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Articolo metodologico

Fabbricazione di uno stampo master per microaghi con foro per la bocca d'aria delle dimensioni di un micron

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DOI:

10.3791/69679

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5 dicembre 2025

 ,  ,  ,  , 
1Department of Digital Anti-Aging Health Care, Inje University, 2Department of Biomedical Engineering, Inje University

* These authors contributed equally

In questo articolo

Sommario

Questo articolo introduce un metodo unico per fabbricare stampi master con un foro per la ventilazione dell'aria per prevenire l'intrappolamento dell'aria durante la colata in polimero viscoso, permettendo la fabbricazione di microaghi alla gelatina con punte affilate. Riducendo il volume di colata della gelatina ad alta viscosità, si potevano anche fabbricare microaghi piramidali cavi a parete sottili.

Abstract

I microaghi (MN) sono un sistema innovativo di somministrazione di farmaci che può penetrare la barriera cutanea in modo minimamente invasivo per somministrare farmaci. Poiché sono meno dolorosi delle iniezioni e facili da usare, stanno vedendo applicazioni in espansione nei campi cosmetico e farmaceutico. La fabbricazione convenzionale di MN consiste nella creazione di uno stampo master e poi nella produzione di MN in quello stampo. I metodi principali per la fabbricazione dello stampo master includono processi di sistemi microelettromeccanici, lavorazione dei metalli e stampa 3D. Tuttavia, la principale debolezza degli stampi master prodotti con questi metodi è che l'aria può rimanere intrappolata all'interno dello stampo durante la fusione del polimero molto viscoso usato per la realizzazione dei MN. Di conseguenza, le punte MN potrebbero non formarsi completamente. Nella fabbricazione di array MN, questo può ridurre l'affidabilità delle strutture MN. Questo studio propone una soluzione all'intrappolamento dell'aria che prevede la formazione di un foro di ventilazione d'aria (AVH) su scala microscopica all'estremità dello stampo master. L'AVH permette all'aria di fuori, ma impedisce al fluido viscoso di fuoriuscire durante il processo di indurimento. Poiché la lavorazione tradizionale dei metalli o i metodi di stampa 3D presentano limitazioni di risoluzione, è stata utilizzata la microlavorazione al silicio per creare lo stampo master dotato di AVH. La lunghezza laterale dell'AVH fabbricato variava da 1,4 a 7,0 μm. Utilizzando questo stampo, abbiamo realizzato con successo MN gelatinosi alti 375 μm con punte affilate. Inoltre, controllando il volume di gelatina applicata, furono inoltre realizzati MN piramidali cavi a parete sottili, con pareti spesse 23 μm e un volume di cavità interna di 0,027 μL. Poiché lo stampo master dotato di AVH consente la fabbricazione sia di MN solubili in acqua che insolubili in acqua, potrebbe servire come sistema di somministrazione di farmaci ad alta efficienza di nuova generazione per applicazioni nei campi cosmeceutico e biomedico.

Introduzione

I microaghi (MN) sono un nuovo sistema di somministrazione di farmaci in grado di penetrare la barriera cutanea in modo non invasivo per somministrare i farmaci. Questo metodo supera la bassa biodisponibilità della somministrazione orale e il rischio di dolore e infezione dovuto all'erogazionetramite iniezione 1. Grazie al loro uso semplice e all'elevata compliance da parte dei pazienti, i MN hanno visto applicazioni in espansione neicosmetici 2,vaccini 3, monitoraggio deibiomarcatori 4 e somministrazione di farmacipolimerici 5.

I metodi di fabbricazione MN generalmente prevedono tecniche distampaggio 6. Gli stampi utilizzati per la fusione dei MN sono realizzati tramite lavorazione delmetallo 7 e stampa3D 8. Tuttavia, un ostacolo all'uso di questi metodi è che richiedono attrezzature e strutture costose. Inoltre, a causa dei loro limiti di risoluzione, è difficile produrre le strutture penetranti della pelle utilizzate come MN. Inoltre, si usano materiali molto viscosi per produrre MNsbiodegradabili 9,10. Quando il materiale MN viene applicato allo stampo, l'aria intrappolata nelle microstrutture dello stampo può impedire la corretta formazione delle punte MN e ridurre la resa degli arrayMN 11. Studi hanno riportato metodi per affrontare questi problemi, come la colatacentrifuga 12, la degassazione a vuoto con una camera13 e il trattamento idrofilo della superficie dellostampo 14, che sono stati riportati come efficaci per mitigare questo problema. Tuttavia, è ancora necessario un processo di fabbricazione basato su stampi più semplice ed efficiente.

