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तैयारी और सी६०/Graphene संकर Nanostructures के लक्षण वर्णन
 
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तैयारी और सी६०/Graphene संकर Nanostructures के लक्षण वर्णन

Article DOI: 10.3791/57257-v 08:41 min May 15th, 2018
May 15th, 2018

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Resumen

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यहां हम सी के निर्माण के लिए एक प्रोटोकॉल वर्तमान६०/graphene संकर nanostructures शारीरिक थर्मल वाष्पीकरण द्वारा । विशेष रूप से, जमाव और एनीलिंग शर्तों के उचित हेरफेर की अनुमति 1 डी और अर्ध 1 डी सी के निर्माण पर नियंत्रण६० तरंगित ग्राफीन पर सी संरचनाओं ।

Tags

रसायन विज्ञान अंक १३५ थर्मल वाष्पीकरण सी६० nanostructures ग्राफीन स्कैनिंग सुरंगिंग माइक्रोस्कोपी उच्च वैक्यूम
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