Name: طريقة قياسية وموثوقة لاختلاق النانو ثنائي الأبعاد (فيديو) | JoVE Journal
Uploaded: 2018-08-28T13:00:00.000+00:00
Duration: 7 min 12 s
Description: تعلم تقنية تصنيع موثوقة للنانو إلكترونيات ثنائية الأبعاد باستخدام MoS2 و lithography الإلكترونية. تُحسّن هذه الطريقة دقة تحديد مواد ثنائية الأبعاد لتطوير أجهزة صغيرة النطاق.

ai_agent_IP

ai_agent

maintenance

instantTrialDurationMinutes

isBiopharma

enableNewMyJoveSectionDesign

educationFeatures

seoMetaApi

ai_copilot_institution_blacklist

ai_chat_institution_blacklist

freeAccessWindow

ssoRoleCapture

scheduledMaintenanceBanner

joveLabsFeatures

disable_autoplay_for_bots

extended_trial_duration

5 minutes

هذا العمل كان يدعمه "المجلس الوطني للعلوم"، تايوان وبموجب العقد لا معظم 105-2112-M-003-016-MY3. هذا العمل أيضا في الجزء أيده "المختبرات الوطنية لجهاز نانو" ومختبر شعاع ه في الهندسة الكهربائية من جامعة تايوان الوطنية.