Tipicamente, le MN sciolgenti vengono realizzate mescolando il composto bersaglio con un polimero solubile in acqua in forma liquida e fondendo la miscela in unostampo 15. Con le sostanze solubili in acqua, la fabbricazione è relativamente semplice utilizzando procedure semplici come sciogliere il composto bersaglio in acqua distillata e mescolarlo con un polimerosolubile 16. Tuttavia, con le sostanze insolubili in acqua, deve essere sviluppato un processo separato per caricarle nelle MN. Ad esempio, un farmaco insolubile può essere sciolto in un cosolvente acqua/etanolo e mescolato, poi concentrato nel vuoto, filtrato e liofilizzato come pretrattamento, e successivamente miscelato in una soluzione polimerica solubile per fabbricareMNs 17. Questo processo per caricare i farmaci insolubili nelle MN è complesso e richiede molto tempo. Pertanto, è necessario sviluppare un processo di fabbricazione più efficiente e un metodo per prevedere con precisione la quantità di farmaco puro caricato. Oltre al tipo misto farmaco, è necessario sviluppare anche metodi per fabbricare MN che immagazzino il farmaco in uno spazio separato.

Per affrontare i due problemi sopra menzionati, questo studio ha fabbricato uno stampo master in silicio per la produzione in MN che previene l'intrappolamento dell'aria durante la fusione di polimeri viscosi e ne ha convalidato l'utilità. Durante la colata del polimero per la fabbricazione di MN, man mano che il polimero viscoso riempie la cavità dello stampo, l'aria residua all'interno viene naturalmente ventilata e la cavità si riempie completamente. A causa dell'elevata viscosità, questo processo di riempimento si interrompe senza che il polimero esci dallo stampo. Attraverso questo processo, la geometria dello stampo può essere replicata fedelmente e possono essere realizzate MN con punte affilate. Quando il volume del polimero viscoso è minore del volume interno della cavità dello stampo, il polimero viscoso scorre lungo le pareti inclinate dello stampo verso l'uscita dell'aria d'aria, formando così che il MN si forma con un interno vuoto. La Figura 1 delinea il metodo tipico di fabbricazione MN utilizzando uno stampo convenzionale (1) e il nostro concetto chiave di uno stampo master dotato di AVH (2).

Questo protocollo utilizzava un processo di incisione a doppia faccia su un wafer di silicio per produrre uno stampo con un AVH in scala microscopica sul retro. Dopo l'applicazione del polimero sotto vuoto, il polimero viscoso riempie la cavità dello stampo producendo una MN con punta affilata. Controllando il volume dispensato del materiale MN, possiamo fabbricare un MN solido standard (con un interno riempito) oppure, se viene erogato un volume minore, un MN cavo in cui il polimero viscoso ricopre la superficie dello stampo a un certo spessore, lasciando però un interno vuoto. Questo fornisce un processo versatile per la fabbricazione di vari tipi di MN.

La gelatina è stata scelta come materiale matriciale per la fabbricazione del MN perché offre alta biocompatibilità e proprietà meccaniche favorevoli, offrendo anche ampia disponibilità, basso costo, solubilità in acqua e biodegradabilità come biomateriale a base proteica ampiamente utilizzato in applicazioni biomediche e nei sistemi MN dissolventi oidrogel 18,19. Studi precedenti hanno anche dimostrato che le MN a base di gelatina o gelatina-metacriloile possono penetrare la pelle senza piegarsi o fratturarsi, confermando che le reti di gelatina forniscono sufficiente resistenza meccanica e integrità strutturale per un'inserzione cutaneaaffidabile 20,21.

