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Engineering

단축 긴장 조작 Fe1 +Y테 스핀 편광 스캔 터널링 현미경을 사용 하 여 Antiferromagnetic 도메인의 시각화

Published: March 24, 2019 doi: 10.3791/59203

Summary

단축 긴장을 사용 하 여 스핀 편광 주사 터널링 현미경과 함께, 우리는 시각화 Fe의 antiferromagnetic 도메인 구조를 조작1 + y테, 철 기반 초전도체의 부모 화합물.

Abstract

상관된 전자 시스템을 이해 하는 탐구의 새로운 실험적인 기술 및 방법론의 개발을 향해 실험 측정 국경 밀고 있다. 여기 우리가 우리의 가변 온도 controllably 샘플에서 비행기에 단축 긴장을 조작 하 고 프로브 원자 규모에서 그들의 전자 응답 수 있는 터널링 현미경 검사에 통합 소설 집에서 만든 단축 긴장 장치를 사용. 우리 antiferromagnetic (AFM) 도메인 및 Fe1 +y테 샘플, 철 기반 초전도체의 부모 화합물에에서 그들의 원자 구조를 시각화 터널링 현미경 (STM) 스핀-분극 기술 검색을 사용 하 여, 그리고 이러한 도메인 적용된 단축 긴장에 대처 하는 방법을 보여 줍니다. 우리는 양방향 AFM 도메인 ~ 50-150의 평균 도메인 크기 unstrained 샘플에 관찰 nm, 단축 적용 받으며 단일 단방향 도메인으로 전환. 여기에 제시 된 결과 STM, 다른 분 광 기법, 대칭 양자 소재 시스템에서 유도 관해서는 전자 속성을 튜닝에 대 한 둘 다에 있는 중요 한 튜닝 매개 변수를 활용 하는 새로운 방향으로 엽니다.

Introduction

Cuprates와 철 기반 초전도체에 고온 초전도 양자 문제1,2의 흥미로운 상태입니다. 이해 초전도 주요 과제는 전자 nematic 및 smectic 단계 (전자의 회전 및 변환 대칭 끊기)와 같은 다양 한 깨진된 대칭 상태의 로컬로 얽혀 자연 초전도3,,45,,67. 조작과 고의적인 튜닝이 깨진된 대칭의 이해 및 초전도 제어 핵심 목표 이다.

제어 변형, 단축 및 biaxial, 압축된 문제 시스템8,,910,11,12, 집단 전자 상태를 조정 하는 확고 기술입니다. 13,14,15,,1617,18,19,20,21, 22. 이 깨끗 한 튜닝, 화학도 핑을 통해 장애의 소개 없이 일반적으로 다양 한 종류의 실험에 대량 전자 속성23,,2425,26 조정 . 예를 들어 매치 압력 nematic 상전이 철 기반 초전도체의 초전도 구조, 자석, 및 Sr2RuO413 에 cuprates27 에 엄청난 효과를 입증 했다 10 , 14 , 28 , 29 그리고 최근 SmB624의 토폴로지 상태 튜닝에서 설명 되었다. 그러나, 표면에 민감한 기법, STM 등 각도 해결 광전자 방출 분광학 (ARPES) 스트레인의 사용에 제한 해 라 성장 박막 일치 하지 않는 기판26,30에 되었습니다. 표면에 민감한 실험에 단일 결정에 긴장을 적용 하 여 주요 과제는 초고 진공 (UHV)에 긴장된 샘플을 쪼개 다 필요가. 지난 몇 년 동안, 대체 방향 압 스택9,10,,1831 에 또는 열 확장19의 다른 계수 접시에 얇은 샘플을 에폭시 하고있다 ,32. 그러나 두 경우 모두, 적용 된 스트레인의 크기 매우 제한 됩니다.

