Электрораспылительная Отложение равномерной толщины Ge

7.9K просмотров

Цитируется: 8

08:38 мин.

19 августа 2016 г.

10.3791/54379-v

19 августа 2016 г.

7.9K просмотров

Spencer Novak¹ , Pao-Tai Lin²^,³ , Cheng Li⁴ , Nikolay Borodinov¹ , Zhaohong Han⁵ , Corentin Monmeyran⁵ , Neil Patel⁵ , Qingyang Du⁵ , Marcin Malinowski⁴ , Sasan Fathpour⁴ , Chatdanai Lumdee⁴ , Chi Xu⁴ , Pieter G. Kik⁴ , Weiwei Deng⁶ , Juejun Hu⁷ , Anuradha Agarwal⁷ , Igor Luzinov¹ , Kathleen Richardson⁴

¹Department of Materials Science and Engineering, Clemson University, ²Department of Materials Science and Engineering, Texas A&M University, ³Department of Electrical and Computer Engineering, Texas A&M University, ⁴College of Optics and Photonics, Center for Research and Education in Optics and Lasers (CREOL), University of Central Florida, ⁵Department of Materials Science and Engineering, Massachusetts Institute of Technology, ⁶Department of Mechanical Engineering, Virginia Polytechnic Institute, ⁷Microphotonics Center, Massachusetts Institute of Technology

Продемонстрирован метод осаждения халькогенидной пленки равномерной толщины на основе халькогенидного стекла с использованием компьютерного числового управления электрораспылением с одним соплом.