Per il materiale utilizzato nella fabbricazione MN, è stata preparata una soluzione di gelatina al 10,31% (p/v) mescolando 1 g di gelatina con 9 mL di acqua distillata. Secondo la letteratura, la viscosità di una soluzione gelatinosa al 10% (p/v) a 25 °C è 39,43-46,63 mPa·s 22, e la differenza di concentrazione tra la soluzione di gelatina al 10,31% (p/v) utilizzata in questo studio e la soluzione di riferimento al 10% (p/v) è dello 0,31%, con entrambi i valori che rientrano nell'intervallo di viscosità 6,64-429 mPa·s su cui le formulazioni di polimeri acquosi sono state utilizzate con successo per la fabbricazione a base di muffi diMNs 23, indicando che l'attuale approccio di riempimento per stampi assistiti da AVH è, in linea di principio, applicabile a soluzioni acquose polimeriche le cui viscosità rientrano in questo intervallo.

Attraverso la colata controllata, questo studio ha prodotto e confrontato due tipi di MN, selezionandoli invece dei MN porosi, che presentano un compromesso tra porosità e resistenza meccanica che compromette la robustezzameccanica 24: un MN solido che mostra alta resistenza meccanica e affidabilità di inserimento con superiore efficienza di penetrazionedella pelle 25, e un MN cavo capace di immagazzinare farmaci insolubili in acqua all'interno della sua cavità interna, offrendo un'elevata applicabilità per la successiva conversione in progetti di MN solido caricatida farmaci 26. Quando il farmaco può essere miscelato con il materiale dell'ago, i MN solidi sono adatti, mentre i MN cavi sono adatti a sostanze poco solubili e difficili da miscelare.

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Protocollo

Lavorare in un ambiente controllato e pulito e calibrare tutte le attrezzature prima di iniziare è essenziale. Si consiglia di utilizzare strumenti dedicati per ogni fase per evitare contaminazioni incrociate e rispettare i tempi di cottura e di raffreddamento specificati, oltre a seguire in ordine i passaggi del protocollo. I reagenti e le attrezzature utilizzate sono elencati nella Tabella dei Materiali.