<ol><li>Kim, Y. B. <a target="_blank" href="https://www.researchgate.net/publication/245574353_Challenges_for_Nanoscale_MOSFETs_and_Emerging_Nanoelectronics">Challenges for Nanoscale MOSFETs and Emerging Nanoelectronics.</a> Transactions on Electrical and Electronic Materials. 11 (3), 93-105 (2010).</li>
<li>Waldrop, M. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+chips+are+down+for+Moore%27s+law%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">The chips are down for Moore's law.</a> Nature. 530 (7589), 144-147 (2016).</li>
<li>Lan, Y. W., Chang, W. H., et al. <a target="_blank" href="https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0008622312004782">Effects of oxygen bonding on defective semiconducting and metallic single-walled carbon nanotube bundles.</a> Carbon. 50 (12), 4619-4627 (2012).</li>
<li>Lan, Y. W., Aravind, K., Wu, C. S., Kuan, C. H., Chang-Liao, K. S., Chen, C. D. <a target="_blank" href="https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0008622312003119">Interplay of spin-orbit coupling and Zeeman effect probed by Kondo resonance in a carbon nanotube quantum dot.</a> Carbon. 50 (10), 3748-3752 (2012).</li>
<li>Lan, Y. W., Nguyen, L. N., Lai, S. J., Lin, M. C., Kuan, C. H., Chen, C. D. <a target="_blank" href="http://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.3619177">Identification of embedded charge defects in suspended silicon nanowires using a carbon-nanotube cantilever gate.</a> Applied Physics Letters. 99 (5), (2011).</li>
<li>De Volder, M. F. L., Tawfick, S. H., Baughman, R. H., Hart, A. J. Carbon nanotubes: present and future commercial applications. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=author%3aDe+Volder%2C+MFL+%22Science+%28New+York%2C+N.Y.%29%22">Science (New York, N.Y.)</a>. 339 (6119), 535-539 (2013).</li>
<li>Eatemadi, A., Daraee, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Carbon+nanotubes%3A+Properties%2C+synthesis%2C+purification%2C+and+medical+applications%5BTitle%5D)+AND+%22Nanoscale+Research+Letters%22%5BJournal%5D)">Carbon nanotubes: Properties, synthesis, purification, and medical applications.</a> Nanoscale Research Letters. 9 (1), 1-13 (2014).</li>
<li>Lan, Y. W., Chang, W. H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Polymer-free+patterning+of+graphene+at+sub-10-nm+scale+by+low-energy+repetitive+electron+beam%5BTitle%5D)+AND+%22Small%22%5BJournal%5D)">Polymer-free patterning of graphene at sub-10-nm scale by low-energy repetitive electron beam.</a> Small. 10 (22), 4778-4784 (2014).</li>
<li>Romero, M. F., Bosca, A., et al. <a target="_blank" href="https://ieeexplore.ieee.org/document/8022984/">Impact of 2D-Graphene on SiN Passivated AlGaN/GaN MIS-HEMTs Under Mist Exposure.</a> IEEE Electron Device Letters. 38 (10), 1441-1444 (2017).</li>
<li>Blaschke, B. M., Tort-Colet, N., et al. <a target="_blank" href="http://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1583/aa5eff/meta">Mapping brain activity with flexible graphene micro-transistors.</a> 2D Materials. 4 (2), 25040(2017).</li>
<li>Zhu, Z., Murtaza, I., Meng, H., Huang, W. <a target="_blank" href="http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2017/ra/c6ra27674a#!divAbstract">Thin film transistors based on two dimensional graphene and graphene/semiconductor heterojunctions.</a> RSC Advances. 7 (28), 17387-17397 (2017).</li>
<li>Kim, S. J., Choi, K., Lee, B., Kim, Y., Hong, B. H. <a target="_blank" href="https://www.annualreviews.org/doi/abs/10.1146/annurev-matsci-070214-020901">Materials for Flexible, Stretchable Electronics: Graphene and 2D Materials.</a> Annual Review of Materials Research. 45 (1), 63-84 (2015).</li>
<li>Manzeli, S., Ovchinnikov, D., Pasquier, D., Yazyev, O. V., Kis, A. <a target="_blank" href="https://www.nature.com/articles/natrevmats201733">2D transition metal dichalcogenides.</a> Nature Reviews Materials. 2, (2017).</li>
<li>Kolobov, A. V., Tominaga, J. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=author%3aKolobov%2C+AV+%22Emerging+Applications+of+2D+TMDCs%22">Emerging Applications of 2D TMDCs</a>. 239, Springer Series in Materials Science. 473-512 (2016).</li>
<li>Nguyen, L. N., Lan, Y. W., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Resonant+tunneling+through+discrete+quantum+states+in+stacked+atomic-layered+MoS2%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Letters%22%5BJournal%5D)">Resonant tunneling through discrete quantum states in stacked atomic-layered MoS2.</a> Nano Letters. 14 (5), 2381-2386 (2014).</li>
<li>Torres, C. M., Lan, Y. W., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((High-Current+Gain+Two-Dimensional+MoS2-Base+Hot-Electron+Transistors%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Letters%22%5BJournal%5D)">High-Current Gain Two-Dimensional MoS2-Base Hot-Electron Transistors.</a> Nano Letters. 15 (12), 7905-7912 (2015).</li>
<li>Jariwala, D., Sangwan, V. K., Lauhon, L. J., Marks, T. J., Hersam, M. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Emerging+Device+Applications+for+Semiconducting+Two-Dimensional+Transition+Metal+Dichalcogenides%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Nano%22%5BJournal%5D)">Emerging Device Applications for Semiconducting Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides.</a> ACS Nano. 8 (2), 1102-1120 (2014).</li>
<li>Choi, W., Choudhary, N., Han, G. H., Park, J., Akinwande, D., Lee, Y. H. <a target="_blank" href="https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369702116302917">Recent development of two-dimensional transition metal dichalcogenides and their applications.</a> Materials Today. 20 (3), 116-130 (2017).</li>
<li>Xiao, H. <a target="_blank" href="https://spie.org/Publications/Book/924283?SSO=1">Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology, Second Edition</a>. , Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers. (2012).</li>
<li>Lin, C. Y., Zhu, X., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Atomic-Monolayer+Two-Dimensional+Lateral+Quasi-Heterojunction+Bipolar+Transistors+with+Resonant+Tunneling+Phenomenon%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Nano%22%5BJournal%5D)">Atomic-Monolayer Two-Dimensional Lateral Quasi-Heterojunction Bipolar Transistors with Resonant Tunneling Phenomenon.</a> ACS Nano. 11 (11), 11015-11023 (2017).</li>
<li>Qi, J., Lan, Y. W., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Piezoelectric+effect+in+chemical+vapour+deposition-grown+atomic-monolayer+triangular+molybdenum+disulfide+piezotronics%5BTitle%5D)+AND+%22Nature+Communications%22%5BJournal%5D)">Piezoelectric effect in chemical vapour deposition-grown atomic-monolayer triangular molybdenum disulfide piezotronics.</a> Nature Communications. 6, (2015).</li>
</ol>

الكتاب ليس لها علاقة بالكشف عن.

