Summary
В этом протоколе описывается, как установить инфракрасную камеру в конвейерную ленту печи, провести заказчик коррекции заводской откалиброванной ИК-камеры, а также оценить пространственное распределение температуры поверхности объекта, представляющий интерес. Примером объектов являются промышленные кремниевые солнечные элементы.
Abstract
Измерение температуры поверхности объектов, обрабатываемых в конвейерных печах, является важным инструментом контроля процесса и обеспечения качества. В настоящее время температура поверхности объектов, обрабатываемых в конвейерных печах, обычно измеряется с помощью термокоуплей. Тем не менее, инфракрасная (ИК) термография представляет многочисленные преимущества по сравнению с термокорпусными измерениями, так как это бесконтактный, в режиме реального времени и пространственно разрешенный метод. Здесь, в качестве репрезентативного доказательства концепции пример, inline термографии система успешно установлена в ИК-лампа питание солнечной печи стрельбы, которая используется для процесса контактного стрельбы промышленных солнечных батарей Si. В этом протоколе описывается, как установить ИК-камеру в конвейерную ленту печи, провести коррекцию заказчика заводской откалиброванной ИК-камеры, а также выполнить оценку пространственного распределения температуры поверхности на целевом объекте.
Introduction
Контроль процесса и обеспечение качества объектов, обрабатываемых вконвейерных печах 1, важны и осуществляется путем измерения температуры поверхности объекта. В настоящее время температура обычно измеряется термокоуплом1. Поскольку термокомпые измерения требуют контакта с объектом, термокоупли неизбежно повреждают объект. Поэтому обычно выбирают репрезентативные образцы партии для измерения температуры, которые не обрабатываются с момента их повреждения. Измеренные температуры этих поврежденных объектов затем обываются на оставшиеся образцы из партии, которые затем обрабатываются. Соответственно, производство должно быть прервано для термоотесных измерений. Кроме того, контакт является локальным, нуждается в корректировке после каждого измерения и влияет на местную температуру.
Инфракрасная (ИК)термография 2 имеет ряд преимуществ по сравнению с классическими измерениями термокорпуса и представляет собой бесконтактный, на месте, в режиме реального времени, экономию времени и пространственно решенный метод измерения температуры. Используя этот метод, каждый образец партии, включая те, которые дополнительно обрабатываются, может быть измерен без прерывания производства. Кроме того, можно измерить распределение температуры поверхности, что дает представление о однородности температуры в процессе. Функция в режиме реального времени позволяет коррекции температурных параметров на лету. До сих пор возможными причинами отказа от использования ИК-термографии в конвейерных лентах являются 1) неизвестные оптические параметры горячих объектов(особенно для неметаллов 3)и 2) паразитическое экологическое излучение в печи (т.е. отраженное излучение, обнаруженное ИК-камерой в дополнение к испускаемому излучению излучения от объекта), что приводит к ложнойтемпературной выходу 2.
Здесь, в качестве репрезентативного доказательства концепции пример ИК-термографии в конвейерной ленте печи, мы успешно установили inline термографии системы в ИК-лампы питание солнечной печи огня (Рисунок 1), который используется в процессе контактной стрельбы промышленных солнечных батарей Si (Рисунок 2A,B)4,5. Процесс стрельбы является важным шагом в конце промышленного производства солнечных батарей6. На этом этапе контакты ячейки образуются7,,8,а поверхностная пассивация активируется9. Чтобы успешно достичь последнего, профиль температуры времени во время процессастрельбы (рисунок 2C) должен быть точно реализован. Поэтому необходим достаточный и эффективный контроль температуры. В этом протоколе описывается, как установить ИК-камеру в конвейерную ленту печи, провести коррекцию заказчика заводской откалиброванной ИК-камеры, а также оценить пространственное распределение температуры поверхности целевого объекта.
Subscription Required. Please recommend JoVE to your librarian.
