本文描述了在同步辐射光束线上进行X射线束感应电流测量的实验装置。该方法揭示了太阳能电池的纳米尺度性能,并扩展了多模态X射线显微技术的应用范围。从电路连接到信噪比优化,本文展示了如何在硬X射线微探针上开展先进的XBIC测量。
本文描述了在同步辐射光束线上进行X射线束感应电流测量的实验装置。该方法揭示了太阳能电池的纳米尺度性能,并扩展了多模态X射线显微技术的应用范围。从电路连接到信噪比优化,本文展示了如何在硬X射线微探针上开展先进的XBIC测量。
X射线束诱导电流(XBIC)测量可用于绘制 电子器件(如太阳能电池)在纳米尺度上的性能。理想情况下,XBIC可与其他技术结合,采用多模式X射线显微方法同步进行。本文提供了一个将XBIC与X射线荧光联用的示例,以实现电学性能与化学成分在逐点基础上的相关性分析。为了在XBIC测量中获得最高的信噪比,锁相放大技术起着关键作用。在此方法中,X射线束在到达样品前通过上游的光学斩波器进行调制。由调制X射线束诱导产生的电信号通过锁相放大器进行放大,并以斩波频率进行解调。通过优化低通滤波器设置、调制频率和放大倍数,可有效抑制噪声,从而提取清晰的XBIC信号。类似的装置也可用于测量X射线束诱导电压(XBIV)。除了标准的XBIC/XBIV测量外,还可以在施加偏置光或偏置电压的条件下进行XBIC测量,以在实验中重现太阳能电池的实际户外工作条件 原位 和 原位操作 测量。最终,在纳米尺度上对电子器件进行多模态、多维度的评估,能够深入揭示材料组成、结构与性能之间复杂的相互依赖关系,这是解决材料科学范式难题的重要一步。
在电力能源需求持续增长的世界中,清洁且可持续的能源变得愈发必要。满足这一需求的可能途径之一是光伏(PV)系统1,2,3。为了有针对性且高效地开发下一代太阳能电池,必须理解太阳能电池的组成和结构如何影响其性能4。太阳能电池研发中的典型问题包括:哪些类型的缺陷最具危害性,以及它们位于何处5,6?元素分布是否存在不均匀性,其影响如何7,8,9?在组件组装和老化过程中,太阳能电池会发生怎样的变化10,11?
由于太阳能电池的性能取决于其最薄弱的部分,因此了解成分和结构变化对多晶太阳能电池性能的影响尤为重要,因为这类电池本质上存在非均匀性7,8。这一点对于薄膜(TF)太阳能电池尤为显著,其吸收层包含微米量级晶粒尺寸的晶粒。在此类电池中,晶界对性能的影响最受关注,但由于晶界尺寸微小且深埋于整个层叠结构之中,给表征带来了独特挑战。此外,多组分吸收层中存在共存相和内部梯度,化学组成复杂,需要采用先进的表征方法12。
基于同步辐射的硬X射线显微镜能够满足薄膜太阳能电池的表征挑战:其可提供低至纳米尺度的X射线光斑尺寸13,14,15,16,且硬X射线的穿透深度允许探测器件中不同层结构17,包括埋藏的吸光层。在扫描X射线显微镜上结合多种不同的测量技术,可在多模态测量中同时研究太阳能电池的多个不同方面,并对所观察到的特性进行关联分析。例如,X射线束诱导电流(XBIC)测量已成功与X射线荧光(XRF)7,18,19、X射线激发光学发光(XEOL)20,21以及X射线衍射(XRD)22相结合,分别实现电学性能与成分、光学性能和结构之间的关联23。
在对太阳能电池或其他待测器件(DUT)进行XBIC测量期间24,25,入射的X射线光子会引发由电子和光子组成的粒子簇射,导致半导体吸光材料中每个入射X射线光子产生大量受激的电子-空穴对。最终,这些电子-空穴对弛豫至太阳能电池吸光层的能带边缘。因此,这些由X射线激发的载流子可被视为与在常规太阳能电池工作过程中吸收能量略高于带隙的光子所产生的载流子类似,所产生的电流或电压可被测量为X射线束诱导电流23,26,27或电压(XBIV)28,29,其原理类似于更常见的电子束诱导电流(EBIC)或激光束诱导电流(LBIC)测量。因此,XBIC/XBIV信号不仅取决于吸光层的厚度,还取决于DUT在微观和宏观尺度上的电学性能,包括局部带隙、费米能级分裂以及复合特性。由此,我们能够绘制出载流子收集效率的局部变化图谱,该效率定义为吸光层中一个外部激发产生的电子-空穴对被DUT电极收集的概率。
需要注意的是,只有在待测器件(DUT)的吸收层中产生的电子-空穴对才会对XBIC/XBIV信号有贡献。在其他层(如金属电极或衬底)中产生的载流子会立即发生复合,因为它们无法通过结区被分离。因此,其他层仅通过寄生X射线吸收或发射可能在吸收层中被重新吸收的次级光子和电子等次级效应影响XBIC/XBIV测量结果。相比之下,所有层都可能对XRF信号产生贡献。
由于XBIC和XBIV信号可能非常微弱(通常需要关注亚皮安培和纳伏范围内的变化),这些信号很容易被噪声淹没。因此,我们建议采用锁相放大技术来提取XBIC和XBIV信号30。为此,入射X射线束通过一个光学斩波器进行调制,如图 1所示。这种调制会传递到被测器件(DUT)产生的信号上。在将信号输入锁相放大器(LIA)之前,通常使用前置放大器(PA)将原始信号强度匹配至数字LIA输入端模数转换器的工作范围。LIA将调制后的测量信号与参考信号进行混频。通过使用低通滤波器,仅允许接近参考信号频率的成分通过并被放大31。这使得能够从噪声背景中有效提取XBIC或XBIV信号。
在本实验方案中,我们介绍了进行成功的XBIC测量所需的前提条件和操作步骤,包括原始信号(直流,DC)和调制信号(交流,AC)。除了描述技术细节外,我们还以PETRA III同步辐射装置P06光束线的多模态测量为背景,讨论了XBIC的实验配置13。请注意,与大多数实验室实验相比,硬X射线纳米探针实验站的环境需要特别的规划和考虑。特别是,纳米尺度分辨率的多模态测量给实验人员带来了多种特定限制。例如,压电驱动电机和其他设备(如探测器电源)常常产生幅度较大的电子噪声。此外,大量设备和探测器需要以优化的几何布局进行安置,同时避免相互干扰或引发振动。图 1展示了一种典型的XBIC测量装置,该装置同时结合了X射线荧光(XRF)和小角/广角X射线散射(SAXS/WAXS)测量。
1. 设置测量环境
2. 设置 XBIC 测量
将信号作为被测设备的模拟交流信号。
始终为正,只要输入至V2F转换器的信号不为负值,则无需对信号进行分路及对其中一路进行反相。若需同时记录相位信息,建议输出相位
此外
, 或同相分量
和正交分量
.3. XBIC 测量
(Hz)形式保存,需将计数率还原为电流。
(V/A),此处
信号(以安培为单位测量)被放大并转换为电压。
(V/V)。
(V),该范围映射到频率范围