في هذه المقالة، وأثبتت الإجراءات المفصلة لاختلاق رواية الإلكترونيات استناداً إلى المواد 2D في مقياس نانومتر. نظراً لإجراءات إعداد نموذج لتطبيق كل الخلافات مع بعضها البعض، عمليات المتراكب يعاملون كالبروتوكول. إلكترون الزخرفة شعاع جنبا إلى جنب مع تصميم الموقع المادي، وتعريف القطب المعدني مما يخدم كبروتوكول هنا. بين هذين النوعين من الأجهزة المذكورة، وقد عرضت العملية برمتها من الترانزستورات 2D بوابات الخلف بدءاً من نقل الأفلام2 موس البلورة الأحادية على SiO2/Si ركائز الرطب وتنتهي عند انطلاقة معدنية. لماذ...

ومنذ العقود الماضية، البشرية تشهد السريع المتناقصة في حجم الترانزستورات، ونتيجة لذلك، زيادة هائلة في عدد الترانزستور في الدوائر المتكاملة (ICs). وهذا يؤكد التقدم المستمر في التكنولوجيا القائمة على السليكون التكميلية أكسيد معدني متمم (CMOS)1. وعلاوة على ذلك، يتم هذا الاتجاه الحالي في حجم وأداء الأجهزة ملفقة لا تزال على المسار مع قانون مور، الذي ينص على أن عدد الترانزستورات في الرقائق الإلكترونية، فضلا عن أدائها، ويتضاعف تقريبا كل سنتين2. ترانزستور CMOS موجودة في معظم، أن لم يكن كل، الأجهزة الإلكترونية المتوفرة في السوق، ومما يجعلها جزءا لا يتجزأ من حياة الإنسان. ونتيجة لهذا، هناك مطالب مستمرة لإدخال تحسينات على رقاقة الحجم والأداء التي قد تم دفع الشركات المصنعة للحفاظ على أثر قانون المسار مور.
ولسوء الحظ، يبدو قانون مور أن تقترب من نهايتها بسبب كمية الحرارة المتولدة كما هو أكثر السليكون الدوائر ويضيق مساحة صغيرة2. وهذا يدعو إلى أنواع جديدة من المواد التي يمكن أن توفر نفس، أن لم يكن أفضل، أداء كالسيليكون، وفي الوقت نفسه، يمكن أن تنفذ في نطاق أضيق نسبيا. ، مواد جديدة واعدة في الآونة الأخيرة مواضيع العديد من أبحاث العلوم المادية. بعض المواد مثل أحادي البعد (1-د) الكربون الأنابيب النانوية3،4،5،،من67، الجرافين 2D8،،من910، 11 , 12و15،14،13،ديتشالكوجينيديس (TMDs) المعادن الانتقالية17،،من1618، هي المرشحين جيدة يمكن استخدامها تكون بديلاً لمنظمات الإدارة الجماعية القائمة على السليكون ومواصلة المسار قانون مور.
تصنيع الأجهزة الصغيرة يتطلب تحديد دقيق للموقع بالمواد المضي قدما بنجاح في تقنيات التصنيع الأخرى مثل الطباعة الحجرية وتعريف القطب المعدني. لذا، صمم الطريقة المعروضة في هذه الورقة تلبية هذه الحاجة. مقارنة ب تقنيات تصنيع أشباه الموصلات التقليدية19، والنهج المعروضة في هذه الورقة خياط مزودة بتطوير الأجهزة الصغيرة التي تحتاج إلى مزيد من الاهتمام من حيث إيجاد مكان للمواد. ويهدف هذا الأسلوب تلفيق موثوق نانوماتيريال 2D الأجهزة، مثل الترانزستورات 2D عن طريق بوابة العودة و Q-هبتس، باستخدام عمليات تصنيع القياسية. هذا يمكن أن تخدم كمنصة للتطورات المستقبلية نانوديفيسي كما أنه يمهد الطريق نحو إنتاج أجهزة متقدمة مستقبلا على نطاق نانو.
في المقطع الشروع، تناقش عمليات تصنيع 2D الأجهزة المستندة إلى مواد هي: Q-ثنائية والترانزستور 2D عن طريق بوابة مرة أخرى بالتفصيل. إلكترون الزخرفة شعاع جنبا إلى جنب مع تصميم الموقع المادي، وتعريف القطب المعدني يشمل البروتوكول نظراً لأنها مطلوبة في كل من العمليات المذكورة. يناقش الجزء 1 عملية التصنيع خطوة خطوة س-هبتس20؛ ويوضح الجزء 2 نهج عالمي للحصول على بخار الكيميائية ترسب (الرسوم التعويضية) ثاني كبريتيد الموليبدينوم (MoS2) الترانزستور عن طريق بوابة العودة من نقل لانطلاقة21، الذي قد ثبت تماما في المادة. ويتضح تدفق عملية مفصلة في (الشكل 1).

