ナノ秒パルス電場技術を使用したin vitroでのシュワン細胞増殖の調節

培地で培養した末梢神経系の有髄グリア細胞であるシュワン細胞またはSCから始めます。

細胞を両側に電極を備えた比色皿に移します。

ディッシュをナノ秒パルス電界またはnsPEFデバイスに置き、目的の電界強度を設定します。

火花が現れるまで電極を慎重に回転させて、nsPEF パルスを印加します。

刺激直後に電極を分離し、細胞の培養を続けます。

nsPEFはSC膜を破壊し、カルシウムの流入を可能にする一過性のナノ細孔を作成します。膜は最終的に再密封されます。

細胞内カルシウムはカルシウム結合タンパク質を活性化し、細胞周期の進行に関与する遺伝子をアップレギュレートするシグナル伝達経路をトリガーします。

持続的なカルシウムシグナル伝達は、SCの修復表現型への脱分化を促進し、その後増殖する転写因子も活性化します。

さらに、ニューロンの生存と成長をサポートする神経栄養因子の分泌が増加します。

このモデルは、損傷後の末梢神経再生における nsPEF 刺激 SC の役割を研究する準備が整いました。

まず、培養したRSC96細胞を1ミリリットルのDMEM培地に再懸濁し、両面に電極を備えた比色皿に移します。機器の電源スイッチをオンにし、ノブを回して電界の強度を設定します。火花が現れるまで慎重に電極を回転させ、事前に設定された電界強度に応じてセルがナノ秒パルス電界を 5 パルス受け取るようにします。治療後すぐに2つの電極を分離します。