(Hz)。
,使用以下方程从数据采集系统(DAQ)排序的频率值得到以安培为单位的 XBIC 值:
,其中
,
是一个取决于调制波形的因子32。
;对于三角波,
;对于方波,
。在硬X射线纳米探针上测量薄膜太阳能电池的典型值为:
,
,
,
。
以消除形貌变化的影响,使用28:
,
为 X 射线衰减系数33,
为吸收体元素
的质量密度,可通过同步 X 射线荧光(XRF)测量获得17。
,使用23:
,
和
分别为电子-空穴对的生成率和收集率,
为入射光子速率,
为元电荷,
为材料常数。
,使用:
,
为每入射 X 射线光子在 DUT 吸收层中沉积的能量,
为吸收材料的带隙,
为常数。
因子用于描述电子-空穴对生成的能量效率。通常可近似23,34为
。
,使用:
,
被解释为等效太阳光强数量,
为 X 射线束的横截面积,
为标准测量条件下的短路电流密度35。在XBIC测量中使用锁相放大技术的关键优势在于,与标准放大测量相比,信噪比显著提高。前五个部分将讨论对成功实现锁相放大XBIC测量尤为关键的测量设置,包括:(a) 信号调制;(b) 前置放大;(c) 锁相放大器中的信号混频;(d) 锁相放大器的低通滤波器频率;(e) 锁相放大器的低通滤波器滚降。
这些设置影响的示例如图3、图4、图6所示。实验中,实验室装置使用红激光(
)代替X射线束,并通过光学斩波器以
2177.7 Hz进行调制。荧光灯管用作偏置光源。被测器件(DUT)为具有Cu(In,Ga)Se2(CIGS)吸收层的薄膜太阳能电池。尽管针对其他被测器件可能选择不同的测量设置,但此处描述的确定合适参数的一般性指导原则适用于多种被测器件,例如具有不同吸收层的太阳能电池或纳米线。前置放大器(PA)的放大倍数设为
。此处讨论的影响同样适用于其他类型的前置放大器。若无特别说明,锁相放大器(LIA)的低通滤波器滚降斜率为48 dB/倍频程。
以下部分(f)至(i)展示了 XBIC 测量与其他测量模式联用时的可能性与挑战的典型结果。在(f)中,讨论了飞扫模式下 XBIC 测量的特定挑战。在(g)中,结合了 CIGS 太阳能电池的 XBIC 与 XRF 测量结果,并探讨了在施加偏置电压条件下锁相放大技术的影响。在(h)中,将 XBIV 作为 CIGS 太阳能电池的一种附加测量模式。在(i)中,展示了 CdS 纳米线的 XBIC 与 XRF 元素组成数据。对于(f)至(i)各节中的所有 XBIC 测量,我们均采用了材料与试剂表中所列的前置放大器(PA)和锁相放大器(LIA)。
(a)入射信号的调制
图3 显示了使用示波器测量的待测器件(DUT)在无(上排)和有(下排)偏置光开启情况下的前置放大信号响应。由于前置放大器(PA)将电流转换为电压,显示的信号单位为伏特(V)。信号呈负值是由于太阳能电池的电极连接方式所致,其中p型和n型接触分别连接到前置放大器输入端的屏蔽层和芯线。在XBIC测量中,太阳能电池的电极连接需遵循本实验方案第1.3.6节中讨论的前电极必须接地的要求。
比较图3A与图3D,我们注意到存在一个约8 mV的偏移信号,在打开荧光灯管的偏置光后,该信号偏移至-65 mV。此外,偏置光显著增强了短时间尺度上的信号波动。这种约70 mV的偏置偏移可能带来问题,因其接近前置放大器(PA)和锁相放大器(LIA)的接收范围极限。由于我们希望充分利用PA的整个动态范围,因此更倾向于采用如图3A-C所示的小偏移情况。因此,所有非故意引入的偏置源(例如环境光照)均应予以消除。
添加一个斩波的光子源,如图3B、C、E、F所示,当光束通过斩波器叶片时,无论有无偏置光,诱导信号均增加相同的幅度——约66 mV;当光束被叶片遮挡时,信号保持在相应偏移量的水平,符合预期。斩波器频率在图3B和3E的信号中清晰可辨,其周期为
ms。
在图3D-F中,我们注意到一个频率为90 kHz的额外调制信号。该高频调制的来源是荧光灯管的电子镇流器,其驱动频率为45 kHz。尽管锁相放大能够区分不同调制频率的贡献(如图6所示),但降低噪声信号对于获得良好的测量结果至关重要。环境光只是可能的噪声源之一,其他电子设备也可能引入噪声,并叠加到信号上。需要注意的是,偏置光并不总是不希望存在的噪声,通常会特意施加偏置光,以使待测器件(DUT)处于工作状态。
在图3B、C、E、F中,我们进一步注意到,待测器件(DUT)在辐照强度变化时的响应存在延迟。这些上升时间效应将在下一节中更详细地讨论,其来源包括两种不同的效应:首先,待测器件响应在2177.7 Hz调制下的急剧上升和下降,受到前置放大器(PA)中低通滤波器的延迟作用;其次,信号在更慢的时间尺度上继续上升或下降(例如,在图3C中0.68至0.80 ms之间可见),我们将其归因于太阳能电池中缺陷态的占据动力学过程。
(b) 预放大
前置放大器不仅放大待测器件的调制信号,还可能显著改变其波形。如上所述,太阳能电池的电极结构使得在光照下测得负电压。图 4 所示的测量未添加偏置光。
在放大强度保持不变的情况下,通过逐步增加滤波器上升时间进行测量,以展示其影响。在许多情况下,滤波器上升时间与硬件放大倍数相关联。放大倍数越强,响应时间越长,前置放大器中低通滤波器的截止频率也越低36,37。
如图4上图所示,当滤波器上升时间为10 µs时,信号几乎无延迟,峰峰值范围约为10 mV至-65 mV,并在峰值处达到稳定平台。当滤波器上升时间为100 µs时,调制信号中可观察到延迟效应,但调制仍清晰可辨,且幅度范围与10 µs时相近。当滤波器上升时间为1 ms时,已超过调制周期(0.46 ms),因此调制信号被抑制至10 mV以下,波形仅反映上升沿和下降沿的初始部分,显然不适用于定量XBIC测量。尤其在将快速调制频率
与强放大结合时,必须牢记增益与滤波器上升时间之间的这种关系。
(c)信号混合
标准信号放大与锁相放大之间的关键区别在于将被测器件信号与参考信号混合,并通过低通滤波器抑制高频成分。
混频的信号路径如图5所示。在讨论信号混频时,需作若干简化。参考信号可描述为正弦信号
(6)
,
其中
为参考信号的幅值,
为参考信号的调制频率。输入锁相放大器(LIA)的待测器件(DUT)调制信号可类似表示为
(7)
,
其中
为幅度,
为被测器件信号的调制频率,
为被测器件信号相对于参考信号的相位偏移。
由(1)和(2)可得,混合信号为:
(8)
。
被测器件(DUT)的调制频率即为参考频率,
。因此,采用三角函数原理
(9)
可以将
重写为两个具有不同频率项的和:
(10)
.
