Method Article

Gömülü Metal Örgülü Yüksek Performanslı, Esnek, Şeffaf Elektrotlar için Ölçeklenebilir Çözeltiyle İşlenmiş Üretim Stratejisi

DOI:

10.3791/56019

⸱

June 23rd, 2017

 ,  ,  ,  ,  ,  ,  , 
1Department of Mechanical Engineering, University of Hong Kong, 2Department of Mechanical Engineering, University of Michigan, 3Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan, 4Department of Chemistry, University of Hong Kong, 5HKU-Shenzhen Institute of Research and Innovation

In This Article

Summary

$$\rightleftharpoonup{xx}$$ $$\longleftharp{xx}$$, $$\longrightharp{xx}$$,

Bu protokol, tamamen gömülü, kalın metal örgülü, yüksek performanslı, esnek, şeffaf elektrotlar için çözüm bazlı bir üretim stratejisi tanımlamaktadır. Bu yöntemle üretilen esnek transparan elektrotlar, ultra düşük sac direnci, yüksek optik transmitans, eğilme sırasındaki mekanik stabilite, güçlü alt katman yapışması, yüzey pürüzlülüğü ve çevresel stabilite dahil olmak üzere en yüksek performansı gösteriyor.

Abstract

$$\rightleftharpoonup{xx}$$ $$\longleftharp{xx}$$, $$\longrightharp{xx}$$,

Burada yazarlar, bir polimer filmin içine tamamen gömülmüş bir metal örgülü yeni bir şeffaf elektrot (TE) gömülü metal örgülü şeffaf elektrotu (EMTE) rapor ediyorlar. Bu yazıda ayrıca bu yeni TE için düşük maliyetli, vakum içermeyen bir imalat yöntemi sunulmuştur; Yaklaşım lithography, electroplating ve imprint transfer (LEIT) işlemlerini bir araya getiriyor. EMTE'lerin gömülü doğası, organik elektronik cihaz üretimi için gerekli olan yüksek yüzey yumuşaklığı gibi birçok avantaj sunar; Büküm esnasında üstün mekanik stabilite; Kimyasallara ve neme karşı elverişli direnç; Ve plastik film ile güçlü yapışma. LEIT imalatı, vakum içermeyen metal biriktirme için bir elektroliz işlemi içerir ve endüstriyel seri üretim için uygundur. Ayrıca, LEIT yüksek bir en-boy oranı ( örn . Çizgi genişliğine) sahip metal örgü imalatına izin verir ve optik tr'yi olumsuz bir şekilde kaybetmeden elektriksel iletkenliğini önemli ölçüde arttırır.ansmittance. Birden fazla levha direnci 1 Ω / sq ve transmitansları% 90'dan fazla olan, esnek EMTE'lerin birkaç prototipini sergiledik ve 1.5 x 10 4'e kadar çok yüksek değerlere (FoM) yol açtı. Bu, en iyi değerler arasındadır. Yayınlanmış edebiyat.

Introduction

$$\rightleftharpoonup{xx}$$ $$\longleftharp{xx}$$, $$\longrightharp{xx}$$,

Dünya çapında, esnek / gerilebilir TE'lerin imal edilmesi için gelecekte esnek / esnek olarak kullanılmak üzere, indiyum kalay oksit ve flor katkılı kalay oksit (FTO) filmleri gibi katı şeffaf iletken oksitler (TCO'lar) için yer değiştirmeleri aramak için çalışmalar sürdürülmektedir. Gerilebilir optoelektronik cihazlar 1 . Bu yeni imalat yöntemleri ile yeni malzemeler gerektirir.

Grafen 2 , iletken polimerler 3 , 4 , karbon nanotüpleri 5 ve rasgele metal nanotel ağları 6 , 7 , 8 , 9 , 10 , 11 gibi nanomalzemeler incelenmiş ve bunların esnek TE'lerdeki yeteneklerini göstermiş ve Mevcut TCO tabanlı TE'ler, Filmin kırılganlığı 12 , düşük kızıl ötesi transmitans 13 ve düşük bolluk 14 dahil . Bu potansiyeli bile olsa, sürekli bükülme altında bozulma olmadan yüksek elektriksel ve optik iletkenlik elde etmek zor.