여기 우리 제약 없이 샘플 (압축 변형)을 변형 하 고 동시에 STM을 사용 하 여 그것의 표면 구조를 시각화 하는 연구자 수 있도록 새로운 기계 단축 긴장 장치의 사용을 보여 줍니다 ( 그림 1참조). 예를 들어, 사용 하는 철1 +yTe의 단일 결정 어디 y = 0.10, (y는 과잉 철 분 농도) 철 칼코게나이드 초전도체의 부모 화합물. TN 아래 = ~ 60 K, Fe1 +y테 변환 높은 온도 상자성 상태에서 낮은 온도는 bicollinear 스트라이프 자기 순서26,33 와 antiferromagnetic 상태 34 ( 그림 3A, B참조). 마그네틱 전환 추가 동반 된다 구조 전환 정방에서 단사26,35. 비행기에서 AFM 순서 orthorhombic 구조34의 긴 b 방향을 따라 가리키는 스핀 구조와 detwinned 도메인을 형성 합니다. 스핀 편광 STM와 AFM 순서를 시각화, 여 우리 unstrained Fe1 +y테 샘플에서 양방향 도메인 구조를 조사 하 고 그들의 전환을 적용 받으며 하나의 큰 도메인으로 관찰 ( 에서 회로도 참조 그림 3 C-E). 이러한 실험 주사 터널링 현미경 샘플 및 표면 구조의 동시 이미징의 고착, 여기에 제시 된 단축 긴장 장치를 사용 하 여 단일 결정의 성공적인 표면 조정 표시. 그림 1 도식 도면 및 기계 긴장 장치의 사진을 보여준다.

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Protocol

참고: U 자형 몸 뻣 뻣 하 고 열팽창 (CTE), ~9.9 μm/(m∙°C), 304-등급의 스테인레스 스틸에 대 한 ~17.3 μm/(m∙°C)에 비해 낮은 계수는 416-학년 스테인레스 스틸의 이루어집니다.

1. 기계 장치를 단축 긴장

  1. 먼저 별도로 아세톤에 그들을 sonicating 고 소 프로 파 놀, 20 분 마다, 그 후에 U 자 모양의 장치, 마이크로 미터 나사 (인치 당 72 회전에 해당 하는 1-72), Belleville 봄 디스크 및 베이스 플레이트 청소 초음파 목욕 sonicator에서. 이 모든 불순물/입자를 제거합니다. 이 프로세스는 후드에서 수행 되어야 합니다.
  2. 어떤 물 잔류물 든 지 제거 하 고 드 하 15-20 분 동안 오븐에 구워 그들.
  3. 광학 현미경 관찰 하면서 날카로운 면도칼 블레이드를 사용 하 여 철1 +Y테 샘플 크기, 즉 2 m m x 0.1 m m x 1을 잘라.
  4. 그림 1C와 같이 함께 부품을 조립, 먼저 패널. 마이크로미터 나사의 쌍에 의해 큰 장치의 측면에 있는 또는 U 내부 1 m m와 작은 조정 될 수 있다.

2입니다. 긴장의 신청

  1. 두 개의 별도 요리, 혼합 실버 에폭시 (H20E)와 에폭시 데이터 시트에 대 한 지침에 따라 절연체를 사용 에폭시 (H74F).
  2. U 자 모양의 장치에 전기 접점을 만들고 철1 +y테 샘플의 b 축 중심의 긴 축 (1 m m x 2 m m x ~0.1 m m의 크기)의 샘플을 탑재 실버 에폭시 (H20E)의 얇은 레이어를 적용 그림 1C에서 같이 1 mm 간격에 걸쳐 장치 위에. 대류 오븐에 구워 120 ° c.에 15 분 동안 장치
  3. 샘플은 장치에서 지원 단단히 있도록 절연체를 사용 에폭시 샘플의 두 측면을 커버. 100 ° c.에 20 분 구워
    1. 광학 현미경을 사용 하 여, 샘플 간격으로 샘플의 측면의 병렬 정렬에 대 한 확인을 모든 각도에서 위치를 검사 합니다.
    2. 필요에 따라 샘플링 간격 내에서 장소와 H20E 및 H74F 에폭시 (그림 1C)에 의해 적용.
  4. 광학 현미경 샘플의 표면을 관찰 하는 동안 마이크로미터 나사를 회전 하 여 압축 긴장을 적용 합니다.
    참고: 여기 우리는 50 ° 변형 적용 하지만이 샘플에 적용 되는 긴장의 양에 따라 수정할 수 있습니다. 압력 샘플 Belleville 봄 디스크의 시리즈로 전송 됩니다. 아무 균열 또는 압력을 적용 한 후 샘플의 절곡 해야 합니다.
  5. 그림 1B와 같이 베이스 플레이트에 장치를 스크류.
    1. 샘플 및 격판덮개 사이 전기 접점을 만들 U 자 모양의 장치에 기본 격판덮개에서 실버 에폭시 (H20E)의 얇은 레이어를 적용 합니다. 120 ° c.에 15 분 구워 멀티 미터를 사용 하 여 접점을 측정 합니다.
    2. H74F 전도성 에폭시의 얇은 레이어를 사용 하 여 긴장된 샘플, b를 cleaving 평면에 수직에 알루미늄 게시물을 샘플 (같은 크기)를 붙입니다. 에폭시 완 치 될 때까지 20 분 대 한 조립된 장치를 구워.