Protocol
1. Установка ИК-камеры в конвейерную ленту печи
- Решите, какая часть печи должна быть измерена ИК-камерой.
ПРИМЕЧАНИЕ: Здесь выбрана пиковая зона процесса стрельбы (см. оранжевую выделенную зону в зоне обстрела рисунка 1A). - Определите температурный диапазон интереса, который должна обнаружить ИК-камера (например, 700–900 градусов по Цельсию, типичный пиковый температурный диапазон процесса стрельбы).
- Определить или, по крайней мере, оценить (через эксперименты или литературу), температуру, спектральные и угловые зависимые выбросы объекта (ы) интереса (например, кремниевых солнечных батарей) для определения диапазона длин волн (ы) наибольшего излучения для диапазона температур интереса (под определенным углом камеры).
ПРИМЕЧАНИЕ: Здесь, выброс оценивается на основе предыдущейлитературы 3 и программное обеспечение под названием RadPro10, который вычисляет спектральной, угловой и температурно-зависимой эмиссии для материалов, представляющих интерес. - Решение о типе ИК-камеры
ПРИМЕЧАНИЕ: Здесь используется средневолновая инфракрасная (MWIR) камера антимонида (InSb)(Таблицаматериалов).- Выберите камеру, которая может определить диапазон температур интереса.
- Выберите камеру, диапазон длин волн обнаружения которой соответствует диапазону длин волн наивысшего излучения объекта, представляющих интерес для температурного диапазона интереса.
- Избегайте как можно большего обнаружения паразитического излучения камерой, избегая объектов, которые излучают или отражают излучение в поле зрения камеры (например, ИК-лампы в печи).
- Решите необходимое пространственное и временное разрешение камеры (например, 640 px x 512 px и 125 Гц (полное изображение) для используемой камеры здесь).
- Реализовать достаточный оптический путь от ИК-камеры к объекту (см. рисунок 1B).
- Избегайте тревожных объектов в оптическом пути (например, ИК-лампы, вызывающие прямой или отраженный свет).
- Распоте камеру за пределами камеры печи, если это возможно.
ПРИМЕЧАНИЕ: Большинство камер имеют низкие эксплуатационные температуры (например, до 50 градусов по Цельсию). Убедитесь заранее, что положение камеры может быть изменено, при желании. - Удалите стену печи и изоляцию в месте, где должна быть оптическая дорожка, и замените отверстие изоляционным ИК-окном.
- Выберите подходящий материал для окна, которое отвечает следующим требованиям: 1) максимально прозрачным для диапазона длин волн обнаружения (к) камеры (например, кварцевое стеклянное окно для 0,2 мкм; Lt; 3 мкм, сапфировое окно для 0,4 мкм; Lt; 4,2 мкм) и 2) в состоянии изолировать термическую печь.
ПРИМЕЧАНИЕ: В результате температура окна может повлиять на передачу окна. - Избегайте повреждения ИК-окна. Не затягивайте окно, чтобы избежать поломки во время расширения тепла.
ПРИМЕЧАНИЕ: Материал окна должен иметь достаточное количество пространства для расширения при нагревании.
- Выберите подходящий материал для окна, которое отвечает следующим требованиям: 1) максимально прозрачным для диапазона длин волн обнаружения (к) камеры (например, кварцевое стеклянное окно для 0,2 мкм; Lt; 3 мкм, сапфировое окно для 0,4 мкм; Lt; 4,2 мкм) и 2) в состоянии изолировать термическую печь.
- Проверьте полученное поле зрения (FOV) ИК-камеры, изучив термографическое изображение с помощью программного обеспечения ИК-камеры. Определите целевой объект и его температуру на изображении термографии. При необходимости отрегулируйте FOV.
2. Глобальная коррекция температуры клиента откалиброванной ИК-камеры
ВНИМАНИЕ: Изготовление ИК-камеры, как предполагается, включает радиометрическую калибровку.