Bu çerçevede, normal metal kafesler 15 , 16 , 17 , 18 , 19 , 20 umut verici bir aday olarak gelişmekte ve isteğe bağlı olarak ayarlanabilen oldukça yüksek optik şeffaflık ve düşük sac direnci sağlamışlardır. Bununla birlikte, metal kafes tabanlı TE'lerin yaygın kullanımı birçok zorluk yüzünden engellenmiştir. Birincisi, imalat sıklıkla metallerin pahalı, vakum bazlı çökelmesini içerir 16 , 17 , 18 , 21 . İkincisi, kalınlık, ince film organik optoelektronik cihazlarda elektrikli kısa devre 22 , 23 , 24 , 25'e neden olabilir. Üçüncüsü, alt tabaka yüzeyi ile zayıf yapışma zayıf esneklikle sonuçlanır 26 , 27 . Yukarıda belirtilen kısıtlamalar yeni metal örgü tabanlı TE yapıları ve bunların imalatı için ölçeklenebilir yaklaşımlar için bir talep yarattı.

Bu çalışmada, bir polimer filmde tamamen gömülü bir metal örgü içeren esnek TE'lerin yeni bir yapısı bildirilmektedir. Litografi, elektrodepozisyon ve baskı transferini birleştiren, yenilikçi, çözüm tabanlı ve düşük maliyetli imalat yaklaşımı da açıklanmaktadır. Örnek EMTE'de 15k'ye kadar FoM değerleri elde edilmiştir. Gömülü doğası gereğiEMTE, dikkat çekici kimyasal, mekanik ve çevresel stabilite gözlemlendi. Ayrıca, bu çalışmada oluşturulan çözüm ile işlenmiş üretim tekniği, önerilen EMTE'lerin düşük maliyetli ve yüksek üretim kapasiteli üretimi için potansiyel olarak kullanılabilir. Bu üretim tekniği, daha ince metal örgü çizgi genişliklerine, daha geniş alanlara ve çeşitli metallere ölçeklenebilir.

Access restricted. Please log in or start a trial to view this content.

Protocol

$$\rightleftharpoonup{xx}$$ $$\longleftharp{xx}$$, $$\longrightharp{xx}$$,

DİKKAT: Lütfen elektron ışını güvenliğine dikkat edin. Lütfen doğru koruyucu gözlük ve kıyafetleri giyiniz. Ayrıca, tüm yanıcı çözücü ve çözeltileri dikkatle kullanın.