3. 전송 장치 스캔 터널링 현미경 헤드

  1. 샘플 및 분석 실로 터널링 현미경, 스캔 변수 온도, 초고 진공의 로딩 도크를 통해 게시물 착 장치 전송 ( 그림 2A참조).
  2. 실내 온도에, 갓 쪼개진된 표면 노출 초고 진공에서 알루미늄 게시물 그만 팔 조작 기를 사용 하 여.
  3. 즉시 전송 장치 (긴장된 샘플) 조작자 주사 터널링 현미경 챔버와 현미경 머리 ( 그림 2B참조), 9 공화국 아래로 냉각 된 9 공화국에서 모든 실험을 수행의 또 다른 세트와 함께 현장에서
  4. 다음 단계를 수행 하기 전에 하룻밤을 샘플을 수 있습니다.

4. STM 실험 수행

  1. 스퍼터 링 및 어 닐 링의 여러 라운드로 처리 된 Cu (111) 표면에 필드 방출 하 여 각 실험 전에 Pt-Ir 팁을 준비 합니다.
  2. 샘플에 접근 하 여 따라 다음 샘플 단계는 팁으로 이동 외부 컨트롤러에 의해 현미경에서 압 전 재료에 적용 된 전압을 사용 하 여.
  3. 일단 팁은 몇 가지 Å 멀리 샘플 및 터널링 전류에서 오실로스코프, 다른 설정값 편견 및 설정치 전류에 걸릴 topographs에 등록 됩니다.
    참고: 주사 터널링 현미경 제조 업체 제공 컨트롤러 및 소프트웨어에 의해 제어 됩니다. 현미경의 동작을 위해 사용자 매뉴얼/자습서 (http://www.rhk-tech.com/support/tutorials/)를 참조 하십시오.

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Representative Results

STM topographs 샘플과 설정치에 적용-12 백만 전자 볼트의 설정치 바이어스 상수 현재 모드에서 측정 되었다-1.5의 현재 나 수집 끝에. Pt-Ir 팁 모든 실험에서 사용 되었다. 스핀 편광 STM를 위해 주사 터널링 현미경 팁 코팅 자석 원자는 확실히 도전적 일 수 있다. 이 경우 철1 +y테 공부의 샘플 자체는이 달성의 간단한 수단을 제공 합니다. 초과 철 (Fe1 +yy ) 쪼개진된 표면에 약하게 바인딩됩니다. 검색 팁 몇 나노를 초과 하는 충분 한 전류에는 팁을 제공 하는 높은 낮은 바이어스에 가까운 근접이 Fe 원자 그리고 그 원자의 몇 가지 팁36에 의해 선택 될 수 있습니다. 스핀 편광 팁을 생성 하는 다른 방법은 샘플 팁 분리의 급속 한 감소에 의해 접촉 이루어집니다 (과잉 철 분 농도의 위치)로 될 때까지 측정 된다 포화 전류에 의해. 과정에서 초과 다리미 끝에 본드를. 스핀 편광 팁의 성공적인 준비 그 주기는 두 번 가기 텔루륨 원자의 격자 상수의 지형에 자기 대조적으로 드러났습니다. 이 추가 변조는 더 아래에서 설명한 대로 샘플에서 antiferromagnetic 순서입니다.

