방법 논문

펨토초 4파 혼합을 사용한 GaMnAs의 일관성 감쇠 측정

8.7K 조회수

⸱

DOI:

10.3791/51094

⸱

2013년 12월 3일

 ,  ,  ,  ,  ,  ,  ,  ,  , 
1Department of Physics and Atmospheric Science, Dalhousie University, 2Department of Physics, University of Notre Dame

이 논문에서

요약

스펙트럼 분해 및 시간 분해 구성을 포함하여 펨토초 4파 혼합 기술에 대해 설명합니다. 우리는 비선형성과 높은 시간 분해능으로 제공되는 III-V 희석 자기 반도체의 중요한 물리적 특성을 조사하기 위한 이 기술의 유용성을 설명합니다.

초록

희석된 자기 반도체의 기본 특성((s,p)-d 혼성화, 스핀-플립 산란)의 기본 특성 연구에 대한 펨토초 4파 혼합의 적용에 대해 설명하며, 프로토타입 III-Mn-V 시스템으로서의 GaMnAs에 대한 실험을 사용합니다. 펄스 최적화를 위한 제로 백그라운드 자기 상관 기술의 사용을 포함하여 스펙트럼 분해 및 시간 분해 실험 구성에 대해 설명합니다. GaMnAs 샘플을 준비하는 데 사용되는 에칭 공정 4파장 혼합 실험의 경우에도 강조됩니다. 짧은(20fsec) 광학 펄스를 사용하여 제공되는 이 기술의 높은 시간 분해능은 이 시스템의 빠른 스핀-플립 산란 과정을 시간 영역에서 직접 연구할 수 있도록 하여 반송파 매개 강자성을 담당하는 강력한 교환 결합에 대한 새로운 통찰력을 제공합니다. 또한 4파장 혼합 신호의 스펙트럼 분해능을 통해 (s, 이 시스템에서는 선형 분광법 기술과 달리 P)-D 혼성화(hybridization)가 발생합니다. 이러한 민감도 증가는 기술의 비선형성 때문이며, 이는 광학 반응에 대한 결함 관련 기여를 억제합니다. 이 방법은 차세대 전자 및 광전자 공학에 관심이 있는 다양한 반도체 시스템에서 일관성 감소(가장 빠른 산란 프로세스와 관련됨)에 대한 시간 척도를 측정하는 데 사용할 수 있습니다.

서론

III-V 희석 자기 반도체는 캐리어(정공)에 의해 매개되는 강자성 결합을 나타내어 캐리어 모집단의 전기 및 광학 제어를 사용하여 자기 특성을 외부 조작할 수 있습니다. 이 기능은 로직과 메모리의 가능한 통합을 포함하여 자기에 민감한 전자 및 광전자 장치1-15의 전체 호스트에 이러한 재료를 매력적으로 만듭니다. 11-15 이러한 응용을 실현하기 위해서는 이러한 물질의 기본 특성에 대한 충분한 이해가 필요하다. 그러나 저온에서의 성장과 관련된 결함의 밀도가 높기 때문에(Mn과 같은 자기 도펀트의 치환 통합에 필수적임) 교환 커플링 및 강자성 차수16-18의 이론적 처리를 심각하게 복잡하게 만듭니다.이러한 결함은 또한 이러한 물질에 대한 수송 및 선형 광학 실험의 해석을 방해합니다19-24.

이러한 물질에 대한 새로운 통찰력을 얻기위한 4 파장 혼합 분광법의 비선형 광학 기술의 유용성은 최근 GaMnAs25,26에 대한 실험에서 밝혀졌으며, 이는 프로토 타입 III-V 희석 자기 반도체를 나타냅니다.이 기술의 비선형성은 상태의 광학 접합 밀도에서 미세 구조에 훨씬 더 큰 감도를 제공하는 것으로 나타났습니다. Mn25의 통합으로 대역 간 광학 응답의 강력한 향상을 나타냅니다. 이 관찰은 타이트 바인딩 계산18에서 최근에 예측된 (s,p)-d 혼성화의 특징이다.이 새로운 통찰력은 선형 광학 실험(27)에서 혼성화의 이러한 효과를 가리는 중간 갭 결함 상태를 포함하는 전이와 관련된 낮은 광학 쌍극자 모멘트에 의해 제공되었습니다.4파 혼합 기술의 높은 시간 해상도는 또한 이 시스템(26)에서 홀-Mn 스핀 플립 산란의 시간 스케일의 시간 스케일의 첫 번째 직접 측정을 얻기 위해 사용되었습니다.교환 결합에 대한 새로운 통찰력을 제공합니다. 이러한 실험은 또한 이 물질의 광학 반응이 광자 에코임을 보여주었으며, 이는 결함으로 인한 국소화에도 불구하고 디페이징 시간이 캐리어 에너지와 무관함을 나타냅니다.