1. EMTE'nin fotolitografi tabanlı imalatı

  1. Örgü deseninin imalatı için fotolitografi.
    1. Pamuklu çubuk kullanılarak sıvı deterjanlı FTO cam zeminlerini (3 cm x 3 cm) temizleyin. Temiz bir pamuklu çubukla iyondan arındırılmış (DI) su ile iyice yıkayın. Sıkıştırılmış hava ile kurutmadan önce 30 saniye süreyle izopropil alkol (IPA) içinde ultra sonikasyon (frekans = 40 kHz, sıcaklık = 25 ° C) kullanarak daha da temizleyin.
      DİKKAT: Sıkıştırılmış havayı dikkatle kullanın.
    2. 1.8 μm kalınlıkta, tek biçimli film elde etmek için temizlenmiş FTO cam üzerinde 4.000 rpm'de 60 saniye (2 cm yarıçaplı numuneler için yaklaşık 350 xg) 100 uL folyo sıkıştırın.
    3. 50 saniye süreyle bir ısı plakasında fotorezist filmi fırında pişirin.100 ° C.
    4. 20 mJ / cm2'lik bir doz için bir UV maske hizalayıcı kullanarak filigran filmi örgü desenli (3 μm çizgi genişliği, 50 μm adım) bir fotomask ile maruz bırakın.
    5. Numuneyi, 50 saniye süreyle geliştirici çözeltiye batırarak foto rezistansı geliştirin.
    6. Numuneyi su ile durulayın ve sıkıştırılmış hava ile kurutun.
      DİKKAT: Sıkıştırılmış havayı dikkatle kullanın.
  2. Metallerin elektrodepozisyonu.
    1. 250 mL'lik bir beher içine 100 mL bakır sulu kaplama çözeltisi dökün.
      NOT: EMTE'lerin ilgili metallerle imalatı için diğer sulu kaplama çözeltileri ( örneğin gümüş, altın, nikel ve çinko) kullanılabilir.
      DİKKAT: Kimyasal güvenliği göz önünde bulundurun.
    2. Fotorezistiğe kaplı FTO camını iki elektrodlu elektrodepozisyon tertibinin negatif ucuna bağlayın ve çalışma elektrodu olarak kaplama solüsyonuna daldırın.
    3. Bakır metal çubuğu bağlayınKarşı elektrot olarak iki elektrodlu elektrot yerleştirme düzeneğinin pozitif ucuna bağlayın.
    4. Bir voltaj / akım kaynağı ve ölçüm cihazı ( örn. Sourcemeter) kullanarak metali yaklaşık 1,5 um kalınlığa kadar çöktürmek için 15 dakika süreyle sabit 5 mA akım (akım yoğunluğu: ~ 3 mA / cm2) tedarik edin.
    5. Foto rezistansla kaplı FTO cam örneğini DI su ile durulayın ve sıkıştırılmış hava ile kurutun.
      DİKKAT: Sıkıştırılmış havayı dikkatle kullanın.
    6. FTO cam üzerine çıplak metal örgü ile fotorezist filmi çözmek için, fotorezist kaplı FTO cam örneği aseton içinde 5 dakika yerleştirin.
  3. Metal örgü esnek alt tabakaya termal imprint transferidir.
    1. Metal örgü kaplı FTO cam örneğini, termal yazıcıyla elektrikle ısıtılan plakalara yerleştirin ve yüzeye 100 μm kalınlığa sahip esnek siklik olefin kopolimer (COC) filmi yerleştirin; örn.Metal örgü tarafı.
    2. Isıtmalı presin plakalarını 100 ° C'ye ısıtın.
    3. 15 MPa baskı basıncını uygulayın ve 5 dakika boyunca tutun.
      DİKKAT: Isıttığı basıncı kullanırken güvenliği göz önünde bulundurun.
      NOT: Baskı aktarımı daha düşük bir basınçta yapılabilir; Burada bildirilen basınç değeri (15 MPa) nispeten yüksektir. Bu yüksek basınç, metal örgünün tamamen COC film içine gömülmesini sağlamak için kullanıldı.
    4. Isıtmı levhaları 40 ° C'lik kalıptan ayırma sıcaklığına soğutun.
    5. Baskı basıncını serbest bırakın.
    6. Metal örgü tamamen COC film içine gömülmüş olarak, FTO camdan COC filmi soyun.