- Обнаружить локальные оптические артефакты, такие как отражение и фоновое излучение.
- Проведение классических термоотесанных измерений объекта при одновременной записи пластины, включая термокупл с ИК-камерой.
- Проверьте достоверность использованных термокоуплей. Поиск известных характерных температурных точек в температурном профиле обработанного объекта, которые могут быть четко заметно обнаружены (например, нарушение в гладкой линии). Если термокомп правильно измеряет эти температурные точки, то термокупл, скорее всего, правильно откалиброван.
- Пример использования кремниевых солнечных элементов
- Поместите термокупл на заднюю алюминиевую сторону пластины. Возьмите температурный профиль для стандартного процесса стрельбы11.
- Проинкормируйте термокуплы, определив, есть ли нарушение температурного профиля от шага 2.2.2.1 вокруг эвтектической температуры Аль-Си 577 градусов по Цельсию в виде более плоской кривой (как это имеет место на рисунке 2D).
ПРИМЕЧАНИЕ: Если нарушение происходит при температуре около 577 градусов по Цельсию, это признак того, что измерение температуры термокуплом является точным. Используйте только проверенные термокуплы для следующих шагов.
- Проведение термоотесанных измерений в температурном диапазоне интереса в одном и том же месте объекта (несколько раз по статистическим причинам), затем в пространственно различных случайных местах (по статистическим причинам) для получения временных температурных профилей.
- Определите локаленую неисправленную температуру термографического объекта под термокупплами по термококупным измерениям от шага 2.2.3 при размещении термокупа на верхней стороне объекта.
- Проверьте возможное локальное падение температуры вокруг контактного термокупла (из-за рассеивания тепла и затенения). Предположим, что температура в непосредственной близости от термокупла, как температура объекта непосредственно под термокуплом, если локальное падение температуры не присутствует.
- Выполните следующие шаги, если присутствует локальное падение температуры.
- Определите градиент пространственной температуры нынешнего падения температуры в части, которая не покрыта термокуплом.
ПРИМЕЧАНИЕ: Рекомендуется определить градиент в нескольких точках вокруг падения температуры (радиально) и определить средний градиент. - Оцените вклад возможных оптических артефактов, индуцированных термокуплом (пример протокола для случая, в котором предполагается однородная температура вдоль направления глубины клетки, например, в солнечных элементах Si).
- Поместите термокупл на поверхность напротив измеренной поверхности и повторите термокупл и термографическое измерение в этой конфигурации (как показано на рисунке 3A). Поверните объект, в том числе термокупл, вокруг так, чтобы термокупл не был в оптическом пути между камерой и объектом.
ПРИМЕЧАНИЕ: Если градиент локального перепада температуры одинаков для термокоупля, находящихся внутри и снаружи оптического пути (т.е. прикрепленных к измеренной или противоположной поверхности), это признак того, что термокупл, скорее всего, не вызывает оптических артефактов. - Экстраполировать градиент падения температуры в случае термоотеса контакта с измеренной поверхностью (т.е. внутри оптической траектории) в область, покрытую термокоуплом, чтобы получить температуру объекта под термокуплом.
- Повторите 2.3.2.2.2 для каждого измерения от шага 2.2.3.
- Поместите термокупл на поверхность напротив измеренной поверхности и повторите термокупл и термографическое измерение в этой конфигурации (как показано на рисунке 3A). Поверните объект, в том числе термокупл, вокруг так, чтобы термокупл не был в оптическом пути между камерой и объектом.
- Определите градиент пространственной температуры нынешнего падения температуры в части, которая не покрыта термокуплом.
- Альтернатива 2.3: Определите локаленую неисправленную температуру термографического объекта под термокупплами от термоотесных измерений от шага 2.2.3 при размещении термокупа на нижней стороне объекта. Для определения локальной неисправленной температуры термографии солнечных батарей под термокупом извлекайте местную температуру в положении термокупла.