그림 4A 는 unstrained Fe1 +ynonmagnetic 주사 터널링 현미경 팁 테 단 결정에 10 nm 원자 해상도 지형 이미지를 보여줍니다. 샘플을 고착 후 노출 테 원자에 해당 하는 본 원자 구조 ( 그림 3A참조). 푸리에 변환 (FT)는 지형 따라 a-와 b-방향, q 그리고 qb, 원자 브래그 피크에 해당 하는 이미지의 모서리에 4 개의 날카로운 봉우리를 보여줍니다. FT에 중앙 넓은 피크는 현재 연구에 대 한 관련 긴 파장 이질성에 해당 합니다. 그림 4C 그림 4A, 자석 팁으로 얻은 처럼 같은 크기의 다른 topograph를 보여줍니다. 두 번 하는 축을 따라 격자의 주기와 단방향 줄무늬 관찰 된다. 그림 4D 쇼는 브래그 이외에 본 topograph 피트 봉우리, QAFM1, 해당 반 브래그 피크 결합체 하에서 위성 봉우리의 새로운 쌍 그리고, 따라서, 두 번 실제 공간 파장. 새로운 구조는 표면 바로 아래 철 원자의 AFM 줄무늬 순서에 해당합니다.

이 unstrained 샘플에는 긴 b 축과 동반 AFM 스트라이프 순서 결정 구조 90 °를 회전 트윈 도메인 경계를 관찰 하는 것 어렵지 않다. 그림 4E 는 25 nm 스핀 편광 topograph를 AFM 트윈 도메인 경계를의 보여준다. 이미지의 피트는 이제 AFM 순서 (녹색, 노란색 동그라미에 의해 강조)의 두 쌍을 보여줍니다. QAFM의 한 쌍에 기여 하는 각 자기 도메인 FT에 봉우리. 이 명확 하 게, 우리를 시각화 하기 위해 푸리에 필터링 AFM 봉우리와 쏘아 피트의 각 쌍 다시 실제 공간. 결과 그림 4GH 두 개의 단방향 스트라이프 도메인 강조 표시 됩니다.

따라서, 우리는 도메인 구조 및 큰 규모로 표면에 경계를 공부 했다. 그림 5A, 그림 6A그림 7A 0.75 µ m x 0.75 µ m 이상 약간의 전체 지역에 걸쳐 3 개의 다른 unstrained 샘플에 대규모 topographs 표시 됩니다. 여러 작은 확대 topographs도 스트라이프 구조를 강조 하기 위해 표시 됩니다. topographs 필터링 푸리에 수 있도록 높은 공간 해상도 (1024 x 1024 픽셀 0.25 µ m2당)으로 찍힌다 고 역 푸리에 변환 큰 규모로 분석. 해당 도메인 구조 및 경계 그림 5B, 그림 6 c그림 7 H에표시 됩니다. 전반적으로, 여러 대체 스트라이프 도메인 unstrained 샘플에 대 한 예상 대로 전반적으로 같은 영역을 다루는 관찰 된다. 그것은 그 큰 규모에 표면은 전반적인 원자적 평면, 아직 라인 결함 (그림 5A) 등 원자 단계 (그림 7A), 몇 가지 다른 구조적 비리를 관찰할 수 있다. 스트라이프 도메인은 이러한 불규칙성의 영향을 받지.

여기에서 우리 긴장된 샘플 이동. 그림 8 은 두 배 이상 많은 총 면적 0.75 µ m x ~1.75 µ m의 총 지역에 걸친 대규모 topograph 그림 5, 그림 6, 그림 7에 나와 있는 unstrained 샘플에서 스팬 보여 줍니다. 강한 대조에서는, 각 topograph에 대 한 피트의 AFM 봉우리만이 긴장된 샘플에 단일 도메인을 나타내는 한 쌍을 보여 줍니다. 이 더 전체 지역에 단일 스트라이프 도메인을 확인 하는 푸리에 필터링 iFT 분석에 의해 구상 될 수 있다. 다시 한번, 단방향 스트라이프 순서 다른 표면 불규칙이 긴장된 샘플에 의해 영향을 받이 되지 않습니다.