<table><tbody><tr><td>المبخر البندقية الإلكترونية</td><td>AST</td><td>PEVA 600I</td><td></td></tr><tr><td>Au سبيكة ، 99.99٪</td> <td>Well-Being Enterprise Co</td><td>N / A</td><td></td></tr><tr><td>Ti slug ، 99.99٪</td> <td>Well-Being Enterprise Co</td><td>N / A</td><td></td></tr><tr><td>E-beam نظام الطباعة الحجرية</td><td>Elionix</td><td>ELS7500-EX</td><td></td></tr><tr><td>نظام CVD للجدار البارد</td><td>علوم الكبريت</td><td>SCW600S</td><td></td></tr><tr><td>الركيزة الياقوت C-plane</td><td>Summit-Tech</td><td>X171999</td><td>(0001) & plusmn; 0.2 & deg; جانب واحد مصقول</td></tr><tr><td>100 نانومتر SiO2 / Si</td><td></td><td></td><td>ملفقة في</td></tr><tr><td>حل الأمونيا</td><td>NDL BASF</td><td>محلول الأمونيا 28٪ Selectipur</td><td></td></tr><tr><td>Molybdenum (Mo) ، 99.95٪</td> <td>Summit-Tech</td><td>N / A</td><td></td></tr><tr><td>التنغستن (W) ، 99.95٪</td> <td>Summit-Tech</td><td>N / A</td><td></td></tr><tr><td>الكبريت (S) ، 99.5٪</td> <td>سيجما ألدريتش</td><td>13803</td><td></td></tr><tr><td>بولي ميثيل ميثاكريلات (PMMA)</td> <td>8110788 ميكروكيمياء</td><td></td><td>استخدام لعملية النقل</td></tr><tr><td>Spin Coater</td><td>Laurell</td><td>WS 400B 6NPP LITE</td><td></td></tr><tr><td>Acetone</td><td>BASF</td><td>Acetone EL Selectipur</td><td></td></tr><tr><td>Isopropanol (IPA)</td> <td>BASF</td><td>2-Propanol UPS</td><td></td></tr><tr><td>Photo Resist ل EBL</td><td>TOK</td><td>منظف البلازما TDUR-P-015</td><td></td></tr><tr><td></td><td>هاريك بلازما</td><td>PDC-32G</td><td>بلازما الأكسجين</td></tr></tbody></table>