1. Fabbricazione di stampi master in silicio

  1. Eseguire la pulizia Piranha su una wafer in silicio doppio lucidato (DSP) di tipo N (100) di 4 pollici e spessore 525 μm (H2SO 4 +H 2O2 = 4:1, 120 °C, 10 min).
    ATTENZIONE: La soluzione di piranha reagisce violentemente con gli organici e comporta un rischio di forte rilascio di calore e produzione di gas. Mescola sempre lentamente aggiungendo perossido di idrogeno all'acido in una cappa fumi, e indossa una visiera, un grembiule resistente agli acidi e guanti resistenti agli acidi. Dopo l'uso, raccogli tutta la soluzione residua e i risciacqui sotto forma di rifiuti acidi ossidanti in un contenitore sfiato resistente agli acidi. Non neutralizzare in laboratorio. Richiedere la raccolta tramite il programma istituzionale EHS per rifiuti pericolosi in conformità con le normativenazionali sui rifiuti di laboratorio 27.
  2. Eseguire ossidazione termica secco-umido-secco a 1100 °C per 90 minuti per far crescere uno strato di ossido termico spesso ~0,6 μm (Figura 2A).
  3. Fotolitografia frontale: esegui i seguenti passaggi sul lato anteriore della wafer.
    1. Spin coat AZ GXR-601 fotoresist (14 cP) a 3000 giri/min per 35 secondi. Poi, cuocere dolcemente a 90 °C per 1 minuto.
    2. Usando un allineatore per maschera, esponi il wafer agli UV (365 nm, 10 mW/cm 2) per 5 secondi, poi sviluppalo in un rivelatore TMAH al 2,38% (w/w) per 1-2 minuti.
      ATTENZIONE: Il TMAH è tossico se assorbito attraverso la pelle. Maneggialo in una cappa e indossa doppi guanti in nitrilo, occhiali di sicurezza e un grembiule. In caso di contatto con la pelle, lava immediatamente con acqua. Dopo l'uso, raccogliere soluzioni e sciacqui esausti come rifiuti quaternari-ammonio fortemente alcalini in un contenitore dedicato. Non mescolare con acidi o ossidanti. Presentare la richiesta per il ritiro EHS seguendo le procedure designate di gestione deirifiuti 27.
    3. Cuocere duro il wafer a 100 °C per 2 minuti.
  4. Incisione frontale:
    1. Posiziona la wafer con motivo in una camera di incisione ICP ed esegui un'incisione a secco per 2-3 minuti per rimuovere selettivamente lo strato di ossido termico esposto.
      NOTA: Imposta i gas (CHF3/CF4) a 10/30 sccm, la potenza RF a 50 W (con potenza ICP 900 W) e la pressione a 3,8 mTorr. La velocità di incisione dell'ossido in queste condizioni è di ~260 nm/min.
    2. Rimuovere la wafer dalla camera e rimuovere il fotoresist usando un scorticolatore PR (solvente a base di amine, riscaldato a 60 °C per 10 minuti in un bagno statico senza agitazione ultrasonica) (Figura 2B).
    3. Versa una soluzione KOH al 30% (c/w) (o una soluzione TMAH al 20% (w/w)) in un bagno di incisione e coprila.
    4. Metti il bagno di incisione in un bagno a temperatura costante e imposta la temperatura a 90 °C.
    5. Dopo aver preriscaldato per 1 ora, apri il coperchio, immergi la wafer di silicio nella soluzione e inizia l'incisione. La velocità di incisione è di ~0,85 μm/min.
    6. Dopo aver inciso per almeno 440 minuti, rimuovi la wafer di silicone e risciacquala con acqua.
    7. Ispezionare la superficie incisa al microscopio per confermare che si sia formata una scanalatura a V. (Figura 2C).
      ATTENZIONE: Il KOH è un potente acido alcalino che può causare gravi ustioni alla pelle e agli occhi. Lavora sempre con una cappa e indossa una visiera, occhiali di sicurezza chimica, guanti lunghi resistenti ai prodotti chimici e un grembiule chimico. Se esposti, risciacquo immediatamente l'area con acqua per almeno 15 minuti e cerca assistenza medica. Dopo l'uso, raccogliere la soluzione utilizzata e i materiali contaminati come rifiuti inorganici alcalini pericolosi in contenitori compatibili. Etichettare chiaramente e richiedere lo smaltimento tramite il programma EHS per rifiutipericolosi 27.
      NOTA: La dimensione dell'apertura dell'incisione è 530 μm × 530 μm, e la profondità dell'autoincisione è di 375 μm. Poiché l'incisione è anisotropa, il processo si fermerà automaticamente a quella profondità.
  5. Esegui la pulizia Piranha sul wafer di silicio.
  6. Eseguire ossidazione termica umida a 1100 °C per 90 minuti per far crescere un nuovo strato di ossido termico.
  7. Fotolitografia posteriore: sul retro della wafer, eseguire il rivestimento fotoresistente, l'esposizione, lo sviluppo e la cottura con le stesse procedure e condizioni del passo 1.3.
  8. Pattern ossido posteriore: Eseguire un'incisione con ossido tamponato (BOE) (HF: NH4F = 1:7) per modellare l'ossido posteriore, poi rimuovere il fotoresist con uno smantello (Figura 2D).
    ATTENZIONE: La soluzione BOE contiene HF, che può penetrare nella pelle e causare danni tissutali ritardati (necrosi) e ipocalcemia. Lavora sempre con una cappa e indossa guanti resistenti all'HF (invece di guanti in nitrilo). Dopo l'uso, raccogliere tutti i liquidi e i solidi contenenti HF in contenitori HDPE chiaramente etichettati come rifiuti HF/BOE. Tieni a disposizione il gel di gluconato di calcio nelle immediate medie e richiedi il ritiro immediato dell'EHS secondo i protocolli designati per irifiuti 27,28.
  9. Durante l'incisione BOE, eseguire un controllo di bagnazione DI per monitorare l'endpoint dell'incisione.
    1. Considerando la velocità di incisione BOE dell'ossido termico (110-120 nm/min), man mano che si avvicina il tempo di completamento, immergi brevemente la wafer di silicio in acqua deionizzata e rimuoverla per osservare il comportamento di bagnamento delle gocce d'acqua.
    2. Confermare che l'ossido sia stato rimosso selettivamente (indicato da una mancanza di bagnamento dell'acqua), segnando il completamento della rimozione dell'ossido termico.
  10. Eseguire l'incisione anisotropica posteriore con silicio nelle stesse condizioni del passaggio 1.4, a 90 °C per ~180 minuti (Figura 2E).
    NOTA: Data la tolleranza di spessore del wafer di ±25 μm, inizia a controllare la formazione del foro passante intorno ai 150 minuti (ad esempio, usando un microscopio) per determinare quando fermare l'incisione.
  11. Dopo aver completato l'incisione posteriore, eseguire un'immersione BOE per rimuovere eventuali ossidi residui sulla wafer incisa (Figura 2F).
  12. Esegui un controllo di bagnatura con acqua DI e conferma che tutto l'ossido sia stato rimosso (effetto "sheet off").
  13. Eseguire un trattamento superficiale idrofobo sulla wafer di silicio inciso utilizzando la deposizione plasma C4F8 sull'incisore ICP (60 sccm, ICP 800 W, RF 10 W, 10 mTorr, 60 s, angolo statico di contatto con l'acqua ≥ 100°). Poi taglia il wafer usando una sega da dadini dotata di una lama diamantata a legame in nichel (mandrino 30.000 giri/min, alimentazione 50 mm/s, esposizione = 4× spessore della lama e refrigerante ad acqua DI 0,5 L/min).
    NOTA: Il trattamento al plasma idrofobo rende la superficie dello stampo di silicio non bagnante e facilita la separazione del polimero MN indurito dalla struttura in silicio.