Figure 1
그림 1: 변형 장치. 긴장 장치 (A) 회로도 U 자 모양의 장치는 두 개의 마이크로 미터 압축 (1) 및 (2) 디바이스의 확장에 대 한 나사 간격 영역. 샘플 간격 또는 간격 그림 패널 AB와 같이 위에 그림 패널 AC 에 같이 안에 갇혀 수 있습니다. H20E 및 H74F 에폭시의 조합 샘플에 적용 되 고 100 ° c.에 치료 일단 샘플에 에폭시 치료 샘플의 동일한 면적에 대 한 게시물 H74F를 사용 하 여 샘플의 표면에 epoxied입니다. (B) 긴장 장치는 최고와의 실제 설정 보기, 전면 보기, 및 한 줌 샘플의 합니다. 장치는 현미경 머리에 슬라이드 샘플 홀더를 실수를. 연락처를 장치에서 샘플 접시에 전도성 에폭시를 사용 하 여 만들어집니다. 압력의 전송 나사 및 Belleville 봄 디스크의 시리즈를 사용 하 여 활성화 됩니다. B 의 마지막 패널 표시 설정, 변형 장치 UHV 분석 챔버로 이동할 준비가. (C) 대안 방법은 스트레인 장치의 간격 안에 샘플을가지고 것입니다. C의 두 개의 중간 패널에 두 번째 unstrained 샘플 참조 장치에 epoxied입니다. 이 그림의 더 큰 버전을 보려면 여기를 클릭 하십시오.

Figure 2
그림 2: 터널링 현미경 설치 검색. (A) 주사 터널링 현미경 설치 합니다. 현미경에서 라디오 주파수 (RF) 소음 차폐는 음향 챔버에 배치 됩니다. (B) 맨 샘플 홀더를 가진 현미경 머리. Pt/Ir 팁 표시 됩니다. 샘플 단계 샘플은 팁 위에 바로 압 전 액추에이터의 집합으로 이동할 수 있습니다. (C) 현미경 머리 두 방사선 방패 안에 배치 됩니다. 이 그림의 더 큰 버전을 보려면 여기를 클릭 하십시오.

Figure 3
그림 3: Fe1 +y테 크리스탈 구조. (A) 텔루륨 원자를 보여주는 상위 레이어와 축일의 결정 구조. 빨간 점선 윤곽 3 단위 세포. 원자 단위 셀 (빨간 실선)와 축일의 자석 구조 (검은 실선)의 (B) 실제 공간 구조 그림. 마그네틱 wavevector λafm 두 번 테 테 원자 사이의 원자 거리입니다. Fe 원자에 화살표 회전 방향을 나타냅니다. (C) 회로도 AFM 트윈 도메인에서 두 도메인의 단사에서 ~ 60을 70 K, 평등을 정방 인구 구조 전환을 통해 냉각 될 때 형성을 보여주는. (D)는 detwinning의 응답 프로세스, 하나의 도메인 향상 (레드)와 다른 도메인 b 축 (검은 화살표)을 따라 긴장의 상당한 금액 적용 될 때 감소 (파란색). (E) A 완전 한 detwinned 도메인에는 하나의 단일 도메인. (F-H) C-전자패널의 실제 공간 FT. 빨간색 진짜 공간 도메인에 해당 하는 QAFM1 봉우리 그리고 파란 도메인에 해당 하는 QAFM2 봉우리. 브래그 봉우리 격자는 이미지의 모서리에 검은 점 들으로 표시 됩니다. 이 그림의 더 큰 버전을 보려면 여기를 클릭 하십시오.

Figure 4
그림 4: unstrained Fe1 +y테에서에서 단방향 변조. (A) A 10 nm x 10 nm topograph Fe1 +y테 없는 자석 대조의 원자 격자 구조. (B) FT 패널의 A, (검은 동그라미) 이미지의 모서리에는 브래그 피크를 보여주는. Fe1 +y테의 자석 구조 (C) A 10 nm x 10 nm topograph 스핀 편광 팁을 사용 하 여 측정. QAFM1 에 나타나는 봉우리에 해당 하는 한 축을 단방향 줄무늬 패널 D와 같이 FT에 q/2 =. 트윈 도메인 경계를 넘어 (E) A 25 nm x 25 nm 지형 이미지. E2를 보여주는 패널의 (F) 피트 봉우리 QAFM1 QAFM2의 세트. (G) 역 푸리에 패널 F에서 QAFM1 봉우리의 (iFT) 변환. 붉은 색 QAFM1 봉우리의 고 강도에 해당합니다. (H) iFT 패널 F에서 QAFM2 봉우리의. 도메인 경계는 GH패널에 표시 된 이미지에 명확 하 게 다릅니다. 역 푸리에 필터링 방법 후속 수치에 다른 도메인을 식별 하기 위해 사용 되었습니다. 이 그림의 더 큰 버전을 보려면 여기를 클릭 하십시오.