طريقة قياسية وموثوقة لاختلاق النانو ثنائي الأبعاد

A Standard and Reliable Method to Fabricate Two-Dimensional Nanoelectronics

ثنائي الأبعاد (2D) المواد قد اجتذبت اهتمام كبير نظراً للخصائص الفريدة والتطبيقات المحتملة. حيث يفر مقياس توليف مواد 2D لا يزال في مراحله الوليدة، لا يمكن الاعتماد العلماء تماما على تقنيات أشباه الموصلات التقليدية للبحوث ذات الصلة. العمليات الحساسة من تحديد المواد اللازمة لتعريف القطب تحتاج إلى التحكم بشكل جيد. في هذه المقالة، مطلوب بروتوكول تصنيع عالمي في صناعة الإلكترونيات النانومترية الحجم، مثل 2D أو شبه هيتيروجونكشن القطبين الترانزستورات (س-ثنائية)، والترانزستورات 2D عن طريق بوابة العودة وأظهرت. هذا البروتوكول يتضمن تحديد الموقف المادي، والطباعة الحجرية شعاع الإلكترون (أبل)، وتعريف القطب المعدني، وآخرون. وترد أيضا سرد خطوة بخطوة إجراءات تصنيع هذه الأجهزة. وعلاوة على ذلك، تظهر النتائج أن كل من أجهزة ملفقة حققت عالية الأداء مع التكرار عالية. هذا العمل يكشف عن وصف شامل لعملية تدفق إعداد 2D نانو-إلكترونيات، تمكن مجموعات بحثية للوصول إلى هذه المعلومات، وتمهيد الطريق نحو المستقبل للإلكترونيات.

قد طبقت في عمليات تصنيع الجهاز على العديد من الأبحاث صاحب المقابلة التي تنطوي على تطوير أجهزة المواد ثنائية الأبعاد. في هذا الجزء، يتم عرض نتائج بعض هذه الأبحاث لإثبات الفعالية البروتوكول نوقشت أعلاه. أحادي الطبقة الجانبية WSe2-موس2 فثنائيه20 محدداً كالمثال الأول. باستخدام عمليات تصنيع جهاز قياسي مفصل في البروتوكول، أحادي الطبقة الجانبية WSe2-موس2 هيتيروجونكتيونس كانت تزرع (الشكل 2a) وانتقل ب...

المقالة تهدف إلى إدخال إجراءات تصنيع القياسية وموثوق بها لتنمية المستقبل النانو الأبعاد منخفضة.

Two-dimensional (2D) materials have attracted huge attention due to their unique properties and potential applications. Since wafer scale synthesis of 2D ...

