Silikon dopant atomlar nano saniye çözüldü şarj dinamikleri ile tarama tünel mikroskop gözlemlemek için tüm elektronik yöntemi göstermektedir.
Bu içeriği görüntülemek için JoVE aboneliğiniz gereklidir. Giriş yapın veya ücretsiz denemenizi bugün başlatın.
Yöntem makalesi
Tüm elektronik Nanosecond çözüldü tarama tünelleme mikroskobu: tek Dopant şarj Dynamics incelenmesi kolaylaştırılması
Bu makalede
Özet
Özet
Minyatür nerede dopants az sayıda aygıt özellikleri kontrol edebilirsiniz ölçekler için yarı iletken cihazların yeni teknikler onların dynamics karakterize yetenekli gelişimi gerektirir. Tek dopants araştıran tünelleme mikroskobu (STM) tarama kullanım motive alt nanometre Uzaysal çözünürlük gerektirir. Ancak, geleneksel STM milisaniyelik zamansal çözünürlük için sınırlıdır. Tüm elektronik zaman çözüldü STM bu çalışmada silikon nanosaniye çözünürlük ile dopant dinamiklerini incelemek için kullanılan da dahil olmak üzere bu eksiklik üstesinden gelmek için çeşitli yöntemler geliştirilmiştir. Burada sunulan yöntemleri yaygın olarak erişilebilir ve atomik ölçekte dinamikleri çok çeşitli yerel ölçme izin. Bir roman saat-tünel spektroskopi tekniği tarama sundu ve verimli dynamics için arama için kullanılan çözüldü.
Giriş
Mikroskobu (STM) tünel tarama Nanobilim atomik ölçekli topografya ve elektronik yapısı çözme yeteneğini için önde gelen aracı haline gelmiştir. Bir geleneksel STM, ancak, onun zamansal çözünürlük geçerli Pre amplifikatör1sınırlı bant genişliği nedeniyle milisaniyelik zaman ölçeği için sınırlıdır kısıtlamasıdır. Uzun STM'ın zamansal çözünürlük üzerinde yaygın olarak atomik işlemler gerçekleştiği ölçekler için genişletmek için bir hedef olmuştur. Öncü çalışmak zaman-tünelleme mikroskobu (TR-STM) tarama Freeman et. al. tarafından çözüldü 1 photoconductive anahtarları ve Pikosaniye gerilim darbeleri tünel birleşim i....
Erişim kısıtlı. Bu içeriği görüntülemek için lütfen giriş yapın veya deneme sürümünü başlatın.
Protokol
1. ilk kurulum mikroskop ve deneyler
- Begin bir ultrahigh ile yetenekli kriyojenik STM vakum ve kontrol yazılımı ilişkili. STM kriyojenik sıcaklıklara serin.
Not: Bu raporun ultrahigh vakum elde sistemleri için işaret < 10 x 10-10 Torr. STM kriyojenik sıcaklıklara soğutmalı; Bu mütevazı sıcaklıklarda termal aktif dopants şarj dinamiklerini araştırıyor özellikle önemlidir. Diğer odaları oda sıcaklığında olabilir. - STM ipucu yüksek frekanslı kablolama (~ 500 MHz) ile donatılmış emin olun.
Not: darbe şekillendirme yöntemleri kullanarak, STM standart kriyojenik sıcaklık koaksiyel kablo (~ 20 MHz) ile zaman yanıt büyük bir artış Grosse
Erişim kısıtlı. Bu içeriği görüntülemek için lütfen giriş yapın veya deneme sürümünü başlatın.
Sonuçlar
Metni bu bölümde sunulan sonuçlar önceden yayınlanmış15,16olmuştur. Şekil 3 seçili bir örnek davranışını gösterir DB geleneksel STM ile. Geleneksel I(V) ölçüm (şekil 3A) açıkça Vthr DB gürültülerinden keskin bir değişiklik gösteriyor -2,0 V =. Bu davranış da-2.1 V (şekil 3B, sol panelde), -2,0 V (orta Masası) ve V (doğru k.......
Erişim kısıtlı. Bu içeriği görüntülemek için lütfen giriş yapın veya deneme sürümünü başlatın.
Tartışma
Sistem yüksek frekansta yerine sürekli örneklenir dışında TR-STS pompa darbe uygulanmamış türevi geleneksel STS için karşılaştırılabilir gibidir. Sonda bakliyat süreleri uygun ise (>ΓLH), TR-STS sinyal elde olmadan pompa darbe deneyi iş hacmi tam olarak geleneksel bir STS ile aynı tarihte orantılı bir sabit ile çarpımı ölçüm. Aksi halde kullanılan alçak geçiren filtre uygulama nedeniyle sinyal bilinmeyen bir bölümünü azaltmak bir kilit-in amplifikatör, kullanımı olmadan ölçümleri yapılır tek mümkün ol.......
Erişim kısıtlı. Bu içeriği görüntülemek için lütfen giriş yapın veya deneme sürümünü başlatın.
Açıklamalar
Yazarlar onlar rakip hiçbir mali çıkarları var bildirin.
Teşekkürler
Martin Cloutier ve Mark Salomons teknik uzmanlık için teşekkür etmek istiyorum. Biz de NRK, NSERC ve AITF mali destek için teşekkür ederiz.
....Erişim kısıtlı. Bu içeriği görüntülemek için lütfen giriş yapın veya deneme sürümünü başlatın.
Malzemeler
| Ad | Şirket | Katalog numarası | Yorumlar |
|---|---|---|---|
| Düşük Sıcaklık Taramalı Tünel Açma Mikroskobu | Scientaomicron | 500MHz bant genişliği kablolaması ile özel yapım | |
| Hakem Fonksiyon Jeneratörü | Tektronix | AFG3252C | |
| RF Güç Bölücü / Birleştirici | Mini Devreler | ZFRSC-42-S + | |
| RF Anahtar | Mini Devreleri | X80-DR230-S + | |
| Temassız Kızılötesi Pirometreler | Mikron Kızılötesi | MI 140 |
Kaynaklar
- Nunes, G., Freeman, M. R. Picosecond resolution in scanning tunneling microscopy. 262 (5136), Science. New York, N.Y. 1029-1032 (1993).
- Khusnatdinov, N. N., Nagle, T. J., Nunes, G. Ultrafast scanning tunneling microscopy with 1 nm resolution. Appl. Phys. Lett. 77 (26), 4434-4436 (2000).
- Takeuchi, O., Morita, R., Yamashita, M., Shigekawa, H.
Erişim kısıtlı. Bu içeriği görüntülemek için lütfen giriş yapın veya deneme sürümünü başlatın.
Yeniden basım ve izinler