2. Preparazione della soluzione polimerica

  1. Utilizzando una siringa usa e getta da 10 mL, aggiungi 9 mL di acqua distillata a un tubo centrifuga conico da 50 mL.
  2. Usando un cucchiaio S/T e carta antigrassa, pesa 1 g di polvere di gelatina su una bilancia di precisione e trasferiscila nel tubo conico.
    NOTA: Quando si trasferisce la polvere di gelatina dalla carta antigrassa nel tube, la staticità può far aderire un po' di polvere alla carta, portando ad aggiungere meno di 1 g. Confronta i pesi della carta prima e dopo il trasferimento, e aggiungi eventuali quantità mancanti di gelatina in polvere.
  3. Usa il cucchiaio S/T per rompere eventuali grumi di gelatina nel tubo mescolare per 5 minuti in senso orario, assicurandoti che la rotazione della soluzione non causi fuoriuscita di rimorchi.
  4. Riempi un bagno d'acqua con 4 L di acqua distillata.
  5. Imposta la temperatura del bagno maria a 60 °C e aspetta ~30 minuti che raggiunga la temperatura desiderata.
  6. Mettere il tubo contenente la soluzione di gelatina in un bagno d'acqua a 60 °C per 30 minuti per sciogliere la gelatina.
  7. Rimuovi il tubo e vortizza a 3.300 giri/min per 1 minuto per disperdere completamente eventuali particelle di gelatina residue.
  8. Per prevenire variazioni di viscosità o gelificazione prima dell'uso, la soluzione di gelatina viene mantenuta in un bagno-maria a 60 °C, con il volume finale di 9,7 mL corrispondente a una soluzione di gelatina al 10,31% (p/v).
    NOTA: Mantenere la soluzione di gelatina nel bagno d'acqua a 60 °C per almeno 5 ore prima di usarla per la fabbricazione del MN.