ПРИМЕЧАНИЕ: Сохранение термоупряги на задней стороне предотвращает термокупл от блокирования взгляд на объект камерой. Поэтому, с одной стороны, коррекция температуры значительно проще. С другой стороны, термокуплы, как правило, не расположены на нижней стороне объекта во время процесса стрельбы, что может привести к эксплуатационным осложнениям, поэтому эту альтернативу необходимо проводить очень тщательно. - Исправь неисправленное термографическое изображение по отношению к термокрыным измеренным температурам с данными, генерируемыми шагами 2.3 или 2.4.
- Участок измеренных температур через термокупы против определенных температур с помощью неисправленной ИК термографии. Проведи фитинга кривой.
- Примените полученную кривую в качестве общей единой формулы глобальной коррекции для неисправленного изображения термографии.
- Повторите коррекцию температуры для каждого нового типа объекта или конфигурации, особенно когда оптические параметры различаются.
3. Оценка пространственного распределения температуры поверхности с помощью ИК-термографии
ПРИМЕЧАНИЕ: Предполагается, что условия стрельбы идентичны для этого раздела.
- Создание двумерной карты распределения пиковой температуры (см. рисунок 4A)
- Напишите сценарий с соответствующим языком программирования для отслеживания температуры поверхностного объекта для каждого пятна поверхности объекта вдоль всей камеры FOV, т.е. выступая в качестве "виртуального термокомпа", размещенного на всех объектах одновременно.
ПРИМЕЧАНИЕ: Здесь сценарий написан в MATLAB. - Извлекайте максимальное значение, т.е. пиковую температуру, для каждого объекта и высовывайте эти температуры на соответствующей 2D-карте распределения.
- Напишите сценарий с соответствующим языком программирования для отслеживания температуры поверхностного объекта для каждого пятна поверхности объекта вдоль всей камеры FOV, т.е. выступая в качестве "виртуального термокомпа", размещенного на всех объектах одновременно.
- Среднее распределение температуры в направлении пропускной способности объекта и перпендикулярно (см. рисунок 4B)
- В направлении пропускной способности: среднее распределение 2D-температуры в измерении, противоположном направлению пропускной способности. Остается среднее распределение температуры 1D в направлении пропускной способности.
- Перпендикулярно направлению пропускной способности: среднее распределение 2D-температуры в измерении, которое находится в направлении пропускной способности. Остается среднее распределение 1D-температуры перпендикулярно направлению пропускной способности.
ПРИМЕЧАНИЕ: Рекомендуется оставить последний сантиметр (по крайней мере) края для усреднения, так как оптические артефакты на краю объекта могут фальсифицировать полученную среднюю температуру.
Subscription Required. Please recommend JoVE to your librarian.
Representative Results
Как показано на рисунке 3БХД, пример объекта (здесь, кремний солнечный элемент; строго говоря, пассивированный излучатель и задняя ячейка (PERC)12; Рисунок 2A,B) может быть четко обнаружен ИК-камерой в различных конфигурациях4. Различные конфигурации монофациализно металлизированы(рисунок 3B),бифациализнометаллизированы 13 (Рисунок 3C) и неметаллизированные образцы PERC (Рисунок 3D). Разница между монофациальной и бифациальной конфигурацией заключается в том, что первый имеет полный алюминиевый слой области, в то время как последний имеет сетку H-шаблона (по аналогии с серебряной передней стороной) на задней стороне. Здесь ИК-камера была расположена таким образом, что камера FOV зафиксировала максимальную температуру процесса стрельбы. Пиковая фаза является наиболее важной фазой в процессе стрельбы, так как контакты фактически формируются на этом этапе14. Здесь диапазон температур, представляющий интерес, напоминал типичный пиковый температурный диапазон процесса стрельбы (т.е. около 700–900 градусовпо Цельсию 1).