يمكن أن تساعد هذه الطريقة في الإجابة على الأسئلة الرئيسية في مجال تصنيع أجهزة المواد ثنائية الأبعاد ، المتعلقة بتقنيات تحديد موقع عينات المواد ثنائية الأبعاد بدقة في التحضير لخطوات التصنيع اللاحقة. الميزة الرئيسية لهذه التقنية هي أن هذا مصمم خصيصا لتطوير الأجهزة الصغيرة الحجم ، والتي يكون العثور على موقع المواد أكثر صعوبة. سيظهر الإجراء Po-Chun Chen و Kristan ، مساعدو الباحثين وطلاب الدراسات العليا من مختبري.تتطلب عملية التصنيع ركيزتين مجهزتين. الأول هو ثاني أكسيد السيليكون ذو البوابات الخلفية على السيليكون مع مصفوفات الوسادة المعدنية المصنوعة من التيتانيوم والذهب. الركيزة الثانية هي الياقوت مع طبقة مترسبة من ثاني كبريتيد الموليبدينوم.خذ الركيزة الياقوتية مع ثاني كبريتيد الموليبدينوم إلى مغطي الدوران. تدور معطف PMMA لتغطية الجزء العلوي من ثاني كبريتيد الموليبدينوم عند 3 ، 500 دورة في الدقيقة لمدة 30 ثانية. بعد ذلك ، انقل العينة إلى طبق ساخن واخبزها على حرارة 120 درجة مئوية لمدة ثلاث دقائق لتقوية طلاء PMMA.بعد ذلك ، قم بإعداد 50 مل من محلول الأمونيا. اغمر العينة لفصل ثاني كبريتيد الموليبدينوم عن الركيزة. بمجرد انفصال الفيلم ، قم بإزالته من محلول الأمونيا.انقل فيلم ثاني كبريتيد الموليبدينوم إلى ثاني أكسيد السيليكون على ركيزة السيليكون. لتعزيز الالتصاق ، اخبز العينة على حرارة 120 درجة مئوية لمدة 30 دقيقة على الأقل. استرجع العينة وضعها في 30 مل من الأسيتون.بعد حوالي 30 دقيقة ، ستتم إزالة PMMA كما هو موضح من خلال تغيير اللون. قبل المتابعة ، اشطف العينة بكحول الأيزوبروبيل واستخدم النيتروجين لتجفيفها. الآن ، استعد لإجراء الطباعة الحجرية لشعاع الإلكترون.استخدم مجهرا ضوئيا لقياس الإزاحة بين المواقع المستهدفة وعلامات المحاذاة على العينة. بناء على هذه القياسات ، قم بتصميم تخطيط نمط القطب المعدني باستخدام البرنامج. تدور معطف الصورة مقاومة أعلى العينة وتأكد من أنها تغطي العينة بأكملها.انتقل إلى خبز العينة على حرارة 100 درجة مئوية لمدة 90 ثانية لتعزيز الالتصاق. في آلة الطباعة الحجرية لشعاع الإلكترون ، قم بتحميل التصميم ووضع العينة. يجب أن تتطابق علامات المحاذاة في ركيزة ثاني أكسيد السيليكون مع العلامات المقابلة في التصميم.تعريض العينة لشعاع الإلكترون. عند الانتهاء ، خذ العينة إلى طبق ساخن. سخني العينة إلى 120 درجة مئوية لمدة 90 ثانية في خبز ما بعد التعرض.بعد ذلك ، جهز حاوية من TMAH كمطور واغمر العينة لمدة 80 ثانية. ثم اغسل العينة في 200 مل من الماء منزوع الأيونات لمدة 10 ثوان. افحص العينة بمجهر ضوئي لتحديد ما إذا كان النمط متطورا بشكل جيد.إذا تم تطويرها بشكل جيد ، فقم بخبز العينة على حرارة 110 درجة مئوية لمدة 90 ثانية. الخطوة التالية هي استخدام مبخر مسدس الإلكترون لإيداع 100 نانومتر من الذهب على العينة. بعد الترسيب ، اعمل على إزالة Photo Resist.لإذابة مقاومة الصور ، قم بإعداد 100 مل من الأسيتون. اغمر العينة في الأسيتون لأداء الرفع. راقب العملية بالمجهر البصري وتوقف عندما تبقى الخطوط والوسادات المعدنية فقط.أثناء التوصيف ، اختر مصدرا وقطب تصريف من تلك الموجودة في الجهاز ، ثم استخدم مجهر القوة التشريحية لتطبيق حمل على العينة. هنا تشير Xs إلى مكان تطبيق الأحمال. ينتج عن أحمال مجهر القوة الذرية إجهاد ضغط على الجهاز.فيما يلي خصائص الجهد الحالي لجهاز ثاني كبريتيد الموليبدينوم عند القوى التطبيقية المختلفة التي تنتج سلالة ضاغطة. عند جهد معين ، ينخفض تيار الجهاز مع زيادة القوة المطبقة والعكس صحيح ، مما يشير إلى تغيير في مقاومة الجهاز ، وهو سلوك متوقع لمستشعر بيزو. هذه البيانات مخصصة للاستجابة الحالية لجهاز ثاني كبريتيد الموليبدينوم لسلالات الانضغاط المتكررة بجهد تحيز ثابت يبلغ فولت واحد.بالكاد يتغير تيار الخرج مع التطبيق المتكرر ل 10 نانونيوطن من القوة المطبقة ، مما يشير إلى أن المستشعر مستقر. بمجرد إتقانها وتنفيذها بشكل صحيح ، يمكن إجراء هذه التقنية في غضون 20 ساعة متتالية ، بما في ذلك تصنيع جميع الترانزستورات. بعد تطويرها ، يمكن أن تكون هذه التقنية بمثابة منصة لتطورات الأجهزة النانوية المستقبلية لأنها تمهد الطريق نحو إنتاج أجهزة نانوية متقدمة في المستقبل.بعد مشاهدة هذا الفيديو ، يجب أن يكون لديك فهم جيد لكيفية تصنيع ترانزستورات ثنائية الأبعاد ذات بوابات خلفية بشكل موثوق باستخدام عمليات التصنيع القياسية ، بما في ذلك الطباعة الحجرية لشعاع الإلكترون والترسيب الكهربائي للمعادن. على الرغم من أن هذه الطريقة تلبي احتياجات تطوير أجهزة المواد النانوية ثنائية الأبعاد ، إلا أنه يمكن تطبيقها أيضا على مواد 1D. لا تنس أن العمل مع TMAH ، ومحلول الأمونيا ، و PMMA ، ومقاومات الصور الأخرى يمكن أن يكون خطيرا للغاية ويجب دائما ارتداء معدات الحماية الشخصية أثناء تنفيذ هذا الإجراء.