3. Fabbricazione di MN solidi e cavi

  1. Posare due vetrini del microscopio (76 mm × 26 mm × 1 mm) piatti in una piastra di Petri, distanziati 7 mm l'uno dall'altro, e fissarli con nastro non tessuto a doppia faccia.
  2. Posiziona lo stampo master in silicio fabbricato sopra le due vetri del microscopio, con il retro (quello che contiene l'AVH) rivolto verso il basso.
  3. Regola la posizione dello stampo in modo che l'AVH sia centrato sullo spazio tra le due vetrine.
  4. Posizionare la piastra di Petri (con lo stampo maestro in silicio) al centro di un essiccatore a vuoto (circa 260 mm × 260 mm × 100 mm di dimensione).
  5. Utilizzando una siringa usa e getta da 1 mL, applica 0,3 mL di metanolo al centro dello stampo master in silicio.
    ATTENZIONE: Il metanolo è un solvente infiammabile, volatile e tossico; L'inalazione dei suoi vapori o l'assorbimento cutaneo possono causare danni al nervo ottico, cecità o avvelenamento sistemico. Indossa sempre occhiali di sicurezza, una visiera e doppi guanti in nitrilo, e maneggialo in un'area ben ventilata (preferibilmente in una cappa assorbente). Dopo l'uso, raccogliere residui di metanolo e risciacquo come residui di solvente organico infiammabile in un contenitore chiuso e compatibile con contenimento secondario. Richiedere la raccolta tramite il programma istituzionale EHS per rifiuti pericolosi secondo le regolenazionali 27 sui rifiuti di laboratorio.
  6. Muovi delicatamente la punta della siringa lungo la superficie dello stampo per distribuire il metanolo in modo uniforme ai bordi.
    NOTA: Il metanolo ha una viscosità molto bassa (~0,594 mPa·s), quindi anche lievi disturbi possono farlo fuoriuscire dallo stampo. Per un'applicazione precisa e evitare il traboccamento, bagna la punta della siringa con metanolo.
  7. Sigilla il dissecatore a vuoto e usa una pompa a vuoto per applicare un vuoto di -80 kPa per 2 minuti, permettendo al metanolo di infiltrarsi completamente nello stampo master di silicio.
  8. Rilascia il vuoto per rimuovere eventuali bolle residue nel metanolo.
  9. Rimuovi la soluzione di gelatina preparata dal bagno d'acqua e pulisci qualsiasi acqua dall'esterno del tubo con una salvietta per camera bianca.
  10. Per i MN solidi, si utilizza una micropipetta da 20-200 μL per erogare 100 μL della soluzione di gelatina sul centro dello stampo maestro in silicio. Per i MN cavi, dispensare 40 μL di soluzione gelatinosa.
  11. Sigilla il disidratatore a vuoto e applica -80 kPa per 2 minuti.
  12. Rilascia il vuoto per eliminare eventuali bolle residue nella soluzione gelatinosa.
  13. Mantenendo la piastra di Petri in piano, mettila in un bagno d'acqua a 60 °C per 2 minuti.
    NOTA: Assicurati che la piastra di Petri non entri in contatto diretto con l'acqua nella vasca. L'ambiente di 60 °C riduce la viscosità della soluzione, e l'umidità relativa del 100% all'interno del bagno impedisce alla gelatina di asciugarsi.
  14. Rimuovi la piastra di Petri dal bagno d'acqua, mantenendola in piano.
  15. Tocca la superficie della soluzione gelatinosa con una pinzetta e distribuiscila uniformemente sui bordi dello stampo, assicurandoti che tutta la superficie dello stampo sia rivestita con uno strato sottile della soluzione.
    NOTA: Se la soluzione è troppo fredda, la sua alta viscosità la farà aderire alle pinzette e allungarsi. Pertanto, si diffonde rapidamente la soluzione, subito dopo aver rimosso lo stampo dal bagno a 60 °C, mentre la viscosità della gelatina è ancora bassa.
  16. Mantenendo la muffa in livello, mettila in forno a 40 °C e asciugala per almeno 4 ore.
  17. Una volta completamente asciutto, inserire le pinzette tra lo stampo master in silicone e la base MN e ruotare con cura per sollevare e smoldare, ottenendo il polimero MN polimerico polimerico e dissolvente.