2. Alt-mikron EMTE'lerin üretimi

  1. Elektron ışını litografi (EBL) kullanılarak alt mikron EMTE'lerin üretimi.
    1. Spincoat Temizlenmiş FTO camı üzerinde 60 sa süreyle 100 μL polimetil metakrilat (PMMA) solüsyonu (15k MW, anasonda ağırlıkça% 4)T 2.500 rpm (yaklaşık 2x yarıçaplı numuneler için 140 xg) ile 150 nm kalınlığında, tek biçimli film elde edilmiştir.
    2. PMMA filmi 170 ° C'de 30 dakika boyunca bir ocak gözünde pişirin.
    3. EBL sistemini açın ve bir desen üreteci 29 kullanarak örgü modelini (400 nm çizgi genişliği, 5 μm adım) tasarlayın.
    4. Örneği, desen üretecine bağlı bir tarama elektron mikroskopu içine yerleştirin ve yazma işlemini 29 gerçekleştirin .
    5. 1: 3 oranında metil izopropil keton ve izopropanol karışımı içinde 60 saniye boyunca direnç geliştirin.
    6. Numuneyi su ile durulayın ve sıkıştırılmış hava ile kurutun.
      DİKKAT: Sıkıştırılmış havayı dikkatle kullanın.
    7. Orta boy bir behere 100 mL bakır sulu kaplama solüsyonu yerleştirin.
      NOT: EMTE'lerin ilgili metallerle imalatı için diğer sulu kaplama çözeltileri ( örn. Gümüş, altın, nikel ve çinko kaplama çözeltileri) kullanılmalıdır. <
    8. PMMA kaplı FTO camı, iki elektrotlu elektrodepozisyon tertibatının negatif ucuna tutturun, çalışma elektrodu olarak kaplama çözeltisine daldırın ve devreyi tamamlamak için bakır metal çubuğu pozitif terminaline bağlayın.
      NOT: İlgili metal elektrot konumları için diğer metal çubuklar ( örneğin, gümüş, altın, nikel ve çinko) kullanılmalıdır.
    9. Yaklaşık 200 nm kalınlığa metal yatırmak için 2 dakika boyunca örgü desen bölgesine yaklaşık 3 mA / cm2 akım yoğunluğuna tekabül eden uygun bir akım uygulayın (gerçek kalınlık SEM veya AFM ile belirlenmelidir).
    10. Numuneyi DI su ile dikkatli bir şekilde yıkayın ve PMMA filmini çözmek için 5 dakika aseton koyun.
    11. Metal örgülü FTO cam örneğini termal imprintörün elektrikle ısıtılmış plakalarına koyun ve numunenin üzerine bir COC film (100 μm kalınlık) koyun.
    12. Plakaları 100 ° C'ye ısıtın, 15MPa baskı basıncı ve 5 dakika boyunca tutun.
    13. Isıtmı levhaları 40 ° C'lik kalıptan ayırma sıcaklığına soğutun ve baskı basıncını boşaltın.
    14. COC filmini tamamen COC film içine gömülmüş sub-mikron metal örgüyle birlikte FTO camından soyun.

3. EMTE'lerin Performans Ölçümleri

  1. Levha direnci ölçümü.
    1. Kare numunenin iki zıt kenarına gümüş macunu yayın ve kuruyana kadar bekleyin.
    2. Direnç ölçüm cihazının dört sondasını cihaz talimatlarını izleyerek gümüş renkli pedlere dikkatlice yerleştirin.
    3. Güç kaynağı / ölçüm cihazının direnç ölçüm moduna geçin ve değeri ekranda kaydedin.
  2. Optik iletim ölçümü.
    1. UV-Vis ölçüm ayarlarını açın ve spektrometreyi kalibre edin (diğer bir deyişle, okumaları zekayla ilişkilendirinHa standart örnek, cihazın doğruluğunu kontrol etmek için).
    2. EMTE örneğini spektrometre numune tutucusuna yerleştirin ve optik yönü doğru bir şekilde hizalayın.
    3. Spektrometreyi% 100 transmitans için ayarlayın.
      NOT: Burada sunulan tüm transmittans değerleri, çıplak COC film substratıyla mutlak transmitans için normalize edilmiştir.
    4. Numunenin transmitansını ölçün.
    5. Ölçümü kaydedin ve kurulumdan çıkın.

Access restricted. Please log in or start a trial to view this content.

Results

$$\rightleftharpoonup{xx}$$ $$\longleftharp{xx}$$, $$\longrightharp{xx}$$,

Şekil 1 , EMTE örneklerinin şematik ve üretim akış şemasını göstermektedir. Şekil 1a'da gösterildiği gibi, EMTE, bir polimer filmde tamamen gömülü bir metal örgüden oluşur. Izgaranın üst yüzü alt tabaka ile aynı seviyededir ve daha sonraki cihaz üretimi için genellikle düz bir platform gösterir. Üretim tekniği Şekil 1b - e'de şematik olarak açıklanmaktadır. Bir FTO cam substrat üzer...