a-standard-reliable-method-to-fabricate-two-dimensional

Research

JoVE Journal

Engineering

الهندسة

نقدم أساليب لتصنيع المجهرية منقوشة من أنابيب الكربون النانوية الانحياز عموديا (تشارك المركز الوطني)، واستخدامها على النحو قوالب رئيسية لانتاج المجهرية البوليمر مع المنظمة نسيج السطح النانو. وdensified الغابات المركز الوطني للاستشعار عن طريق التكثيف من المذيب على الركيزة، مما يزيد بشكل كبير من كثافة التعبئة والتغليف وتمكن ذاتيين تشكيل الأشكال 3D.

تلفيق، التكثيف، وطبق الأصل من صب 3D المجهرية الأنابيب الجزيئية الكربونية

كثيرا ما يستخدم ليزر الفيمتو ثانية مباشرة الكتابة لخلق ثلاثية الأبعاد (3D) في أنماط البوليمرات والنظارات. ومع ذلك، والمعادن الزخرفة في 3D لا يزال يشكل تحديا. وصفنا طريقة لافتعال النانو الفضية جزءا لا يتجزأ من داخل البوليمر باستخدام ليزر الفيمتو ثانية تمحورت في 800 نانومتر.

A طريقة لصنع النانو سيلفر قطع في 3D

وصفنا تقنية nanomoulding الذي يسمح منخفضة التكلفة الزخرفة النانومترية الحجم من المواد الفنية، مداخن المواد والأجهزة كاملة. لا يمكن أن يؤديها على أي Nanomoulding الإعداد nanoimprinting ويمكن تطبيقها على مجموعة واسعة من المواد والعمليات الترسيب.

Nanomoulding من مواد وظيفية، تنوعا النسخ المتماثل خطة التكميلية طريقة لNanoimprinting

تلفيق عنونة كهربائيا، التي تبلغ نسبة أبعادها عالية (&gt; 1000:1) يوصف أسلاك معدنية مفصولة الثغرات من نانومتر واحد باستخدام إما فداء طبقات من الألومنيوم والفضة أو المجمعة monolayers النفس كقوالب. هي ملفقة هذه الهياكل nanogap دون غرفة نظيفة أو أي عمليات الطباعة الحجرية الصور أو شعاع الإلكترون بواسطة شكل من أشكال حافة الطباعة الحجرية المعروفة باسم nanoskiving.