低通滤波器可抑制快速信号
,从而使锁相放大信号可被近似38,39为
(11)
.
待测器件信号与参考信号混合后称为同相分量
,而待测器件信号与相移90 ° 的参考信号混合后称为正交分量
:
(12)
(13)
。
由公式(12)和(13)可得,RMS 幅值
(14) 
以及相位
(15) 
利用双参数反正切函数可以获得混合信号的相位。许多锁相放大器在测量过程中具有内部相位调节功能,可将
调节至零。
(d)低通滤波器频率
图6 展示了偏置光和不同低通滤波器设置对锁相放大均方根振幅
的影响。我们使用了一台锁相放大器,可同时记录不同滤波参数下产生的信号。
低通滤波器的截止频率
定义了信号衰减至50%时的频率。低于该频率的信号可被通过,而高于该频率的信号则被抑制。图6A、E 显示了截止频率
= 466.7 kHz 时的直接信号,此设置实际上无法有效消除噪声或低频调制,而是让这些成分随原始信号一同通过。将原始预放大信号转换为均方根幅值
时,对于远低于
的频率,会引入一个额外的
因子。例如,一个
的恒定输入电压将被输出为
。
而平均偏移量在 图6E 在无偏置光时可忽略不计(平均约为2 mV),在有偏置光时则增加至平均约75 mV图6A)。这种差异的强度与之间的差异相当 图3A 以及 图3D,但需注意这些是独立的测量。在这两种情况下,开启斩波光源会导致显著增加的
,以及峰峰值变化的
对应于所示原始信号的峰-峰值变化 图3B 以及 图3E.
在图6B、F中,使用截止频率为
1000 Hz的低通滤波器后,显示了RMS幅值
。如图6B所示,由于偏置光的存在仍可观察到偏移,但平均偏移较小,约为18 mV。该偏移由荧光灯的100 Hz调制引起,而90 kHz的调制信号则被低通滤波器阻断。此外,“光束开启”状态下的噪声水平仍然显著,峰峰值波动约为46 mV,而平均信号值为32 mV。在无偏置光的情况下(图6F),“光束开启”期间的峰峰值波动约为17 mV,平均值为23.5 mV;“光束关闭”期间的平均偏移小于0.5 mV。这些测量结果表明,截止频率为
1000 Hz的低通滤波器与
2177.7 Hz的斩波频率组合并非理想:携带调制频率的信号仅被低通滤波器部分衰减,未能完全抑制。残留部分导致“光束开启”状态下出现显著的峰峰值波动
。当存在偏置光时,荧光灯电网频率引起的100 Hz调制进一步增大了峰峰值。
在图6C、G中,偏置光的影响极小:10.27 Hz的低通滤波器滤除了大部分噪声和荧光的调制信号,从而可提取出清晰的束流诱导信号。尽管此处几乎不可见,但在施加偏置光时,噪声的偏移和离散程度仍略大。这可能是由于杂散光穿过斩波轮照射到待测器件(DUT)所致。因此,建议将斩波器安装在更上游的位置,以避免杂散光被调制。
图6D 和 H 分别为 图6B、C、F、G 中 6 秒后从“光束开启”到“光束关闭”变化的局部放大图。在 图6D 中,低通滤波器截止频率为
1000 Hz 时,可观察到叠加的 100 Hz 调制信号(荧光灯频率)。此外,当光束关闭时,与截止频率为
1000 Hz 的滤波器相比,截止频率为
10.27 Hz 的滤波器信号存在延迟。类似于光电探测器上升时间较慢的情况,锁相放大器中低通滤波器的低
会导致
对信号变化的响应变慢。
综上所述,我们发现,采用截止频率
为 10.27 Hz、衰减速率 48 dB/倍频程(见下节)的低通滤波器,在本案例中可在扫描速度(倾向于较高的
值)与偏置光或噪声抑制(倾向于较低的
值,尤其低于电网频率 50 Hz 时)之间实现最佳折衷。
(e)低通滤波器滚降
与许多数字锁相放大器一样,此处使用的型号采用了所谓的离散时间RC滤波器或指数滑动平均滤波器,其特性与模拟电阻-电容(RC)滤波器非常接近40。除了前一节中讨论的滤波器截止频率外,仅有一个自由参数,即滤波器阶数
,它定义了截止斜率,为
dB/倍频程。
图 7A 展示了滤波器阶数对不同截止频率下频率相关衰减的影响,这些截止频率对应的时间常数分别为
ms 和
ms。介于这两个极端值之间的时间常数适用于大多数 XBIC 测量。滤波器衰减已在频域内计算40,其计算方法为复数传递函数的幅值平方
(16)
作为频率
和阶数为
、时间常数为
的滤波器的函数。高阶滤波器的传递函数可通过串联连接的各个滤波器传递函数相乘得到。类似于
,我们定义
和
分别为衰减达到 5% 和 95% 时的频率。这些频率与
的乘积为常数,其值在表 1中给出,用于截止频率与滤波器时间常数之间的换算。
在时域中,滤波器响应
用于
从输入信号递归计算得出
在离散时间点定义的
,
,
, 等等,间隔为采样时间
:
(17)
滤波器对不同参数的响应
通过多次迭代公式 17 进行计算
由……计算得出
和
. 滤波器对在时间0处上升以及在时间
)如图所示 图7B 对于1到8阶滤波器,作为时间(以单位时间计)的函数
请注意,响应相对于输入信号存在延迟,且该延迟随输入信号的增加而增大
延迟被量化为 表1 作为时间的倍数
,
,以及
,分别对应透射信号达到5%、50%或95%的范围。
