En Desglose dieléctrica Situ dependiente del tiempo en el microscopio electrónico de transmisión: una posibilidad de comprender el mecanismo de falla en los dispositivos microelectrónicos

8.3K visualizaciones

Citado por 1

09:26 min.

26 de junio de 2015

10.3791/52447-v

26 de junio de 2015

8.3K visualizaciones

La ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) en las pilas de interconexión en chip es uno de los mecanismos de fallo más críticos para los dispositivos microelectrónicos. Este artículo demuestra el procedimiento de un experimento in situ de TDDB en el microscopio electrónico de transmisión, que abre la posibilidad de estudiar el mecanismo de fallo en productos microelectrónicos.

Explorar más videos

Prueba eléctrica in situ

Chapters in this video

0:05

Title

1:35

Sample Preparation

2:30

Focused Ion Beam Thinning in a Scanning Electron Microscope

3:53

Sample Transfer to the Transmission Electron Microscope

4:29

Establishing the Electrical Connection

5:19

In Situ Time-dependent Dielectric Breakdown Experiment

6:50

Computed Tomography

7:22

Results: Failure Mechanism in Microelectronic Devices

8:34

Conclusion

Related Videos