여기에서는 참고 문헌25,26에 사용된 4파 혼합 기술에 대한 자세한 설명을 제시하며, 위상 저하 시간(T2), 비선형(3차) 스펙트럼 응답 및 관심 물질에서 확장(균질 또는 비균질)의 특성을 측정하는 데 사용할 수 있는 방법을 보여줍니다. 스펙트럼 분해 및 시간적으로 분해된 실험 구성이 0-background 자기 상관에 대한 설명과 함께 제공됩니다. 샘플 위치에서 펄스 지속 시간을 최소화하기 위해 프리즘 압축기와 함께 사용되는 기술. 이 펄스 지속 시간은 기술의 전체 시간 분해능을 결정하며 GaMnAs에서 스핀-플립 산란을 해결하려면 30fsec 미만이어야 합니다. 투과 기하학에서 실험을 위해 GaMnAs 샘플을 준비하는 데 사용되는 에칭 공정도 강조됩니다. 이 작업은 산란 연구를 위한 4파 혼합 기술의 확립된 유용성을 기반으로 합니다. 전통적인 반도체의 프로세스 및 다체 효과28-32는 희석된 자기 반도체의 기본 상호 작용 및 전자 구조에 대한 조사로 확장됩니다.우리의 결과는 이러한 새로운 자성 재료의 장기적인 엔지니어링에 영향을 미칠 것입니다.

프로토콜

1. 광학 장치 개요

  1. 그림 1과 같이 광학 설정을 위한 입력 경로를 정의하는 두 개의 미러와 두 개의 아이리스를 설정합니다. 매일 이러한 아이리스와 미러를 사용하여 설정 정렬을 복구해야 합니다. 레이저는 매일 드리프트하기 때문에 최적의 정렬을 유지하기 위해 매일 여러 번의 정렬 반복이 필요합니다.
  2. 그림 1과 같이 두 개의 프리즘을 포함하는 펄스 압축기를 구성합니다. 펄스 압축기는 샘플로 가는 도중에 렌즈와 광학 창으로 인해 발생하는 양의 그룹 속도 분산을 보상하기 위해 음의 그룹 속도 분산을 도입합니다. 그룹 속도 분산 보상의 양은 프리즘 사이의 분리(거친)와 두 번째 프리즘에서 빔이 전파되는 유리의 양(미세)에 의해 결정됩니다. 이는 펄스 자기 상관을 감지하는 동안 펄스 지속 시간을 최적화하기 위해 반복적으로 조정됩니다(섹션 2 참조).
  3. 50/50 빔 스플리터를 삽입하여 레이저에서 들어오는 펄스를 두 개의 여기 펄스(E1 및 E2)로 나눕니다.
  4. 수동 변환 스테이지에 장착된 한 쌍의 미러를 사용하여 펄스 E1에 대한 광학 지연 라인을 설정합니다. 이 스테이지는 펄스 E1과 E2 사이의 지연을 대략적으로 조정하는 데 사용됩니다. 참고: mirror pair로 들어가는 optical path가 translation stage의 운동 축과 평행해야 하며, mirror가 서로 45°로 정렬되어 수직 편차가 발생하지 않는지 확인해야 합니다.
  5. 스피커의 원뿔에 장착된 경량 역반사체로 빔을 보내는 미러 세트와 광학 잠망경을 사용하여 펄스 E2에 대한 광학 지연선을 설정합니다.스피커를 수직으로 장착하면 역반사체의 무게로 인한 스피커의 무조화 운동과 스피커가 움직일 때 역반사체의 유해한 움직임(흔들림)을 최소화할 수 있습니다.
    참고: 역반사체로의 빔 경로가 스피커의 움직임 축과 평행한지(즉, 수직) 확인해야 합니다. 함수 발생기 및 전류 증폭기와 함께 스피커를 사용하면 실험 중에 인터 펄스 지연을 빠르게 스캔할 수 있습니다. 전류 증폭기는 스피커의 충분히 큰 동작 진폭(>1mm)을 보장하는 데 필요합니다. 스피커 던지기의 선형 부분은 실험에서 접근 가능한 총 펄스 지연 범위를 결정합니다.
  6. 두 개의 광학 빔이 평행한지 확인하고 그림 1과 같이 단일 렌즈(직경 5cm, 초점 거리 50cm)를 두 빔의 경로에 삽입합니다. 이 렌즈는 광학 저온 유지 장치에 포함된 샘플에 두 개의 빔을 집중시키는 데 사용되어 샘플을 4-300K 사이의 원하는 온도로 유지할 수 있습니다.
  7. 샘플 위치에서의 공간적 및 시간적 중복은 4파 혼합 신호의 검출을 준비하기 위해 등가 초점에서 자기 상관을 수행하여 최적화됩니다. (자기 상관 정렬은 섹션 2에 설명되어 있습니다.)
  8. 스펙트럼 분해 시간 적분 실험(SR-FWM)의 경우 4파장 혼합 방출을 모노크로메이터로 보내고 입력 슬릿에 초점을 맞출 렌즈를 추가합니다.
  9. 모노크로메이터 뒤에 고속 광전자 증배관 검출기(PMT)를 배치하여 스펙트럼으로 분해된 4파장 혼합 방출을 감지합니다.참고: PMT에 인가되는 고전압은 어둠 속에서만 PMT를 켜야 합니다.
  10. PMT 출력 신호를 오실로스코프에 연결합니다.
  11. 함수 발생기와 전류 증폭기를 사용하여 스피커가 약 30Hz에서 진동하도록 설정하여 펄스 E1과 E2 사이의 시간 지연을 주기적으로 변화시킵니다. 오실로스코프를 사용하여 SR-FWM 신호(PMT 신호) 대 펄스 지연을 측정합니다. 오실로스코프의 시간 축 교정은 자기 상관 신호를 사용하여 결정됩니다. 섹션 2에 설명된 대로.
  12. 시간 분해 4파 믹싱(TR-FWM)의 경우, 그림 1과 같이 두 번째 50/50 빔 스플리터를 삽입하여 세 번째 레이저 펄스(게이트 펄스라고 함)를 생성합니다.
  13. 게이트 펄스에 대해 별도의 광학 지연 라인을 설정합니다. 이 지연 라인에는 게이트 펄스 지연의 대략적인 조정을 위한 수동 변환 스테이지에 장착된 미러 세트와 게이트 펄스 지연의 빠른 스캔을 위한 두 번째 스피커가 포함되어 있습니다.
  14. 모노크로메이터 앞의 렌즈를 제거하고 거울을 삽입하여 4파장 혼합 빔을 제거합니다.
  15. 렌즈 삽입하여 게이트 펄스와 함께 4파 혼합 방출을 정상 입사각에서 800nm에 대한 유형 I 위상 정합을 위한 BBO(Beta Barium Borate) 비선형 크리스털 컷에 초점을 맞춥니다.다른 고속 PMT를 사용하여 게이트 펄스 지연의 함수로 두 번째 고조파 강도를 측정합니다.
  16. 저온 유지 장치 앞에 대형 평면 미러를 삽입하여 자기상관 측정을 위한 경로를 설정합니다. 이 미러는 E1 및 E2 펄스를 두 번째 초점으로 리디렉션하는 데 사용됩니다. 여기에 두 번째 BBO 크리스탈을 배치합니다. 참고: 이 평면 미러가 이동하는 동안 입력 빔을 차단하여 위험한 반사를 방지해야 합니다.
  17. 펄스 E1 및 E2의 중첩으로 인한 두 번째 고조파 신호의 측정을 인터펄스 지연의 함수로 수행하며, 이는 펄스 E2 경로에서 스피커를 사용하여 스캔됩니다. 두 번째 고조파 신호는 고속 포토다이오드와 오실로스코프를 사용하여 검출됩니다. 이 측정 중에 펄스 압축기 정렬은 가능한 최소 펄스 지속 시간을 제공하도록 최적화됩니다. 섹션 2에 자세히 설명되어 있습니다.