Figure 5
그림 5: unstrained Fe1 +y테 트윈 도메인 이미지입니다. (A) x 0.25 µ m 지형 이미지 트윈 경계를 보여주는 0.75 µ m. 데이터는 3 개의 인접 한 지형 이미지, 0.25 µ m. (B) 사용 iFT x 각 0.25 µ m에에서 인수 되었다, 도메인 경계는 명료 하 게 분명 하다. (C-E) (X)와 노란 색 점선된 상자 표시 이미지의 확대/축소 기능 강조, 점선, 색 상자 경계 주위와 함께 표시 됩니다. 이 그림의 더 큰 버전을 보려면 여기를 클릭 하십시오.

Figure 6
그림 6: unstrained Fe1 +y테에서에서 여러 도메인 이미지입니다. (A) 0.10 µ m 지형 이미지는 unstrained Fe1 +y테 x 0.10 µ m. (B) FT 패널의 A, 두 방향으로, 즉 QAFM1 QAFM2봉우리를 보여줍니다. (C) 패널 A를 나타내는 다른 도메인의 iFT 이미지. (DE) 줌 기능의는 강조 표시 된 노란색-및 오렌지-점선 상자 패널 A에. 이 그림의 더 큰 버전을 보려면 여기를 클릭 하십시오.

Figure 7
그림 7: unstrained Fe1 +y테에서에서 트윈 도메인 이미지입니다. (A) 0.5 µ m. (B-D) 라인의 상처는 블랙에 걸쳐 찍은 topograph x 0.75 µ m의 영역에 걸친 지형 이미지에 보라색, 녹색 화살표는 패널. (E-G) 확대/축소에서 패널 A에, 갈색, 녹색과 노란색 (X) 표시에서 강조 영역의. (H) iFT 패널 A를 보여주는 쌍둥이 도메인의. 흰색 점선 라인은 단계 가장자리/경계. 도메인 구조 기능 영향을 하지 않습니다. 이 그림의 더 큰 버전을 보려면 여기를 클릭 하십시오.

Figure 8
그림 8: 긴장된 Fe1 +y테에에서 detwinned 도메인 이미지입니다. (A) A 큰 1.750 µ m 0.50 µ m 지형 긴장된 Fe1 +y테 샘플에 x. (BC)는 두 개의 큰 (0.50 µ m x 0.50 µ m) 단일 topographs AFM의 한 쌍에 인수는 피트 한 방향으로 봉우리. (D)는 푸리에 필터링 및 iFT 과정 패널 A, 예상 대로 단일 도메인만을 보여주는 이미지에 적용 됩니다. D 패널에 점선 단방향 도메인에는 영향을 주지 않는 단계입니다. (E) 한 줌에서 (X) 단방향 줄무늬를 보여주는 노란색으로 강조 표시 된 영역의. (F) A 줌에서 패널 Edetwinned 샘플의 단방향 줄무늬 명확 하 게 보이고. (G) FT 패널 E의. AFM 봉우리 패널 E에서 진짜 공간 구조와 동의 한 방향에만 나타납니다. 이 그림의 더 큰 버전을 보려면 여기를 클릭 하십시오.

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Discussion

STM 내부 샘플으로 이동 하는 데 필요한 모든 작업 팔 조작자의 세트를 사용 하 여 수행 됩니다. STM은 낮은 온도에서 액체 질소와 액체 헬륨에 의해 고 샘플 접근 되 고 전에 적어도 12 h 아래로 냉각. 샘플 및 현미경 온도를 열 평형에 도달 수 있습니다. 전기 및 음향 소음, 격리 하는 STM는 음향 및 무선 주파수 차폐 룸에 배치 됩니다. 현미경 머리 더 최적화 된 수단이 안정성에 대 한 스프링에서 일시 중단 됩니다. 샘플 단 1mm 긴장 샘플의 다른 부분에 액세스할 수 있도록 하는 몇 밀리미터에 의해 번역 될 수 있다.