在设计实验时,选择合适的滤波器滚降速率与选择截止频率同样关键。在 (g) 节介绍的应用 1 中,采用 1177 Hz 的斩波频率、100 ms 的驻留时间以及 8 阶滤波器下 40 Hz 的截止频率,获得了高质量的 XBIC 测量结果。根据表 1中的数据,这对应于
,以及
。该时间远短于驻留时间,因此不会引入延迟伪影。
(f) 停留时间校正
在经典的步进式测量中,扫描平台移动至标称位置,当精确到达该像素位置后,触发该点的测量开始。对于较短的停留时间,定位时间会成为总扫描时间的限制因素,这促使了所谓的“飞扫”或连续测量模式的发展:在此模式下,扫描平台持续移动,测量数据则在后期处理中根据编码记录的平台位置分配到各个像素。然而,这可能会引发额外的问题,如图8所示。在此例中,样品台的电机在
方向上未均匀移动,导致每个像素的停留时间不同(见图8A)。停留时间的变化直接反映为XBIC测量值的波动,如图8C所示。因此,XBIC信号需要对停留时间进行归一化处理,其结果如图8D所示。类似地,通常还需要对光束强度的变化(如图8B所示)通过归一化至光子通量来进行校正。归一化至光子通量的XBIC信号如图8E所示;为最小化绝对XBIC定量中的误差,光子通量本身已被归一化为其中位数值。图8F展示了同时对停留时间和光子通量归一化的XBIC图像,从而显著降低了大多数测量伪影的影响。最后,图8G展示了利用公式(1)将XBIC数据从计数率转换为电流后的结果。
(g) 应用实例1:施加偏压电压和X射线荧光的太阳能电池XBIC测量
图9A-B 展示了锁相放大对X射线束诱导电流测量中信噪比的影响。图9A 中直接信号的噪声明显可见:逐行之间的强烈强度对比表明存在测量伪影,而被测器件(DUT)的细微XBIC变化则淹没在随机变化的信号中。相比之下,这些细微特征在图9B 中清晰可辨。需要注意的是,尽管在测量前已对系统进行了优化,图9A 中的噪声水平仍因未知原因异常偏高。在此类情况下,锁相放大带来的信噪比提升显著高于标准放大(例如第(i)节中的应用3)下信噪比本已较高时的情形;在后者情况下,锁相放大仅能带来微小的改善。
使用PA时,分别对样品施加-50 mV的正向偏压(图9C)和+50 mV的反向偏压(图9D),并对图9A-B所示区域重新扫描。图9B中占主导地位的特征在图9C和图9D中仍然可见,但清晰度有所降低,因为图像噪声更大。其原因是施加偏压或偏置光会引入一个直流信号,该信号通常比调制的XBIC信号大几个数量级。最终,直流信号与调制信号的比值限制了锁相放大技术的应用。尽管信噪比较差,但值得指出的是,锁相放大技术使得在施加偏压和偏置光的条件下实现太阳能电池纳米级性能成像成为可能,而若无此技术则几乎无法实现30。
由于CIGS太阳能电池的性能与其吸收层的成分相关7,41,我们同时测量了X射线荧光(XRF)信号与XBIC信号。图9E-F展示了Ga和In的浓度分布。这两种元素均为吸收层的组成部分,其比例被认为对太阳能电池的性能具有重要影响7。Ga的统计计数远高于In,这是由于在10.4 keV的激发能量下,Ga具有更高的吸收系数和更少的自吸收效应。由于In的统计计数较低,In分布图中的特征几乎不可见,而Ga的浓度分布则足够清晰,可与图9B中的电学性能进行关联分析。为了获得更强的In信号,可选择更长的停留时间,或选择In吸收截面更大的激发能量。这说明了足够长的停留时间以及根据目标元素优化入射束能量的重要性。
在长时间停留和大范围扫描时,还需注意另一个问题:在持续数小时的测量过程中,样品漂移可能成为一个关键问题。温度波动(特别是在更换样品后或大范围电机移动后因散热不良)以及机械台组件的不稳定性,常常会导致样品漂移,这一点可通过比较图9D和图9B的垂直位置看出。
(h)应用2:结合XBIV与XRF的太阳能电池XBIC测量
图10 展示了对一个CIGS太阳能电池进行的多模态扫描,其中在图10A中,电池在短路条件下工作并测量XBIC,而在图10B中,电池在开路条件下工作并测量XBIV。在图10C中所示的X射线荧光(XRF)测量与XBIV测量同时进行。为了积累足够的XRF计数,在图10B-C中每个像素点的驻留时间为0.5秒,而图10A中为0.01秒。因此,与XBIC测量相比,XBIV测量可采用更低的低通滤波器截止频率(分别为10.27 Hz和501.1 Hz,滚降斜率均为48 dB/oct)。若仅进行XBIV测量,我们本可以采用与XBIC测量相同的驻留时间及低通滤波器设置,并获得类似的信噪比。然而,综合来看,将XBIV与XRF测量结合,并以XRF测量决定驻留时间,比分别进行XBIV和XRF测量更为高效。
比较 图10A,以及 图10B,我们注意到短路电流
,以XBIC测量的短路电流和开路电压
以 XBIV 形式测得的结果呈现相关性:在两种测量模式中均可见大面积的高性能与低性能区域。这表明此处的性能主要受局部厚度变化和/或复合效应主导,而非带隙变化;若带隙变化为主因,则 XBIC 与 XBIV 中将呈现相反的趋势。28.