2. 펄스 측정 및 최적화

  1. 그림 1과 같이 대형 planar mirror를 삽입하여 샘플에서 2차 초점으로 두 개의 excitation beam의 초점을 리디렉션합니다.
  2. BBO 크리스탈을 초점에 놓습니다. 이것은 두 입력 펄스 E1 및 E2의 조합에서 두 번째 고조파를 생성하는 데 사용됩니다. 크리스털 홀더는 세 개의 공간 축을 따라 조정할 수 있어야 하며 회전도 가능해야 합니다.
  3. 800nm 광을 거부하고 400nm 광을 투과하는 결정 뒤에 단역 통과 광학 필터를 배치합니다.
  4. 두 개의 보라색 빔이 필터 뒤에 놓인 흰색 카드에서 볼 수 있어야 합니다. 이러한 빔은 각 펄스 E1 및 E2의 두 번째 고조파에 단독으로 해당합니다. 결정의 회전 각도를 설정하여 각도 사이의 대략 절반이 되도록 하여 두 외부 스폿 각각의 최대 밝기를 제공합니다. 이것은 두 입력 펄스 E1 및 E2의 조합에서 두 번째 고조파로부터 0-배경 자기 상관 빔을 최적화하는 대략적인 각도가 됩니다.
  5. 중앙의 두 번째 고조파 스폿이 나타날 때까지 E1 펄스의 경로 길이를 조정합니다. 이 스폿은 E1과 E2의 조합으로 인해 발생하는 제로 백그라운드 자기 상관입니다.
  6. 중앙 두 번째 고조파 스폿의 경로에 빠른 실리콘 포토다이오드를 삽입합니다.
  7. 섹션 1에 설명된 대로 함수 발생기와 증폭기를 사용하여 E2 경로에서 스피커의 움직임을 제어하여 펄스 E2의 경로 길이를 주기적으로 변경합니다.
  8. 포토다이오드를 오실로스코프에 연결하고 관찰된 자기상관을 기록합니다. 자기 상관을 제대로 보려면 함수 발생기의 TTL 펄스에서 오실로스코프를 트리거합니다. 오실로스코프의 편리한 시간 축 설정에서 자기 상관을 관찰할 수 있도록 디지털 지연 발생기를 사용하여 TTL 트리거 펄스를 지연해야 할 수 있습니다.
  9. 수동 변환 단계를 사용하여 펄스 E1의 경로 길이를 조정하고 이 조정이 오실로스코프에서 두 번째 고조파 신호 피크의 시간 위치를 어떻게 이동하는지 확인합니다. 두 개의 연속 피크 위치에 대해 기록된 마이크로미터 위치를 사용하여 오실로스코프 시간 축을 펄스 지연(펨토초 단위)으로 변환할 수 있습니다.
  10. 자기 상관 피크가 가능한 한 좁아지도록 오실로스코프에서 자기 상관 신호를 보는 동안 펄스 압축기에서 두 프리즘의 위치를 조정합니다. 이 실험에서 달성된 최소 펄스 지속 시간은 약 20fsec였습니다.

