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iPSC 유래 흉선 이주자, 3D 흉선 장기 배양 시스템에서 미성숙 T 세포의 iTE를 생성하기 위해 적절한 배지에서 dGUO 처리된 마우스 태아 흉선엽인 데옥시구아노신을 섭취합니다.
dGUO는 흉선 환경으로 들어가 내인성 흉선 림프구를 파괴하여 공동 배양 중에 iPSC 유래 미성숙 T 세포와의 간섭을 방지합니다.
각 흉선엽의 중앙에 깊은 절개를 합니다. 엽을 성장 인자 줄기 세포 인자, FLT3 리간드 및 인터루킨-7이 보충된 배지가 들어 있는 신선한 배양 접시로 옮깁니다.
흉선엽 함유 배지를 3D 배양 플레이트의 웰에 피펫팅합니다. iPSC 유래 미성숙 T 세포를 추가합니다. 인큐베이트. T 세포는 절개를 통해 흉선엽으로 이동합니다.
흉선 환경 내에서 성장 인자 FLT3 리간드와 IL-7은 미성숙 T 세포의 각각의 수용체에 결합하여 전사 인자의 활성화와 특정 유전자의 발현을 유도합니다.
결과적으로 미성숙 T 세포는 일련의 변화를 겪고 특정 특성을 획득하여 궁극적으로 표면에 CD8 분자, T 세포 수용체 및 MHC 클래스 I 분자를 발현하는 CD8αβ+ T 세포로 성숙합니다.
엽으로 이동하지 못한 미성숙 T 세포를 제거합니다.
성숙한 iTE는 흉선엽 밖으로 이동하며, 이는 광학 현미경으로 엽을 둘러싼 후광과 같은 패턴으로 시각화될 수 있습니다.
dGUO 치료 7일째에 새로운 10cm 접시 4개를 꺼냅니다. 각 접시에 밀리리터의 완전한 매체를 채웁니다. 흉선엽이 있는 모든 니트로셀룰로오스 막을 하나의 10cm 접시로 옮깁니다. 겸자를 사용하여 멤브레인에서 개별 엽을 분리하여 매체에 담글 수 있도록 합니다.
실온에서 1시간 동안 엽을 배양합니다. 그런 다음 흉선엽을 완전한 배지가 있는 새로운 10cm 접시로 옮기고 실온에서 1시간 동안 배양합니다. 이 이식 및 배양을 추가로 두 번 반복합니다.
집게를 사용하여 흉선엽을 접시에 고정하고 다른 손을 사용하여 중앙에 100-200마이크로미터 깊이의 절개를 하고 엽 직경의 절반을 확장하여 T 세포 전구세포가 엽으로 이동하는 것을 용이하게 합니다.
흉선엽을 완전한 분화 배지로 채워진 새로운 10cm 접시로 옮깁니다. 하부 및 상부 그리드가 있는 3D 배양 플레이트를 사용하는 경우 매달린 방울의 증발 및 건조를 방지하기 위해 두 그리드를 멸균 PBS로 채웁니다.
다음으로, 하나의 dGUO 처리된 흉선엽을 포함하는 30마이크로리터의 완전 배지를 3D 배양 플레이트의 각 웰로 옮깁니다. OP9/DLL1 공동 배양에서 비부착 T 계통 세포를 수집하고 배지 20마이크로리터당 2,000 내지 5,000개의 T 세포 계통 세포의 밀도로 세포를 재현탁합니다. 20마이크로리터의 T 계통 세포 현탁액을 3D 배양 플레이트의 각 흉선엽에 추가합니다. 섭씨 37도에서 5% 이산화탄소와 함께 밤새 배양합니다.
다음날 P200 피펫을 30마이크로리터로 설정합니다. 각 웰의 배지를 위아래로 여러 번 피펫팅하여 흉선엽을 둘러싼 모든 세포를 제거합니다. 그런 다음 각 웰에서 배지를 흡인하고 30마이크로리터의 완전 배지로 교체합니다. 이 과정(피펫팅, 배지 제거 및 교체)을 5-7회 반복하여 엽으로 이동하지 않는 여분의 미성숙 T 세포를 제거합니다.
매일 25-30마이크로리터의 배지를 교체하면서 엽을 계속 배양합니다. 4일 또는 5일째에 광학 현미경을 사용하여 엽 주위에 iPSC 유래 흉선 이민자의 후광이 형성되었는지 확인합니다. 로브 중단 없이 배지를 피펫팅하여 매일 iTE를 수집합니다. 매일 용지를 교체하고 최대 약 12일 동안 수집을 계속합니다.
수확된 iTE는 분자 분석 또는 생체 내 이식 실험에 사용할 준비가 되어 있습니다.