此外,结合图10C可以看出,某些性能较低的区域,例如在
处,与较低的Cu计数率相关,而在其他区域,性能与Cu计数率并无关联。
(i) 应用实例3:纳米线的XBIC与XRF分析
除了太阳能电池之外,带有电极的纳米线24 或纳米片以及量子点也是可受益于锁相放大 XBIC 测量的待测器件(DUT)的其他示例。作为演示,图11A 展示了来自 XRF 测量的元素分布,而 图11B 则展示了 CdS 纳米线对应的 XBIC 图谱。由 Pt 构成的两个电极与 CdS 纳米线可清晰区分,且 XBIC 信号呈现出相应的电学响应。尤其值得注意的是,XBIC 能够揭示位于 Pt 电极下方纳米线的电学性能,这一特性为 X 射线纳米探针所独有,归因于硬 X 射线的高穿透深度。对纳米线材料组成与电学性能的互补性分析,典型地展示了多模态 X 射线测量的优势。

图1:对被测器件(DUT)进行锁相放大X射线束诱导电流(XBIC)测量的装置示意图。 光束路径以红色表示。绿色部分表示可选的X射线荧光(XRF)和面探测器,用于多模态测量;黄色表示可选的偏置光源。XBIC测量的硬件组件以黑色标示,XBIC信号路径以蓝色表示,信号输出和输入分别用实心和空心圆圈表示。在数据采集(DAQ)之前,直流(direct current, DC)和交流(alternating current, AC)信号通过电压-频率转换器(V2F)由电压信号转换为频率信号。关于其他可选信号路径,请参见讨论部分的(a)部分。请点击此处查看该图的放大版本。

图 2:用于包括X射线束诱导电流在内的多模态X射线显微镜测量的运动学样品支架示例。 使用银漆将细铜线连接到Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) 太阳能电池的正面和背面电极,并与印刷电路板(PCB)的接触点相连。采用聚酰亚胺胶带将导线彼此隔离,以避免样品发生短路。 请点击此处查看此图的放大版本。

图3:施加偏置光和调制光束照射下太阳能电池的前置放大响应。 上排无偏置光,下排有偏置光:A 和 D - 光束关闭;B 和 E - 光束开启;C 和 F - 对 B 和 E 中红色矩形区域的放大图。请点击此处查看该图的放大版本。

图 4:前置放大器中三种不同滤波器上升时间(10 µs — 蓝色,100 µs — 红色,1 ms — 绿色)下太阳能电池在前置放大后的响应。 请点击此处查看此图的放大版本。

图5:锁相放大器的信号处理过程31。
为来自待测器件的信号输入,
为来自斩波器的参考信号。 请点击此处查看该图的放大版本。

图6:采用锁相放大检测的均方根振幅
,低通滤波器截止频率分别为
466.7 kHz(蓝色)、
1 kHz(紫色)、
10.27 Hz(红色),滤波器滚降斜率恒为48 dB/oct。被测器件为Cu(In,Ga)Se2太阳能电池,在有(A、B、C、D)和无(E、F、G、H)偏置光条件下进行测量。图中垂直虚线表示斩波光子束开启与关闭的时刻。请点击此处查看该图的高清版本。

图7:锁相放大器中低通滤波器设置的影响。A —— 在频域中,两个时间常数(
ms 和
ms)以及滤波器阶数从1到8时,低通滤波器的衰减特性。B —— 在时域中,当输入信号在时刻0从0阶跃至1、在时刻
从1阶跃至0时,对应不同滤波器阶数(1至8)的低通滤波器输出信号响应,单位为时间常数
。 请点击此处查看该图的放大版本。

图8:在PETRA III的P06光束线对Cu(In,Ga)Se2太阳能电池进行飞扫测量,光子能量为15.25 keV,聚焦通量约为
ph/s。前置放大器(PA)设置为
= 106 V/A,锁相放大器(LIA)设置为
Hz(48 dB/倍频程)。 A — 停留时间,B — 光子通量,C — X射线束诱导电流(XBIC);XBIC图谱归一化至:D — 停留时间,E — 光子通量(归一化至其中位值),F — 停留时间与归一化光子通量。G — 利用公式(1)将计数率转换为电流后得到的归一化XBIC信号。请点击此处查看该图的高清版本。

图9:在欧洲同步辐射装置 ID16B 光束线对 Cu(In,Ga)Se2 太阳能电池进行的 X 射线束诱导电流(XBIC)与 X 射线荧光(XRF)测量,聚焦通量约为
ph/s。 前置放大器(PA)设置为
V/A,锁相放大器(LIA)设置为
Hz(48 dB/倍频程)。光束能量为 10.4 keV,斩波器频率为 1177 Hz,低通滤波器截止频率为 40 Hz。驻留时间为 100 ms,像素尺寸为 40 nm × 40 nm。图 A、B、E 和 F 均在同一时间采集;图 C 和 D 分别在施加 50 mV 正向和反向偏压 50 分钟和 113 分钟后重新采集。 请点击此处查看该图的放大版本。

图10:在PETRA III的P06光束线上对Cu(In,Ga)Se2太阳能电池进行的多模态测量,所用聚焦通量约为
ph/s。光束能量为15.25 keV,斩波器频率为8015 Hz,像素尺寸为50 nm × 50 nm。A — X射线束诱导电流(XBIC),停留时间为0.01 s,前置放大器(PA)增益为
= 106 V/A,锁相放大器(LIA)设置为
Hz(48 dB/oct);B — X射线束诱导电压(XBIV),测量区域与A图相同,停留时间为0.5 s,LIA设置为
Hz(48 dB/oct);C — X射线荧光(XRF)测量获得的Cu计数率,与XBIV测量同步进行。请点击此处查看该图的放大版本。

图11:在先进光子源26-ID-C光束线、10.6 keV光束能量下测量的带有Pt电极的CdS纳米线的多模态表征。A - 来自X射线荧光测量的Pt和Cd分布。B - 与XRF测量同时进行的X射线束诱导电流(XBIC)测量结果,未使用锁相放大。 请点击此处查看该图的高清版本。

表 1:对于1至8阶的离散时间RC滤波器,信号衰减5%(
)、50%(
)和95%(
)时的时间常数与频率的乘积为常数,其值列于上半部分。下半部分给出了信号达到5%(
)、50%(
)和95%(
)所需的时间延迟,以时间常数
和截止频率的倒数
为单位。 请点击此处下载该Excel文件。
| XBIC | EBIC | LBIC | |
| 多模态能力 | ++ | + | + |
| 空间分辨率 | ++ | ++ | - |
| 穿透深度 | ++ | -- | + |
| 可用性 | -- | - | + |