3. 샘플 준비

  1. 4파 혼합 실험을 위해 샘플은 500μm GaAs 기판, 175nm AlGaAs 정지 에칭층 및 750nm GaMnAs 박막으로 구성되었습니다. 이 샘플은 University of Notre Dame의 분자 빔 에피택시에 의해 성장했습니다.
  2. 이러한 4파 혼합 실험은 투과 형상에서 수행되며, 그 결과 기판을 제거해야 합니다.작은 광학 접착제 구슬을 사파이어 창에 놓습니다. 사파이어는 투명도가 우수하고 열전도율이 크기 때문에 저온에서 실험할 수 있는 우수한 기판을 제공합니다. GaMnAs 박막이 있는 샘플을 광학 접착제 위에 아래로 향하게 놓고 균일하게 눌러 샘플 표면 아래에서 과도한 접착제를 제거합니다.
  3. 샘플을 자외선 램프에 약 6시간 동안 노출시켜 광학 접착제를 경화시킵니다. 램프 방사선은 접착제를 경화시키기 위해 사파이어 측에서 샘플을 노출시켜야 합니다.
  4. 기계적 연마/연삭 시스템(예: Buehler Beta Grinder-Polisher)는 기판에서 300-400 μm를 제거합니다. 이 단계는 화학적 에칭에 필요한 시간을 크게 줄입니다.
  5. 샘플을 구연산(5부 6.28M)과 과산화수소(1부, 30% 용액) 용액에 담가 나머지 기질을 제거합니다. 정지 에칭 층에 도달하면 샘플이 흐릿한 회색에서 거울과 같은 마감 처리로 전환되어 용액에서 제거할 수 있음을 나타냅니다.이 솔루션의 경우 GaAs의 평균 식각 속도는 20μm/hr이고 AlGaAs의 평균 식각 속도는 160nm/hr입니다.
  6. 산성 용액에서 샘플을 제거하고 탈이온수로 헹구고 분광 등급 아세톤, 메탄올을 헹굽니다.
  7. E1 및 E2 빔의 초점에 있는 광학 저온 유지 장치에 샘플을 장착합니다. 저온 유지 장치를 원하는 온도로 비우고 냉각합니다.

4. 4파 혼합 신호 측정

  1. 자기상관 신호가 최적화되고 샘플이 저온 유지 장치에 장착되고 저온 유지 장치가 냉각되면 레이저 초점을 리디렉션하는 데 사용되는 대형 평면 미러를 제거합니다.
  2. SR-FWM 실험을 수행하려면 4파장 혼합 신호 빔을 모노크로메이터에 집중시킵니다. 4파 혼합 신호 빔을 찾으려면 먼저 정렬 도구(파동 벡터 k1 및 k2 포함)에서 전송된 E1 및 E2 스폿을 찾고 해당 위치를 사용하여 4파 혼합 신호 빔(2k2 - k1)의 예상 위치를 결정합니다.
  3. 모노크로메이터의 출력에 고속 PMT를 배치하고 오실로스코프에 연결합니다. 참고: 높은 볼륨tage 광전자 증배관의 바이어스는 어두운 곳에서만 검출기를 사용하여 켜야 합니다.
  4. 함수 발생기와 증폭기의 전원이 켜진 상태에서 펄스 E2 경로에서 스피커의 주기적인 움직임으로 이어지면 데이터 수집 소프트웨어를 사용하여 모노크로메이터의 원하는 각 파장 설정에 대한 오실로스코프 트레이스를 기록합니다. 이 트레이스는 4파 믹싱 신호 대 펄스 E1과 E2 사이의 지연으로 구성됩니다. 트레이스는 여러 스캔에 걸쳐 평균화됩니다. 디지털 오실로스코프를 사용하여 선택되는 개수입니다.
    참고: 이 경우 다이내믹 레인지는 오실로스코프의 아날로그-디지털 변환기에 의해 제한됩니다. 신호 테일의 상세한 구조가 필요한 경우 전압 스케일의 감도를 높이거나 오실로스코프 대신 빠른 데이터 수집 보드를 사용하여 4파 혼합 신호를 수집할 수 있습니다
  5. TR-FWM 측정을 수행하려면 빔을 모노크로메이터에 집중시키는 렌즈를 제거하고 미러를 삽입하여 4파장 혼합 신호 빔을 선택합니다.
  6. 4파 혼합 빔과 게이트 펄스를 BBO 크리스탈에 초점을 맞춘 다음 합 주파수 빔만 통과하는 광학 필터를 사용합니다.
  7. PMT를 사용하여 신호와 게이트 펄스의 교차 상관을 측정합니다. 함수 발생기와 증폭기를 게이트 펄스 경로의 스피커에 연결하여 게이트 펄스 지연을 변경합니다.
  8. 데이터 수집 소프트웨어를 사용하여 펄스 E1과 E2 간 지연의 고정 값에 대한 오실로스코프 트레이스를 기록함으로써 TR-FWM 신호를 기록하며, 이는 펄스 E1의 빔 경로에서 수동 변환 단계를 사용하여 설정할 수 있습니다.

결과

GaxMn1-xAs (x = 0.005 %)에 대한 SR-FWM 실험의 전형적인 결과가 Figure 2(b)에 나타나 있으며, 동일한 저온 조건에서 성장시킨 GaAs 참조 시료의 결과가 Figure 2(a)에 함께 제시되어 있다. 실험의 성공 여부는 높은 신호 대 잡음비로 확인할 수 있으며, 이를 통해 시간 지연과 광자 에너지에 따른 신호 진폭(색상 척도로 표시)의 변화를 명확하게 평가할 수 있다. 높은 신호 대 잡음비는 여기 펄스로 인한 산란광이 최소화된 시료의 깨끗한 지점을 찾기 위해 시료 위치를 정밀하게 최적화함으로써 달성된다. 또한 성공적인 실험을 위해서는 시료의 두께가 여기 펄스의 광자 에너지에 대한 흡수 깊이와 유사해야 한다. 이는 분석을 복잡하게 만드는 전파 효과를 유발하지 않으면서 시료로부터의 광학 신호를 최대화한다. Figure 2의 결과에서 광학 밀도는 0.2였다. GaAs 대비 GaMnAs에서 SR-FWM 신호가 고에너지 쪽으로 확장되는 것은 GaAs 호스트 결정 내 치환된 Mn의 (s,p)-d 혼성 orbitals가 가전자대 상태 밀도에 미치는 영향에 기인한다25.