افتعال Nanogaps بواسطة Nanoskiving

نحن تصف تصنيع الجهاز وبروتوكول القياس لأنابيب الكربون القائمة على أجهزة الاستشعار عالية التردد. تردد تقنية الاستشعار عالية يخفف من الأيونية الأساسية (ديباي) تأثير الفحص ويسمح أنابيب جهاز الاستشعار البيولوجي وسيتم تشغيلها في حلول عالية القوة الأيونية حيث فشل أجهزة الاستشعار الالكترونية التقليدية. توفر التكنولوجيا لدينا منصة فريدة لنقطة من الرعاية (POC) أجهزة الاستشعار الإلكترونية التي تعمل في ظروف ذات الصلة من الناحية الفسيولوجية.

تصنيع الكربون الأنابيب الجزيئية عالي التردد الكترونيات النانو جهاز الاستشعار البيولوجي للاستشعار عالية في حلول القوة الأيونية

وتعرض هذه الورقة على بروتوكول تلفيق مفصلة لبوابة المعرفة من قبل أشباه الموصلات النقاط الكمومية الجانبية على heterostructures الغاليوم. وتستخدم هذه الأجهزة النانومترية الحجم إلى اعتراض بعض الإلكترونات للاستخدام كما بت الكم في معالجة المعلومات الكمومية أو لإجراء التجارب جرحشاعثزرحشرتاد أخرى مثل قياسات تصرف متماسك.

النانوية من بوابة المعرفة الغاليوم / AlGaAs الجانبي نقاط الكم

نفيدكم طريقة بسيطة لافتعال مجموعة كثافة عالية جدا من أسلاك العضوية الصغيرة الجزيئي أمر عموديا. هذا الأسلوب يسمح لتوليف معقدة heterostructured هندستها أسلاك متناهية الصغر الهجين، التي يمكن زراعتها غير مكلفة على ركائز التعسفي. هذه الهياكل أن تكون لها تطبيقات محتملة في مجال الالكترونيات العضوية، والإلكترونيات البصرية والاستشعار الكيميائية، والخلايا الكهروضوئية والإلكترونيات المحورية.

فوق العالي الكثافة صفيف من الانحياز عموديا الأسلاك المتناهية الصغر العضوية الصغيرة الجزيئية على ركائز التعسفي

&lt; p class = 'jove_content'&gt;تمت مناقشة عملية التصنيع وتقنيات التوصيف التجريبية ذات الصلة بمضخات الإلكترون المفردة القائمة على النقاط الكمومية لأكسيد معدن السيليكون وأشباه الموصلات.

السيليكون المعدنية أكسيد أشباه الموصلات الكم النقاط لالضخ وحيد الإلكترون

نبلغ عن بروتوكول للجمع بين القياس الذري لمجهر المسح النفقي للزخرفة السطحية مع ترسيب الطبقة الذرية الانتقائي وحفر الأيونات التفاعلية. باستخدام عملية قوية تنطوي على العديد من التعرض للغلاف الجوي والنقل ، يتم تصنيع الهياكل النانوية ثلاثية الأبعاد مع القياس الذري.

يمكن عزوها بالذرة البنية النانوية تلفيق

في هذه الورقة، وتدفق ويتجلى ديليكتروفوريسيس مساعدة للتجميع الذاتي لأجهزة أسلاك متناهية الصغر. ويرد تصنيع الترانزستور تأثير المجال أسلاك متناهية الصغر السليكون كمثال.

ديليكتروفوريسيس ساعد تدفق: طريقة منخفضة تكلفة لتصنيع الأجهزة عالية الأداء الحل مفهرسة أسلاك متناهية الصغر

نقدم هنا، بروتوكولا للتحكم في عدد الناقل في المواد الصلبة باستخدام الكهرباء.

المجال الكهربائي لسيطرة الدول الإلكترونية في نانوديفيسيس2 WS بالكهرباء النابضة

تعلم تقنية تصنيع موثوقة للنانو إلكترونيات ثنائية الأبعاد باستخدام MoS2 و lithography الإلكترونية. تُحسّن هذه الطريقة دقة تحديد مواد ثنائية الأبعاد لتطوير أجهزة صغيرة النطاق.

طريقة قياسية وموثوقة لاختلاق النانو ثنائي الأبعاد

استكشف المزيد من الفيديوهات