Для последнего диапазона температур спектральная эмиссия довольно высока и однородна в короткой, средней и длинноволновой инфракрасныхспектрах 3. Двойной сапфировый слой использовался в качестве трансмиссивного окна, что позволяло хорошо вещание в коротких и средних спектрах ИК-волны. Для того, чтобы свести к минимуму обнаружение света от ИК-ламп печи (пик длины волны в инфракрасном диапазоне короткой длины волны), был выбран тип ИК-камеры с InSb в качестве детекторного материала, с дальностью обнаружения 3,7-4,1 мкм (включая фильтры). Только одна треть пластины в направлении пропускной способности может быть обнаружена в то же время. Однако этого было достаточно для этой работы, поскольку пластина полностью проходит существующее поле зрения. Естественно, здесь показаны скорректированные температурой термографические изображения. Строго говоря, изображение регулируется температурой по отношению к солнечным батареям.
Как видно на рисунке 3A, контактный термокупл на противоположной стороне оптической траектории вызвал падение температуры вокруг себя (с падением температуры 10 K), скорее всего, из-за рассеивания тепла и затенения. Последнее падение важно оценить температуру клетки во время стрельбы без термокоуплей, по сравнению с температурой, измеряемой термокуплом. Здесь ячейка была расположена на раме, когда с ней связался термокупл(рисунок 3E). Рассеивание тепла рамой вызвало падение температуры примерно на 10 К. Вместе с дополнительным тепловым падением термокоуплом последний измерил более низкую температуру на 20 К, чем то, что клетки отображали во время стандартной обработки (без термокомпового оборудования). Важно оценить последнее смещение для используемой термокровной системы, которая выполняется с помощью термографии, как показано на показано. ИК-камера позволяет осуществлять наблюдение за локальным тепловым рассеиванием ячеек конвейерной лентой при размещении непосредственно на ленте(рисунок 3F). Это причина, почему клетки, как правило, размещены на высоте пояса, чтобы свести к минимуму контакт между ними и поясом.
На рисунке 4 показано распределение температуры поверхности. Так как кремниевые солнечные элементы, как правило, около 160 мкм толщиной и обрабатываются в печи в течение 30 с, вполне вероятно, что распределение температуры по глубине клетки является однородным. Таким образом, результаты, скорее всего, предполагают распределение температуры, а не только распределение температуры поверхности. Напротив направления пропускной способности был получен средний температурный градиент 1 К/см. В направлении пропускной способности, входящий вафельный квартал был значительно холоднее, чем задний вафельный отдых. Более холодная входящая часть испытала градиент 7 K/cm, пока более горячая задней часть испытала градиент 0.5 K/cm.
В обоих направлениях края клеток (остальные 2 см) были проигнорированы для определения градиентов, так как обнаруженная температура по краям смешивалась с более холодной внешней границей клеток, что приводило к ложным температурам. На рисунке 4C показано репрезентативное 2D-распределение температуры монофациального солнечного элемента, который не был металлизирован спереди. Вышеупомянутые тенденции наблюдались и в тех же и противоположных транспортных направлениях. В целом, эти результаты показывают, что солнечные батареи в этой работе испытали определенную степень пространственной температуры неоднородности.
Рисунок 1: Самое важное оборудование, используемое в протоколе. (A)Боковой схемы печи конвейерной ленты. Эта фигура панели была изменена из Ourinson и др.4. (B)Увеличенная в последней зоне стрельбы, визуализация установки системы термографии. 1) Стена печи и изоляция, 2) ИК-камера, 3) ИК-лампы, 4) изоляционные окна, 5) направление движения объекта, 6) камера FOV, 7) транспортный ремень, 8) объект, и 9) термографическое программное обеспечение. Эта фигура панели была изменена из Ourinson и др.4. (C)огневая печь, используемая во время этого протокола. (D)Изображение, иллюстрирующее использованную ИК-камеру и трансмиссивное ИК-окно, расположенное в обжигающей печи. Цифры соответствуют номерам панелей A и B. Пожалуйста, нажмите здесь, чтобы просмотреть более широкую версию этой цифры.
