Entwicklung von Hochleistungs-Lücke/Si Heterojunction Solarzellen

Diese Methode kann sagen, beantworten Schlüsselfragen in geschichtet Silizium integrierte Solarzellen Herstellung, wie eine hohe Silizium-Massenlebensdauer während des Wachstums zu halten. Die Hauptvorteile dieses Verfahrens sind, dass wir eine lange Silizium-Massenlebensdauer erreichen können, auch nach heterovalentem Wachstum des selektiven Kontakts des Galliumphosphidträgers auf Silizium. Dies ermöglicht uns den Zugriff auf die Bandlücken anderer III-V-Halbleiter.

Es ist eine Form der Multijunction-Solarzelle mit einer Silizium-Bodenzelle. Zu Beginn eine Piranha-Lösung in einem Hochdichte-Polyethylensäure-Heizbad vorbereiten, auf 110 Grad Celsius erhitzen und warten, bis sich die Temperatur stabilisiert. In einem anderen Säurebad eine verdünnte Salzsäure- und Wasserstoffperoxidlösung zur Beseitigung der Ionenkontamination vorbereiten, auf 74 Grad Celsius erhitzen und darauf warten, dass sich die Temperatur stabilisiert.