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DOI: 10.3791/56408-v
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Dans cet article, écoulement diélectrophorèse assistée est démontrée pour l’auto-assemblage de nanofils périphériques. La fabrication d’un transistor à effet de champ nanofils silicium est indiquée à titre d’exemple.
L’objectif global de cette procédure est de démontrer l’assistance de champ électrique, l’assemblage et la sélection de nanofils semi-conducteurs de haute qualité, y compris la fabrication d’électrodes métalliques et l’utilisation de ces électrodes dans la diélectrophorèse assistée par écoulement pour créer des transistors à effet de champ de nanofils pouvant être traités en solution. Cette méthode peut nous aider à résoudre l’un des principaux défis dans le domaine de l’électronique transformable en solution, tels que le placement de nanomatériaux semi-conducteurs, le contrôle de l’empilement effectué et l’entraînement sur le terrain de nanofils de qualité supérieure. La fonction principale de cette technique est qu’il s’agit d’une méthode rapide et reproductible qui peut être mise à l’échelle à partir de la fabrication contrôlable de dispositifs à base de nanomatériaux. Bien que cette méthode puisse donner un aperçu de l’alignement et de la sélection des nanofils, elle peut également être appliquée à l’alignement des nanotubes, des nanoflocons et des nanomatériaux en forme de lame. La plupart des étapes de ce protocole se déroulent dans un environnement de salle blanche. Commencez avec une plaquette de silicium/dioxyde de silicium de type N de quatre pouces fortement dopée. Utilisez un scribe en diamant pour couper la plaquette afin de produire des échantillons de taille appropriée. Veillez à ne pas toucher la surface supérieure. Divisez la plaquette le long des coupes pour obtenir plusieurs échantillons. Les échantillons de cette expérience mesurent 2,5 x 2,5 centimètres. Une fois terminé, apportez les échantillons dans un bain à ultrasons. Placez les échantillons sur un support de substrat et immergez-les dans un bécher d’eau déminéralisée. Sonicez les échantillons dans le bécher pendant cinq minutes à pleine puissance. Transférez ensuite les échantillons dans un bécher avec de l’acétone avant de les soniser à nouveau pendant cinq minutes à pleine puissance. Enfin, transférez les échantillons dans un bécher avec de l’isopropanol et du sonicate pendant cinq minutes supplémentaires à pleine puissance. Retirez les échantillons du bain à ultrasons et séchez-les avec un pistolet à azote. Ensuite, transférez les échantillons dans un asher à plasma pour éliminer tous les résidus organiques restants. Pour la photolithographie, déplacez les échantillons dans une pièce jaune. Travail dans une sorbonne avec une plaque de cuisson à 150
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