Рисунок 2: Измеренные объекты и их температура. (A)Схематическое сечение монофациального солнечного элемента PERC. (B)Передний (слева) и задний (правый) вид сбоку промышленной ячейки PERC. (C)Термокоупл-измеренный промышленный профиль температуры времени солнечной батареи PERC во время процесса стрельбы, включая сегментацию на фазы и секции, которая покрыта полем зрения камеры. Эта цифра была изменена с Ourinson et al.5. (D) Демонстрация нарушения вокруг эвтектической температуры(TEUT) алюминия и кремния в профиле стрельбы, измеренном термокоуплом, когда термокупл помещается на алюминиевую заднюю сторону солнечной батареи. Эта цифра была изменена с Ourinson et al.5. Пожалуйста, нажмите здесь, чтобы просмотреть большую версию этой цифры.
Рисунок 3: Представитель температуры скорректированы термографии изображения ПЕРК солнечных элементов для идентичных условий стрельбы. (A)Видимое локальное падение температуры, вызванное контактом термокупла с задней стороны. (B)Термографическое изображение верхней трети монофашистно металлизированной ячейки PERC, включая (1) видимые автобусные панели (2), расположенные на видимой конвейерной ленте. TAV показывает среднюю температуру на пластине. (C)Термография изображения бифациализно металлизированной клетки PERC. (D)Термография изображения неметаллизированной пластины PERC. (E)Термография изображение размещены на термокровной раме и связался с термокоуплом. TTC показывает температуру, измеряемую термокуплом. (F)Термография изображения пластины размещены непосредственно на конвейерной ленте. (G)Цветная карта диапазона температур, измеренная ИК-камерой. Эта цифра была изменена с Ourinson et al.5. Пожалуйста, нажмите здесь, чтобы просмотреть большую версию этой цифры.
Рисунок 4: Распределение температуры солнечного элемента PERC для одинаковых условий стрельбы. (A) 2D пиковое распределение температуры монофациальной солнечной батареи PERC с передней стороны. b) среднее пиковое распределение температуры в (справа) и перпендикулярном (слева) направлении транспортировки клеток". Пожалуйста, нажмите здесь, чтобы просмотреть большую версию этой цифры.
Subscription Required. Please recommend JoVE to your librarian.
Discussion
Как правило, температура термографии корректируется путем измерения и адаптации оптических параметров объекта, трансмиссивного окна и траектории, а также температуры окружающей среды объекта итрансмиссивного окна 2. В качестве альтернативного метода в этом протоколе описана методика коррекции температуры, основанная на измерениях термоотеса. Для последнего метода знание параметров, упомянутых выше, не требуется. Для приложения, показанного здесь, этого метода достаточно. Тем не менее, не может быть гарантировано, что термокрыный метод достаточен для всех термографических применений в печи конвейерной ленты.
В протоколе предлагается единая глобальная коррекция температуры изображения термографии; хотя, точнее, исправить пространственно разрешенную температуру. Однако было установлено, что единая коррекция температуры более уместна в случаях перемещения объектов. Кроме того, он предназначен для коррекции температуры объекта, а не окружающих объектов (например, пояса и стен).
Как уже упоминалось в шаге 2.3.2.2, приведенное здесь пример предполагает однородное распределение температуры по глубине объекта. В случаях объектов с неоднородным распределением температуры вдоль их глубины температура на одной поверхности не напоминает температуру на противоположной поверхности. Таким образом, шаги, описанные в разделе 2.3.2.2, не применяются к этим случаям. Необходимо дополнительно изучить решение для неоднородного распределения температуры по глубине объекта.
Subscription Required. Please recommend JoVE to your librarian.
Disclosures
Авторов нечего раскрывать.
