전기자극 유도 신경줄기세포와 전구세포의 분화

0 조회수6:03 • July 8th, 2025

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전기 공급 장치에 연결된 MOE 미세유체 칩으로 시작합니다.

이 칩에는 전기 연결을 위해 장착된 Ag/AgCl 전극과 함께 입구 및 출구 포트와 연결된 폴리-L-라이신 코팅 배양 영역이 포함되어 있습니다.

최적의 성장 조건을 위해 미세유체 칩을 히터에 놓습니다.

출구를 통해 신경 줄기 및 전구 세포 또는 NPC를 코팅된 배양 영역으로 유입합니다.

세포는 폴리-L-라이신과 정전기적으로 상호 작용하고 미세유체 장치에 부착됩니다.

다음으로, 부착된 세포의 증식을 촉진하는 성장 인자를 함유하는 성장 배지를 도입한다.

세포 생존율을 위해 배지를 지속적으로 공급하여 Ag/AgCl 전극을 통해 더 오랜 시간 동안 전류를 가합니다.

전류는 NPC를 자극하고 활성화하여 세포체에서 신경 과정의 확장을 촉진합니다.

또한 전기 자극은 다양한 세포 내 신호 전달 경로를 유발합니다.

이러한 경로는 NPC가 뉴런, 성상세포, 희소돌기아교세포와 같은 다양한 신경 세포로 특이적으로 분화하도록 촉진합니다.

시작하려면 적절한 소프트웨어를 사용하여 개별 PMMA 레이어와 양면 테이프에 대한 패턴을 그립니다. 이산화탄소 레이저 스크라이버를 켜고 개인용 컴퓨터에 연결합니다. 소프트웨어를 사용하여 디자인 패턴 파일을 엽니다.

PMMA 시트 또는 양면 테이프를 레이저 스크라이버의 플랫폼에 놓습니다. 그런 다음 자동 초점 도구를 사용하여 PMMA 시트 또는 양면 테이프의 표면에 레이저의 초점을 맞춥니다. 레이저 스크라이버를 프린터로 선택합니다. 그런 다음 레이저 스크라이버를 사용하여 PMMA 시트 또는 양면 테이프에서 직접 절제를 시작합니다.

PMMA 시트에서 보호 필름을 제거하고 질소 가스를 사용하여 표면을 청소합니다. 여러 겹의 PMMA 시트를 함께 접착하려면 1mm PMMA 시트 3장을 쌓고 섭씨 110도에서 30분 동안 열 본더에 평방 센티미터당 5kg의 압력으로 접착하여 흐름 또는 전기 자극 채널 어셈블리를 형성합니다. 12개의 어댑터를 MOE 칩 어셈블리의 레이어 1에 있는 개별 개구부에 속효성 시아노아크릴레이트 접착제로 부착합니다.

칩을 조립하기 전에 1mm PMMA 기판, 양면 테이프 및 3mm 광학 등급 PMMA를 자외선 조사를 사용하여 30분 동안 소독합니다. 양면 테이프로 3mm 광학 등급 PMMA에 1mm PMMA 기판을 접착하여 PMMA 어셈블리를 완성합니다. 청소한 커버 유리를 양면 테이프로 PMMA 어셈블리에 부착합니다.

한천 브리지 어댑터의 개구부를 흰색 손가락으로 조이는 플러그로 밀봉합니다. 평평한 바닥 커넥터를 중간 입구 및 콘센트 어댑터를 통해 MOE 칩 어셈블리에 연결합니다. 그런 다음 콘-루어 어댑터를 3방향 마개에 연결합니다. 매체 입구의 3방향 마개에 연결되는 3밀리리터 주사기를 사용하여 0.01% PLL 용액 2밀리리터를 추가하고 빈 3밀리리터 주사기를 매체 출구의 3방향 마개에 연결합니다.

세포 배양 영역을 PLL 용액으로 채우고 코팅 용액을 천천히 앞뒤로 펌핑합니다. 두 개의 3방향 마개를 닫아 배양 영역 내부에 용액을 밀봉합니다. MOE 칩을 섭씨 37도에서 5% 이산화탄소 분위기로 채워진 인큐베이터에서 밤새 배양합니다. 두 개의 3방향 마개를 열고 두 개의 주사기를 사용하여 채널에서 코팅 용액을 수동으로 앞뒤로 펌핑하여 채널의 기포를 씻어냅니다.

배지 입구의 3방향 마개에 연결되는 3밀리리터 주사기에 3밀리리터의 완전 배지를 끌어당기고 이를 추가하여 세포 배양 영역의 코팅 용액을 대체합니다. 흰색 손가락으로 조이는 플러그를 루어 어댑터로 교체하고 3% 뜨거운 아가로스를 주입하여 어댑터를 채웁니다. 루어락 주사기를 루어 어댑터에 연결하고 검은색 고무마개를 통해 3% 뜨거운 아가로스를 주입하여 루어락 주사기를 채웁니다. 아가로스가 식고 굳을 때까지 10-20분 동안 기다리십시오.

섭씨 37도에서 유지되는 프로그래밍 가능한 XYZ 전동 스테이지에 고정된 투명 ITO 히터에 셀 시드 MOE 칩을 설치합니다. 매체 배출구를 통해 MOE 칩에 수동으로 펌핑하여 mNPC를 주입합니다. 그런 다음 세포 시드 MOE 칩을 ITO 히터에서 4시간 동안 배양합니다.

전선을 사용하여 칩의 전극을 통해 EF 멀티플렉서를 MOE 칩에 연결합니다. EF 멀티플렉서와 함수 발생기를 증폭기에 연결하여 구형파 DC 펄스를 출력합니다.

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마지막 업데이트: 1 8월 2026