| 样品损伤 | - | -- | ++ |
表2:X射线束诱导电流(XBIC)、电子束诱导电流(EBIC)和激光束诱导电流(LBIC)的定性评估。
在本章中,我们首先讨论与噪声(a)和扫描速度(b)相关的通用XBIC测量设置的重要性。接着,我们将XBIC测量置于多模态测量的背景下,探讨X射线束诱导损伤(c)以及多参数同步测量所面临的特定挑战(d)。最后,我们将XBIC测量与使用电子束和激光束作为探针的相关测量方法进行比较(e)。
(a) 噪声与误差
尽管与直接放大相比,锁相放大能够实现更高的信噪比,但必须避免在各个层面引入噪声,这一点在本文中已反复强调。有关进一步讨论,可参考关于微弱电信号测量的文献42,43,44,45。尽管目前最先进的锁相放大器基于数字信号处理技术,但大多数利用模拟锁相放大器降低噪声的策略仍然适用。
总之,应牢记电缆容易充当天线,从而将噪声引入系统。在X射线纳米探针环境中尤其如此,因为强烈的电磁场常常不可避免,其来源甚至可能未知。因此,应尽量缩短电缆长度,并调整其方向以使感应噪声水平最小化。对信号电缆进行额外屏蔽可进一步降低噪声水平。
正确连接待测器件(DUT)对于最小化噪声同样至关重要。一种接触点小且清洁可靠的连接方法是引线键合。然而,由于存在粘附性问题,该方法并不总是适用于薄膜太阳能电池。作为替代方案,基于石墨、铜或铝的导电胶带适用于较大的样品。在许多情况下,通过手动涂抹银浆将细铜线、金线或铂线与器件连接,可获得最佳效果。尽管胶带和石墨导电膏可能无法提供最优接触,但银浆容易造成器件短路,因此必须极其小心地施加。可使用聚酰亚胺胶带防止器件的正面与背面接触短路。
需要注意的是,从接触电极到信号传输的布线布局必须根据光束线的具体边界条件进行调整。例如,图1 所示的布局中,前置放大信号被同时分送至锁相放大器(LIA)和电压-频率(V2F)转换器,如果 V2F 转换器位于实验舱外,则该布局存在风险。在这种情况下,前置放大器与 V2F 转换器之间的长电缆可能引入噪声,并传递至锁相放大器。因此,我们区分了 XBIC 或 XBIV 测量中三种常见的信号传输路径情况:
情况A:使用前置放大器测量XBIC,且在前置放大器(PA)之后将直流/交流信号分离,如图1所示。在此情况下,可在前置放大器中施加电流偏移,使信号始终为正,从而无需通过两个独立的电压-频率(V2F)转换器分别记录正负信号。然而,其缺点是会降低锁相放大器(LIA)中可用的电压接受范围,导致灵敏度下降。
情况B:为避免将仅输入至锁相放大器(LIA)的预放大信号进行分流,可在LIA中使用额外的解调器,并将低通滤波器设置为最大值即 未锁定到调制频率,以便前置放大信号能够有效输出至数据采集(DAQ)单元,如图所示 图6A,E在这种情况下,可在输出端对交流和直流信号同时施加电压偏移,从而无需通过两个独立的电压-频率(V2F)转换器分别记录正负信号。这种方法的主要缺点仅为V2F可用频率范围的减小,但这种情况很少构成限制。
情况C:测量XBIV,且直流/交流信号在被测器件(DUT)与锁相放大器之间分流。在此情况下,无法在不对被测器件施加不期望的偏置电压的前提下对直流信号施加电压偏移,因此正负信号部分始终需要两个独立的V2F转换器。
在所有情况下,当信号的负向和正向部分通过两个不同的V2F转换器记录时,总XBIC或XBIV信号由正向通道与负向通道之差获得。如果锁相放大器(LIA)具备两个或更多解调器,我们通常更倾向于采用情况B,因为它能最大限度减少原始信号的布线,并便于在XBIC和XBIV测量之间轻松切换。
XBIC测量的误差在很大程度上取决于 所使用的设备和设置导致此处无法给出误差量化。由于实验误差和系统误差的存在,绝对误差高于预期。这种情况尤为明显 如果按照本方案所述,通过常数缩放将XBIC信号转换为电荷收集效率。例如,带隙与电离能之间的经验关系(由α描述,见公式4)存在显著的离散性;光子通量测量通常无法达到绝对误差低于10%的精度;且待测器件(DUT)的纳米级结构了解甚少。然而,我们强调,锁相放大XBIC与XBIV测量的优势在于其在图像或可比测量中具有极高的相对准确性。
(b) 扫描速度
在许多基于光子探测的测量模式中(如X射线荧光光谱或X射线散射),信号强度在一级近似下随采集时间线性增加,信噪比也随之提高。但对于载流子束感应电流(XBIC)测量而言,情况并非如此,其可能的扫描速度范围并非由计数统计学决定,而是由载流子动力学和器件结构等更复杂的因素所决定。
然而,每个像素采集多个调制信号周期的慢速测量通常能在锁相放大XBIC测量中获得最佳的信噪比,若测量时间允许,后期处理过程中通过过采样并进行平滑处理(例如合并像素或应用滤波器)可进一步降低噪声水平。然而,除通量因素外,其他限制条件也会对测量速度设定下限,包括:(1)X射线束诱导的样品退化(见下节),或测量期间环境因素引起的样品变化 原位 测量通常会缩短允许的停留时间。(2)样品漂移和载物台移动的可重复性可能成为限制因素,特别是在纳米尺度测量中。(3)更快的测量速度可能超过电磁噪声水平的变化。(4)尽管光子计数测量可轻易归一化至入射光子通量,XBIC信号(尤其是XBIV信号)仅在一定程度上与入射光子通量呈线性关系28因此,仅对光子通量进行归一化只能补偿光子通量变化带来的部分影响,在光子通量发生变化时应避免进行XBIC测量(如面扫或时间序列测量)。当储存环在XBIC面扫过程中被填充时,这一问题尤为突出。
如果XBIC测量速度不受其他测量模式的限制(参见(d)节),通常以能够提供满意信噪比的最大速度进行XBIC测量。测量速度的上限由以下因素决定:(1)测量速度的基本上限是待测器件(DUT)的响应时间。从根本上说,响应时间受限于载流子收集时间。对于大多数载流子寿命在纳秒或微秒量级的薄膜太阳能电池,这一点通常不是问题;但对于寿命达数毫秒的高质量晶体硅太阳能电池,则必须予以考虑。然而,电容效应也可能增加薄膜太阳能电池的响应时间,从而限制测量速度。(2)用于调制X射线束的旋转斩波叶片存在速度上限。根据其在X射线束中的位置,光束尺寸可能宽达1 mm,这决定了叶片的最小周期。若斩波器在真空中运行,其旋转频率很少成为限制因素,某些情况下甚至可匹配电子束团频率。然而,在真空中以如此高速运行斩波器具有挑战性,因此大多数斩波器在空气中运行。在此情况下,旋转速度受限于机械振动,最终受限于叶片最外缘的线速度,该速度必须低于声速。根据我们的经验,空气中的斩波频率通常限制在约7000 Hz。(3)在许多情况下,前置放大器(PA)的响应时间设定了测量速度的上限。如图4所示,为了有效传递来自斩波器的信号调制,前置放大器需要具备快速的上升时间。为实现高增益,通常使用低噪声电流放大器,但其上升时间可达100 ms。在此上升时间下,斩波频率可能被限制在几赫兹,这将要求数秒的驻留时间。因此,最佳策略通常是选择响应时间更快、增益较低的前置放大器,使其与斩波频率相匹配。尽管这会导致前置放大后的信噪比较低,但锁相放大通常仍能有效提取高质量的调制信号。
