi-pulida</td></tr><tr><td>Fisher</td><td>Chemical&nbsp;</td><td>170239</td><td>99.8%</td></tr><tr><td>Láser de argón</td><td>Láser Lexel</td><td>00-137-124</td><td>488 nm de longitud de onda visible, potencia de salida de 350 mW</td></tr><tr><td>Chopper&nbsp;</td><td>Sistema de investigación de Stanford&nbsp;</td><td>SR540</td><td>&nbsp;Frecuencia máx.: 3.7 kHz&nbsp;</td></tr><tr><td>Amplificador de bloqueo&nbsp;</td><td>Sistema de investigación de Stanford&nbsp;</td><td>37909</td><td>DSP SR810, Frecuencia máx.: 100 kHz&nbsp;</td></tr><tr><td>Magnesio&nbsp;</td><td>UMC</td><td>MG6P5</td><td>99.9999%</td></tr><tr><td>MBE sistema</td><td>VG Semicon</td><td>V80H0016-2 SHT 1</td><td>V80H-10</td></tr><tr><td>Metanol&nbsp;</td><td>Alfa Aesar</td><td>L30U027</td><td>Semigrado 99.9%</td></tr><tr><td>Nitrógeno</td><td>Praxair</td><td>402219501</td><td>99.998%</td></tr><tr><td>Oxígeno&nbsp;</td><td>Linde Gas</td><td>200-14-00067</td><td>> 99.9999%</td></tr><tr><td>Fuente de plasma</td><td>SVT Associates</td><td>SVTA-RF-4.5PBN</td><td>PBN, 0.11 "Apertura, Especificar longitud: 12" &ndash; 20 "</td></tr><tr><td>Fotodiodo de Si&nbsp;</td><td>Newport</td><td>2718</td><td>818-UV Mejorado, 200 - 1100 nm</td></tr><tr><td>Zinc&nbsp;</td><td>Alfa Aesar</td><td>7440-66-6</td><td>99.9999%</td></tr></tbody></table>

crecimiento de la epitasa de haz molecular asistido por plasma de mg3n2 y zn3n2 thin films

Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg3N2 and Zn3N2 Thin Films

Este artículo describe un procedimiento para el cultivo de películas Mg3N2 y Zn3N2 por epitaxía de haz molecular asistido por plasma (MBE). Las películas se cultivan en 100 sustratos MgO orientados con n2 gas como fuente de nitrógeno. Se describe el método para preparar los sustratos y el proceso de crecimiento de MBE. La orientación y el orden cristalino del sustrato y la superficie de la película son monitoreados por la reflexión de difracción de electrones de alta energía (RHEED) antes y durante el crecimiento. La reflectividad especular de la superficie de la muestra se mide durante el crecimiento con un láser Ar-ion con una longitud de onda de 488 nm. Al ajustar la dependencia temporal de la reflectividad a un modelo matemático, se determinan el índice de refracción, el coeficiente de extinción óptica y la tasa de crecimiento de la película. Los flujos metálicos se miden independientemente en función de las temperaturas celulares de derrame utilizando un monitor de cristal de cuarzo. Las tasas de crecimiento típicas son de 0,028 nm/s a temperaturas de crecimiento de 150 oC y 330 oC para películas Mg3N2 y Zn3N2, respectivamente.

El objeto negro en el recuadro en la Figura 5B es una fotografía de una película delgada de 200 nm Zn3N2. Del mismo modo, el objeto amarillo en el recuadro en la Figura 5C es una película delgada de 220 nm Mg3N2 cultivada. La película amarilla es transparente en la medida en que es un texto fácil de leer colocado detrás de la película10.
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Este artículo describe el crecimiento de películas epitaxiales de Mg3N2 y Zn3N2 en sustratos de MgO por epitaxiía de haz molecular asistida por plasma con gas N2 como fuente de nitrógeno y monitoreo óptico del crecimiento.

Crecimiento de la epitasa de haz molecular asistido por plasma de Mg3N2 y Zn3N2 Thin Films

This article describes a procedure for growing Mg3N2 and Zn3N2 films by plasma-assisted molecular beam epitaxy (MBE). The films are grown on 100 oriented ...

En este video, mostramos cómo cultivar películas epitaxiales de nitrito de magnesio y nitrito de zinc por epitaxia de haz molecular asistida por plasma, o MBE para abreviar. El nitrito de magnesio y el nitrito de zinc son materiales semiconductores compuestos II-V. Esta es una clase relativamente inexplorada de semiconductores.Tienen la estructura cristalina antibixixilita, que tiene 80 átomos en la célula de unidad de cubo convencional. Las películas se cultivan en un sistema VG V80 MBE. La cámara horizontal de la izquierda es la cámara de preparación y la cámara redonda a la derecha es la cámara de crecimiento donde se lleva a cabo el crecimiento de la película.La cerradura de entrada de muestra, situada en el extremo izquierdo de la cámara de preparación. El mejor sustrato que hemos encontrado para el cultivo de nitrito de magnesio epitaxial y nitrito de zinc es el óxido de magnesio de cristal único orientado a 100. Los sustratos cuadrados de un centímetro se colocan primero en un portador de muestra de oblea de zafiro con el lado pulido hacia arriba y recocido durante nueve horas a 1.000 grados C.Recocido de alta temperatura elimina el carbono de la superficie y reconstruye la

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Un método para preparar capas epitaxiales de aleaciones ordenadas por pulverización catódica se describe. El compuesto Ferh B2-ordenada se usa como un ejemplo, ya que muestra una transición metamagnetic que depende sensiblemente del grado de orden químico y la composición exacta de la aleación.