그림 2(b)의 2차원 SR-FWM 데이터의 단면을 1.533 eV의 고정된 광자 에너지에 대해 그림 3(a)에 나타내어, 여기 펄스 간의 지연 시간에 따른 신호의 의존성을 보여줍니다. 이 지연 시간 의존적 신호는 유한한 레이저 펄스 프로필(제로 백그라운드 자기상관 기술을 사용하여 측정됨)과 컨볼루션된 분석 모델33을 사용하여 피팅할 수 있으며, 이를 통해 전자-정공 쌍의 탈위상 시간(제시된 데이터의 경우 T2 = 65 fsec)을 추출할 수 있습니다. 이러한 피팅 결과는 그림 3의 실선으로 표시되어 있습니다. 연구 대상 샘플에서 다체 효과(many-body effects)가 강하게 작용하는 경우에는 더 복잡한 분석이 필요할 수 있습니다34,35. 그림 2(a)의 저온 성장 GaAs에서 엑시톤(1.515 eV)에서의 SR-FWM 데이터가 이에 해당하며, 여기서 신호는 자유 전하 운반체 전이와의 엑시톤 산란에 의해 매개됩니다34. GaAs의 밴드갭보다 높은 에너지 영역의 GaMnAs에서는 더 단순한 2준위 모델이 잘 일치하여 다체 효과의 증거가 없음을 나타냅니다. 이러한 효과는 고온에서 성장된 전통적인 GaAs에서 훨씬 더 강하게 나타납니다25,26,35.

동일한 GaMnAs 시료에 대한 TR-FWM 실험 결과가 그림 3(b)에 나타나 있습니다. 이 데이터의 경우, 두 여기 펄스 사이의 지연 시간은 54 fsec이며, 가로축은 BBO 결정에서의 사파 혼합 신호 펄스에 대한 게이트 펄스의 도달 시간 대비 신호 엔벨로프를 보여줍니다. TR-FWM 실험에서 피크 신호의 위치는 그림 4에 도식적으로 나타낸 바와 같이, 균일하게 확장된 광전이와 불균일하게 확장된 광전이를 구분하는 방법을 제공합니다. 후자의 경우, 다양한 공명 에너지를 가진 광전이의 동시 여기는 모든 에너지에서의 편광이 t ≈ 2tD 시점에 재위상화(rephasing)되도록 하며, 여기서 t는 사파 혼합 펄스에 대한 게이트 펄스의 도달 시간이고 tD는 펄스 E1과 E2 사이의 지연 시간입니다. 여기서 t = 0은 펄스 E1의 도달 시간입니다. 그림 3(b)에서 tD = 54 fsec일 때 TR-FWM 신호는 t ≈ 100 fsec에서 피크를 보이며, 이는 이 시스템의 밴드 간 광전이에 대해 광자 에코(photon echo) 응답이 나타남을 의미합니다. 펄스 간 지연 시간 tD의 다양한 값에 따른 TR-FWM 신호가 그림 5에 나타나 있으며, tD가 증가함에 따라 신호가 더 큰 t 값으로 이동함을 보여줍니다. 분석 모델과 SR-FWM (그림 3(a)) 및 TR-FWM (그림 3(b)) 결과 모두가 매우 잘 일치한다는 점은, 이 시스템에 결함으로 인한 국소화가 있음에도 불구하고 다체 효과(many body effects)가 크게 기여하지 않으며 탈위상률(dephasing rate)이 전자-정공 쌍의 전이 에너지와 무관함을 나타냅니다. 저온 성장 GaAs 및 고온 성장 GaAs의 데이터와 비교한 결과, 지배적인 탈위상 과정은 정공-Mn 스핀-플립 산란26으로 확인되었으며, 이는 이 시스템의 강자성 정렬을 일으키는 교환 상호작용에 대한 새로운 통찰을 제공합니다.

레이저 경로, 크라이오스탯, 펄스 압축기, PMT가 포함된 초고속 분광법 설정 도식
그림 1. 사파 혼합 장치의 모식도.

과도 흡수 스펙트럼, 시간-에너지 도표; 시간 지연에 따른 스펙트럼 변화를 보여주는 도표.
그림 2. 저온 성장 GaAs(왼쪽) 및 x = 0.005 %인 Ga1-xMnxAs(오른쪽) 측정 결과의 SR-FWM 결과. 세로축은 단색화 장치를 사용하여 선택한 신호 검출 광자 에너지이며, 가로축은 펄스 E1과 E2 사이의 지연 시간입니다. 표시된 모든 데이터는 샘플 온도를 10 K로 유지하며 측정되었습니다. 참고문헌25로부터 허가를 받아 수정함.