단축 압력 여기에 설명 된 실험에서 튜닝 매개 변수 이기 때문에, 그것은 절대적 냉각에서 생성 된 열 응력 샘플에 직접 전송 되지 않습니다. 이 위해, 우리는 Belleville 봄 디스크의 시리즈를 채택 한다. 50 µ m의 작업 부하에서 67 N, 그리고 편향의 Belleville 봄 디스크의 작업 부하를 사용 하 여, 우리 k 로 각 디스크에 대 한 스프링 상수 계산 = 1.3 x 106 N/m, 총 스프링 상수 k 의 수율 = 105 N/m f x 1.625 또는 4 쌍의 시리즈에서 온천입니다. 이렇게 하면 1%의 그리고 그러므로 무시할 수 적용 된 스트레인에 대 한 0.05% 미만 4 K를 실 온에서 냉각을 통해 샘플에 열 응력. 실험에서 우리는 마이크로미터 나사를 회전 δ x 에 해당 하는 50 ° = 50 µ m. 봄을 통해 샘플에 적용 되는 힘 F 수 산출 될 수 있다 = kΔx = 8 명. 압력 이므로 p F =/A = 8 N / (10-6 m2x 0.1) = 0.08 GPa. 70의 영의 계수에 대 한 축일37학점, 적용된 매치 압력 0.1% 긴장에 해당.

주요 과제는 STM와 긴장 장치를 통합 하거나 샘플에서 균열을 도입 하지 않고 스트레인의 응용 프로그램입니다. 테스트는 Ru2O7, Bi-2212, Sr3의 여러 샘플에 실험 하 고 Fe1 +y테 샘플 견딜 ~ 1에 해당 하는 ~0.8%-1.0%의 변종 샘플 두께 따라, GPa의 적용 압력입니다. 시각적으로 광학 현미경으로 본 샘플 표면에 균열의 표시가 없습니다이 값 보다 관찰 있습니다. 최근 작품 같은 원칙에 따라 ± 1% 변형 Sr2RuO4 9. 에 응용 프로그램 성공적으로 보여주었다.

이 기법의 성공 하거나 그것을 굽 힘 없이 1 mm 간격 및 응용 프로그램 샘플에 긴장의 샘플의 정확한 줄 맞춤의 주의 실행에 있다. 또 다른 중요 한 고려 사항은 깨끗 하 고 평평한 표면에의 노출을 수 있는 cleaving 프로세스입니다. 이 임의의 프로세스 이며 쉽게 쪼개 다 재료에 대 한 최고의 작품. 마지막 배려는 데 날카로운 팁을 원자 해상도 및 자석 대조를 달성 하기 위해 몇 가지 초과 철 원자를 선택할 수 있습니다.

결론적으로, 실험 및 분석 여기에 성공적으로 설명 된 우리의 긴장 장치와 상관된 전자 시스템에서 경쟁 주문 연구에 귀중 한 수 있는 새 튜닝 매개 변수를 제공 하는 STM의 보여 줍니다. 현재 장치의 장점은 다양 한 시료에 적용할 수 있는 긍정적이 고 부정적인 긴장입니다. 이 데모 ARPES 등 다른 분 광 실험에 영향을 줄 수 있습니다.

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Disclosures

저자는 공개 없다.

Acknowledgments

펜 실바 니 아. 수상에서 지원에서는 미국 국립 과학 재단 (NSF) 경력 인정 DMR-1654482입니다. 소재 합성 아니 2011/01/B/ST3/00425 폴란드 국립 과학 센터 보조금의 지원으로 수행 되었다.

Materials

Name Company Catalog Number Comments
Belleville spring disks McMaster Carr
Fe(1.1)Te Single Crystal
H20E Epoxy Technology
H74F Epoxy Technology
Micrometer screws McMaster Carr
Stainless Steel sheets (416) McMaster Carr

DOWNLOAD MATERIALS LIST

References

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Kavai, M., Giannakis, I., Leshen,More

Kavai, M., Giannakis, I., Leshen, J., Friedman, J., Zajdel, P., Aynajian, P. Visualizing Uniaxial-strain Manipulation of Antiferromagnetic Domains in Fe1+YTe Using a Spin-polarized Scanning Tunneling Microscope. J. Vis. Exp. (145), e59203, doi:10.3791/59203 (2019).

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