Access restricted. Please log in or start a trial to view this content.

Discussion

$$\rightleftharpoonup{xx}$$ $$\longleftharp{xx}$$, $$\longrightharp{xx}$$,

Üretim yöntemimiz, numunenin özellik boyutlarının ve alanlarının ölçeklenebilirliği ve çeşitli materyallerin kullanımı için daha da modifiye edilebilir. EBL'yi kullanarak alt mikrometre çizgi genişliğinde ( Şekil 3a-3c ) bakır EMTE'lerin başarıyla üretilmesi, LEED üretiminde, elektrod kaplama ve baskı aktarımı da dahil olmak üzere EMTE yapısının ve kilit basamaklarının güvenilir bir şekilde bir alt mikrometre aralığına ölçeklendirilebileceğini kanıtlıyor. Benzer şekilde, faz kay...

Access restricted. Please log in or start a trial to view this content.

Disclosures

$$\rightleftharpoonup{xx}$$ $$\longleftharp{xx}$$, $$\longrightharp{xx}$$,

Yazarların açıklayacak bir şeyi yok.

Acknowledgements

$$\rightleftharpoonup{xx}$$ $$\longleftharp{xx}$$, $$\longrightharp{xx}$$,

Bu çalışma kısmen Hong Kong Özel İdari Bölgesinin Araştırma Hibeleri Konseyi (Ödül No. 17246116), Çin Ulusal Doğa Bilimleri Vakfı Genç Bilim Akademisi Programı (61306123), Temel Araştırma Programı- Shenzhen Belediyesinin Bilim ve Teknoloji Yenilik Komisyonu Genel Programı (JCYJ20140903112959959) ve Zhejiang Eyalet Bilim ve Teknoloji Dairesi (2017C01058) Anahtar Araştırma ve Geliştirme Programı. Yazarlar Y.-T.'ye teşekkür etmek istiyorlar. Huang ve SP Feng, optik ölçümlerle ilgili yardımlarından dolayı.

Access restricted. Please log in or start a trial to view this content.

Materials

List of materials used in this article
NameCompanyCatalog NumberComments
AsetonSigma-AldrichW332615Son derece yanıcı
İzopropanolSigma-Aldrich190764Son derece yanıcı
FTO Cam YüzeylerGüney Çin Xiang S & T, Çin
PhotoresistClariant, İsviçre54611L11AZ 1500 Pozitif ton direnci (20cP)
UV Maskesi HizalayıcıÇin Bilimler Akademisi, ÇinURE-2000/35
Fotorezist GeliştiriciClariant, İsviçre184411AZ 300 MIF Geliştirici
Cu, Ag, Au, Ni ve Zn Galvanik kaplama çözümleriCaswell, ABDKullanıma hazır çözümler (PLUG N' PLATE)
Keithley 2400 SourceMeterKeithley, ABD41J2103
COC Plastik FilmlerTOPAS, AlmanyaF13-19-1Sınıf 8007 (Cam geçiş sıcaklığı: 78 &�; C)
Hidrolik PresSpecac Ltd., İngiltereGS15011Düşük tonajlı kit ile (0-1 ton ölçü)
Sıcaklık Kontrol CihazıSpecac Ltd., İngiltereGS15515Su soğutmalı ısıtmalı merdaneler ve kontrolör
ChillerGrant Instruments, İngiltereT100-ST5
Polimetil Metakrilat (PMMA)Sigma-Aldrich200336
AnisolSigma-Aldrich96109Son derece yanıcı
EBL KurulumuPhilips, HollandaFEI XL30JC Nabity model üreteci ile donatılmış taramalı elektron mikroskobu   
İzopropil KetonSigma-Aldrich108-10-1
Gümüş MacunTed Pella, Inc, ABD16031
UV– Vis SpektrometresiPerkin Elmer, ABDL950