과도 흡수 분광법 그래프; 지연 시간 대 시간; 광자 에너지 1.533 eV; 신호 피팅.
그림 3. (a) 광자 에너지 1.533 eV에서 x = 0.005%인 Ga1-xMnxAs의 펄스 간 지연 시간에 따른 SR-FWM 결과; (b>) 합 주파수 생성에 사용된 BBO 결정에서 4파 혼합 펄스에 상대적인 게이트 펄스의 도달 시간에 따른 동일 시료의 TR-FWM 결과로, 이는 4파 혼합 펄스의 시간 포락선을 나타냄. 이 데이터에서 펄스 E1과 E2 사이의 지연 시간은 54 fsec로 고정됨. 실선은 참고문헌33의 해석 모델을 사용하여 피팅한 결과임. 모든 데이터는 시료 온도 10 K에서 측정됨. (b) 부분은 참고문헌26의 허가를 받아 수정됨.

균일 확장 대 비균일 확장; 광학적 여기 도식; 스펙트럼 분석 개념.
그림 4. 균일하게 확장된(왼쪽) 및 비균일하게 확장된(오른쪽) 2준위 계의 모식도.

광학 여기 분석을 위한 지연 시간 데이터를 보여주는 과도 흡수 분광법 그래프.
그림 5. 합주파수 생성에 사용된 BB0 결정에서 사파혼합 펄스에 대한 게이트 펄스의 도달 시간 함수로 나타낸 x = 0.005% Ga1-xMnxAs의 TR-FWM 결과. 세로축에 표시된 펄스 E1과 E2 사이의 다양한 지연 값에 따른 신호를 보여준다.

토론

4파동 혼합 기술은 광범위한 재료 시스템에서 광학 전이에 대한 일관성 감쇠의 시간 척도를 측정하는 데 사용될 수 있습니다. 고급 전자 및 광전자 공학의 다양한 응용 분야에서 이 위상 감소 시간은 매우 중요합니다. 예를 들어, 양자 컴퓨팅 응용 분야(반도체의 여기자 전이가 여러 제안36-38에서 기본 양자 비트를 나타내는 경우)), 위상 감소 시간은 양자 연산 및 오류 수정이 수행되어야 하는 시간 창을 결정합니다. 일관성 붕괴의 시간 척도는 물질의 전자와 정공의 가장 빠른 산란 과정에 의해 결정되므로 위상 감소 시간 측정은 이러한 빠른 산란 과정을 담당하는 관련 상호 작용의 특성과 강도에 대한 통찰력을 제공합니다. 관련된 상호 작용 유형은 반도체 시스템은 연구 중이며 이 재료를 사용하는 모든 장치 응용 분야에서 전송 및 일관성 감쇠를 모두 제어할 것입니다. 따라서 4파 혼합 방법은 차세대 전자 및 광전자 장치에 대한 관심 물질을 특성화하는 데 중요한 도구를 제공합니다. 이러한 연구에서 시간 분해능은 가장 중요한 제한입니다. 이 분해능은 광 펄스 지속 시간, 연구 중인 자료의 위상 제거 시간보다 짧아야 합니다. 여기에 설명된 특정 실험 구성은 빠른 붕괴 과정(< 몇 피코초 지속 시간)의 연구에 이상적으로 적용됩니다. 느린 시간 역학을 측정하기 위해 더 넓은 동작 범위를 가진 잠금 감지 방법과 느린 스캐닝 지연 단계가 일반적으로 사용됩니다.

여기에서 우리는 강한 정공-Mn 교환 결합이 캐리어 매개 강자성으로 이어지는 III-V 희석 자성 반도체의 연구를 위한 이 기술의 유용성을 설명합니다. 정공과 Mn 이온 사이의 스핀 플립 산란도 정공-Mn 교환 상호 작용에 의해 발생합니다. 우리는 4파동 혼합 기술을 사용하여 이 공정의 시간 척도를 직접 측정하여 이 중요한 종류의 재료에서 교환 결합에 대한 통찰력을 제공할 수 있음을 보여주었습니다. 우리는 또한 4파 혼합 기술의 비선형성이 이러한 물질의 밴드 가장자리 상태에 대한 매우 민감한 프로브를 제공하여 이 시스템에서 강한 교환 결합의 기원인 (s,p)-d 혼성화 과정의 명확한 서명을 제공한다는 것을 보여주었습니다. 선형 광학 기술에 비해 4파 혼합의 감도 증가(예: 흡수, 타원계, 자기 원형 이색성)은 광학 응답에 대한 결함 관련 기여를 억제하는 이 기술의 비선형성에서 비롯됩니다.

이 연구는 광범위한 III-V 희석 자성 반도체에서 전자 구조 및 교환 결합과 같은 주요 물리적 특성을 연구하기 위해 이 기술을 적용하기 위한 토대를 마련합니다. 이를 통해 이러한 재료는 자기 민감성 전자 및 광전자 장치의 전체 호스트를 포함하여 반도체 스핀트로닉스의 응용 분야를 위해 설계될 수 있습니다.      

공개 사항

저자는 공개할 것이 없습니다.

감사의 글

이 연구는 캐나다 자연과학 및 공학 연구 위원회, 록히드 마틴 공사 및 미국 국립과학재단(DMR10-05851)의 지원을 받습니다.