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Risultati

Questo studio introdusse uno stampo master con AVH per consentire la fabbricazione di MN con punte affilate, rappresentando una deviazione rispetto all'uso degli stampi master convenzionali. Utilizzando l'incisione al silicio ad alta precisione, abbiamo realizzato con successo lo stampo master dotato di AVH e prodotto delle MN. Lo stampo master in silicio fabbricato è stato fotografato con microscopia elettronica a scansione di campo (SEM), e le MN fabbricate sono state osservate sia con microscopia digitale che SEM a em...

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Discussione

Questo studio ha fabbricato uno stampo master in silicio con AVH utilizzando un'incisione a doppia faccia per evitare l'intrappolamento dell'aria e riempirlo con un polimero viscoso, ottenendo così un riempimento completo fino alla punta del MN e permettendo la formazione di MN affilati e uniformi. Un fattore chiave per la corretta formazione della punta è la dimensione dell'AVH creata dall'incisione posteriore. Considerando la variazione dello spessore del wafer di silicio (±25 μm), è d...

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Ringraziamenti

Questo lavoro è stato sostenuto da una sovvenzione della Korea Innovation Foundation (INNOPOLIS) finanziata dal Governo coreano (Ministero della Scienza e delle ICT) (finanziamento n. NTIS-2710084968), dalla Commercialization Promotion Agency for R&D Outcomes (COMPA) finanziata dal Ministero della Scienza e ICT (grant n. RS-2024-00423871 per favorire l'avanzamento della proprietà intellettuale e la commercializzazione/industrializzazione della tecnologia di produzione a micro-aghi a effetto di contatto), e dal programma Regional Innovation System Education (RISE) tramite il Centro RISE di Gyeongsangnam-do, finanziato dal Ministero dell'Istruzione (MOE) e dal Governo Provinciale di Gyeongsangnam-do, Repubblica di Corea (2025-RISE-16-008-0008).

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Materiali

Elenco dei materiali utilizzati in questo articolo
NomeAziendaNumero di catalogoCommenti
Pulizia per camera biancaAsahi KaseiBEMCOT M-325 mm e tempi; 25 mm
Tubo centrifugo conicoCorning35207050 mL
Sega da dadiniDISCODAD-3220mandrino 30.000 giri/min, alimentazione 50 mm/s, esposizione = 4 volte; Spessore della pala, DI - liquido di raffreddamento 0,5 L/min
Microscopia digitaleHiroxKH-7700Utilizzato con un obiettivo fotocamera MXG-5040RZ
Siringa usa e gettaVaccino CoreanoKOVAX-SIRINGA1 mL & 10 mL
Acqua distillataSamchun Pure Chemical000W0054
nastro non tessuto a doppia faccia3MID-8370SSpessore 0,16 mm
SEM  a emissione di campo;Hitachi High-TechS-4300SE
Polvere di gelatinaSigma-AldrichG1890Dalla pelle di maiale, tipo A, in polvere, gel di concentrazione ~300 g Bloom
Carta antigrassaPT. Parisindo Pratama100 mm e tempi; 100 mm
Incisione ICPOxford Instruments Tecnologia del PlasmaPlasmaPro 100 Cobra
Allineatore di mascheraPRO WinM-150
MetanoloSigma-Aldrich34860
MicropipettaPZ HTL S.A.4045-DV20– 200 & micro; L
Vetrine per microscopioPaul Marienfeld GmbH & Co. KGMarienfeld Superior76 mm e tempi; 26 mm e tempi; 1 mm
FornoJeio TechOF-02G
Piastra di PetriSPL Scienze della Vita10150150 mm e tempi; 20 mm
Bilanciamento di precisioneRADWAG Wagi ElektroniczneWTC 200
Spogliarellista PRMerckRimuovente AZ 100Prodotto n. 1000100
Cucchiaio S/TScienza dei Materiali in Corea20 cm
PinzetteIdeal-tek S.A.2AB.TA
Dissecatore a vuotoiNexusIN-VS260 mm e tempi; 260 mm e tempi; 100 mm, 6,7 L
Pompa a vuotoRocker ScientificRocker 300
Miscelatore a vorticeDAIHAN ScientificVM-10
Bagno d'acquaHanbaek ScientificHS-205WS330 mm e tempi; 300 mm e tempi; 150mm, 15 L

Riferimenti

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