References

$$\rightleftharpoonup{xx}$$ $$\longleftharp{xx}$$, $$\longrightharp{xx}$$,
  1. Hecht, D. S., Hu, L., Irvin, G. Emerging Transparent Electrodes Based on Thin Films of Carbon Nanotubes, Graphene, and Metallic Nanostructures. Adv Mater. 23 (13), 1482-1513 (2011).
  2. Bonaccorso, F., Sun, Z., Hasan, T., Ferrari, A. C. Graphene photonics and optoelectronics. Nat Photonics. 4 (9), 611-622 (2010).
  3. Kirchmeyer, S., Reuter, K. Scientific importance, properties and growing applications of poly(3,4-ethylenedioxythiophene). J Mater Chem. 15 (21), 2077-2088 (2005).
  4. Vosgueritchian, M., Lipomi, D. J., Bao, Z. Highly Conductive and Transparent PEDOT:PSS Films with a Fluorosurfactant for Stretchable and Flexible Transparent Electrodes. Adv Funct Mater. 22 (2), 421-428 (2012).
  5. Zhang, M., et al. Strong, Transparent, Multifunctional, Carbon Nanotube Sheets. Science. 309 (5738), 1215-1219 (2005).
  6. De, S., et al. Silver Nanowire Networks as Flexible, Transparent, Conducting Films: Extremely High DC to Optical Conductivity Ratios. ACS Nano. 3 (7), 1767-1774 (2009).
  7. van de Groep, J., Spinelli, P., Polman, A. Transparent Conducting Silver Nanowire Networks. Nano Lett. 12 (6), 3138-3144 (2012).
  8. Hong, S., et al. Highly Stretchable and Transparent Metal Nanowire Heater for Wearable Electronics Applications. Adv Mater. 27 (32), 4744-4751 (2015).
  9. Bari, B., et al. Simple hydrothermal synthesis of very-long and thin silver nanowires and their application in high quality transparent electrodes. J Mater Chem A. 4 (29), 11365-11371 (2016).
  10. Hyunjin, M., Phillip, W., Jinhwan, L., Seung Hwan, K. Low-haze, annealing-free, very long Ag nanowire synthesis and its application in a flexible transparent touch panel. Nanotechnol. 27 (29), 295201(2016).
  11. Lee, H., et al. Highly Stretchable and Transparent Supercapacitor by Ag-Au Core-Shell Nanowire Network with High Electrochemical Stability. ACS Appl Mater Interfaces. 8 (24), 15449-15458 (2016).
  12. Cairns, D. R., et al. Strain-dependent electrical resistance of tin-doped indium oxide on polymer substrates. Appl Phys Lett. 76 (11), 1425-1427 (2000).
  13. Bel Hadj Tahar, R., Ban, T., Ohya, Y., Takahashi, Y. Tin doped indium oxide thin films: Electrical properties. J Appl Phys. 83 (5), 2631-2645 (1998).
  14. Kumar, A., Zhou, C. The Race To Replace Tin-Doped Indium Oxide: Which Material Will Win? ACS Nano. 4 (1), 11-14 (2010).
  15. Hong, S., et al. Nonvacuum, Maskless Fabrication of a Flexible Metal Grid Transparent Conductor by Low-Temperature Selective Laser Sintering of Nanoparticle Ink. ACS Nano. 7 (6), 5024-5031 (2013).
  16. Wu, H., et al. A Transparent Electrode Based on a Metal Nanotrough Network. Nat Nanotechnol. 8 (6), 421-425 (2013).
  17. Han, B., et al. Uniform Self-Forming Metallic Network as a High-Performance Transparent Conductive Electrode. Adv Mater. 26 (6), 873-877 (2014).
  18. Kim, H. -J., et al. High-Durable AgNi Nanomesh Film for a Transparent Conducting Electrode. Small. 10 (18), 3767-3774 (2014).
  19. Kwon, J., et al. Low-Temperature Oxidation-Free Selective Laser Sintering of Cu Nanoparticle Paste on a Polymer Substrate for the Flexible Touch Panel Applications. ACS Appl Mater Interfaces. 8 (18), 11575-11582 (2016).