재료

이 논문에 사용된 재료 목록
이름회사카탈로그 번호댓글
Ti:Sapphire OscillatorCoherentMira-Seed전체 레이저 시스템의 일부
수동 번역 단계Newport462수량: 2
광학/광기계 구성 요소Thorlabs, 기타다양한
DC 조절 전원 공급 장치Tenma72-6628
함수 발생기GW InstekGFG-8216A
디지털 지연 발생기Stanford Research SystemsDG645
스피커 증폭기SonyXM-222W
실리콘 광검출기ThorlabsPDA36A
광전자 증배관Hamamatsu
디지털 오실로스코프TektronixTDS2024B
광학 저온 유지 장치JanisST-300
코너스톤 260 모노크로메이터뉴포트뉴포트 74110
사파이어 윈도우일반 루비 및 사파이어
구연산시그마-알드리치C1909
광학 접착제NorlandThorlabs NOA61
과산화수소 용액시그마-알드리치H3410
탈이온수: Type I 급수 시스템의 물

참고문헌

  1. Onodera, K., Masumoto, T., Kimura, M. 980 nm compact optical isolators using Cd1-x-yMnxHgyTe single crystals for high power pumping laser diodes. Electron. Lett. 30, 1954-1955 (1994).
  2. Shen, A., Ohno, Y., Segawa, Y., Ohno, H. Faraday rotation of ferromagnetic (Ga,Mn)As. Electron. Lett. 34, 190-192 (1998).
  3. Ohya, S., Shimizu, H., Higo, Y., Sun, J., Tanaka, M. Growth and Properties of Quaternary Alloy Magnetic Seminconductor (InGaMn)As. Jpn. J. Appl. Phys. Part. 2, L24-L27 (2002).
  4. Wang, J., Sun, C., Kono, J., Oiwa, A., Munekata, H., Cywiński, L., Sham, L. J. Ultrafast Quenching of Ferromagnetism in InMnAs Induced by Intense Laser Irradiation. Phys. Rev. Lett. 95, 167401-167405 (2005).
  5. Zahn, J. P., Gamouras, A., March, S., Liu, X., Furdyna, J. K., Hall, K. C. Ultrafast studies of carrier and magnetization dynamics in GaMnAs. J. Appl. Phys. 107, 033908-033917 (2010).
  6. Rozkotova, E., Nemec, P., Tesarova, N., Maly, P., Novak, V., Olejnik, K., Cukr, M., Jungwirth, T. Coherent control of magnetization precession in ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As. Appl. Phys. Lett. 93, 232505-232508 (2008).
  7. Th, Magnetization manipulation in (Ga,Mn)As by subpicosecond optical excitation. Appl. Phys. Lett. 86, 152506-152509 (2005).
  8. Hall, K. C., Zahn, J. P., Gamouras, A., March, S., Robb, J. L., Liu, X., Furdyna, J. K. Ultrafast optical control of coercivity in GaMnAs. Appl. Phys. Lett. 93, 032504-032507 (2008).
  9. Reid, A. H. M., Astakhov, G. V., Kimel, A. V., Schott, G. M., Ossau, W., Brunner, K., Kirilyuk, A., Molenkamp, L. W., Th Rasing, Single picojoule pulse switching of magnetization in ferromagnetic (Ga,Mn)As. Appl. Phys. Lett. 97, 232503-232506 (2010).
  10. Rudolph, J., Hägele, D., Gibbs, H. M., Khitrova, G., Oestreich, M. Laser threshold reduction in a spintronic device. Appl. Phys. Lett. 82, 4516-4519 (2003).
  11. Roukes, M. L., Chtchelkanova, A. Y., Treger, D. M. Spintronics: A spin-based electronics vision for the future. Science. 294, 1488-1495 (2001).
  12. Awschalom, D. D., Loss, D., Samarth, N. Semiconductor Spintronics and Quantum Computation. , Springer-Verlag. Berlin. (2002).
  13. Datta, S., Das, B. Electronic analog of the electro-optic modulator. Appl. Phys. Lett. 56, 665-667 (1990).
  14. Hall, K. C., Lau, W. H., Gündoğdu, K., Flatté, M. E., Boggess, T. F. Nonmagnetic semiconductor spin transistor. Appl. Phys. Lett. 83, 2937-2939 (2003).
  15. Hall, K. C., Flatté, M. E. Performance of a spin-based insulated gate field effect transistor. Appl. Phys. Lett. 88, 162503-162505 (2006).
  16. Masek, J., Máca, D., Kudrnovsky, J., Makarovsky, O., Eaves, L., Campion, R. P., Edmonds, K. W., Rushforth, A. W., Foxon, C. T., Gallagher, B. L., Novák, V., Sinova, J., Jungwirth, T. Microscopic analysis of the valence band and impurity band theories of (Ga,Mn)As. Phys. Rev. Lett. 105, 227202-227205 (2010).
  17. Sheu, B. L., Myers, R. C., Tang, J. -M., Samarth, N., Awschalom, D. D., Schiffer, P., Flatté, M. E. Onset of ferromagnetism in low-doped Ga1-xMnxAs. Phys. Rev. Lett. 99, 227205-227208 (2007).
  18. Tang, J. -M., Flatté, M. E. Multiband tight-binding model of local magnetism in Ga1-xMnxAs. Phys. Rev. Lett. 92, 047201-047204 (2004).
  19. Jungwirth, T., Horodyská, P., Tasarová, N., Nĕmec, P., Subrt, J., Malý, P., Kuzel, P., Kadlec, C., Masek, J., Nemec, I., Orlita, M., Novák, M., Olejník, V., K, Z., Sobáň, Z., Vasek, P., Svoboda, P., Sinova, J. Systematic study of Mn-doping trends in optical properties of (Ga,Mn)As. Phys. Rev. Lett. 105, 227201(2010).
  20. Ohya, S., Takata, K., Tanaka, M. Nearly non-magnetic valence band of the ferromagnetic seminconductor GaMnAs. Nature Phys. 7, 342-347 (2011).
