행동 하는 쥐의 해 마에서 진동 제한 공간 기록

이 방법은 신경 세포 네트워크 활동이 미세한 시간 및 공간 규모로 어떻게 구성되는지와 같은 신경 과학 분야의 주요 질문에 답하는 데 도움이 될 수 있습니다. 이 기술의 주요 장점은 선형 실리콘 프로브를 사용하여 전류 데이터 분석을 통해 기존의 전위 기록에서 쉽게 감지할 수 없는 국소 진동을 재구성할 수 있다는 것입니다. 이 절차를 시작하려면 뜨거운 비드 살균기로 수술 기구를 살균한 다음 모든 작업 표면을 70% 에탄올로 닦습니다.

다음으로, 마취된 동물을 귀바를 외이도에 부드럽게 삽입하여 입체 프레임에 장착합니다. 마우스의 머리가 이어바에 의해 안정되면 지속적인 이소플루란 전달을 위해 마우스피스를 위에 놓고 눈에 연고를 발라 건조를 방지합니다. 그 후, 마우스 아래에 발열 패드를 놓고 부프레노르핀을 피하주사하여 수술 후 진통제를 보장합니다.

그런 다음 머리를 면도하고 70 % 에탄올로 피부를 소독하십시오. 수술용 가위를 사용하여 두개골 정중선을 따라 피부를 절개하고 수술용 클램프를 사용하여 피부를 엽니다. 입체 정렬 도구를 사용하여 동물의 머리를 브레그마와 람다의 수평을 맞추기 위해 정렬합니다.

브레그마와 람다 사이에 50마이크로미터 미만의 높이 오프셋이 있어야 합니다. 또한, 왼쪽과 오른쪽 양쪽의 브레그마에서 정의된 거리에서 깊이를 측정하여 내측-외측 축을 따라 머리를 수평으로 맞춥니다. 머리가 기울어져 있으면 조정하십시오.

3% 과산화수소로 헤드를 청소하고 멸균 면포로 말리십시오. 적절한 입체 아틀라스(stereotaxic atlas)를 사용하여 브레그마에 상대적인 개두술의 위치를 결정합니다. 0.9mm 드릴 헤드를 사용하여 소뇌 위의 뼈에 두 개의 나사 구멍을 뚫어 접지 및 참조 나사를 놓습니다.

또한 임플란트를 안정화하기 위해 나사를 고정하기 위한 1-3개의 구멍을 뚫습니다. 앵커 나사의 위치는 개두술의 위치에 따라 다릅니다. 적절한 드라이버를 사용하여 뼈에 나사를 삽입하십시오.

뇌에 침투하지 않도록 주의하세요. 이제 이식 쪽 주위의 직사각형 영역에서 드릴로 두개골을 천천히 얇게 하여 개두술을 수행합니다. 멸균된 인산염 완충액으로 뼈를 자주 적십니다.

얇아진 나머지 두개골을 27게이지 주사 바늘로 부드럽게 뚫고 핀셋으로 제거합니다. 다음으로, 27 게이지 주사 바늘로 경막을 조심스럽게 뚫습니다. 핀셋을 사용하여 바늘 끝을 구부려 작은 고리를 만들고 이 고리를 사용하여 경막을 제거합니다.

그런 다음 인산염 완충액을 바르면 뇌 표면이 건조해지는 것을 방지할 수 있습니다. 그런 다음 전극 삽입 도구를 입체식 홀더에 장착하고 브레그마에서 프로브를 영점 조정합니다. 프로브를 개두술 위의 입위선 좌표로 이동하고 천천히 뇌 표면을 관통합니다.

프로브 샤프트가 구부러지지 않도록 하고 혈관을 통해 이식되지 않도록 하십시오. 그런 다음 원하는 깊이에서 약 200마이크로미터 위까지 프로브를 천천히 내립니다. 다음으로, 보호를 위해 멸균된 바셀린으로 개두술과 실리콘 프로브의 생크를 덮습니다.

그런 다음 치과 시멘트를 바르고 프로브 바닥을 두개골의 고정 나사에 고정합니다. 시멘트 도포 직후 프로브를 목표 깊이로 천천히 이동합니다. 시멘트를 도포한 후 마지막 200마이크로미터를 전진시켜 프로브의 측면 이동을 줄이고 대상 영역의 조직 손상을 최소화합니다.

시멘트가 경화된 후 소작기로 왁스를 녹여 삽입 도구에서 프로브를 분리합니다. 그런 다음 삽입 장치에서 커넥터 보드를 분리하고 악어 클램프를 사용하여 두개골의 적절한 위치에 배치합니다. 치과용 시멘트를 사용하여 커넥터 보드를 두개골에 고정합니다.

해마에 프로브를 이식하는 경우, 커넥터 보드를 반대쪽 두정골에 놓습니다. 그런 다음 커넥터 보드의 접지 및 참조 와이어를 소뇌 위의 두 나사에 연결된 와이어에 납땜합니다. 보호 덮개를 올바른 높이로 자르고 실리콘 프로브 위에 놓습니다.

그런 다음 노출된 두개골 주위의 피부를 피하고 치과용 시멘트를 사용하여 커넥터 보드와 두개골의 덮개를 고정합니다. 수술 후 최소 2일 동안 마우스에 적절한 진통제를 바르십시오. 임플란트의 손상을 방지하기 위해 마우스를 단독으로 사용합니다.

CA1 영역을 표적으로 하는 만성적으로 이식된 실리콘 프로브의 녹음이 여기에 나와 있습니다. 전류 소스 밀도 분석은 프로브의 개별 생크를 따라 적용됩니다. 이 예에서는 단일 날카로운 파동 리플 이벤트로 인해 CA1의 방사 지층에서 두드러진 전류 싱크가 발생하고, 두 번째 예에서는 치상회(dentate gyrus)의 과립 세포층에 있는 두 개의 별개의 위치가 기록되었습니다.

높은 감마 대역은 60-80 헤르츠 대역 통과 필터를 적용하여 과립 세포층에 위치한 두 개의 기록 부위 중 하나에서 국소 감마 폭발을 드러내어 분리했습니다. 로컬 감마 발진 활동은 기록된 신호를 CSD로 변환한 후에만 감지할 수 있습니다. CSD는 LFP 신호가 아닌 두 기록 사이트 간의 위상 및 진폭 비동기 주기를 식별합니다.

이 세그먼트는 동기화된 감마 활동의 짧은 시대를 보여줍니다. 여기서 트레이스는 LFP 및 CSD 트레이스에 대한 위상차 및 진폭 차이 인덱스를 보여줍니다. 이 비디오를 시청한 후에는 해마에 실리콘 프로브를 이식하는 방법을 잘 이해하게 될 것입니다.