例如,所使用的功率放大器(PA)即使在低噪声设置下,也能在 µA/V 范围内提供超过 10 kHz 的带宽37。这使得可以在 kHz 范围内进行斩波,并结合截止频率介于扫描频率与斩波频率之间的低通滤波器,实现高达 100 Hz 范围的测量速度。这些正是我们经常采用的测量条件。
为避免测量伪影,沿放大链分析信号至关重要:锁相放大器(LIA)低通滤波器导致的限制容易在图像中作为线状伪影被检测到(XBIC信号在多个像素间扩散),而待测器件(DUT)和前置放大器(PA)的系统响应则需要通过示波器检查信号,该功能可集成于锁相放大器中。
(c) 电子束损伤
X射线束诱导损伤是一个常见问题,已在多种体系中被讨论,从生物样品到硅太阳能电池和探测器46,47。尽管无机半导体相比有机半导体或生物体系通常对X射线辐照更具耐受性,但在薄膜太阳能电池中,X射线束诱导损伤也普遍存在。具体而言,我们已观察到CdTe、CIGS29、钙钛矿18以及有机吸光层太阳能电池的X射线束诱导损伤。需要注意的是,诸如太阳能电池等被测器件(DUT)的电子响应对低于ppm水平的缺陷浓度极为敏感,此时载流子复合会影响器件性能,而尚未出现明显的化学损伤。
因此,通常需要测试待测器件(DUT)对电子束损伤的敏感性。在实际操作中,我们在进行正式的XBIC测量之前,先评估X射线束对任何待测器件引起的性能退化情况,并确定能够使测量结果受干扰最小的实验条件。 由降解效应引起。
应对X射线束诱导损伤存在多种策略,但这些策略的共同点在于,均旨在评估某测量位置的性能之前,降低该位置所受的辐射剂量。换句话说,其目标是遵循这一范式,以速度超越损伤的累积过程 "测量速度要快于被测器件的退化速度"策略包括:(1)使用较短的停留时间;(2)增大步长,降低测量分辨率;(3)通过衰减滤光片降低X射线束强度。根据光束线和待测器件(DUT)的不同,可选择其中一种或多种方法组合使用。例如,若缺乏快速快门或飞扫模式,则无法采用方法(1);而采用分区板(zone plates)产生的广泛X射线束分布,可能在远离中心光束位置处导致显著的性能下降。
幸运的是,大多数降解机制仅导致局部载流子复合增强。这将降解的横向影响限制在载流子的扩散长度范围内,远离降解区域的XBIC测量结果几乎不受影响。相反,如果降解机制导致待测器件(DUT)发生局部短路,则后续的XBIC测量将受到严重干扰。为了将沉积的辐射剂量保持在最低水平,应首先在未辐照的新区域进行关键测量,随后可在同一位置使用对束流损伤较不敏感但光子需求较高的方法,如XRF。
(d)多模态测量
XBIC 与其它测量模式的兼容性使得能够将电学性能与同时测定的参数进行逐点直接关联23。本文简要讨论 XBIC 测量与 XBIV、XRF、SAXS、WAXS 和 XEOL 测量的联用。虽然可以设想将其与其他测量模式(如电子产率或全息术)结合,但这些模式通常与扫描测量的装置或模式不兼容。
即使探测器与样品在几何布局上能够实现XBIC、XBIV、XRF、SAXS、WAXS和XEOL的同步测量,仍存在一些基本的和实际的因素,限制了所有模式的同步表征。
(1)太阳能电池的工作状态无法同时进行XBIC(短路)和XBIV(开路)测量。由于XEOL48,49检测的是电子-空穴对的辐射复合过程,而太阳能电池的测量电流(XBIC)会构成竞争性过程。因此,XEOL测量通常在开路条件下进行,该条件可与XBIV的同步测量相兼容。
(2)如果束流损伤对XBIC或XBIV测量构成影响,则不应将其与耗光量较大的技术(如XRF或XEOL)联用。经验表明,束流损伤效应首先在电学信号(XBIC)中显现。 & XBIV)以及光学性能(XEOL),这些特性对通过电子缺陷发生的载流子复合具有敏感性。其次,结构损伤出现(在SAXS中可见) & WAXS),随后通过XRF观察到成分变化。
(3)尽管对X射线束进行斩波通常适用于所有测量模式,但可能引发伪影:首先,每个像素积分的光子通量会因斩波轮在一个周期内通过的积分通量不同而变化。当斩波频率与扫描频率之比越小时,该效应越显著。其次,斩波轮与X射线束之间的相互作用可能产生散射、衍射和荧光光子。第三,积分光子通量会降低50%,这对于光子需求较高的测量模式尤为关键。
基于上述考虑,理想的测量方案取决于具体的待测器件(DUT)以及对测量模式的优先级安排。然而,通常建议首先采用针对XBIC优化的测量方式。如果需要进行锁相放大XBIV测量,则通常将其安排为第二次扫描。否则,可移除斩波器,并根据最耗光子的技术所需,以更长的停留时间依次完成所有其他测量,包括标准XBIV测量。理想情况下,XRF数据应在所有扫描过程中同步采集,以便在后期处理中实现图像配准,从而校正样品漂移。
(e) 用于束流诱导测量的不同探针
对于评估器件在空间分辨下的电学性能,除X射线束外,还可采用其他探针,各自具有特定的优缺点。因此,表2对X射线束诱导电流(XBIC)、电子束诱导电流(EBIC)以及激光束诱导电流(LBIC)进行了定性比较,其中EBIC通常在电子显微镜中测量,LBIC则可通过光学装置进行测量。
激光激发产生的电子-空穴对最接近太阳能电池在户外工作条件下的情况。然而,激光束诱导电流(LBIC)的空间分辨率从根本上受限于激光的波长。电子束诱导电流(EBIC)测量能够提供更高的空间分辨率,其分辨率通常受限于电子束与待测器件(DUT)相互作用的作用半径。EBIC测量的主要缺点是其对表面敏感,难以评估通过整个层叠结构甚至已封装器件中吸光层的性能。此外,待测器件表面不平整,结合非线性的二次电子发射效应,常常导致EBIC结果失真。相比之下,X射线束诱导电流(XBIC)测量几乎不受表面形貌变化的影响,因为大部分信号产生于体材料的深层,且通过适当的接地可有效缓解表面电荷效应。