  21. Burch, K. S., Shrekenhamer, D. B., Singley, E. J., Stephens, J., Sheu, B. L., Kawakami, R. K., Schiffer, P., Samarth, N., Awschalom, D. D., Basov, D. N. Impurity band conduction in a high temperature ferromagnetic semiconductor. Phys. Rev. Lett. 97, 087208-087211 (2006).
  22. Acbas, G., Kim, M. -H., Cukr, M., Novák, V., Scarpulla, M. A., Dubon, O. D., Jungwirth, T., Sinova, J., Cerne, J. Electronic structure of ferromagnetic semiconductor Ga1-xMnxAs probed by subgap magnetooptical spectroscopy. Phys. Rev. Lett. 103, 137201-137204 (2009).
  23. Berciu, M., Chakarvorty, R., Zhou, Y. Y., Alam, M. T., Traudt, K., Jakiela, R., Barcz, A., Wojtowicz, T., Liu, X., Furdyna, J. K., Dobrowolska, M. Origin of magnetic circular dichroism in GaMnAs: Giant Zeeman splitting versus spin dependent density of states. Phys. Rev. Lett. 102, 247202-247205 (2009).
  24. de Boer, T., Gamouras, A., March, S., Novák, V., Hall, K. C. Observation of a blue shift in the optical response at the fundamental band gap in Ga1-xMnxAs. Phys. Rev. B. 85, 033202-033206 (2012).
  25. Yildirim, M., March, S., Mathew, R., Gamouras, A., Liu, X., Dobrowolska, M., Furdyna, J. K., Hall, K. C. Electronic structure of Ga1-xMnxAs probed by four-wave mixing spectroscopy. Phys. Rev. B. 84, 121202(R)-121206(R) (2011).
  26. Yildirim, M., March, S., Mathew, R., Gamouras, A., Liu, X., Dobrowolska, M., Furdyna, J. K., Hall, K. C. Interband dephasing and photon echo response in GaMnAs. Appl. Phys. Lett. 101, 062403-062406 (2012).
  27. Burch, K. S., Stephens, J., Kawakami, R. K., Awschalom, D. D., Basov, D. N. Ellipsometric study of the electronic structure of Ga1-xMnxAs and low temperature GaAs. Phys. Rev. B. 70, 205208-205217 (2004).
  28. Kim, D. -S., Shah, J., Cunningham, J. E., Damen, T. C., Schäfer, W., Hartmann, M., Schmitt-Rink, S. Giant excitonic resonance in time-resoled four-wave mixing in quantum wells. Phys. Rev. Lett. 68, 1006-1009 (1992).
  29. Rappen, T., Peter, U., Wegener, M., Schäfer, W. Coherent dynamics of continuum and exciton states studied by spectrally resolved fs four-wave mixing. Phys. Rev. B. 48, 4879-4882 (1993).
  30. Cundiff, S. T., Koch, M., Knox, W. H., Shah, J., Stolz, W. Optical coherence in semiconductors: Strong emission mediated by nondegenerate interactions. Phys. Rev. Lett. 77, 1107-1110 (1996).
  31. Hall, K. C., Allan, G. R., van Driel, H. M., Krivosheeva, T., Pötz, W. Coherent response of spin-orbit split-off excitons in InP: Isolation of many-body effects through interference. Phys. Rev. B. 65, 201201(R)-201204(R) (2002).
  32. Shah, J. Ultrafast Spectroscopy of Semiconductors and Semiconductor Nanostructures. Cardona, M. , Springer. Berlin. (1996).
  33. Yajima, T., Taira, Y. Spatial optical parametric coupling of picoseconds light pulses and transverse relaxation effect in resonant media. J. Phys. Soc. Jpn. 47, 1620-1626 (1979).
  34. El Sayed, K., Birkedal, D., Lyssenko, V. G., Hvam, J. M. Continuum contribution to excitonic four-wave mixing due to interaction-induced nonlinearities: A numerical study. Phys. Rev. B. 55, 2456-2465 (1997).
  35. Hügel, W. A., Heinrich, M. F., Wegener, M., Vu, Q. T., Bányai, L., Haug, H. Photon echoes from semiconductor band-to-band continuum transitions in the regime of coulomb quantum kinetics. Phys. Rev. Lett. 83, 3313-3316 (1999).
  36. Reina, J. H., Quiroga, L., Johnson, N. F. Quantum entanglement and information processing via excitons in optically driven quantum dots. Phys. Rev. A. 62, 012305-012312 (2000).
  37. Troiani, F., Hohenester, U., Molinari, E. Exploiting exciton-exciton interactions in semiconductor quantum dots for quantum-information processing. Phys. Rev. B. 62, R2263-R2266 (2000).
  38. Biolatti, E., Lotti, R. C., Zanardi, P., Rossi, F. Quantum information processing with semiconductors macroatoms. Phys. Rev. Lett. 85, 5647-5650 (2000).

재인쇄 및 허가

더 많은 논문 탐색

결맞음 감쇠 측정GaMnAs 반도체스핀-플립 산란(sp)-d 혼성코드화시분해 분광법펄스 압축 기술광학적 자기상관반도체 스핀트로닉스희박 자성 반도체
펨토초 4파 혼합을 사용한 GaMnAs의 일관성 감쇠 측정
문의하기
도서관에 추천하기

개인정보 처리방침

이용 약관

정책

저작권 © 2026 MyJoVE Corporation. 모든 권리 보유.