Высококачественная судорожная активность из острых срезов головного мозга с использованием комплементарной системы микроэлектродных матриц высокой плотности металл-оксид-полупроводник

3.2K просмотров

Цитируется: 3

06:28 мин.

27 сентября 2024 г.

10.3791/67065-v

27 сентября 2024 г.

3.2K просмотров

Melissa L. Blotter^*¹^,² , Isaac W. Stubbs^*¹^,² , Jacob H. Norby^*¹^,² , Maxwell Holmes¹^,² , Ben Kearsley³ , Alexis Given¹ , Kutter Hine¹^,⁴ , Micah R. Shepherd⁵ , R. Ryley Parrish¹^,²

¹Department of Cell Biology and Physiology, Brigham Young University, ²Neuroscience Center, Brigham Young University, ³Department of Statistics, Brigham Young University, ⁴Department of Biology, Brigham Young University, ⁵Department of Physics and Astronomy, Brigham Young University

^* These authors contributed equally

В этой статье мы описываем протокол использования комплементарных систем микроэлектродных матриц высокой плотности (CMOS-HD-MEAs) для регистрации судорожной активности из срезов мозга ex vivo .