这三种束流诱导技术的共同点是电荷注入高度不均匀,在束流位置处达到峰值。因此,过剩载流子浓度和电流密度的分布也是不均匀的。简化的图像中,太阳能电池的大部分区域处于无光照状态,而一个小区域则在高注入水平下工作,对于聚焦的束流,该水平可达到数百个太阳当量。注入水平的分布不仅取决于束流的尺寸和形状,还与束流能量、器件结构以及注入的时间结构有关。到目前为止,X射线束被视为连续束流,这对于比微秒慢的载流子收集过程是合理的。然而,来自同步辐射源的X射线是由亚100皮秒的脉冲组成的,其强度和脉冲频率取决于储存环的填充模式。尽管我们尚未观察到填充模式对相对较慢的XBIC测量产生任何影响,但短期的注入水平确实依赖于填充模式。相反,人们可以利用X射线的时间结构:类似于时间分辨XEOL21已展示的情况,可以设想进行时间分辨的XBIC或XBIV测量,或将XBIC/XBIV信号与电子束团频率同步锁定。
充分讨论非均匀注入水平的影响需要对所有相关电子束和器件参数进行完整的三维仿真,包括将随时间变化的注入水平与待测器件(DUT)中的三维迁移率和寿命进行卷积处理,这超出了本文的研究范围。然而,这一概念在所有束流诱导电流和电压测量中是相同的,我们建议参考文献中关于EBIC50和LBIC51测量中注入水平依赖性的讨论。
局部电荷注入的负面影响可通过施加相当于1个太阳光照强度的偏置光来实验性地缓解,同时仅引入可忽略不计的额外载流子。在实际应用中,该方法受到当前最先进的锁相放大器动态范围(100-120 dB)的技术限制,该动态范围对应105至106的信噪比。虽然这对于尺寸与光束相当的器件已足够,但无法在宏观器件上施加相关水平的偏置光。显而易见的解决方案是减小样品尺寸。然而,这通常受到样品边缘或接触点外达数百微米范围内的电学边界效应的限制。
还需注意,可以利用XBIC测量中注入水平的依赖性:类似于EBIC和LBIC,通过改变X射线束强度进行不同注入水平的系列测量,可揭示有关主要复合机制和载流子扩散的信息52,53。
综上所述,X射线的穿透深度结合高空间分辨率,使得XBIC成为在相关显微方法中研究具有埋藏结构的DUT(如薄膜太阳能电池)的最合适技术。XBIC测量的相互作用半径通常小于EBIC,其空间分辨率通常受限于载流子的扩散长度。XBIC测量的主要缺点是X射线纳米探针的可用性有限。
作者无任何利益冲突需要披露。
我们非常感谢德国电子同步加速器研究所(DESY)的 J. Garrevoet、M. Seyrich、A. Schropp、D. Brückner、J. Hagemann、K. Spiers 和 T. Boese,以及汉堡大学的 A. Kolditz、J. Siebels、J. Flügge、C. Strelow、T. Kipp 和 A. Mews,他们在 DESY 的 PETRA III 装置 P06 光束线上提供的测量支持;感谢美国阿贡国家实验室(ANL)的 M. Holt、Z. Cai、M. Cherukara 和 V. Rose,他们在阿贡国家实验室先进光子源(APS)26-ID-C 光束线上提供的测量支持;感谢欧洲同步辐射设施(ESRF)的 D. Salomon 和 R. Tucoulou,他们在 ESRF 的 ID16B 光束线上提供的测量支持;感谢 MiaSolé Hi-Tech 公司的 R. Farshchi、D. Poplavkyy 和 J. Bailey,以及瑞士联邦材料科学与技术研究所(EMPA)的 E. Avancini、Y. Romanyuk、S. Bücheler 和 A. Tiwari 提供的太阳能电池。我们感谢德国汉堡的德国电子同步加速器研究所(DESY)——亥姆霍兹联合会(HGF)成员——提供实验设施。我们感谢法国格勒诺布尔的欧洲同步辐射设施(ESRF)提供同步辐射设施。本研究使用了先进光子源的资源,该设施是美国能源部(DOE)科学办公室下属用户设施,由阿贡国家实验室为美国能源部科学办公室运营,合同编号为 DE-AC02-06CH11357。
| 姓名 | 公司 | 目录编号 | 评论 |
|---|---|---|---|
| BNC 电缆和连接器 | 来自通用电缆供应商 | ||
| 斩波器叶片 | Thorlabs | MC1F10HP | 除斩波轮与斩波系统的机械兼容性外,还需确认斩波器叶片能够充分阻挡 X 射线束。 |
| 导电银漆 | Conrad | 530042 | 其他可选产品可从 Pelco 等供应商获取 |
| 铜线 | 来自电缆供应商,用于太阳能电池的电极连接 | ||
| 电流前置放大器 | Standford | SR570 | 可选替代产品包括 Keithley 487 或 6487 皮安计。 |
| 待测器件(DUT) | 适用于 XBIC 测量的器件。 | ||
| 带印刷电路板的支架 | 定制设计 | ||
| 运动学样品台 | Thorlabs | KB25/M | 可选配件,便于样品的精确定位和更换。其他可选型号包括 Newport 的 M-BK-1A |
| 锁相放大器 | Zurich Instruments | UHFLI 或 MFLI | MFLI 内置电流前置放大器,而 UHFLI 需要外接电流前置放大器,但提供更多功能选项。因此,本实验采用 UHFLI。 |
| 测量控制/数据采集单元 | 在不同同步辐射装置上均可获得 | ||
| 光学斩波器 | Thorlabs | MC2000B(-EC) | 可选替代产品包括 Stanford Research Systems 的 SR540 斩波器,或 Newport 的 3502 型号。 |
| 聚酰亚胺胶带 | 可提供不同宽度和厚度的卷材 | ||
| X 射线源 | 在不同同步辐射装置上均可获得 |
申请许可以重复使用本 JoVE 文章的文本或图表
申请许可An erratum was issued for: X-ray Beam Induced Current Measurements for Multi-Modal X-ray Microscopy of Solar Cells. An equation was updated.
Equation 9 was updated from:

to:
![Trigonometric identity equation: cos(a)cos(b) = 1/2[cos(a+b) + cos(a-b)].](/files/ftp_upload/60001/60001eq58v9.png)