Crecimiento catódica y caracterización de Metamagnetic B2-ordenó Ferh epicapas

Varios procedimientos se describen para preparar plantillas atómicamente definidos para el crecimiento epitaxial de óxido complejo de películas delgadas. Los tratamientos químicos de un solo SrTiO cristalina 3 (001) y DyScO 3 (110) sustratos se realizaron para obtener superficies atómicamente lisas, individuales terminadas. Ca 2 N ° 3 O 10 - se utilizaron nanoláminas para crear plantillas atómicamente definidos sobre sustratos arbitrarias.

Plantillas Atómicamente definidos para crecimiento epitaxial de óxido complejo Películas Delgadas

Se presenta un protocolo para el crecimiento sin semillas y de alto rendimiento de matrices de nanocables de bismuto mediante la técnica de evaporación térmica al vacío.

Crecimiento Seedless de bismuto nanocables matriz a través del vacío de evaporación térmica

Este trabajo detalla los procedimientos para el crecimiento y caracterización de SrTiO cristalina 3 directamente sobre sustratos de germanio por deposición de capas atómicas. El procedimiento ilustra la capacidad de un método de crecimiento de todos los productos químicos para integrar óxidos monolíticamente en semiconductores para dispositivos semiconductores de óxido de metal.

Crecimiento epitaxial de perovskita del titanato de estroncio en el germanio a través de deposición de capas atómicas

epitaxia de haces moleculares se utiliza para producir transistores InAlN barreras de alta movilidad de electrones-N-polares (HEMT). De control de la preparación de la oblea, condiciones de crecimiento y estructura de capa epitaxial resultados en capas InAlN lisas, de composición homogénea y HEMTs con movilidad tan alto como 1.750 cm2 / V ∙ seg.

Asistida por plasma Molecular Beam epitaxia de N-polar InAlN de barrera de transistores de alta movilidad de electrones

A través el sulfurization previamente depositados de metales de transición, se pueden fabricar cristal 2D área grande y vertical hetero-estructuras. Película de transferencia de los procedimientos de fabricación del dispositivo se demuestran también en este informe.

Preparación de gran superficie 2D cristal Hetero-estructuras verticales por el Sulfurization de películas de Metal de la transición para la fabricación de dispositivos

Fabricamos metal/LaAlO3/SrTiO3 heteroestructuras mediante una combinación de láser pulsado y en situ de magnetrón sputtering. A través de magnetotransport y en situ radiografía fotoelectrón espectroscopia experimentos, investigamos la relación entre los fenómenos electrostáticos y química del gas de electrones bidimensional casi formado en este sistema.

Crecimiento y propiedades electrostáticas químico de Metal/LaAlO3/SrTiO3 heteroestructuras

Consecución de contactos Schottky de alta calidad es imprescindible para lograr la modulación eficiente puerta en transistores de efecto de campo de heteroestructura (HFETs). Presentamos la metodología de fabricación y características de los diodos de Schottky en heteroestructuras de Zn-polar BeMgZnO/ZnO con alta densidad gas dos de dimensiones del electrón (2DEG), crecidos por epitaxy de viga molecular asistida por plasma en plantillas de GaN.

Fabricación de diodos de Schottky en Zn-polar heteroestructura de BeMgZnO/ZnO por Epitaxy de viga Molecular asistida por Plasma

Se presenta un protocolo para el crecimiento asistido por grafeno de películas AlN de alta calidad en sustrato de zafiro nano-patrón.

Cuasi-van der Waals asistida por grafeno epitaxy de película alN sobre sustrato de zafiro nano-patrón para diodos emisores de luz ultravioleta

Un haz molecular acoplada a espectrómetro ultravioleta de vacío ajustable masa fotoionización en un sincrotrón es una cómoda herramienta para explorar la estructura electrónica de las moléculas aisladas de fase gaseosa y clusters. Mecanismos de transferencia de protones en dímeros de bases de ADN fueron determinadas con esta técnica.

Haces Moleculares Espectrometría de Masas con luz ultravioleta sintonizable vacío Radiación (VUV) Sincrotrón

Aprende a crecer películas epitaxiales de nitruro de magnesio y zinc mediante epitaxia de haz molecular asistida por plasma. Este método permite estudiar semiconductores II-V con estructura cristalina anti-bixbyita.

Crecimiento de la epitasa de haz molecular asistido por plasma de Mg₃N₂ y Zn₃N₂ Thin Films

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