Acknowledgments
Эта работа поддерживается Федеральным министерством экономики Германии в рамках проекта "Feuerdrache" (0324205B). Авторы благодарят коллег, которые внесли свой вклад в эту работу, и партнеров по проекту (InfraTec, Rehm Thermal Systems, Heraeus Noblelight, Trumpf Photonic Components) за софинансирование и оказание выдающейся поддержки.
Materials
| Name | Company | Catalog Number | Comments |
| Datalogger incl. Thermal barrier | Datapaq Ltd. | ||
| IR thermography camera "Image IR 8300" | InfraTec GmbH | ||
| IR thermography software "IRBIS Professional 3.1" | InfraTec GmbH | ||
| Solar cells | Fraunhofer ISE | ||
| Solar firing furnace "RFS 250 Plus" | Rehm Thermal Systems GmbH | ||
| Sheath thermocouples type K | TMH GmbH | ||
| Thermocouple quartzframe | Heraeus Noblelight GmbH |
References
- Xu, J., Zhang, J., Kuang, K. Conveyor Belt Furnace Thermal Processing. , Springer. Heidelberg, Germany. (2018).
- Breitenstein, O., Warta, M. W. Langenkamp Lock-in Thermography: Basics and Use for Evaluating Electronic Devices and Materials. , Springer. Heidelberg, Germany. (2010).
- Ravindra, N. M., Ravindra, K., Mahendra, S., Sopori, B., Fiory, A. T. Modeling and Simulation of Emissivity of Silicon-Related Materials and Structures. Journal of Electronic Materials. 32 (10), 1052-1058 (2003).
- Ourinson, D., et al. In Situ Solar Wafer Temperature Measurement during Firing Process via Inline IR Thermography. Physica Status Solidi (RRL) - Rapid Research Letters. 13 (10), 1900270 (2019).
- Ourinson, D., et al. In-situ wafer temperature measurement during firing process via inline infrared thermography. AIP Conference Proceedings. 2156, 020013 (2019).
- Cooper, I. B., et al. Understanding and Use of IR Belt Furnace for Rapid Thermal Firing of Screen-Printed Contacts to Si Solar Cells. IEEE Electron Device Letters. 31 (5), 461-463 (2010).
- Schubert, G., Huster, F., Fath, P. Physical understanding of printed thick-film front contacts of crystalline Si solar cells-Review of existing models and recent developments. Solar Energy Materials and Solar Cells. 90 (18-19), 3399-3406 (2006).
- Rauer, M., et al. Aluminum Alloying in Local Contact Areas on Dielectrically Passivated Rear Surfaces of Silicon Solar Cells. IEEE Electron Device Letters. 32 (7), 916-918 (2011).
- Pawlik, M., Vilcot, J. -P., Halbwax, M., Gauthier, M., Le Quang, N. Impact of the firing step on Al 2 O 3 passivation on p-type Czochralski Si wafers: Electrical and chemical approaches. Japanese Journal of Applied Physics. 54 (8), 21 (2015).
- Lee, B. J., Zhang, Z. M. RAD-PRO: Effective Software for Modeling Radiative Properties in Rapid Thermal Processing. 2005 13th International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors. , Santa Barbara, CA. (2005).
- Temperature Measurements. , Available from: https://meettechniek.info/measuring/temperature.html (2020).
- Blakers, A. W., Wang, A., Milne, A. M., Zhao, J., Green, M. A. 22.8% efficient silicon solar cell. Applied Physics Letters. 55 (13), 1363-1365 (1989).
- Dullweber, T., et al. PERC+: industrial PERC solar cells with rear Al grid enabling bifaciality and reduced Al paste consumption. Progress in Photovoltaics: Research and Applications. 24 (12), 1487-1498 (2016).
- Ourinson, D., Emanuel, G., Lorenz, A., Clement, F., Glunz, S. W. Evaluation of the burnout phase of the contact firing process for industrial PERC. AIP Conference Proceedings. 2147 (1), 040015 (2019).
