相補型金属酸化物半導体高密度微小電極アレイシステムによる急性脳切片からの高品質発作様活性

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2024年9月27日

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ここでは、相補型金属酸化膜半導体高密度微小電極アレイシステム(CMOS-HD-MEA)を使用して、 ex vivo 脳スライスからの発作様活性を記録するためのプロトコルを概説します。

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CMOS-MEAシステム

Chapters in this video

0:00

Introduction

1:00

Equipment Preparation for CMOS‐HD‐MEA Experimentation

2:23

Chip Preparation and Placement of Brain Slice to Record High‐Quality Seizure‐Like Activity Using CMOS‐HD‐MEA System

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