  20. Suh, Y. D., et al. Nanowire reinforced nanoparticle nanocomposite for highly flexible transparent electrodes: borrowing ideas from macrocomposites in steel-wire reinforced concrete. J Mater Chem C. 5 (4), 791-798 (2017).
  21. Bao, C., et al. In Situ Fabrication of Highly Conductive Metal Nanowire Networks with High Transmittance from Deep-Ultraviolet to Near-Infrared. ACS Nano. 9 (3), 2502-2509 (2015).
  22. van Osch, T. H. J., Perelaer, J., de Laat, A. W. M., Schubert, U. S. Inkjet Printing of Narrow Conductive Tracks on Untreated Polymeric Substrates. Adv Mater. 20 (2), 343-345 (2008).
  23. Ahn, B. Y., et al. Omnidirectional Printing of Flexible, Stretchable, and Spanning Silver Microelectrodes. Science. 323 (5921), 1590-1593 (2009).
  24. Khan, A., Rahman, K., Hyun, M. -T., Kim, D. -S., Choi, K. -H. Multi-nozzle electrohydrodynamic inkjet printing of silver colloidal solution for the fabrication of electrically functional microstructures. Appl Phys A. 104 (4), 1113-1120 (2011).
  25. Khan, A., Rahman, K., Kim, D. S., Choi, K. H. Direct printing of copper conductive micro-tracks by multi-nozzle electrohydrodynamic inkjet printing process. J Mater Process Technol. 212 (3), 700-706 (2012).
  26. Ellmer, K. Past achievements and future challenges in the development of optically transparent electrodes. Nat Photonics. 6 (12), 809-817 (2012).
  27. Choi, H. -J., et al. Uniformly embedded silver nanomesh as highly bendable transparent conducting electrode. Nanotechnol. 26 (5), 055305(2015).
  28. Khan, A., Li, S., Tang, X., Li, W. -D. Nanostructure Transfer Using Cyclic Olefin Copolymer Templates Fabricated by Thermal Nanoimprint Lithography. J Vac Sci Technol B. 32 (6), (2014).
  29. Khan, A., et al. High-Performance Flexible Transparent Electrode with an Embedded Metal Mesh Fabricated by Cost-Effective Solution Process. Small. 12 (22), 3021-3030 (2016).
  30. Moon Kyu, K., Jong, G. O., Jae Yong, L., Guo, L. J. Continuous phase-shift lithography with a roll-type mask and application to transparent conductor fabrication. Nanotechnol. 23 (34), 344008(2012).
  31. Chou, S. Y., Krauss, P. R., Renstrom, P. J. Imprint of sub-25 nm vias and trenches in polymers. Appl Phys Lett. 67 (21), 3114-3116 (1995).
  32. Manfrinato, V. R., et al. Resolution Limits of Electron-Beam Lithography toward the Atomic Scale. Nano Lett. 13 (4), 1555-1558 (2013).
  33. Khan, A., et al. Solution-processed Transparent Nickel-mesh Counter Electrode with In-situ Electrodeposited Platinum Nanoparticles for Full-Plastic Bifacial Dye-sensitized Solar Cells. ACS Appl Mater Interfaces. 9 (9), 8083-8091 (2017).
  34. Lee, J., et al. A dual-scale metal nanowire network transparent conductor for highly efficient and flexible organic light emitting diodes. Nanoscale. 9 (5), 1978-1985 (2017).
  35. Khan, S., et al. Direct patterning and electrospray deposition through EHD for fabrication of printed thin film transistors. Current Appl Phys. 11 (1), S271-S279 (2011).

Access restricted. Please log in or start a trial to view this content.

Reprints and Permissions

Request permission to reuse the text or figures of this JoVE article

Request Permission

Tags

Embedded Metal MeshTransparent ElectrodeSolution ProcessingLithography Electroplating Imprint TransferElectroplating ProcessMetal Mesh FabricationFlexible Transparent ElectrodesHigh Aspect Ratio MeshSheet Resistance MeasurementOptical Transmittance Analysis

Related Articles